RU2015153456A - Композиции для химико-механической полировки, содержащие n, n, n',n'-тетракис-(2-гидроксипропил)-этилендиамин или метансульфоновую кислоту - Google Patents

Композиции для химико-механической полировки, содержащие n, n, n',n'-тетракис-(2-гидроксипропил)-этилендиамин или метансульфоновую кислоту Download PDF

Info

Publication number
RU2015153456A
RU2015153456A RU2015153456A RU2015153456A RU2015153456A RU 2015153456 A RU2015153456 A RU 2015153456A RU 2015153456 A RU2015153456 A RU 2015153456A RU 2015153456 A RU2015153456 A RU 2015153456A RU 2015153456 A RU2015153456 A RU 2015153456A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
chemical
mechanical polishing
composition
range
modified
Prior art date
Application number
RU2015153456A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2015153456A3 (ru
Inventor
Йонгкинг ЛАН
Петер ПШИБЫЛЬСКИЙ
Женю БАО
Юлиан ПРЕЛЬСС
Original Assignee
Басф Се
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Басф Се filed Critical Басф Се
Publication of RU2015153456A publication Critical patent/RU2015153456A/ru
Publication of RU2015153456A3 publication Critical patent/RU2015153456A3/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1436—Composite particles, e.g. coated particles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing

Claims (23)

1. Композиция для химико-механической полировки, содержащая следующие компоненты:
(A) поверхностно-модифицированные частицы диоксида кремния, имеющие отрицательный дзета-потенциал, равный -15 мВ или ниже при значении рН в интервале от 2 до 6
(B) N,N,N',N'-тетракис-(2-гидроксипропил)-этилендиамин или метан-сульфоновую кислоту
(C) воду
(D) необязательно одну или более других составляющих,
где значение рН композиции находится в интервале от 2 до 6.
2. Композиция для химико-механической полировки по п. 1, в которой поверхностно-модифицированные частицы диоксида кремния компонента (А), имеющие отрицательный дзета-потенциал, равный -15 мВ или ниже при значении рН в интервале от 2 до 6, представляют собой частицы диоксида кремния, анионно модифицированные металлатными ионами или модифицированные сульфоновой кислотой.
3. Композиция для химико-механической полировки по п. 1, в которой поверхностно-модифицированные частицы диоксида кремния компонента (А), имеющие отрицательный дзета-потенциал, равный -15 мВ или ниже при значении рН в интервале от 2 до 6, представляют собой частицы диоксида кремния, анионно модифицированные металлатными ионами, выбранными из группы, включающей алюминат, станнат, цинкат и плюмбат.
4. Композиция для химико-механической полировки по п. 1, в которой поверхностно-модифицированные частицы диоксида кремния компонента (А), имеющие отрицательный дзета-потенциал, равный -15 мВ или ниже при значении рН в интервале от 2 до 6, представляют собой частицы диоксида кремния, анионно модифицированные алюминатом.
5. Композиция для химико-механической полировки по любому одному из пп. 1-4, в которой
- общее количество (А) поверхностно-модифицированных частиц диоксида кремния, имеющих отрицательный дзета-потенциал, равный -15 мВ или ниже при значении рН в интервале от 2 до 6, находится в интервале от 0.1 до 30 мас. % на основе общей массы композиции для химико-механической полировки;
и/или
- общее количество (В) N,N,N',N'-тетракис-(2-гидроксипропил)-этилендиамина или метансульфоновой кислоты находится в интервале от 0.01 до 3 мас. % на основе общей массы композиции для химико-механической полировки (СМР).
6. Композиция для химико-механической полировки по любому одному из пп. 1-4, содержащая одну или более других составляющих в качестве компонента (D),
где одна или по меньшей мере одна или все другие составляющие компонента (D) выбираются из группы, включающей окисляющие агенты, абразивные вещества, отличные от поверхностно-модифицированных частиц диоксида кремния, имеющих отрицательный дзета-потенциал, равный -15 мВ или ниже при значении рН в интервале от 2 до 6, стабилизаторы, поверхностно-активные вещества, средства, уменьшающие трение, буферные вещества.
7. Применение N,N,N',N'-тетракис-(2-гидроксипропил)-этилендиамина или метансульфоновой кислоты в качестве добавки для композиции для химико-механической полировки, предпочтительно в качестве добавки для композиции для химико-механической полировки, содержащей поверхностно-модифицированные частицы диоксида кремния, имеющие отрицательный дзета-потенциал, равный -15 мВ или ниже при значении рН в интервале от 2 до 6.
8. Применение по п. 7, в котором добавка представляет собой добавку для увеличения скорости удаления III-V вещества.
9. Применение по п. 8, в котором III-V вещество предпочтительно выбирается из группы, включающей GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlAs, AlN, InP, InAs, InSb, InGaAs, InAlAs, AlGaAs, GaAlN, GaInN, InGaAlAs, InGaAsP, InGaP, AlInP, GaAlSb, GaInSb, GaAlAsSb и GaInAsSb.
10. Способ получения полупроводниковых устройств, включающий химико-механическую полировку подложки или слоя в присутствии композиции для химико-механической полировки по любому из пп. 1-6.
11. Способ по п. 10, в котором подложка или слой содержит одно или более III-V веществ.
12. Способ по п. 11, где одно, по меньшей мере, одно или все III-V вещества выбираются из группы, включающей GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlAs, AlN, InP, InAs, InSb, InGaAs, InAlAs, AlGaAs, GaAlN, GaInN, InGaAlAs, InGaAsP, InGaP, AlInP, GaAlSb, GaInSb, GaAlAsSb и GaInAsSb.
13. Применение композиции для химико-механической полировки по любому из пп. 1-6 для полировки подложки или слоя, содержащих одно или более III-V веществ.
14. Применение по п. 13, в котором одно, по меньшей мере, одно или все III-V вещества выбираются из группы, включающей из группы, включающей GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlAs, AlN, InP, InAs, InSb, InGaAs, InAlAs, AlGaAs, GaAlN, GaInN, InGaAlAs, InGaAsP, InGaP, AlInP, GaAlSb, GaInSb, GaAlAsSb и GaInAsSb.
RU2015153456A 2013-05-15 2014-05-06 Композиции для химико-механической полировки, содержащие n, n, n',n'-тетракис-(2-гидроксипропил)-этилендиамин или метансульфоновую кислоту RU2015153456A (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP13167899 2013-05-15
EP13167899.7 2013-05-15
PCT/IB2014/061236 WO2014184709A2 (en) 2013-05-15 2014-05-06 Chemical-mechanical polishing compositions comprising n,n,n',n'-tetrakis-(2-hydroxypropyl)-ethylenediamine or methanesulfonic acid

