CN105349290A - 一种锑化镓单晶抛光片腐蚀液 - Google Patents

一种锑化镓单晶抛光片腐蚀液 Download PDF

Info

Publication number
CN105349290A
CN105349290A CN201510820117.9A CN201510820117A CN105349290A CN 105349290 A CN105349290 A CN 105349290A CN 201510820117 A CN201510820117 A CN 201510820117A CN 105349290 A CN105349290 A CN 105349290A
Authority
CN
China
Prior art keywords
gallium antimonide
corrosive fluid
volume
percent
polished section
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201510820117.9A
Other languages
English (en)
Inventor
刘彤
杨俊�
刘京明
董志远
赵有文
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BEIJING HUAJIN CHUANGWEI ELECTRONICS Co Ltd
Original Assignee
BEIJING HUAJIN CHUANGWEI ELECTRONICS Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BEIJING HUAJIN CHUANGWEI ELECTRONICS Co Ltd filed Critical BEIJING HUAJIN CHUANGWEI ELECTRONICS Co Ltd
Priority to CN201510820117.9A priority Critical patent/CN105349290A/zh
Publication of CN105349290A publication Critical patent/CN105349290A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/22—Organic compounds
    • C11D7/26—Organic compounds containing oxygen
    • C11D7/265—Carboxylic acids or salts thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
    • C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
    • C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
    • C11D7/02—Inorganic compounds
    • C11D7/04—Water-soluble compounds
    • C11D7/08—Acids

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Emergency Medicine (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

本申请公开了一种锑化镓单晶抛光片腐蚀液，该腐蚀液由溶剂、氧化剂、腐蚀剂和缓冲剂按设定比例混合而成，其中，溶剂为去离子水；氧化剂为硫酸；腐蚀剂为盐酸；缓冲剂为乙酸。本申请的腐蚀液能够有效去除单晶抛光片表面在前期加工中残留的颗粒及杂质。

