研磨用組成物及研磨用組成物套組
[0001] 本發明係關於研磨用組成物及研磨用組成物套組。本申請案係基於在2016年8月31日提出申請之日本國專利申請案2016-170184號主張優先權，且將該申請案之全部內容導入本說明書中作為參照內容。
[0002] 對於金屬或半金屬、非金屬、其之氧化物等之材料表面，實施使用含有磨粒之研磨用組成物之研磨。例如，在半導體製品之製造等所使用之矽基板之表面一般係經由精削(lapping)步驟與拋光(polishing)步驟來完成高品位之鏡面。上述拋光步驟典型上係包含預備研磨步驟與完工研磨步驟。作為關於在研磨矽晶圓等之半導體基板之目的上主要所使用之研磨用組成物之技術文獻，可舉出如專利文獻1～3。 [先前技術文獻] [專利文獻] [0003] [專利文獻1]國際公開第2014/148399號 [專利文獻2]日本國專利申請案公開2015-109423號公報 [專利文獻3]日本國專利申請案公開2016-56220號公報
[發明所欲解決之課題] [0004] 對於完工研磨(finish polishing)步驟所使用之研磨用組成物要求實現在研磨後霾度低且表面缺陷少之表面之性能。上述完工研磨步驟係例如可為矽晶圓等之半導體基板其他基板之完工研磨步驟。用於該用途之研磨用組成物諸多為包含磨粒及水，且在保護研磨對象物表面或提升濕潤性等之目的上更包含水溶性高分子者。其中作為泛用之水溶性高分子，可舉出如羥基乙基纖維素(HEC)。 [0005] 但，由於HEC係源自天然物之纖維素，故與合成聚合物相比在化學構造或純度之控制性上具有限制。例如，能在市場上容易取得之HEC之重量平均分子量(Mw)或分子量分布之範圍會受到限制。在此，分子量分布係指Mw對數平均分子量(Mn)之比。又，由於HEC係將天然物當作原料，故難以高度減少會成為產生表面缺陷原因之異物，或聚合物構造之局部性紊亂所造成微凝聚等，且此種異物等之量或程度亦容易不均。今後，在預期對於研磨後表面品位之要求會逐漸變得更加嚴格之情況下，若能提供在不將HEC作為必須成分之組成中能有效減少表面缺陷之研磨用組成物則極為有益。 [0006] 有鑑於該情況，本發明之目的在於提供一種有效減少表面缺陷之研磨用組成物。關聯之其他發明在於提供包含該研磨用組成物之研磨用組成物套組。 [用以解決課題之手段] [0007] 作為在使用研磨用組成物進行研磨後之研磨面上觀察到之缺陷之一種，已知有光點缺陷(LPD, Light Point Defects)及無法清除光點缺陷(LPD-N, Light Point Defect Non-cleanable)。LPD係指一般稱為粒子(particle)之異物。另一方面，LPD-N係指即使藉由研磨、洗淨、乾燥等之處理仍無法消除之缺陷，且主要係指來自研磨對象物自身構造之表面缺陷。本發明者在經過精心檢討之結果，發現一種有效減少LPD-N數之研磨用組成物，進而完成本發明。 [0008] 由此說明書所提供之研磨用組成物係包含磨粒、水溶性高分子及鹼性化合物。上述水溶性高分子含有滿足以下之條件(1)及(2)雙方之聚合物A。 (1)一分子中包含乙烯基醇單位及非乙烯基醇單位。 (2)藉由下式所算出之吸附參數為5以上。 吸附參數=[(C1-C2)/C1]×100； 在此，上述式中之C1係在包含上述聚合物A 0.017重量%、氨0.009重量%且剩餘部分係由水所構成之試驗液L1中所包含之有機碳之總量。上述式中之C2係將試驗液L2予以離心分離而使上述二氧化矽粒子沉澱而成上澄液中所包含之有機碳之總量，該試驗液L2包含BET徑35nm之膠質二氧化矽0.46重量%、氨0.009重量%、上述聚合物A 0.017重量%且剩餘部分係由水所構成者。 藉由該研磨用組成物，可有效減少研磨後之表面上之表面缺陷。上述研磨用組成物係有效減少例如在研磨後表面上檢測出作為LPD-N之缺陷數。 [0009] 此說明書又提供一種研磨用組成物套組，其係包括：包含在此揭示之任一研磨用組成物之完工研磨用組成物，與在上述完工研磨用組成物所成之研磨之先前階段施行之研磨所使用之前段研磨用組成物。上述前段研磨用組成物包含磨粒、水溶性高分子及鹼性化合物。藉由使用此種研磨用組成物套組依序實施前段研磨步驟及完工研磨步驟，可有效提升完工研磨後之表面品位。
[0010] 以下，說明本發明之適宜實施形態。尚且，本說明書中未特別敘及之事項以外之事物且係實施本發明之所必要之事物係能理解成本發明所屬技術領域具有通常知識者在根據本發明領域之先前技術而可達成之設計事項。本發明係可依據本說明書揭示之內容與本發明領域之技術常識來實施。 [0011] ＜磨粒＞ 在此揭示之研磨用組成物所包含之磨粒材質或物性並無特別限制，可因應研磨用組成物之使用目的或使用態樣等而適宜選擇。作為磨粒之例，可舉出如無機粒子、有機粒子、及有機無機複合粒子。作為無機粒子之具體例，可舉出如二氧化矽粒子、氧化鋁粒子、氧化鈰粒子、氧化鉻粒子、二氧化鈦粒子、氧化鋯粒子、氧化鎂粒子、二氧化錳粒子、氧化鋅粒子、紅殼(Bengala)粒子等之氧化物粒子；氮化矽粒子、氮化硼粒子等之氮化物粒子；碳化矽粒子、碳化硼粒子等之碳化物粒子；金剛石粒子；碳酸鈣或碳酸鋇等之碳酸鹽等。作為有機粒子之具體例，可舉出如聚甲基丙烯酸甲基(PMMA)粒子或聚(甲基)丙烯酸粒子、聚丙烯腈粒子等。此種磨粒係可單獨使用一種，亦可組合兩種以上使用。尚且，本說明書中(甲基)丙烯醯基係意指包括丙烯醯基及甲基丙烯醯基。同樣地本說明書中，(甲基)丙烯醯基係意指包括丙烯醯基及甲基丙烯醯基。 [0012] 作為上述磨粒，以無機粒子為佳，其中亦以由金屬或半金屬之氧化物所構成之粒子為佳，以二氧化矽粒子為特佳。在如後述矽晶圓等之具有由矽所構成之表面之研磨對象物之研磨，例如能使用於完工研磨之研磨用組成物中，採用二氧化矽粒子作為磨粒特別具有意義。在此揭示之技術係能在例如上述磨粒係實質上由二氧化矽粒子所構成之態樣下理想實施。在此「實質上」係意指構成磨粒之粒子之95重量%以上，較佳係98重量%以上，更佳係99重量%以上為二氧化矽粒子，且包括100重量%為二氧化矽粒子一事。 [0013] 作為二氧化矽粒子之具體例，可舉出如膠質二氧化矽、氣相二氧化矽、沉澱二氧化矽等。二氧化矽粒子係可單獨使用一種或可將兩種以上組合使用。在從研磨後可容易取得表面品位優異之研磨面之觀點，以使用膠質二氧化矽為特佳。作為膠質二氧化矽，可理想採用例如藉由離子交換法將水玻璃(矽酸Na)作為原料所製作之膠質二氧化矽，或烷氧化物法膠質二氧化矽。烷氧化物法膠質二氧化矽係指藉由烷氧基矽烷之水解縮合反應所製造之膠質二氧化矽。