CN102585766A - 一种用于硅单晶片的表面研磨组合物 - Google Patents
一种用于硅单晶片的表面研磨组合物 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102585766A CN102585766A CN2011104603108A CN201110460310A CN102585766A CN 102585766 A CN102585766 A CN 102585766A CN 2011104603108 A CN2011104603108 A CN 2011104603108A CN 201110460310 A CN201110460310 A CN 201110460310A CN 102585766 A CN102585766 A CN 102585766A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- compsn
- weight
- agent
- single crystal
- particulate abrasive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
一种用于硅单晶片的表面研磨组合物。其特征在于:由微粒研磨剂、湿润剂、悬浮剂、表面活性剂、金属离子络合剂、去离子水组成。各组分所占的重量百分比为:微粒研磨剂10-35%、湿润剂5-8%、悬浮剂1-3%、表面活性剂0.5-2%、金属离子络合剂0.2-1%,余量为去离子水。本发明的研磨组合物提供硅单晶片良好的平整度、对微粒研磨剂的悬浮能力强。
Description
技术领域
本发明属于半导体用电子材料领域,特别是一种用于硅单晶片的表面研磨组合物。
背景技术
研磨是硅片加工成型过程中的一道主要工艺。由于切片之后的硅单晶片没有合乎半导体制程所要求的曲度、平坦度、平行度,又硅单晶片抛光过程中表面磨除量仅约5μm,所以无法大幅度改善硅单晶片的曲度与平行度。这使得研磨成为硅单晶片抛光制程之前,能够有效改善硅单晶片的曲度、平行度、平坦度的关键制程。因此研磨制程的目的在于去除切片与圆边过程中产生的线锯痕、刀痕与表面损伤层。同时达到一个抛光制程可以处理的平坦度。
目前应用于硅单晶片的表面研磨组合物。大多采用美国PRP公司生产的一种白色、有微刺激性气味的奶状液体——多氨19-C,它是世界上销售量最大的悬浮状研磨液,但其价格昂贵、黏度大,表面吸附比较严重难以清洗,导致磨片清洗后表面易出花斑。pH值在8左右,碱性较弱,渗进性较差,不能很好地消除应力积累。随着器件结深越来越浅,很小的应力造成的缺陷与离子污染也可能造成软击穿。以上因素直接影响磨片的一次成品率且给下道工序带来危害。
发明内容
本发明的目的是提供一种研磨组合物,提供硅单晶片良好的平整度、对微粒研磨剂的悬浮能力强。
本发明的技术方案:
一种用于硅晶片的表面研磨组合物,所述的组合物包含:约10%到35%重量的微粒研磨剂;约5%到8%重量的湿润剂;约1%到3%重量的悬浮剂;约0.5%到2%重量的表面活性剂;约0.2%到1%重量的金属离子络合剂;余量为去离子水。
本发明所述的微粒研磨剂选自氧化铝、氧化铁、碳酸钙、碳化硅。
本发明所述的微粒研磨剂的莫式硬度为9。
本发明所述的微粒研磨剂包含熔融氧化铝。
本发明所述的湿润剂包含聚乙二醇、乙二醇。
本发明所述的聚乙二醇分子量为200到2000。
本发明所述的悬浮剂选自纤维素、丙烯酸乳液、黄原胶、卡拉胶。
本发明所述的悬浮剂包含羧甲基纤维素、羟乙基纤维素醚。
本发明所述的表面活性剂包含聚(3)乙氧基C12-15醇、十二烷基乙氧基磺基甜菜碱。
本发明所述的金属离子络合剂包含N,N,N,′N′-四(2-羟丙基)乙二胺、聚N-乙烯基吡咯烷酮。
本发明所提供的一种用于硅单晶片的表面研磨组合物,对其有关性能进行了检测分析。每个实施例使用1000片硅单晶片测试。目测划伤、碎片。悬浮性采用高度为1米的试验槽在温度25摄氏度、湿度50%环境下,静置24小时,测试微粒研磨剂的沉降的距离。采用晶圆几何检测系统设备测试总厚度变化、翘曲度、弯曲度。结果列于表1中。
表1研磨组合物的性能
有益效果:该研磨组合物具有研磨后硅单晶片平整度高,对微粒研磨剂的悬浮能力强。
具体实施方式
实施例1:
一种用于硅单晶片的表面研磨组合物。由熔融氧化铝、羧甲基纤维素、分子量为200的聚乙二醇、聚(3)乙氧基C12-15醇、聚N-乙烯基吡咯烷酮、去离子水组成。各组分所占的重量百分比为:熔融氧化铝10%、羧甲基纤维素3%、分子量为200的聚乙二醇5%、聚(3)乙氧基C12-15醇1%、聚N-乙烯基吡咯烷酮0.7%、余量为去离子水。
实施例2:
一种用于硅单晶片的表面研磨组合物。由氧化铁、羟乙基纤维素醚、分子量为1000的聚乙二醇、十二烷基乙氧基磺基甜菜碱、N,N,N,′N′-四(2-羟丙基)乙二胺、去离子水组成。各组分所占的重量百分比为:氧化铁20%、羟乙基纤 维素醚1%、分子量为1000的聚乙二醇8%、十二烷基乙氧基磺基甜菜碱2%、N,N,N,′N′-四(2-羟丙基)乙二胺1%、余量为去离子水。