Description

一种锑化镓单晶抛光片腐蚀液
技术领域
本发明涉及半导体材料领域，具体涉及一种在锑化镓单晶抛光片的加工过程中使用的化学腐蚀液，该腐蚀液能够有效去除锑化镓单晶抛光片表面残留的杂质及颗粒。
背景技术
锑化镓（GaSb）是一种非常重要的III-V族直接带隙半导体材料，其作为衬底生长的二元、三元、四元系半导体材料的禁带宽度完全覆盖了2-5µm中红外波段。AlSb、GaSb、InAs的晶格常数在6.1Å附近，相互之间的晶格失配很小，有利于生长高质量低缺陷密度的外延材料，这使得GaSb成为研制II类超晶格中红外波段激光器、探测器的理想衬底材料。目前锑化镓基中红外激光器、探测器已广泛用于夜视、通讯、气象、大气监测、工业探伤、地球资源探测、测温等军用和民用领域。
现代红外成像技术的发展也对晶片材料提出了更高的要求，获得良好表面质量的锑化镓衬底晶片材料，对锑化镓衬底的外延生长至关重要。锑化镓衬底晶片的加工过程一般包括切割、磨边、研磨、抛光、清洗等加工工序，其中清洗的作用在于进一步提高抛光之后的表面的平整度、粗糙度和清洁度的，减少残留颗粒和杂质，以满足后续外延生长的要求。因此需要一种适合锑化镓材料的腐蚀液。
发明内容
针对背景技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种锑化镓单晶抛光片腐蚀液，该腐蚀液能够有效去除单晶抛光片表面在前期加工中残留的颗粒及杂质。
本发明的目的是通过以下技术方案来实现的：
一种锑化镓单晶抛光片腐蚀液，所述腐蚀液由溶剂、氧化剂、腐蚀剂和缓冲剂按设定比例混合而成，其中，所述溶剂为去离子水；所述氧化剂为硫酸；所述腐蚀剂为盐酸；所述缓冲剂为乙酸。
进一步，所述硫酸的体积百分数为5%-10%。
进一步，所述盐酸的体积百分数为1%-5%。
进一步，所述乙酸体积百分数为20%-25%的。
进一步，所述腐蚀液的典型pH值为4.5-5.6。
进一步，所述硫酸的浓度为98%。
进一步，所述盐酸的浓度为35%。
进一步，所述去离子水的电阻率为18MΩ，硫酸的体积百分数为8%，盐酸的体积百分数为3%，乙酸的体积百分数为25%，腐蚀液的pH值5.4。
本发明具有以下积极的技术效果：
本申请的腐蚀液能够有效去除单晶抛光片表面在前期加工中残留的颗粒及杂质。
具体实施方式
本申请提供了一种用于III-V族化合物半导体材料锑化镓单晶抛光片清洗的晶片腐蚀液，其采用去离子水作为溶剂，并含有体积百分数为5%-10%的硫酸作为氧化剂；含有体积百分数为1%-5%的盐酸作为腐蚀剂；含有体积百分数为20%-25%的乙酸作为缓冲剂，其典型的pH值为4.5-5.6。
本申请的去离子的电阻率大于18MΩ，其中钾、钙、钠等典型金属杂质含量很低，不会对晶片表面造成沾污。其中，本申请的硫酸浓度为98%，具有极强氧化性；盐酸浓度为35%，对锑化镓晶片表面具有腐蚀性，与硫酸混合作为酸性的氧化腐蚀剂；乙酸为弱酸，作为缓冲剂调控溶液pH值。
作为本发明的一个优选实例，用于锑化镓单晶抛光片的腐蚀液为无色透明液体，采用电阻率为18MΩ的去离子水为溶剂；含有体积百分数为8%硫酸；含有体积百分数为3%的盐酸；含有体积百分数为25%的乙酸，pH值5.4。
上面所述只是为了说明本发明，应该理解为本发明并不局限于以上实施例，符合本发明思想的各种变通形式均在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种锑化镓单晶抛光片腐蚀液，其特征在于，所述腐蚀液由溶剂、氧化剂、腐蚀剂和缓冲剂按设定比例混合而成，其中，所述溶剂为去离子水；所述氧化剂为硫酸；所述腐蚀剂为盐酸；所述缓冲剂为乙酸。
2. 根据权利要求1所述的锑化镓单晶抛光片腐蚀液，其特征在于，所述硫酸的体积百分数为5%-10%。
3. 根据权利要求1所述的锑化镓单晶抛光片腐蚀液，其特征在于，所述盐酸的体积百分数为1%-5%。
4. 根据权利要求1所述的锑化镓单晶抛光片腐蚀液，其特征在于，所述乙酸体积百分数为20%-25%的。
5. 根据权利要求1所述的锑化镓单晶抛光片腐蚀液，其特征在于，所述腐蚀液的典型pH值为4.5-5.6。
6. 根据权利要求1所述的锑化镓单晶抛光片腐蚀液，其特征在于，所述硫酸的浓度为98%。
7. 根据权利要求1所述的锑化镓单晶抛光片腐蚀液，其特征在于，所述盐酸的浓度为35%。
8. 根据权利要求1所述的锑化镓单晶抛光片腐蚀液，其特征在于，所述去离子水的电阻率为18MΩ，硫酸的体积百分数为8%，盐酸的体积百分数为3%，乙酸的体积百分数为25%，腐蚀液的pH值5.4。
CN201510820117.9A 2015-11-24 2015-11-24 一种锑化镓单晶抛光片腐蚀液 Pending CN105349290A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510820117.9A CN105349290A (zh) 2015-11-24 2015-11-24 一种锑化镓单晶抛光片腐蚀液

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510820117.9A CN105349290A (zh) 2015-11-24 2015-11-24 一种锑化镓单晶抛光片腐蚀液

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN105349290A true CN105349290A (zh) 2016-02-24

Family

ID=55325357

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510820117.9A Pending CN105349290A (zh) 2015-11-24 2015-11-24 一种锑化镓单晶抛光片腐蚀液

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105349290A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106119972A (zh) * 2016-06-29 2016-11-16 北京华进创威电子有限公司 一种控制GaSb单晶衬底表面颗粒度的方法
CN114540033A (zh) * 2022-01-13 2022-05-27 北京通美晶体技术股份有限公司 一种磷化铟减薄腐蚀液及其应用
CN115992390A (zh) * 2023-01-09 2023-04-21 苏州焜原光电有限公司 一种用于分子束外延锑化镓衬底的表面处理方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1328175A (zh) * 2001-05-11 2001-12-26 中国科学院上海冶金研究所 制备锑化镓基半导体器件用的化学腐蚀液体系
CN101858836A (zh) * 2009-04-08 2010-10-13 中国科学院半导体研究所 锰掺杂的锑化镓单晶的化学腐蚀方法
CN102554750A (zh) * 2010-12-29 2012-07-11 北京有色金属研究总院 一种锑化镓晶片双面抛光方法
CN104804649A (zh) * 2015-04-24 2015-07-29 清华大学 一种用于氮化镓的抛光液