膠質二氧化矽係可單獨使用一種或亦可組合兩種以上使用。 [0014] 磨粒構成材料之真比重係以1.5以上為佳，較佳為1.6以上。在此，上述磨粒構成材料之真比重係指例如由二氧化矽粒子所構成之磨粒時，構成該二氧化矽粒子之二氧化矽之真比重。以下，亦稱為磨粒之真比重。藉由增加磨粒之真比重，磨粒之物理性研磨能力有變高之傾向。磨粒之物理性研磨能力若變高時，一般而言該磨粒對研磨對象物表面賦予之局部性壓力有變大之傾向。因此，藉由增加磨粒之真比重(真密度)，能更加良好發揮藉由使研磨用組成物含有在此揭示之聚合物A所取得之效果。從該觀點，真比重係以1.7以上之磨粒為特佳。磨粒之真比重上限並無特別限定，典型為2.3以下，例如2.2以下。作為磨粒之真比重，可採用使用乙醇作為取代液之液體取代法所得之測量值。上述磨粒係可為例如二氧化矽粒子。 [0015] 磨粒之BET徑並無特別限定，在從研磨效率等之觀點，以5nm以上為佳，較佳為10nm以上。在從取得更高研磨效果之觀點，例如在從更加良好發揮減少霾度或去除缺陷等之效果之觀點，上述BET徑例如係以15nm以上為佳，以20nm以上為較佳，以超過20nm為更佳。又，在從抑制磨粒對研磨對象物表面賦予之局部性壓力之觀點，磨粒之BET徑係以100nm以下為佳，較佳為50nm以下，更佳為40nm以下。在此揭示之技術在從變得容易取得更高品位之表面，例如LPD-N數少且霾度程度低之表面之觀點等，可在使用BET徑為35nm以下，較佳未滿35nm，更佳為32nm以下，例如未滿30nm之磨粒之態樣下實施。上述磨粒係可為例如二氧化矽粒子。 [0016] 尚且，本說明書中BET徑係指從藉由BET法所測量之比表面積(BET值)，使用BET徑[nm]=6000/(真密度[g/cm3
]×BET值[m2
/g])之式所算出之粒子徑。例如在二氧化矽粒子之情況，可藉由BET徑[nm]=2727/BET值[m2
/g]算出BET徑。比表面積之測量係可使用例如Micromelitex公司製之表面積測量裝置，商品名「Flow Sorb II 2300」進行。 [0017] 磨粒之形狀(外形)可為球形，亦可為非球形。作為成為非球形之粒子之具體例，可舉出如花生形狀、繭型形狀、金平糖形狀、橄欖球形狀等。上述花生形狀係指即落花生之殻之形狀。可理想採用例如粒子之諸多為具有花生形狀之磨粒。 [0018] 磨粒之平均長寬比，即磨粒之長徑/短徑比之平均值並非係受到特別限定者，但理論上為1.0以上，較佳為1.05以上，更佳為1.1以上。藉由增加平均長寬比，可實現更高研磨效率。又，磨粒之平均長寬比在從減少傷痕等之觀點，以3.0以下為佳，較佳為2.0以下，更佳為1.5以下。 [0019] 磨粒之形狀(外形)或平均長寬比係可藉由例如電子顯微鏡觀察來把握。作為判別平均長寬比之具體操作順序，可使用例如掃描型電子顯微鏡(SEM)，對於可辨識獨立粒子之形狀之規定個數之二氧化矽粒子，描繪出外接於個別之粒子畫像之最小長方形。上述規定個數係指例如200個。且，關於針對各粒子畫像所描繪出之長方形，將其長邊之長度設為長徑之值，將短邊之長度設為短徑之值，將長徑之值除以短徑之值而得之值算出作為各磨粒之長徑/短徑比，即長寬比。藉由將上述規定個數之粒子之長寬比作成算術平均，而可求出平均長寬比。 [0020] ＜水溶性高分子＞ 在此揭示之研磨用組成物含有水溶性高分子。作為水溶性高分子，可單獨使用分子中具有選自陽離子性基、陰離子性基及非離子性基之至少一種官能基之聚合物，或組合兩種以上使用。更具體而言，可使用例如選自分子中具有羥基、羧基、醯氧基、磺酸基、第1級醯胺構造、雜環構造、乙烯基構造、聚氧伸烷基構造等之聚合物之一種或兩種以上之聚合物作為水溶性高分子。在從減低凝聚物或提高洗淨性等之觀點，在一態樣中，可理想採用非離子性之聚合物作為水溶性高分子。 [0021] (聚合物A) 在此揭示之技術中之研磨用組成物係含有滿足上述條件(1)及(2)雙方之聚合物A作為水溶性高分子。 [0022] [條件(1)] 聚合物A應滿足之條件(1)係為一分子中具有乙烯基醇單位及非乙烯基醇單位者。即，一分子之聚合物A當中一部分係藉由乙烯基醇單位所構成，且其他一部分係藉由非乙烯基醇單位所構成。在此，乙烯基醇單位(以下亦稱為「VA單位」)係指由以下之化學式：-CH2
-CH(OH)-；所表示之構造部分。VA單位係例如藉由將如乙酸乙烯基酯等之乙烯基酯系單體進行乙烯基聚合而成之構造之重複單位進行水解(亦稱為皂化)來生成。又，上述非乙烯基醇單位(以下亦稱為「非VA單位」)係指藉由與VA單位相異之構造所構成之重複構造部分。聚合物A可僅包含單一種類之非VA單位，亦可包含兩種類以上之非VA單位。 [0023] 在此揭示之技術之一態樣中，非VA單位係能作為構成聚合物A之重複單位之一部而被包含於該聚合物A中。具有此種構造之聚合物A係能理解成包含VA單位與非VA單位作為構成該聚合物A之重複單位之共聚物。在該形態下藉由包含非VA單位，而可將包含VA單位之聚合物A之吸附參數調整成在此揭示之理想範圍。包含作為構成聚合物A之重複單位之非VA單位可為例如選自具有氧伸烷基、羧基、磺酸基、胺基、羥基、醯胺基、醯亞胺基、腈基、醚基、酯基、及該等之鹽之至少1種構造之重複單位。構成聚合物A之全重複單位之莫耳數中所佔之VA單位莫耳數之比例只要係能滿足條件(2)之比例即可，並無特別限制。上述比例係例如可為5%以上，亦可為10%以上。磨粒及研磨對象物，例如在從對矽晶圓之親和性之觀點，在一種態樣中，可理想採用上述比例為20%以上，例如30%以上之聚合物A。在某些態樣中，上述比例可為50%以上，可為75%以上，亦可為85%以上。又，在從適宜容易發揮組合包含VA單位與非VA單位之效果之觀點，構成聚合物A之全重複單位之莫耳數中所佔之VA單位之莫耳數比例可為例如99%以下，可為98%以下，亦可為97%以下。在某些態樣中，上述比例可為例如95%以下，可為90%以下，可為80%以下，更亦可為70%以下。 [0024] 在此揭示之技術之其他一種態樣中，非VA單位係能以位於在包含VA單位之聚合物A之至少一個末端之形態下被包含於該聚合物A中。在此聚合物A之末端係指典型為聚合物A主鏈之末端，聚合物A在具有側鏈時則該側鏈之末端亦能為聚合物A之末端。又，非VA單位位於聚合物A之末端係指包含該末端之規定範圍係由非VA單位所構成。具有此種構造之聚合物A係能理解成作為包含VA單位之聚合物鏈之末端係受到非VA單位所變性或修飾而成之構造之聚合物。包含上述VA單位之聚合物鏈係可為實質上僅由VA單位所構成之聚合物鏈。