实施例3:
一种用于硅单晶片的表面研磨组合物。由碳酸钙、黄原胶、乙二醇、聚(3)乙氧基C12-15醇、聚N-乙烯基吡咯烷酮、去离子水组成。各组分所占的重量百分比为:碳酸钙35%、黄原胶2%、乙二醇6%、聚(3)乙氧基C12-15醇0.5%、聚N-乙烯基吡咯烷酮0.5%、余量为去离子水。
实施例4:
一种用于硅单晶片的表面研磨组合物。由碳化硅、卡拉胶、分子量为2000的聚乙二醇、十二烷基乙氧基磺基甜菜碱、N,N,N,′N′-四(2-羟丙基)乙二胺、去离子水组成。各组分所占的重量百分比为:碳化硅15%、卡拉胶1.5%、分子量为2000的聚乙二醇7%、十二烷基乙氧基磺基甜菜碱0.7%、N,N,N,′N′-四(2-羟丙基)乙二胺0.2%、余量为去离子。
Claims (10)
1.一种用于硅单晶片的表面研磨组合物,所述的组合物包含:
约10%到35%重量的微粒研磨剂;
约5%到8%重量的湿润剂;
约1%到3%重量的悬浮剂;
约0.5%到2%重量的表面活性剂
约0.2%到1%重量的金属离子络合剂;和
余量为去离子水。
2.权利要求1的组合物,其中所述的微粒研磨剂选自氧化铝、氧化铁、碳酸钙、碳化硅。
3.权利要求2的组合物,其中所述的微粒研磨剂的莫式硬度为9。
4.权利要求2的组合物,其中所述的微粒研磨剂包含熔融氧化铝。
5.权利要求1的组合物,其中所述的湿润剂包含聚乙二醇、乙二醇。
6.权利要求5的组合物,其中所述的聚乙二醇分子量为200到2000。
7.权利要求1的组合物,其中所述的悬浮剂选自纤维素、丙烯酸乳液、黄原胶、卡拉胶。
8.权利要求6的组合物,其中所述的悬浮剂包含羧甲基纤维素、羟乙基纤维素醚。
9.权利要求1的组合物,其中所述的表面活性剂包含聚(3)乙氧基C12-15醇、十二烷基乙氧基磺基甜菜碱。
10.权利要求1的组合物,其中所述的金属离子络合剂包含N,N,N,′N′-四(2-羟丙基)乙二胺、聚N-乙烯基吡咯烷酮。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2011104603108A CN102585766A (zh) | 2011-12-29 | 2011-12-29 | 一种用于硅单晶片的表面研磨组合物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN2011104603108A CN102585766A (zh) | 2011-12-29 | 2011-12-29 | 一种用于硅单晶片的表面研磨组合物 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN102585766A true CN102585766A (zh) | 2012-07-18 |
Family
ID=46475012
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN2011104603108A Pending CN102585766A (zh) | 2011-12-29 | 2011-12-29 | 一种用于硅单晶片的表面研磨组合物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN102585766A (zh) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105229098A (zh) * | 2013-05-15 | 2016-01-06 | 巴斯夫欧洲公司 | 包含n,n,n',n'-四(2-羟基丙基)乙二胺或甲磺酸的化学机械抛光组合物 |
CN106349949A (zh) * | 2016-08-27 | 2017-01-25 | 宁波市鄞州伴佰精密机械有限公司 | 一种用于不锈钢零件的抛光液的制备方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20060196850A1 (en) * | 2005-03-07 | 2006-09-07 | Roh Hyun S | Polishing slurry composition and method of using the same |
CN1926211A (zh) * | 2003-12-03 | 2007-03-07 | 卡尔-韦斯特特殊涂料公司 | 不含二氧化硅的表面研磨组合物及其用途 |
CN101092552A (zh) * | 2006-06-23 | 2007-12-26 | 天津晶岭电子材料科技有限公司 | 一种用于硅晶片的研磨液 |
-
2011
