CN102585766A - 一种用于硅单晶片的表面研磨组合物 - Google Patents

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王坤燕
唐培松
曹枫
陈海锋
徐敏虹
潘国祥
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Abstract

一种用于硅单晶片的表面研磨组合物。其特征在于:由微粒研磨剂、湿润剂、悬浮剂、表面活性剂、金属离子络合剂、去离子水组成。各组分所占的重量百分比为:微粒研磨剂10-35%、湿润剂5-8%、悬浮剂1-3%、表面活性剂0.5-2%、金属离子络合剂0.2-1%,余量为去离子水。本发明的研磨组合物提供硅单晶片良好的平整度、对微粒研磨剂的悬浮能力强。

Description

一种用于硅单晶片的表面研磨组合物
技术领域
本发明属于半导体用电子材料领域,特别是一种用于硅单晶片的表面研磨组合物。 
背景技术
研磨是硅片加工成型过程中的一道主要工艺。由于切片之后的硅单晶片没有合乎半导体制程所要求的曲度、平坦度、平行度,又硅单晶片抛光过程中表面磨除量仅约5μm,所以无法大幅度改善硅单晶片的曲度与平行度。这使得研磨成为硅单晶片抛光制程之前,能够有效改善硅单晶片的曲度、平行度、平坦度的关键制程。因此研磨制程的目的在于去除切片与圆边过程中产生的线锯痕、刀痕与表面损伤层。同时达到一个抛光制程可以处理的平坦度。 
目前应用于硅单晶片的表面研磨组合物。大多采用美国PRP公司生产的一种白色、有微刺激性气味的奶状液体——多氨19-C,它是世界上销售量最大的悬浮状研磨液,但其价格昂贵、黏度大,表面吸附比较严重难以清洗,导致磨片清洗后表面易出花斑。pH值在8左右,碱性较弱,渗进性较差,不能很好地消除应力积累。随着器件结深越来越浅,很小的应力造成的缺陷与离子污染也可能造成软击穿。以上因素直接影响磨片的一次成品率且给下道工序带来危害。 
发明内容
本发明的目的是提供一种研磨组合物,提供硅单晶片良好的平整度、对微粒研磨剂的悬浮能力强。 
本发明的技术方案: 
一种用于硅晶片的表面研磨组合物,所述的组合物包含:约10%到35%重量的微粒研磨剂;约5%到8%重量的湿润剂;约1%到3%重量的悬浮剂;约0.5%到2%重量的表面活性剂;约0.2%到1%重量的金属离子络合剂;余量为去离子水。 
本发明所述的微粒研磨剂选自氧化铝、氧化铁、碳酸钙、碳化硅。 
本发明所述的微粒研磨剂的莫式硬度为9。 
本发明所述的微粒研磨剂包含熔融氧化铝。 
本发明所述的湿润剂包含聚乙二醇、乙二醇。 
本发明所述的聚乙二醇分子量为200到2000。 
本发明所述的悬浮剂选自纤维素、丙烯酸乳液、黄原胶、卡拉胶。 
本发明所述的悬浮剂包含羧甲基纤维素、羟乙基纤维素醚。 
本发明所述的表面活性剂包含聚(3)乙氧基C12-15醇、十二烷基乙氧基磺基甜菜碱。 
本发明所述的金属离子络合剂包含N,N,N,′N′-四(2-羟丙基)乙二胺、聚N-乙烯基吡咯烷酮。 
本发明所提供的一种用于硅单晶片的表面研磨组合物,对其有关性能进行了检测分析。每个实施例使用1000片硅单晶片测试。目测划伤、碎片。悬浮性采用高度为1米的试验槽在温度25摄氏度、湿度50%环境下,静置24小时,测试微粒研磨剂的沉降的距离。采用晶圆几何检测系统设备测试总厚度变化、翘曲度、弯曲度。结果列于表1中。 
表1研磨组合物的性能 
有益效果:该研磨组合物具有研磨后硅单晶片平整度高,对微粒研磨剂的悬浮能力强。 
具体实施方式
实施例1: 
一种用于硅单晶片的表面研磨组合物。由熔融氧化铝、羧甲基纤维素、分子量为200的聚乙二醇、聚(3)乙氧基C12-15醇、聚N-乙烯基吡咯烷酮、去离子水组成。各组分所占的重量百分比为:熔融氧化铝10%、羧甲基纤维素3%、分子量为200的聚乙二醇5%、聚(3)乙氧基C12-15醇1%、聚N-乙烯基吡咯烷酮0.7%、余量为去离子水。 
实施例2: 
一种用于硅单晶片的表面研磨组合物。由氧化铁、羟乙基纤维素醚、分子量为1000的聚乙二醇、十二烷基乙氧基磺基甜菜碱、N,N,N,′N′-四(2-羟丙基)乙二胺、去离子水组成。各组分所占的重量百分比为:氧化铁20%、羟乙基纤 维素醚1%、分子量为1000的聚乙二醇8%、十二烷基乙氧基磺基甜菜碱2%、N,N,N,′N′-四(2-羟丙基)乙二胺1%、余量为去离子水。 
实施例3: 
一种用于硅单晶片的表面研磨组合物。由碳酸钙、黄原胶、乙二醇、聚(3)乙氧基C12-15醇、聚N-乙烯基吡咯烷酮、去离子水组成。各组分所占的重量百分比为:碳酸钙35%、黄原胶2%、乙二醇6%、聚(3)乙氧基C12-15醇0.5%、聚N-乙烯基吡咯烷酮0.5%、余量为去离子水。 
实施例4: 
一种用于硅单晶片的表面研磨组合物。由碳化硅、卡拉胶、分子量为2000的聚乙二醇、十二烷基乙氧基磺基甜菜碱、N,N,N,′N′-四(2-羟丙基)乙二胺、去离子水组成。各组分所占的重量百分比为:碳化硅15%、卡拉胶1.5%、分子量为2000的聚乙二醇7%、十二烷基乙氧基磺基甜菜碱0.7%、N,N,N,′N′-四(2-羟丙基)乙二胺0.2%、余量为去离子。 

Claims (10)

1.一种用于硅单晶片的表面研磨组合物,所述的组合物包含:
约10%到35%重量的微粒研磨剂;
约5%到8%重量的湿润剂;
约1%到3%重量的悬浮剂;
约0.5%到2%重量的表面活性剂
约0.2%到1%重量的金属离子络合剂;和
余量为去离子水。
2.权利要求1的组合物,其中所述的微粒研磨剂选自氧化铝、氧化铁、碳酸钙、碳化硅。
3.权利要求2的组合物,其中所述的微粒研磨剂的莫式硬度为9。
4.权利要求2的组合物,其中所述的微粒研磨剂包含熔融氧化铝。
5.权利要求1的组合物,其中所述的湿润剂包含聚乙二醇、乙二醇。
6.权利要求5的组合物,其中所述的聚乙二醇分子量为200到2000。
7.权利要求1的组合物,其中所述的悬浮剂选自纤维素、丙烯酸乳液、黄原胶、卡拉胶。
8.权利要求6的组合物,其中所述的悬浮剂包含羧甲基纤维素、羟乙基纤维素醚。
9.权利要求1的组合物,其中所述的表面活性剂包含聚(3)乙氧基C12-15醇、十二烷基乙氧基磺基甜菜碱。
10.权利要求1的组合物,其中所述的金属离子络合剂包含N,N,N,′N′-四(2-羟丙基)乙二胺、聚N-乙烯基吡咯烷酮。
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PB01 Publication
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C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

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