該形態下藉由包含非VA單位，而可將包含VA單位之聚合物A之吸附參數調節成在此揭示之理想範圍。非VA單位亦可位於聚合物A之主鏈之兩末端，亦可僅位於一側之末端。聚合物A在具有側鏈時，非VA單位可僅位於主鏈之一側或兩側之末端，亦可位於側鏈之全部末端或一部分之末端。例如，可理想採用非VA單位僅位於主鏈之一側末端之構造之聚合物A。位於聚合物A末端之非VA單位係可包括例如選自由烷基、芳基、芳基烷基等之烴基；烷氧基、芳氧基、芳基烷氧基、氧伸烷基等之氧基烴基；羧基、磺酸基、胺基、羥基、醯胺基、醯亞胺基、亞胺基、甲脒基、咪唑啉基、腈基、醚基、酯基，及該等之鹽；所成群之至少一種構造。佔聚合物A之重量中之非VA單位之重量比例只要係能滿足條件(2)之比例即可而並無特別限制。上述比例係可為例如25%以下，可為10%以下，可為5%以下，亦可為1%以下。尚且，作為對聚合物之末端導入非VA單位之方法，並無特別限定，可適宜採用公知之方法。作為導入非VA單位之方法之一例，可舉出如使用包含非VA單位之構造之聚合起始劑進行自由基聚合之方法。例如，藉由使用2,2’-偶氮雙(2-甲脒基丙烷)作為聚合起始劑進行自由基聚合，而可在聚合物末端導入甲脒基。作為導入非VA單位之方法之其他一例，可舉出如使用包含非VA單位之構造之鏈轉移劑之方法。例如，可藉由在月桂基硫醇等之具有烷基之硫醇類之存在下進行聚合，而在聚合物末端導入烷基。作為導入非VA單位之方法之更加其他之一例，可舉出如使用包含非VA單位之構造之聚合停止劑之方法。 [0025] [條件(2)] 聚合物A應滿足之條件(2)係藉由下式：吸附參數=[(C1-C2)/C1]×100；所算出之吸附參數為5以上者。在此，上述式中之C1為包含上述聚合物A 0.017重量%、氨0.009重量%且剩餘部分係由水所構成之試驗液L1所包含之有機碳之總量。上述式中之C2係為將包含BET徑35nm之膠質二氧化矽0.46重量%、上述聚合物A 0.017重量%、氨0.009重量%且剩餘部分係由水所構成之試驗液L2予以離心分離使上述二氧化矽粒子沉澱而成之上澄液所包含之有機碳之總量。 [0026] 上述試驗液L2係除了包含試驗液L1外尚包含二氧化矽粒子。對此試驗液L2施加離心分離處理時，二氧化矽粒子上吸附之水溶性高分子會與該二氧化矽粒子一同沉澱，而從上述上澄液所包含之有機碳之總量中去除。因此，上述吸附參數之值若越大則可謂係意指試驗液L2所包含之水溶性高分子之總量當中吸附於二氧化矽磨粒上之水溶性高分子之比例越多。 [0027] 尚且，上述試驗液L2之離心分離係可使用例如貝克曼庫爾特公司製之離心分離器，型式「Avanti HP-30I」，在20000rpm之旋轉數且30分鐘之條件進行。又，上述試驗液L1所包含之有機碳之總量及對上述試驗液L2施加上述離心分離處理後之上澄液所包含之有機碳之總量係可藉由測量上述試驗液L1及上述上澄液汁全有機碳量(TOC)而求得。TOC之測量係可使用例如島津製作所公司製之全有機物碳計(燃燒觸媒氧化方式，型式「TOC-5000A」)或其之相當品進行。 [0028] 依據包含滿足上述條件(1)及(2)之聚合物A之研磨用組成物，可有效減少研磨後表面上之表面缺陷(例如檢測出作為LPD-N之缺陷數)。並非係希望受到理論所拘限者，但取得該效果之理由認為係例如以下所述。即，滿足上述條件(1)及條件(2)之聚合物A由於包含VA單位，故對研磨對象物，例如矽晶圓展現良好親和性。另一方面，一般而言VA單位對於二氧化矽粒子等磨粒難以具有吸附性，但上述聚合物A對於二氧化矽粒子具有滿足規定吸附參數程度之吸附性。因此，根據包含VA單位且吸附性受到改善之聚合物A，且在使用包含該聚合物A之研磨用組成物之研磨中，上述聚合物A藉由在磨粒周圍運作作為緩衝材，可減少該磨粒對研磨對象物表面可能賦予之局部性壓力。藉此而認為上述壓力所造成之表面缺陷之發生受到抑制，且LPD-N數係有效受到減低者。 [0029] 在此揭示之技術之一種態樣中，作為聚合物A，可使用上述吸附參數例如為10以上者。聚合物A之吸附參數可為15以上，可為25以上，可為40以上，可為50以上，亦可為60以上。藉由增加吸附參數，研磨用組成物所包含之聚合物A會有更有效率地受到利用之傾向。又，在一種態樣中，聚合物A之吸附參數在從該聚合物A之取得容易性或合成容易性之觀點，例如可為99以下，可為95以下，可為85以下，可為75以下，亦可為70以下。在此揭示之技術在使用吸附參數為50以下、30以下、或20以下之聚合物A之態樣下仍能適宜實施。吸附參數係可藉由例如構成聚合物A之重複單位所含之非VA單位之選擇種類、聚合物A之分子構造、聚合物A所含之VA單位與非VA單位之莫耳比、聚合物A中之非VA單位之配置等來進行調節。 [0030] 在此揭示之技術之一種態樣中，作為滿足上述條件(1)及(2)之聚合物A，可理想使用一分子中包含乙烯基醇系鏈段與非乙烯基醇系鏈段之共聚物。在此，本說明書中乙烯基醇系鏈段係指將VA單位作為主重複單位之鏈段。以下亦稱為「鏈段SA
」。又，本說明書中非乙烯基醇系鏈段係指將非VA單位作為主重複單位之鏈段。以下亦稱為「鏈段SB
」。尚且，本說明書中主重複單位在未特別註記時係指包含超過50重量%以上之重複單位。 [0031] 在同一分子內具有鏈段SA
與鏈段SB
之聚合物A係藉由具有鏈段SA
而對研磨對象物表面展現適度親和性，故適宜減少霾度程度或提升濕潤性。又，利用與鏈段SA
在同一分子內存在之鏈段SB
，即與鏈段SA
化學鍵結之鏈段SB
，而可調節作為聚合物A全體之對磨粒之親和性，且可適宜實現滿足上述(2)之聚合物A。以下，有將一分子中包含鏈段SA
與鏈段SB
之聚合物A標記為「聚合物ASAB
」之情況。 [0032] 聚合物ASAB
之構造係以在同一分子內包含至少一個鏈段SA
與至少一個鏈段SB
，且滿足條件(2)之方式進行選擇即可，而並無特別限定。聚合物ASAB
係可為例如包含鏈段SA
與鏈段SB
之嵌段共聚物、接枝共聚物或無規共聚物。上述接枝共聚物之構造並無特別限定，可為例如鏈段SA
(主鏈)上接枝有鏈段SB
(側鏈)之構造之接枝共聚物，亦可為鏈段SB
(主鏈)上接枝有鏈段SA
(側鏈)之構造之接枝共聚物。在從藉由鏈段SB
之選擇而容易調節聚合物A之吸附性之觀點，在一種態樣中，可理想採用接枝共聚物作為聚合物ASAB
。可使用例如鏈段SA
上接枝有鏈段SB
之構造之聚合物ASAB
。 [0033] [鏈段SA
] 鏈段SA
之重複單位係可僅包含VA單位，亦可包含VA單位與非VA單位。在鏈段SA
