RU2015153455A - Композиции для химико-механической полировки, содержащие полиэтиленимин - Google Patents

Композиции для химико-механической полировки, содержащие полиэтиленимин Download PDF

Info

Publication number
RU2015153455A
RU2015153455A RU2015153455A RU2015153455A RU2015153455A RU 2015153455 A RU2015153455 A RU 2015153455A RU 2015153455 A RU2015153455 A RU 2015153455A RU 2015153455 A RU2015153455 A RU 2015153455A RU 2015153455 A RU2015153455 A RU 2015153455A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
chemical
composition
mechanical polishing
range
modified
Prior art date
Application number
RU2015153455A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2015153455A3 (ru
Inventor
Йонгкинг ЛАН
Петер ПШИБЫЛЬСКИЙ
Женуи БАО
Юлиан ПРЕЛЬС
Original Assignee
Басф Се
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Басф Се filed Critical Басф Се
Publication of RU2015153455A publication Critical patent/RU2015153455A/ru
Publication of RU2015153455A3 publication Critical patent/RU2015153455A3/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1436—Composite particles, e.g. coated particles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02024—Mirror polishing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H01L21/30612—Etching of AIIIBV compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing

Claims (26)

1. Композиция для химико-механической полировки, содержащая следующие компоненты:
(A) поверхностно-модифицированные частицы диоксида кремния, имеющие отрицательный дзета-потенциал, равный -15 мВ или ниже при значении рН в интервале от 2 до 6
(B) один или более полиэтилениминов
(C) воду
(D) необязательно одну или более других составляющих,
где значение рН композиции находится в интервале от 2 до 6.
2. Композиция для химико-механической полировки по п. 1, в которой поверхностно-модифицированные частицы диоксида кремния компонента (А), имеющие отрицательный дзета-потенциал, равный -15 мВ или ниже при значении рН в интервале от 2 до 6, представляют собой частицы диоксида кремния, анионно модифицированные металлатными ионами или модифицированные сульфоновой кислотой.
3. Композиция для химико-механической полировки по п. 1, в которой поверхностно-модифицированные частицы диоксида кремния компонента (А), имеющие отрицательный дзета-потенциал, равный -15 мВ или ниже при значении рН в интервале от 2 до 6, представляют собой частицы диоксида кремния, анионно модифицированные металлатными ионами, выбранными из группы, включающей алюминат, станнат, цинкат и плюмбат.
4. Композиция для химико-механической полировки по п. 1, в которой поверхностно-модифицированные частицы диоксида кремния компонента (А), имеющие отрицательный дзета-потенциал, равный -15 мВ или ниже при значении рН в интервале от 2 до 6, представляют собой частицы диоксида кремния, анионно модифицированные алюминатом.
5. Композиция для химико-механической полировки по любому одному из пп. 1-4, в которой один, по меньшей мере один или все полиэтиленимины имеют среднюю молекулярную массу в интервале от 500 г/моль до 40000 г/моль.
6. Композиция для химико-механической полировки по любому одному из пп. 1-4, в которой
- общее количество (А) поверхностно-модифицированных частиц диоксида кремния, имеющих отрицательный дзета-потенциал, равный -15 мВ или ниже при значении рН в интервале от 2 до 6, находится в интервале от 0,1 до 30 мас.% на основе общей массы композиции,
и/или
- общее количество (В) полиэтилениминов находится в интервале от 0,01 до 3 мас.% на основе общей массы композиции.
7. Композиция для химико-механической полировки по любому одному из пп. 1-4, в которой
- поверхностно-модифицированные частицы диоксида кремния компонента (А), имеющие отрицательный дзета-потенциал, равный -15 мВ или ниже при значении рН в интервале от 2 до 6, представляют собой частицы диоксида кремния, анионно модифицированные алюминатом или модифицированные сульфоновой кислотой,
и/или
- один, по меньшей мере один или все полиэтиленимины имеют среднюю молекулярную массу в интервале от 500 г/моль до 40000 г/моль.
8. Композиция для химико-механической полировки по любому одному из пп. 1-4, содержащая одну или более других составляющих в качестве компонента (D),
где одна или по меньшей мере одна или все другие составляющие компонента (D) выбираются из группы, включающей окисляющие агенты, абразивные вещества, отличные от поверхностно-модифицированных частиц диоксида кремния, имеющих отрицательный дзета-потенциал, равный -15 мВ или ниже при значении рН в интервале от 2 до 6, стабилизаторы, поверхностно-активные вещества, средства, уменьшающие трение, буферные вещества.
9. Применение полиэтиленимина в качестве добавки для композиции для химико-механической полировки, предпочтительно в качестве добавки для композиции для химико-механической полировки, содержащей поверхностно-модифицированные частицы диоксида кремния, имеющие отрицательный дзета-потенциал, равный -15 мВ или ниже при значении рН в интервале от 2 до 6.
10. Применение по п. 9, в котором полиэтиленимин (В) имеет среднюю молекулярную массу в интервале от 500 г/моль до 40000 г/моль и предпочтительно представляет собой разветвленный сферический полимер.
11. Способ получения полупроводниковых устройств, включающий химико-механическую полировку подложки или слоя в присутствии композиции для химико-механической полировки по любому одному из пп. 1-8.
12. Способ по п. 11, в котором подложка или слой содержит одно или более III-V веществ.
13. Способ по п. 12, где одно, по меньшей мере одно или все III-V вещества выбираются из группы, включающей GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlAs, AlN, InP, InAs, InSb, InGaAs, InAlAs, AlGaAs, GaAlN, GaInN, InGaAlAs, InGaAsP, InGaP, AlInP, GaAlSb, GaInSb, GaAlAsSb и GaInAsSb.
14. Применение композиции для химико-механической полировки по любому одному из пп. 1-8 для полировки подложки или слоя, содержащих одно или более III-V веществ, где одно, по меньшей мере одно или все III-V вещества предпочтительно выбираются из группы, включающей из группы, включающей GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlAs, AlN, InP, InAs, InSb, InGaAs, InAlAs, AlGaAs, GaAlN, GaInN, InGaAlAs, InGaAsP, InGaP, AlInP, GaAlSb, GaInSb, GaAlAsSb и GaInAsSb.
RU2015153455A 2013-05-15 2014-05-05 Композиции для химико-механической полировки, содержащие полиэтиленимин RU2015153455A (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP13167882 2013-05-15
EP13167882.3 2013-05-15
PCT/IB2014/061201 WO2014184703A2 (en) 2013-05-15 2014-05-05 Chemical-mechanical polishing compositions comprising polyethylene imine