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2015153456A true RU2015153456A (ru) 2017-06-19
RU2015153456A3 RU2015153456A3 (ru) 2018-03-28

Family

ID=48366260

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2015153456A RU2015153456A (ru) 2013-05-15 2014-05-06 Композиции для химико-механической полировки, содержащие n, n, n',n'-тетракис-(2-гидроксипропил)-этилендиамин или метансульфоновую кислоту

Country Status (9)

Country Link
US (2) US20160009955A1 (ru)
EP (1) EP2997103B1 (ru)
JP (1) JP2016524326A (ru)
KR (1) KR20160008597A (ru)
CN (1) CN105229098B (ru)
RU (1) RU2015153456A (ru)
SG (1) SG11201509227PA (ru)
TW (1) TW201500533A (ru)
WO (1) WO2014184709A2 (ru)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI775722B (zh) 2014-12-22 2022-09-01 德商巴斯夫歐洲公司 化學機械拋光（ｃｍｐ）組成物用於拋光含鈷及/或鈷合金之基材的用途
CN108701616B (zh) * 2016-02-16 2023-04-14 Cmc材料股份有限公司 抛光iii-v族材料的方法
WO2017163847A1 (ja) * 2016-03-25 2017-09-28 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物ならびに研磨方法および半導体基板の製造方法
KR102454520B1 (ko) 2017-06-23 2022-10-17 디디피 스페셜티 일렉트로닉 머티리얼즈 유에스, 엘엘씨 고온 에폭시 접착 제형
KR20190106679A (ko) * 2018-03-07 2019-09-18 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 연마용 조성물