包含非VA單位之態樣中，該非VA單位可為例如具有選自氧伸烷基、羧基、磺酸基、胺基、羥基、醯胺基、醯亞胺基、腈基、醚基、酯基、及該等之鹽之至少1種構造之重複單位。鏈段SA
係可包含僅一種類之非VA單位，亦可包含兩種類以上之非VA單位。 [0034] 作為鏈段SA
所能包含之非VA單位之適合例，可舉出如烷基乙烯基醚單位(即，源自烷基乙烯基醚之重複單位)，或單羧酸乙烯基酯單位(即，源自單羧酸乙烯基酯之重複單位)等。作為上述烷基乙烯基醚之非限定例，可舉出如丙基乙烯基醚、丁基乙烯基醚、2-乙基己基乙烯基醚等。作為上述烷基乙烯基醚單位之較佳具體例，可舉出如丙基乙烯基醚單位、丁基乙烯基醚單位、2-乙基己基乙烯基醚單位等。又，作為上述單羧酸乙烯基酯之非限定例，可舉出如乙酸乙烯基酯、丙酸乙烯基酯、丁酸乙烯基酯、異丁酸乙烯基酯、己酸乙烯基酯、辛酸乙烯基酯、月桂酸乙烯基酯、肉豆蔻酸乙烯基酯、軟脂酸乙烯基酯、硬脂酸乙烯基酯、叔戊酸乙烯基酯等。作為上述單羧酸乙烯基酯單位之較佳具體例，可舉出如乙酸乙烯基酯單位、丙酸乙烯基酯單位、己酸乙烯基酯單位等。 [0035] 構成鏈段SA
之全重複單位之莫耳數中所佔之VA單位之莫耳數之比例典型為50%以上，通常在65%以上為適當，較佳為75%以上，例如80%以上。在較佳之一種態樣中，構成鏈段SA
之全重複單位之莫耳數中所佔之VA單位之莫耳數之比例可為例如90%以上，可為95%以上，亦可為98%以上。構成鏈段SA
之重複單位之實質上100%可為VA單位。在此「實質上100%」係指至少蓄意地不使鏈段SA
含有非VA單位。 [0036] [鏈段SB
] 構成鏈段SB
之非VA單位係可為例如具有選自氧伸烷基、羧基、磺酸基、胺基、羥基、醯胺基、醯亞胺基、腈基、醚基、酯基、及該等之鹽之至少一種構造之重複單位。構成鏈段SB
之非VA單位可為單一種類，亦可為兩種類以上。 [0037] 在一種態樣中，鏈段SB
可為包含氧伸烷基單位作為主重複單位之鏈段，即氧伸烷基系鏈段。氧伸烷基系鏈段所含之全重複單位之莫耳數中所佔之氧伸烷基單位之莫耳數之比例並無特別限定，能以會形成滿足上述條件(2)之聚合物A之方式進行設定。上述比例可為例如超過50%，可為70%以上，可為85%以上，亦可為95%以上。氧伸烷基系鏈段所含之重複單位之實質上可全部為氧伸烷基單位。 [0038] 作為氧伸烷基(oxyalkylene)單位之例，可舉出如氧伸乙基單位、氧伸丙基單位、氧伸丁基單位等。此種氧伸烷基單位可為分別源自對應之環氧烷之重複單位。氧伸烷基系鏈段所含之氧伸烷基單位可為單一種類，亦可為兩種類以上。例如，可為包含組合氧伸乙基單位與氧伸丙基單位之氧伸烷基系鏈段。 [0039] 在包含兩種類以上之氧伸烷基單位之氧伸烷基系鏈段中，該等氧伸烷基單位可為對應之環氧烷之無規共聚物，亦可為嵌段共聚物。各氧伸烷基單位之莫耳比並無特別限制，能以會形成滿足上述條件(2)之聚合物A之方式進行設定。在一種態樣中，氧伸烷基系鏈段在該鏈段所含之全重複單位之莫耳數中所佔之氧伸乙基單位之莫耳數之比例可為超過50%，可為70%以上，可為85%以上，可為95%以上，亦可為100%。 [0040] 在其他一種態樣中，鏈段SB
可為包含N-乙烯基型單體單位作為主重複單位之鏈段，即N-乙烯基系鏈段。N-乙烯基系鏈段所含之全重複單位之莫耳數中所佔之N-乙烯基型單體單位之莫耳數之比例並無特別限定，能以會形成滿足上述條件(2)之聚合物A之方式進行設定。上述比例例如可為超過50%，可為70%以上，可為85%以上，亦可為95%以上。N-乙烯基系鏈段所含之重複單位之實質上全部可為N-乙烯基型單體單位。 [0041] N-乙烯基系鏈段所含之N-乙烯基型單體單位可為源自如後述之N-乙烯基內醯胺型單體或N-乙烯基鏈狀醯胺之重複單位。鏈段SB
可為例如將源自N-乙烯基吡咯啶酮(VP)或N-乙烯基己內醯胺(VC)等之N-乙烯基內醯胺型單體之重複單位作為主重複單位之N-乙烯基系鏈段，即N-乙烯基內醯胺系鏈段。在一種態樣中，N-乙烯基內醯胺系鏈段在該鏈段所含之全重複單位之莫耳數中所佔之VP單位之莫耳數之比例可為例如超過50%，可為70%以上，可為85%以上，可為95%以上，亦可為100%。在此VP單位係指源自VP之重複單位。 [0042] [包含VA單位及VP單位之無規共聚物] 在某些態樣中，滿足上述條件(1)及(2)之聚合物A可為包含上述VA單位及VP單位之無規共聚物。該無規共聚物係能藉由將可變換成VA單位之單體與N-乙烯基吡咯啶酮之無規共聚物予以變性來形成。例如，可藉由使乙酸乙烯基酯與N-乙烯基吡咯啶酮之無規共聚物進行部分皂化或完全皂化，而取得包含VA單位及VP單位之無規共聚物。該無規共聚物中之VA單位：VP單位之莫耳比可為例如50：50以上，可為65：35以上，可為70：30以上，可為75：25以上，亦可為80：20以上。在某些態樣中，VA單位：VP單位之莫耳比可為85：15以上，亦可為90：10以上或90：超過10。又，VA單位：VP單位之莫耳比可為例如99：1以下，可為98：2以下，亦可為97：3以下。在某些態樣中，VA單位：VP單位之莫耳比可為95：5以下，亦可為93：7以下。 [0043] [聚合物A之Mw及Mn] 聚合物A之重量平均分子量(Mw)並無特別限定。聚合物A之Mw通常在1.0×104
以上為適當，可為1.2×104
以上，亦可為1.5×104
以上。隨著聚合物A之Mw增加，研磨後之表面濕潤性會有提高之傾向。聚合物A之M通常在100×104
以下為適當，以50×104
以下為佳，可為30×104
以下，例如亦可為20×104
以下。藉由聚合物A之Mw之降低，而有安定發揮該聚合物A更均勻地吸附於磨粒，減輕對研磨對象物表面賦予之局部性壓力之效果的傾向。在一種態樣中，聚合物A之Mw可為15×104
以下，可為10×104
以下，可為7×104
以下，可為5×104
以下，可為4×104
以下，例如可為3×104
以下。 [0044] 聚合物A為在一分子內包含鏈段SA
與鏈段SB
之嵌段共聚物時，構成該嵌段共聚物之各鏈段之Mw，即鏈段SA
及鏈段SB
之個別之Mw並無特別限定。在一種態樣中，上述各鏈段之Mw可為例如500以上，通常在1000以上為適當，可為3000以上，更可為5000以上。各鏈段之Mw通常係未滿聚合物A之Mw，且可為30×104
以下，或10×104
以下，或5×104
以下，或2×104
以下，亦可為1×104