- 2011-12-29 CN CN2011104603108A patent/CN102585766A/zh active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1926211A (zh) * | 2003-12-03 | 2007-03-07 | 卡尔-韦斯特特殊涂料公司 | 不含二氧化硅的表面研磨组合物及其用途 |
US20060196850A1 (en) * | 2005-03-07 | 2006-09-07 | Roh Hyun S | Polishing slurry composition and method of using the same |
CN101092552A (zh) * | 2006-06-23 | 2007-12-26 | 天津晶岭电子材料科技有限公司 | 一种用于硅晶片的研磨液 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105229098A (zh) * | 2013-05-15 | 2016-01-06 | 巴斯夫欧洲公司 | 包含n,n,n',n'-四(2-羟基丙基)乙二胺或甲磺酸的化学机械抛光组合物 |
CN105229098B (zh) * | 2013-05-15 | 2017-08-11 | 巴斯夫欧洲公司 | 包含n,n,n',n'‑四(2‑羟基丙基)乙二胺或甲磺酸的化学机械抛光组合物 |
CN106349949A (zh) * | 2016-08-27 | 2017-01-25 | 宁波市鄞州伴佰精密机械有限公司 | 一种用于不锈钢零件的抛光液的制备方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN103013345B (zh) | 油性金刚石研磨液及其制备方法 | |
JP5689970B2 (ja) | 高速及び低欠陥性のシリコン研磨組成物 | |
TW200724658A (en) | Abrasive for silicon oxide, additive liquid and polishing method | |
CN1760307B (zh) | 抛光组合物以及使用该抛光组合物的抛光方法 | |
TWI535803B (zh) | Silicon wafer with grinding composition and silicon wafer grinding method | |
CN101378002A (zh) | 一种用于GaN外延的衬底的加工方法 | |
CN102190962A (zh) | 抛光组合物及利用该组合物的抛光方法 | |
CN105038607B (zh) | 高效蓝宝石精磨方法及精磨液 | |
CN102888193A (zh) | 一种led衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液及其制备方法 | |
CN103740280B (zh) | 一种适用于硅晶片边抛光的抛光组合物及其制备方法 | |
TW200643157A (en) | Abrasive for semiconductor integrated circuit device, method for polishing semiconductor integrated circuit device and semiconductor integrated circuit device manufacturing method | |
CN105505316B (zh) | 蓝宝石粗磨用研磨助剂、研磨液及它们的制备方法 | |
CN101671528A (zh) | 用于单晶硅片化学机械抛光的抛光液 | |
CN104830234A (zh) | A向蓝宝石手机盖板抛光液及制备方法 | |
CN104321850A (zh) | 晶片用研磨液组合物 | |
CN103252708A (zh) | 基于固结磨料抛光垫的蓝宝石衬底的超精密加工方法 | |
CN107955545A (zh) | 一种a向蓝宝石抛光剂及其制备方法 | |
CN106663619A (zh) | 硅晶圆研磨用组合物 | |
CN106398807B (zh) | 一种用于切割硅晶片的金刚线切割液 | |
JP2016127268A (ja) | シリコンウェーハ用研磨液組成物、又はシリコンウェーハ用研磨液組成物キット | |
CN105849219A (zh) | 半导体衬底用润湿剂及研磨用组合物 | |
CN104827592A (zh) | 一种大尺寸蓝宝石衬底片的加工方法 | |
CN109676437A (zh) | 碳化硅晶片及其制造方法 | |
CN110511679A (zh) | 一种蓝宝石衬底的高效混合磨料化学机械抛光液 | |
CN102585766A (zh) | 一种用于硅单晶片的表面研磨组合物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20120718 |