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1328175A (zh) * 2001-05-11 2001-12-26 中国科学院上海冶金研究所 制备锑化镓基半导体器件用的化学腐蚀液体系
CN101858836A (zh) * 2009-04-08 2010-10-13 中国科学院半导体研究所 锰掺杂的锑化镓单晶的化学腐蚀方法
CN102554750A (zh) * 2010-12-29 2012-07-11 北京有色金属研究总院 一种锑化镓晶片双面抛光方法
CN104804649A (zh) * 2015-04-24 2015-07-29 清华大学 一种用于氮化镓的抛光液

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
COSTA. E.M.: "Investigations of structural defects by etching of GaSb grown by the liquid-encapsulated Czochralski technique", 《MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING: B》 *
董瑞君: "GaSb基化合物半导体激光器器件刻蚀工艺研究", 《中国优秀硕士学位论文全文数据库信息科技辑》 *

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106119972A (zh) * 2016-06-29 2016-11-16 北京华进创威电子有限公司 一种控制GaSb单晶衬底表面颗粒度的方法
CN114540033A (zh) * 2022-01-13 2022-05-27 北京通美晶体技术股份有限公司 一种磷化铟减薄腐蚀液及其应用
CN115992390A (zh) * 2023-01-09 2023-04-21 苏州焜原光电有限公司 一种用于分子束外延锑化镓衬底的表面处理方法
CN115992390B (zh) * 2023-01-09 2023-05-26 苏州焜原光电有限公司 一种用于分子束外延锑化镓衬底的表面处理方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Jang et al. A comparative study of wet etching and contacts on (2¯ 01) and (010) oriented β-Ga2O3
US20190185715A1 (en) Polishing liquid for cmp and preparation method and use thereof
CN105349290A (zh) 一种锑化镓单晶抛光片腐蚀液
Asghar et al. Effect of polishing parameters on chemical mechanical planarization of C-plane (0001) gallium nitride surface using SiO2 and Al2O3 abrasives
CN102021070B (zh) 水溶性单晶硅片或多晶硅片切削液
EP3666937B1 (en) High-flatness, low-damage and large-diameter monocrystalline silicon carbide substrate, and manufacturing method therefor
US20120160296A1 (en) Textured photovoltaic cells and methods
KR102441643B1 (ko) 하드 코어 소프트 셀 복합 연마재 및 그 제조 방법과 응용
CN102888193A (zh) 一种led衬底片用的蓝宝石或碳化硅晶片的表面处理用的化学机械抛光液及其制备方法
CN105405746B (zh) 一种锑化镓单晶抛光片的清洗方法
EP0761599B1 (en) Method of purifying alkaline solution and method of etching semiconductor wafers
Guo et al. Chemical etching of indium nitride
CN113793801A (zh) 一种磷化铟衬底晶片的清洗方法
Akasaka et al. Preparation of an epitaxy-ready surface of a ZnO (0001) substrate
CN109290874B (zh) 背面有橄榄形凹坑的磷化铟晶片、制法及所用腐蚀液
CN106024675A (zh) 一种半导体硅晶片腐蚀液及其腐蚀方法
TWI567181B (zh) 研磨用組成物
TWI679733B (zh) Iii-v族化合物半導體基板及附磊晶層之iii-v族化合物半導體基板
CN105505643A (zh) 一种硅片清洗剂及硅片清洗方法
JP2006165408A (ja) シリコンウェーハ用のアルカリエッチング液及び該エッチング液を用いたエッチング方法
Parthiban et al. Effect of Surfactant Based Abrasive Free Slurry on CMP Polishing Rate and Planarization of Semi-Polar (11‒22) GaN Surface
Asghar et al. Influence of Polishing Parameters on Abrasive Free Chemical Mechanical Planarization (AFCMP) of Non-Polar (11-20) and Semi-Polar (11-22) GaN Surfaces
CN106119972A (zh) 一种控制GaSb单晶衬底表面颗粒度的方法
CN105543980A (zh) 一种硒化铋材料的化学刻蚀方法
van Dorp et al. Nanoscale etching: dissolution of III-As and Ge in HCl/H2O2 solutions

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20160224