以下。 [0045] 在此揭示之研磨用組成物所含之聚合物A中，重量平均分子量(Mw)與數平均分子量(Mn)之關係並無特限制。再從防止凝聚物產生等之觀點，通常聚合物A之分子量分布(Mw/Mn)係以10.0以下為佳，較佳為7.0以下，例如可為5.0以下。在一種態樣中，聚合物A之Mw/Mn可為3.0以下，亦可為2.0以下。 [0046] (聚合物B) 在此揭示之研磨用組成物中之水溶性高分子除了包含聚合物A，亦可包含不該當於聚合物A之聚合物，即亦可包含不滿足上述條件(1)及條件(2)之一方或雙方之聚合物。以下，將不該於聚合物A之聚合物亦稱為「聚合物B」。藉由使用聚合物B，可達成減低LPD-N數、減低霾度程度、提升濕潤性、提升磨粒分散性等當中1種或2種以上之效果。聚合物B係可單獨使用一種或可將兩種以上適宜組合使用。 [0047] 作為聚合物B，可適宜選擇使用例如包含氧伸烷基單位之聚合物、含有氮原子之聚合物、纖維素衍生物、澱粉衍生物、含有乙烯基醇單位之聚合物等，且係不滿足條件(1)及條件(2)之一方或雙方者。 [0048] 作為包含氧伸烷基單位之聚合物，可例示如聚環氧乙烷(PEO)，或環氧乙烷(EO)與環氧丙烷(PO)或環氧丁烷(BO)之嵌段共聚物、EO與PO或BO之無規共聚物等。其中亦以EO與PO之嵌段共聚物或EO與PO之無規共聚物為佳。EO與PO之嵌段共聚物可為包含PEO嵌段與聚環氧丙烷(PPO)嵌段之二嵌段共聚物、三嵌段共聚物等。上述三嵌段共聚物之例係包括PEO-PPO-PEO型參嵌段共聚物及PPO-PEO-PPO型三嵌段共聚物。通常係以PEO-PPO-PEO型三嵌段共聚物為較佳。 [0049] 尚且，本說明書中共聚物在未特別註記時，則係包括性地意指無規共聚物、交互共聚物、嵌段共聚物、接枝共聚物等之各種共聚物。 [0050] 含有氮原子之聚合物之非限定例係包括N-乙烯基內醯胺或N-乙烯基鏈狀醯胺等之包含N-乙烯基型單體單位之聚合物；亞胺衍生物；包含N-(甲基)丙烯醯基型之單體單位之聚合物等。 [0051] 包含N-乙烯基型單體單位之聚合物之例係包括包含源自具有含有氮之雜環之單體之重複單位之聚合物。作為含有氮之雜環之一例，可舉出如內醯胺環。包含該重複單位之聚合物之例係包括N-乙烯基內醯胺型單體之均聚物及共聚物，N-乙烯基鏈狀醯胺之均聚物及共聚物等。上述N-乙烯基內醯胺型單體共聚物可為例如，N-乙烯基內醯胺型單體之共聚合比例超過50重量%之共聚物。上述N-乙烯基鏈狀醯胺之共聚物可為例如，N-乙烯基鏈狀醯胺之共聚合比例超過50重量%之共聚物。 [0052] 作為N-乙烯基內醯胺型單體之具體例，可舉出如N-乙烯基吡咯啶酮(VP)、N-乙烯基哌啶酮、N-乙烯基嗎啉、N-乙烯基己內醯胺(VC)、N-乙烯基-1,3-噁嗪-2-酮、N-乙烯基-3,5-嗎啉二酮等。作為包含N-乙烯基內醯胺型之單體單位之聚合物之具體例，可舉出如聚乙烯基吡咯啶酮、聚乙烯基己內醯胺、VP與VC之無規共聚物、VP及VC之一方或雙方與其他乙烯基單體之無規共聚物、含有包含VP及VC之一方或雙方之聚合物鏈之嵌段共聚物或接枝共聚物等。上述其他乙烯基單體可為例如，丙烯酸系單體、乙烯基酯系單體等。在此丙烯酸系單體係指具有(甲基)丙烯醯基之單體。 作為N-乙烯基鏈狀醯胺之具體例，可舉出如N-乙烯基乙醯胺、N-乙烯基丙酸醯胺、N-乙烯基丁酸醯胺等。 [0053] 包含N-(甲基)丙烯醯基型之單體單位之聚合物之例係包括N-(甲基)丙烯醯基型單體之均聚物及共聚物。N-(甲基)丙烯醯基型單體之例係包括具有N-(甲基)丙烯醯基之鏈狀醯胺及具有N-(甲基)丙烯醯基之環狀醯胺。上述N-(甲基)丙烯醯基型單體之共聚物可為例如N-(甲基)丙烯醯基型單體之共聚合比例超過50重量%之共聚物。 [0054] 作為具有N-(甲基)丙烯醯基之鏈狀醯胺之例，可舉出如(甲基)丙烯醯胺；N-甲基(甲基)丙烯醯胺、N-乙基(甲基)丙烯醯胺、N-丙基(甲基)丙烯醯胺、N-異丙基(甲基)丙烯醯胺、N-n-丁基(甲基)丙烯醯胺等之N-烷基(甲基)丙烯醯胺；N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、N,N-二乙基(甲基)丙烯醯胺、N,N-二丙基(甲基)丙烯醯胺、N,N-二異丙基(甲基)丙烯醯胺、N,N-二(n-丁基)(甲基)丙烯醯胺等之N,N-二烷基(甲基)丙烯醯胺等。作為將具有N-(甲基)丙烯醯基之鏈狀醯胺包含作為單體單位之聚合物之例，可舉出如N-異丙基丙烯醯胺之均聚物及N-異丙基丙烯醯胺之共聚物。上述N-異丙基丙烯醯胺之共聚物可為例如N-異丙基丙烯醯胺之共聚合比例超過50重量%之共聚物。 [0055] 作為具有N-(甲基)丙烯醯基之環狀醯胺之例，可舉出如N-(甲基)丙烯醯基嗎啉、N-(甲基)丙烯醯基吡咯啶等。作為將具有N-(甲基)丙烯醯基之環狀醯胺包含作為單體單位之聚合物之例，可舉出如N-丙烯醯基嗎啉之均聚物及N-丙烯醯基嗎啉之共聚物。上述N-丙烯醯基嗎啉之共聚物可為例如N-丙烯醯基嗎啉之共聚合比例超過50重量%之共聚物。 [0056] 纖維素衍生物係包含β-葡萄糖單位作為主重複單位之聚合物。作為纖維素衍生物之具體例，可舉出如羥基乙基纖維素、羥基丙基纖維素、羥基乙基甲基纖維素、羥基丙基甲基纖維素、甲基纖維素、乙基纖維素、乙基羥基乙基纖維素、羧基甲基纖維素等。其中亦以羥基乙基纖維素(HEC)為佳。 [0057] 澱粉衍生物係包含α-葡萄糖單位作為主重複單位之聚合物。作為澱粉衍生物之具體例，可舉出如α化澱粉、支鏈澱粉(pullulan)、羧基甲基澱粉、環糊精等。其中亦以支鏈澱粉為佳。 [0058] 該當於聚合物B之含有乙烯基醇單位之聚合物之例係包括僅包含VA單位者，及包含VA單位與非VA單位但不滿足條件(2)者。使用作為聚合物B之含有乙烯基醇單位之聚合物，典型為包含VA單位作為主要重複單位且不滿足條件(2)之聚合物。該聚合物中，全重複單位之莫耳數中所佔之VA單位之莫耳數之比例係例如超過50%，可為65%以上，可為70%以上，亦可為75%以上。在使用作為聚合物B之含有乙烯基醇單位之聚合物中，非VA單位之種類並無特別限定，例如可為選自丙基乙烯基醚單位、丁基乙烯基醚單位、2-乙基己基乙烯基醚單位、乙酸乙烯基酯單位、丙酸乙烯基酯單位、己酸乙烯基酯單位等之一種或兩種以上。 [0059] 使用作為聚合物B之含有乙烯基醇單位之聚合物可為實質上僅包含VA單位之聚合物。在此「實質上」係指典型為全重複單位之95%以上為乙烯基醇單位。尚且，實質上僅包含VA單位之含有乙烯基醇單位之聚合物通常吸附參數係未滿5，例如3以下，典型者係幾乎為零，因此並不滿足條件(2)。 [0060] [聚合物B之Mw及Mn] 在水溶性高分子包含聚合物B之態樣中，聚合物B之Mw並無特別限定。從過濾性或洗淨性等之觀點，可使用例如Mw為200×104