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06228717A (ja) 1992-12-11 1994-08-16 Daido Steel Co Ltd 電磁ステンレス鋼
JP2585963B2 (ja) * 1993-12-10 1997-02-26 日本エクシード株式会社 化合物半導体のための研磨液及びこれを用いた化合物半導体の研磨方法
US6488767B1 (en) * 2001-06-08 2002-12-03 Advanced Technology Materials, Inc. High surface quality GaN wafer and method of fabricating same
US20040175942A1 (en) 2003-01-03 2004-09-09 Chang Song Y. Composition and method used for chemical mechanical planarization of metals
JP4202157B2 (ja) * 2003-02-28 2008-12-24 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
US20070037892A1 (en) * 2004-09-08 2007-02-15 Irina Belov Aqueous slurry containing metallate-modified silica particles
JP2006316167A (ja) * 2005-05-12 2006-11-24 Adeka Corp Ｃｍｐ用研磨組成物
JP4464889B2 (ja) 2005-08-11 2010-05-19 株式会社神戸製鋼所 冷間鍛造性、被削性および磁気特性に優れた軟磁性鋼材、並びに磁気特性に優れた軟磁性鋼部品
CN101045853A (zh) * 2006-03-31 2007-10-03 中国科学院半导体研究所 半导体晶片精密化学机械抛光剂
US7691287B2 (en) * 2007-01-31 2010-04-06 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Method for immobilizing ligands and organometallic compounds on silica surface, and their application in chemical mechanical planarization
CN101457123B (zh) * 2007-12-14 2013-01-16 安集微电子（上海）有限公司 一种用于铜制程的化学机械抛光液
JP5461772B2 (ja) * 2007-12-14 2014-04-02 花王株式会社 研磨液組成物
JP2009231298A (ja) * 2008-03-19 2009-10-08 Fujifilm Corp 金属研磨用組成物、及び化学的機械的研磨方法
JP5843613B2 (ja) * 2009-01-20 2016-01-13 キャボット コーポレイションＣａｂｏｔ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ シラン変性金属酸化物を含む組成物
JP5416452B2 (ja) 2009-03-30 2014-02-12 株式会社神戸製鋼所 軟磁性鋼材、軟磁性鋼部品、およびこれらの製造方法
JP2010269985A (ja) 2009-05-22 2010-12-02 Fuso Chemical Co Ltd スルホン酸修飾水性アニオンシリカゾル及びその製造方法
CN102741985B (zh) * 2010-02-01 2015-12-16 Jsr株式会社 化学机械研磨用水系分散体及利用其的化学机械研磨方法
JP5819076B2 (ja) * 2010-03-10 2015-11-18 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
JP5774283B2 (ja) * 2010-04-08 2015-09-09 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及び研磨方法
JP5695367B2 (ja) * 2010-08-23 2015-04-01 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法
JP2012146975A (ja) * 2010-12-24 2012-08-02 Hitachi Chem Co Ltd 研磨液及びこの研磨液を用いた基板の研磨方法
JP2012253076A (ja) * 2011-05-31 2012-12-20 Fujimi Inc 研磨用組成物および研磨方法
DE102011078966A1 (de) * 2011-07-11 2013-01-17 Schülke & Mayr GmbH Verfahren zur Herstellung von alkoholischen Gelen zur Haut- und Händedesinfektion
KR20140059216A (ko) * 2011-08-01 2014-05-15 바스프 에스이 특정 유기 화합물을 포함하는 CMP 조성물의 존재하에서 원소 게르마늄 및/또는 Si₁­ｘGeｘ 재료의 화학적 기계적 연마를 포함하는 반도체 디바이스의 제조 방법
JP2013138053A (ja) * 2011-12-28 2013-07-11 Fujimi Inc 研磨用組成物
CN102585766A (zh) * 2011-12-29 2012-07-18 湖州师范学院 一种用于硅单晶片的表面研磨组合物
JP2014198874A (ja) 2013-03-29 2014-10-23 株式会社神戸製鋼所 耐食性と磁気特性に優れた鋼材およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2014184709A3 (en) 2015-03-12
TW201500533A (zh) 2015-01-01
US20160009955A1 (en) 2016-01-14
EP2997103A4 (en) 2016-11-02
EP2997103A2 (en) 2016-03-23
US20170044402A1 (en) 2017-02-16
SG11201509227PA (en) 2015-12-30
RU2015153456A3 (ru) 2018-03-28
KR20160008597A (ko) 2016-01-22
US9828527B2 (en) 2017-11-28
CN105229098A (zh) 2016-01-06
EP2997103B1 (en) 2019-03-06
CN105229098B (zh) 2017-08-11
WO2014184709A2 (en) 2014-11-20
JP2016524326A (ja) 2016-08-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2015153455A (ru) Композиции для химико-механической полировки, содержащие полиэтиленимин
RU2015153456A (ru) Композиции для химико-механической полировки, содержащие n, n, n',n'-тетракис-(2-гидроксипропил)-этилендиамин или метансульфоновую кислоту
KR102515964B1 (ko) 연마용 조성물
RU2015153457A (ru) Композиции для химико-механической полировки, содержащие один или более полимеров, выбранных из группы, включающей n-винил-гомополимеры и n-виниловые сополимеры
CN102054862B (zh) 锑化物高电子迁移率晶体管及其制造方法
WO2012058271A3 (en) Synthesis, capping and dispersion of nanocrystals
WO2011133228A3 (en) Synthesis, capping and dispersion of nanocrystals
JP2017521265A5 (ru)
JP2014527298A5 (ru)
WO2014174495A3 (en) An improved cosmetic composition
WO2011080144A3 (de) Optoelektronischer halbleiterchip und verwendung einer auf algan basierenden zwischenschicht
US20150236179A1 (en) Filtering defects with strain-compensated multi-layer quantum dots
WO2016107409A1 (zh) 一种化学机械抛光液及其应用
CN104371549A (zh) 一种用于抛光低介电材料的化学机械抛光液
KR20140098800A (ko) 연마용 조성물
CN104745082A (zh) 一种化学机械抛光液以及抛光方法
CN105349290A (zh) 一种锑化镓单晶抛光片腐蚀液
WO2016106766A1 (zh) 一种化学机械抛光液及其应用
Yerriboina et al. Particle Removal by Surfactants During Semiconductor Cleaning
Kim et al. Adsorption of sodium dodecyl sulfate on cleaning of an N-polar GaN surface in an alkaline solution
Thean et al. Heterogeneous nano-to wide-scale co-integration of beyond-Si and Si CMOS devices to enhance future electronics
CN204528054U (zh) 一种外法兰保护盖
TW201209145A (en) Cutting fluid for wafer processing
TWI685552B (zh) 含有奈米泡之無機氧化物微粒子及含有該微粒子之研磨劑
WO2007127799A3 (en) Polymer submicron particle preparation by surfactant- mediated precipitation

Legal Events

Date Code Title Description
FA94 Acknowledgement of application withdrawn (non-payment of fees)

Effective date: 20190529