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2015153455A true RU2015153455A (ru) 2017-06-20
RU2015153455A3 RU2015153455A3 (ru) 2018-03-28

Family

ID=48366258

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2015153455A RU2015153455A (ru) 2013-05-15 2014-05-05 Композиции для химико-механической полировки, содержащие полиэтиленимин

Country Status (11)

Country Link
US (1) US9862862B2 (ru)
EP (1) EP2997105A4 (ru)
JP (1) JP6377726B2 (ru)
KR (1) KR20160010495A (ru)
CN (1) CN105229097B (ru)
IL (1) IL240809B (ru)
MY (1) MY178806A (ru)
RU (1) RU2015153455A (ru)
SG (1) SG11201509209VA (ru)
TW (1) TWI642737B (ru)
WO (1) WO2014184703A2 (ru)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012148533A1 (en) * 2011-04-28 2012-11-01 Isp Investments Inc. Lactamic polymers containing an acetoacetate moiety
TWI650318B (zh) * 2017-10-30 2019-02-11 財團法人工業技術研究院 以結晶法純化２，５－呋喃二甲酸的粗產物之方法與聚酯之形成方法
CN107916076A (zh) * 2017-11-24 2018-04-17 安徽睿知信信息科技有限公司 一种手机玻璃抛光材料制备方法
JP6962247B2 (ja) 2018-03-14 2021-11-05 Jsr株式会社 半導体表面処理用組成物および半導体表面処理方法
KR20220130544A (ko) * 2021-03-18 2022-09-27 삼성에스디아이 주식회사 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 cmp 슬러리 조성물 및 이를 이용한 텅스텐 패턴 웨이퍼의 연마 방법
KR20230028826A (ko) * 2021-08-23 2023-03-03 삼성에스디아이 주식회사 텅스텐 패턴 웨이퍼 연마용 ｃｍｐ 슬러리 조성물 및 이를 이용한 텅스텐 패턴 웨이퍼의 연마 방법
CN114507478B (zh) * 2022-02-24 2023-05-09 北京通美晶体技术股份有限公司 一种砷化镓晶片加工用抛光液及其制备方法