以下或150×104
以下者。又，聚合物B之Mw係典型為1×104
以上。 [0061] 較佳之Mw之範圍係可根據聚合物B之種類而不同。 例如，作為聚合物B之纖維素衍生物及澱粉衍生物之Mw係分別典型為未滿200×104
，較佳為170×104
以下，更佳為150×104
以下，可為100×104
以下，亦可為例如50×104
以下。此種聚合物B之Mw係典型為1×104
以上，較佳為2×104
以上，可為3×104
以上，可為5×104
以上，可為7×104
以上，可為15×104
以上，亦可為30×104
以上。 又，例如包含氧伸烷基單位之聚合物、含有氮原子之聚合物及含有乙烯基醇單位之聚合物之Mw係分別以100×104
以下為佳，較佳為60×104
以下，可為30×104
以下，可為20×104
以下，亦可為例如10×104
以下。此種聚合物B之Mw係個別典型為1×104
以上，可為1.2×104
以上，可為1.5×104
以上，亦可為例如3×104
以上。 [0062] 聚合物B之Mw/Mn並無特別限制。從防止凝聚物產生等之觀點，通常Mw/Mn係以10.0以下者為佳，以7.0以下者為較佳，以5.0以下者為更佳。 [0063] 尚且，本說明書中，作為水溶性高分子或界面活性劑之Mw及Mn，可採用依據水系之凝膠滲透層析(GPC)之值(水系，以聚環氧乙烷換算)。 [0064] (水溶性高分子之含量等) 並非係受到特別限定者，但研磨用組成物中之水溶性高分子之含量係相對於磨粒100重量份，可作成例如0.01重量份以上。相對於磨粒100重量份之水溶性高分子之含量在從提升研磨後之表面平滑性之觀點，通常在0.1重量份以上為適當，可為0.5重量份以上，可為1重量份以上，亦可為例如1.5重量份以上。又，相對於磨粒100重量份之水溶性高分子之含量係例如可為50重量份以下，可為30重量份以下，亦可為20重量份以下。在從研磨速度或洗淨性等之觀點，在一種態樣中，相對於磨粒100重量份之水溶性高分子之含量係例如可為10重量份以下，可為7重量份以下，可為5重量份以下，可為2.5重量份以下，亦可為2.0重量份以下。 [0065] 又，相對於研磨用組成物所含之磨粒100重量份，聚合物A之含量係可作成例如0.01重量份以上。使用聚合物A所得之效果，在從更加良好發揮例如減低LPD-N數等之缺陷減低效果之觀點，相對於磨粒100重量份之聚合物A之含量係通常在0.05重量份以上為適當，可為0.1重量份以上，可為0.5重量份以上，可為1重量份以上，亦可為1.5重量份以上。又，相對於磨粒100重量份之聚合物A之含量係可作成例如40重量份以下，可作成20重量份以下，亦可作成15重量份以下。從研磨速度或洗淨性等之觀點，在一種態樣中，相對於磨粒100重量份之聚合物A之含量可為10重量份以下，可為7重量份以下，亦可為5重量份以下。在此揭示之研磨用組成物即使係在相對於磨粒100重量份之聚合物A之含量在2.5重量份以下，例如2.0重量份以下之態樣下，仍可理想地實施而適宜地發會減低表面缺陷之效果。 [0066] 在包含聚合物A及聚合物B作為水溶性高分子之研磨用組成物中，該水溶性高分子全體中所佔之聚合物A之比例，即聚合物A與聚合物B之合計重量中所佔之聚合物A之比例，以重量基準計，可作成例如5%以上，亦可作成10%以上。在從取得更高效果之觀點，通常係將上述比例作成30%以上為適當，作成超過50%為佳，可作成70%以上，可作成85%以上，可作成95%以上，亦可作成例如99%以上。 [0067] 使用HEC等之纖維素衍生物作為聚合物B時，其之使用量係壓在水溶性高分子全體之40重量%以下為佳，以作成25重量%以下為較佳，以作成10重量%以下為更加，以作成5重量%以下為較更佳。藉由限制纖維素衍生物之使用量，而可抑制因源自天然物之纖維素衍生物所造成之異物混入或凝聚之產生。在此揭示之研磨用組成物係能在實質上不含有纖維素衍生物之態樣下理想實施。 [0068] 在此揭示之研磨用組成物係能在磨粒每1017
個之聚合物A之含量為10mg以上之態樣下理想實施。又，在此揭示之研磨用組成物係能在磨粒每1017
個之聚合物A之含量為1000mg以下之態樣下理想實施。在此，磨粒數之算出係可基於研磨用組成物中所含之磨粒重量、磨粒之BET徑、及磨粒之比重來進行。磨粒每1017
個之聚合物A之含量係可從上述磨粒數及研磨用組成物中所包含之聚合物A之重量來算出。藉由以使該磨粒之每個數成為規定重量以上之方式，包含對於磨粒展現出滿足規定之吸附參數程度之吸附性之聚合物A，可有效減輕上述磨粒對研磨對象物表面可能賦予之局部性壓力，且可效率良好地實現由聚合物A所成之缺陷減低效果。又，藉由以磨粒之每個數之聚合物A之含量成為規定值以下之方式選擇研磨用組成物之組成，可抑制磨粒對聚合物A之過剩吸附，且可效率良好地發揮對研磨對象物之研磨效果。在此揭示之研磨用組成物之一種態樣中，磨粒每1017
個之聚合物A之含量係例如可為600mg以下，可為400mg以下，可為300mg以下，亦可為200mg以下。在從取更高研磨效果之觀點，在一種態樣中，上述磨粒每1017
個之聚合物A之含量可為175mg以下，例如可為150mg以下，可為125mg以下，亦可為100mg以下。又，在從適宜發揮由聚合物A所成之缺陷減低效果之觀點，在一種態樣中，磨粒每1017
個之聚合物A之含量係可作成多過10mg，例如可為15mg以上，可為20mg以上，亦可為30mg以上。 [0069] 在此揭示之研磨用組成物係能在藉由下式：磨粒緩衝指數=(WA
×Q)/S；所算出之磨粒緩衝指數成為1mg/m2
～40mg/m2
之態樣下理想實施。在此，上述式中之S為上述研磨用組成物所包含之磨粒之總表面積[m2
]。上述式中之WA
為上述研磨用組成物所包含之聚合物A之總量[mg]。上述式中之Q為上述之吸附參數。磨粒緩衝指數較高之研磨用組成物會有磨粒之每表面積之聚合物A之吸附量變得更多之傾向。因此，藉由以上述磨粒緩衝指數成為規定值以上之方式選擇研磨用組成物之組成，可效率良好地實現由聚合物A所成之缺陷減低效果。又，藉由以上述磨粒緩衝指數稱為規定值以下之方式選擇研磨用組成物之組成，可抑制研磨效率之過度降低並可謀求缺陷減少。並非係受到特別限定者，但在一種態樣中，上述磨粒緩衝指數係例如可為3mg/m2
以上，可為5mg/m2
以上，亦可為例如10mg/m2
以上。又，在一種態樣中，上述磨粒緩衝指數可為30mg/m2
以下，例如可為25mg/m2
以下，可為20mg/m2
以下，亦可為15mg/m2
以下。 [0070] ＜水＞ 作為在此揭示之研磨用組成物所含之水，可理想使用離子交換水(脫離子水)、純水、超純水、蒸餾水等。使用之水由於要極力迴避研磨用組成物所含有之其他成分之作用受到阻礙，故例如過渡金屬離子之合計含量係以100ppb以下為佳。例如，可藉由由離子交換樹脂所成之雜質離子之去除、由過濾器所成之異物之去除、蒸餾等之操作來提高水之純度。 [0071] ＜鹼性化合物＞ 在此揭示之研磨用組成物含有鹼性化合物。本說明書中鹼性化合物係指溶解於水而具有使水溶液之pH上升之功能之化合物。作為鹼性化合物，可使用如含氮之有機或無機之鹼性化合物、鹼金屬之氫氧化物、鹼土類金屬之氫氧化物、各種碳酸鹽或碳酸氫鹽等。作為含氮鹼性化合物之例，可舉出如第四級銨化合物、第四級鏻化合物、氨、胺等。作為上述胺，以水溶性胺為佳。此種鹼性化合物係可單獨使用一種或可將兩種以上組合使用。 [0072] 作為鹼金屬之氫氧化物之具體例，可舉出如氫氧化鉀、氫氧化鈉等。作為碳酸鹽或碳酸氫鹽之具體例，可舉出如碳酸氫銨、碳酸銨、碳酸氫鉀、碳酸鉀、碳酸氫鈉、碳酸鈉等。作為胺之具體例，可舉出如甲基胺、二甲基胺、三甲基胺、乙基胺、二乙基胺、三乙基胺、乙二胺、單乙醇胺、N-(β-胺基乙基)乙醇胺、六亞甲基二胺、二伸乙三胺、三伸乙四胺、無水哌嗪、哌嗪六水合物、1-(2-胺基乙基)哌嗪、N-甲基哌嗪、胍、咪唑或三唑等之唑類等。做為第四級鏻化合物之具體例，可舉出如氫氧化四甲基鏻、氫氧化四乙基鏻等之氫氧化第四級鏻。 [0073] 作為第四級銨化合物，較佳可使用四烷基銨鹽、羥基烷基三烷基銨鹽等之第四級銨鹽。該第四級銨鹽中之陰離子成分可為例如，OH-
、F-
、Cl-
、Br-
、I-
、ClO4 -
、BH4 -
等。作為第四級銨鹽，以強鹼者為佳。作為其中較佳之例，可舉出如陰離子為OH-
之第四級銨鹽，即氫氧化第四級銨。作為氫氧化第四級銨之具體例，可舉出如氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨、氫氧化四丙基銨、氫氧化四丁基銨、氫氧化四戊基銨及氫氧化四己基銨等之氫氧化四烷基銨；氫氧化2-羥基乙基三甲基銨(亦稱為膽鹼)等之氫氧化羥基烷基三烷基銨等。 [0074] 此等鹼性化合物之中，可較佳使用例如選自鹼金屬氫氧化物、氫氧化第四級銨及氨之至少一種鹼性化合物。其中亦以氫氧化四甲基銨等之氫氧化四烷基銨及氨為較佳，以氨為特佳。 [0075] ＜水溶性有機化合物＞ 在此揭示之研磨用組成物中可含有重量平均分子量(Mw)未滿1×104
之水溶性有機化合物作為任意成分。藉由使用該水溶性有機化合物，可更加減少LPD-N數。水溶性有機化合物係可單獨使用一種或可將兩種以上組合使用。 [0076] (界面活性劑) 在此揭示之研磨用組成物之可使用作為任意成分之水溶性有機化合物之例係包括以下所說明之界面活性劑。界面活性劑除可幫助減少LPD-N數之外，亦能幫助霾度程度之減低。 [0077] 作為界面活性劑，皆可使用如陰離子性、陽離子性、非離子性、兩性之任意一者。通常係可理想採用陰離子性或非離子性之界面活性劑。在從低起泡性或pH調整之容易性之觀點，以非離子性之界面活性劑為較佳。可舉出例如，聚乙二醇、聚丙二醇、聚丁二醇等之氧伸烷基聚合物；聚氧乙烯烷基醚、聚氧乙烯烷基苯基醚、聚氧乙烯烷基胺、聚氧乙烯脂肪酸酯、聚氧乙烯甘油基醚脂肪酸酯、聚氧乙烯花楸丹脂肪酸酯等之聚氧伸烷基衍生物，例如，聚氧伸烷基加成物；複數種之氧伸烷基之共聚物，例如，二嵌段型共聚物、三嵌段型共聚物、無規型共聚物、交互共聚物；等之非離子性界面活性劑。界面活性劑係可單獨使用一種或可將兩種以上組合使用。 [0078] 作為非離子性界面活性劑之具體例，可舉出如環氧乙烷(EO)與環氧丙烷(PO)之嵌段共聚物、EO與PO之無規共聚物、聚氧乙烯二醇、聚氧乙烯丙基醚、聚氧乙烯丁基醚、聚氧乙烯戊基醚、聚氧乙烯己基醚、聚氧乙烯辛基醚、聚氧乙烯-2-乙基己基醚、聚氧乙烯壬基醚、聚氧乙烯癸基醚、聚氧乙烯異癸基醚、聚氧乙烯十三基醚、聚氧乙烯月桂基醚、聚氧乙烯十六基醚、聚氧乙烯硬脂醯基醚、聚氧乙烯異硬脂醯基醚、聚氧乙烯油醯基醚、聚氧乙烯苯基醚、聚氧乙烯辛基苯基醚、聚氧乙烯壬基苯基醚、聚氧乙烯十二基苯基醚、聚氧乙烯苯乙烯化苯基醚、聚氧乙烯月桂基胺、聚氧乙烯硬脂醯基胺、聚氧乙烯油醯基胺、聚氧乙烯單月桂酸酯、聚氧乙烯單硬脂酸酯、聚氧乙烯二硬脂酸酯、聚氧乙烯單油酸酯、聚氧乙烯二油酸酯、單月桂酸聚氧乙烯花楸丹、單棕櫚酸聚氧乙烯花楸丹、單硬脂酸聚氧乙烯花楸丹、單油酸聚氧乙烯花楸丹、三油酸聚氧乙烯花楸丹、四油酸聚氧乙烯山梨醇、聚氧乙烯蓖麻油、聚氧乙烯硬化蓖麻油等。上述EO與PO之嵌段共聚物之例係包括二嵌段型共聚物、PEO(聚環氧乙烷)-PPO(聚環氧丙烷)-PEO型之三嵌段物、PPO-PEO-PPO型之三嵌段共聚物等。作為其中較佳之界面活性劑，可舉出如EO與PO之嵌段共聚物、EO與PO之無規共聚物及聚氧乙烯烷基醚。作為EO與PO之嵌段共聚物之一適合例，以PEO-PPO-PEO型之三嵌段共聚物為特佳。又，作為聚氧乙烯烷基醚之一適合例，可舉出如聚氧乙烯癸基醚。 [0079] 陰離子性界面活性劑係指具有在水中解離而成為陰離子之官能基及疏水性基且具有界面活性作用之化合物。陰離子性界面活性劑係可分類成例如硫酸系、磺酸系、磷酸系、膦酸系、羧酸系等。陰離子界面活性劑之具體例係包括烷基硫酸酯、聚氧乙烯烷基硫酸酯、聚氧乙烯烷基硫酸、烷基硫酸、烷基醚硫酸酯、高級醇硫酸酯、烷基磷酸酯、烷基苯磺酸、α-烯烴磺酸、烷基磺酸、苯乙烯磺酸、烷基萘磺酸、烷基二苯基醚二磺酸、聚氧乙烯烷基醚乙酸、聚氧乙烯烷基醚磷酸、聚氧乙烯烷基磷酸酯、聚氧乙烯磺基琥珀酸、烷基磺基琥珀酸、上述任一化合物之鹽等。作為烷基磺酸之一具體例，可舉出如十二基磺酸。作為陰離子性界面活性劑之其他例，可舉出如牛磺酸系界面活性劑、肌氨酸鹽系界面活性劑、羥乙基磺酸鹽(isethionate)系界面活性劑、N-醯基酸性胺基酸系界面活性劑、高級脂肪酸鹽、醯化多肽等。 [0080] 在某些態樣中，可理想採用包含聚氧伸烷基構造之陰離子性界面活性劑。上述聚氧伸烷基構造係指氧伸烷基單位連續2個以上較佳係連續3個以上之重複構造。上述氧伸烷基單位可為源自對應之環氧烷之重複單位。因此，氧伸烷基單位之重複數係亦能理解作為環氧烷之加成莫耳數。 [0081] 上述氧伸烷基單位係以碳原子數2以上18以下之氧伸烷基為佳。在此，伸烷基可經芳基取代。此種氧伸烷基係可由例如，環氧乙烷、環氧丙烷、1,2-環氧丁烷、2,3-環氧丁烷、氧化苯乙烯等來衍生。在從取得容易性，或研磨用組成物中界面活性劑變得容易分散，更加容易減少研磨表面之霾度之觀點，氧伸烷基單位係以碳原子數2以上10以下之氧伸烷基為較佳，以碳原子數2以上4以下之氧伸烷基為更佳。作為其中較佳之氧伸烷基單位，可舉出如氧伸乙基及氧伸丙基。以氧伸乙基為特佳。 [0082] 包含聚氧伸烷基構造之陰離子性界面活性劑係以選自由硫酸酯(R-O-SO3 -