Family Cites Families (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100416587B1 (ko) * 2000-12-22 2004-02-05 삼성전자주식회사 씨엠피 연마액
US6776810B1 (en) 2002-02-11 2004-08-17 Cabot Microelectronics Corporation Anionic abrasive particles treated with positively charged polyelectrolytes for CMP
JP2003347247A (ja) * 2002-05-28 2003-12-05 Hitachi Chem Co Ltd 半導体絶縁膜用ｃｍｐ研磨剤及び基板の研磨方法
US20040077295A1 (en) * 2002-08-05 2004-04-22 Hellring Stuart D. Process for reducing dishing and erosion during chemical mechanical planarization
US20040175942A1 (en) 2003-01-03 2004-09-09 Chang Song Y. Composition and method used for chemical mechanical planarization of metals
WO2004101222A2 (en) * 2003-05-12 2004-11-25 Advanced Technology Materials, Inc. Chemical mechanical polishing compositions for step-ii copper liner and other associated materials and method of using same
US7022255B2 (en) * 2003-10-10 2006-04-04 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Chemical-mechanical planarization composition with nitrogen containing polymer and method for use
US20050079803A1 (en) * 2003-10-10 2005-04-14 Siddiqui Junaid Ahmed Chemical-mechanical planarization composition having PVNO and associated method for use
US7247566B2 (en) 2003-10-23 2007-07-24 Dupont Air Products Nanomaterials Llc CMP method for copper, tungsten, titanium, polysilicon, and other substrates using organosulfonic acids as oxidizers
US7255810B2 (en) * 2004-01-09 2007-08-14 Cabot Microelectronics Corporation Polishing system comprising a highly branched polymer
TW200613485A (en) * 2004-03-22 2006-05-01 Kao Corp Polishing composition
KR100672940B1 (ko) 2004-08-03 2007-01-24 삼성전자주식회사 금속막을 위한 화학적기계적 연마 슬러리 및 이를 이용한금속막의 화학적기계적 연마 방법
US20070037892A1 (en) * 2004-09-08 2007-02-15 Irina Belov Aqueous slurry containing metallate-modified silica particles
EP1813656A3 (en) * 2006-01-30 2009-09-02 FUJIFILM Corporation Metal-polishing liquid and chemical mechanical polishing method using the same
SG173361A1 (en) * 2006-07-12 2011-08-29 Cabot Microelectronics Corp Cmp method for metal-containing substrates
US7915071B2 (en) * 2007-08-30 2011-03-29 Dupont Air Products Nanomaterials, Llc Method for chemical mechanical planarization of chalcogenide materials
CA2700408A1 (en) * 2007-10-05 2009-04-09 Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. Improved silicon carbide particles, methods of fabrication, and methods using same
CN101451047B (zh) 2007-11-30 2013-10-23 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液
JP5371416B2 (ja) * 2008-12-25 2013-12-18 富士フイルム株式会社 研磨液及び研磨方法
JP2010269985A (ja) 2009-05-22 2010-12-02 Fuso Chemical Co Ltd スルホン酸修飾水性アニオンシリカゾル及びその製造方法
CN101899265B (zh) 2009-05-25 2013-12-25 长兴开发科技股份有限公司 用于移除锯痕的化学机械研磨组合物
CN102741985B (zh) 2010-02-01 2015-12-16 Jsr株式会社 化学机械研磨用水系分散体及利用其的化学机械研磨方法
US8858819B2 (en) 2010-02-15 2014-10-14 Air Products And Chemicals, Inc. Method for chemical mechanical planarization of a tungsten-containing substrate
KR20130041084A (ko) * 2010-06-18 2013-04-24 히타치가세이가부시끼가이샤 반도체 기판용 연마액 및 반도체 웨이퍼의 제조 방법
WO2012103091A2 (en) 2011-01-24 2012-08-02 Clarkson University Abrasive free silicon chemical mechanical planarization
WO2012127398A1 (en) * 2011-03-22 2012-09-27 Basf Se A chemical mechanical polishing (cmp) composition comprising a polymeric polyamine
JPWO2012165376A1 (ja) * 2011-06-03 2015-02-23 旭硝子株式会社 研磨剤および研磨方法
EP2722872A4 (en) * 2011-06-14 2015-04-29 Fujimi Inc POLISHING COMPOSITION
JP2013080751A (ja) 2011-09-30 2013-05-02 Fujimi Inc 研磨用組成物
JP6132315B2 (ja) * 2012-04-18 2017-05-24 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JP5957292B2 (ja) * 2012-05-18 2016-07-27 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物並びにそれを用いた研磨方法及び基板の製造方法
CN104395425A (zh) * 2012-06-11 2015-03-04 嘉柏微电子材料股份公司 用于抛光钼的组合物和方法
JPWO2014069457A1 (ja) * 2012-11-02 2016-09-08 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
WO2014130935A1 (en) 2013-02-22 2014-08-28 Wertz Zachary R Shaving razor

Also Published As

Publication number Publication date
EP2997105A4 (en) 2017-01-25
CN105229097B (zh) 2017-11-17
US9862862B2 (en) 2018-01-09
IL240809A0 (en) 2015-10-29
RU2015153455A3 (ru) 2018-03-28
EP2997105A2 (en) 2016-03-23
US20160068712A1 (en) 2016-03-10
JP2016524324A (ja) 2016-08-12
TWI642737B (zh) 2018-12-01
WO2014184703A2 (en) 2014-11-20
MY178806A (en) 2020-10-20
SG11201509209VA (en) 2015-12-30
KR20160010495A (ko) 2016-01-27
JP6377726B2 (ja) 2018-08-22
WO2014184703A3 (en) 2015-03-12
CN105229097A (zh) 2016-01-06
TW201506101A (zh) 2015-02-16
IL240809B (en) 2019-05-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2015153455A (ru) Композиции для химико-механической полировки, содержащие полиэтиленимин
RU2015153456A (ru) Композиции для химико-механической полировки, содержащие n, n, n',n'-тетракис-(2-гидроксипропил)-этилендиамин или метансульфоновую кислоту
RU2015153457A (ru) Композиции для химико-механической полировки, содержащие один или более полимеров, выбранных из группы, включающей n-винил-гомополимеры и n-виниловые сополимеры
KR101728646B1 (ko) 실리콘 웨이퍼용 연마액 조성물
US9765239B2 (en) Use of a chemical-mechanical polishing (CMP) composition for polishing a substrate or layer containing at least one III-V material
US10037831B2 (en) Methods of nanowire functionalization, dispersion and attachment
TW201816059A (zh) 研磨用組成物及研磨用組成物套組
JP2011530166A5 (ru)
JP2017521265A5 (ru)
KR20150014924A (ko) 연마용 조성물
CN108250974A (zh) 一种化学机械抛光液
WO2014174495A3 (en) An improved cosmetic composition
CN106458613B (zh) 水性气凝胶及其生产方法
KR101472857B1 (ko) 친환경 폴리막 정지용 슬러리 및 첨가제 조성물
US9834703B2 (en) Polishing composition
CN105349290A (zh) 一种锑化镓单晶抛光片腐蚀液
CN104745082A (zh) 一种化学机械抛光液以及抛光方法
JP6724573B2 (ja) 研磨液、研磨液セット及び基体の研磨方法
JP6831667B2 (ja) 濡れ剤
Golikova et al. Destabilization of sol of aerosil OX-50 in solutions of surfactants. II. Aerosil OX-25 in solutions of cationic and nonionic surfactants
Tamura et al. Photoluminescence of high-density and sub-20-nm GaAs nanodisks fabricated with a neutral beam etching process and MOVPE regrowth for high performance QDs devices
김경락 et al. Gold nanoparticles in 3-dimentional networks prepared using porous polymer microspheres as templates
Chen et al. CdTe quantum dots modified fluorescent polymer microspheres by self-assembly

Legal Events

Date Code Title Description
FA92 Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted)

Effective date: 20180730