H+
)及其鹽(R-O-SO3 -
M+
)、磺酸(R-SO3 -
H+
)及其鹽(R-SO3 -
M+
)、羧酸(R-COO-
H+
)及其鹽(R-COO-
M+
)，以及磷酸酯(R-O-PO(O-
H+
)2
)及其鹽(R-O-PO(O-
H+
)(O-
M+
)或R-O-PO(O-
M+
)2
)所成群者為佳，但不受限於此等。尚且，在上述中，「R」表示包含聚氧伸烷基構造之有機基。又，在上述中，「M+
」表示金屬陽離子或銨陽離子等之各種陽離子。在從容易減少霾度之觀點，陰離子性界面活性劑係以選自由硫酸酯及其鹽、羧酸及其鹽，以及磷酸酯及其鹽所成群者為佳，以選自由硫酸酯及其鹽、以及羧酸及其鹽所成群者為較佳。在此，從可更有效地減少霾度之觀點，羧酸及其鹽係以選自由具有包含聚氧伸烷基構造之有機基之乙酸(R’-CH2
COO-
H+
)及其鹽(R’-CH2
COO-
M+
)所成群者為佳。在此「R’」表示包含聚氧伸烷基構造之有機基。因此，在從更加提升霾度減低效果之觀點，陰離子性界面活性劑係以選自由硫酸酯及其鹽，以及上述乙酸及其鹽所成群者為特佳。 [0083] 在依據上述「M+
」進行分類之情況下，作為上述鹽之種類，可舉出如鈉、鉀等之鹼金屬鹽、鈣、鎂等之2族元素之鹽、銨鹽、三乙醇胺等之烷醇胺鹽等。 [0084] 又，陰離子性界面活性劑之一分子中亦可包含兩種以上選自上述之陰離子部分(即，「-O-SO3 -
」部分、「SO3 -
」部分、「COO-
」部分、「-O-PO(OH)O-
」部分及「-O-PO(O-
)2
」)。 [0085] 在包含聚氧伸烷基構造之陰離子性界面活性劑中，構成該聚氧伸烷基構造之氧伸烷基單位之平均加成莫耳數係以超過3且25以下為佳。在使用氧伸烷基單位之平均加成莫耳數超過3之陰離子性界面活性劑時，由於該陰離子性界面活性劑會保護矽基板等之研磨對象物表面，故變得容易發揮高霾度減低效果。又，陰離子性界面活性劑所含之氧伸烷基單位之平均加成莫耳數超過25時，由該陰離子性界面活性劑德之對矽基板等之研磨對象物之表面保護變得過剩，有可能會使研磨速度變得下降。在從抑制研磨速度降低且減少霾度之觀點，氧伸烷基單位之平均加成莫耳數係以4以上為佳，以4.5以上為較佳。又，從相同觀點，氧伸烷基單位之平均加成莫耳數係以20以下為佳，以18以下為較佳。根據以上，在從使霾度之減低與研磨速度之提升並存之觀點，氧伸烷基單位之平均加成莫耳數係以4以上20以下為佳，以4.5以上18以下為較佳。在某些態樣中，氧伸烷基單位之平均加成莫耳數係例如可為6以上，可為10以上，亦可為14以上。 尚且，上述「平均加成莫耳數」係指界面活性劑1莫耳中所加成之環氧烷之莫耳數(即，氧伸烷基單位之莫耳數)之平均值。在界面活性劑中包含2個以上相異之氧伸烷基單位時，應係採用該等之平均值。又，上述環氧烷之平均加成莫耳數係可藉由1
H-NMR、氣相層析(GC)、GPC、凝膠滲透層析(GFC)、滴定法等適宜進行測量。 [0086] 根據情況不同，陰離子性界面活性劑中亦可存在2個以上相異之氧伸烷基單位。在從聚氧伸烷基鏈之製造之容易性或構造之控制容易度之觀點，氧伸烷基單位係以相同之重複為佳。 [0087] 作為包含聚氧伸烷基構造之陰離子性界面活性劑所使用之硫酸酯及其鹽並無特別限制，可舉出例如，聚氧乙烯月桂基醚硫酸、聚氧乙烯肉豆蔻基醚硫酸、聚氧乙烯棕櫚基醚硫酸；聚氧乙烯月桂基醚硫酸鈉、聚氧乙烯月桂基醚硫酸銨、聚氧乙烯月桂基醚硫酸三乙醇胺、聚氧乙烯肉豆蔻基醚硫酸鈉、聚氧乙烯肉豆蔻基醚硫酸銨、聚氧乙烯肉豆蔻基醚硫酸三乙醇胺、聚氧乙烯棕櫚基醚硫酸鈉、聚氧乙烯棕櫚基醚硫酸胺、聚氧乙烯棕櫚基醚硫酸三乙醇胺等。此等之中亦以聚氧乙烯月桂基醚硫酸鈉及聚氧乙烯月桂基醚硫酸銨為佳。 [0088] 作為包含聚氧伸烷基構造之陰離子性界面活性劑所使用之磺酸及其鹽並無特別限制，可舉出例如，聚氧乙烯辛基磺酸、聚氧乙烯月桂基磺酸、聚氧乙烯棕櫚基磺酸、聚氧乙烯辛基苯磺酸、聚氧乙烯月桂基苯磺酸；聚氧乙烯辛基磺酸鈉、聚氧乙烯月桂基磺酸鈉、聚氧乙烯棕櫚基磺酸鈉等。此等之中亦以聚氧乙烯辛基磺酸及聚氧乙烯辛基磺酸鈉為佳。 [0089] 作為包含聚氧伸烷基構造之陰離子性界面活性劑所使用之羧酸及其鹽並無特別限制，可舉出例如，聚氧乙烯月桂基醚乙酸、聚氧乙烯十三基醚乙酸、聚氧乙烯辛基醚乙酸；聚氧乙烯月桂基醚乙酸鈉、聚氧乙烯月桂基醚乙酸銨、聚氧乙烯十三基醚乙酸鈉、聚氧乙烯十三基醚乙酸銨、聚氧乙烯辛基醚乙酸鈉、聚氧乙烯辛基醚乙酸銨等之包含聚氧伸烷基構造之乙酸及其鹽。此等之中亦以聚氧乙烯月桂基醚乙酸鈉及聚氧乙烯月桂基醚乙酸銨為佳。 [0090] 作為包含聚氧伸烷基構造之陰離子性界面活性劑所使用之磷酸酯及其鹽並無特別限制，可舉出例如，聚氧乙烯月桂基醚磷酸、聚氧乙烯烷基(12-15)醚磷酸；聚氧乙烯月桂基醚磷酸鈉、聚氧乙烯油醯基醚磷酸鈉、聚氧乙烯棕櫚基醚磷酸鈉、聚氧乙烯烷基(12-15)醚磷酸鉀等。此等之中亦以聚氧乙烯烷基(12-15)醚磷酸及聚氧乙烯月桂基醚磷酸鈉為佳。 [0091] 又，作為一分子中包含兩種以上上述陰離子部分之陰離子性界面活性劑之例，可舉出如聚氧乙烯月桂基磺基琥珀酸二鈉鹽、磺基琥珀酸聚氧乙烯月桂醯基乙醇醯胺二鈉鹽等。 [0092] 此種陰離子性界面活性劑中，ω位末端疏水性基之構造並無特別限制，例如，可經取代或未取代之C2以上C30以下之烷基、取代或未取代之C3以上C20以下之環烷基、取代或未取代之C1以上C30以下之烷基酯基、取代或未取代之C6以上C20以下之芳基、C1以上C30以下之具有烷基之單或二烷基醯胺基、C1以上C30以下之具有烷基之單或二烷基胺基等所取代，且亦可具有花楸丹構造。在此「CX以上CY以下」係代表碳原子數為X以上Y以下。 [0093] 作為上述烷基，可舉出例如，乙基、n-丙基、異丙基、n-丁基、異丁基、sec-丁基、tert-丁基、n-戊基、異戊基、新戊基、1,2-二甲基丙基、n-己基、n-庚基、n-辛基、2-乙基己基、n-癸基、n-十二基等。 [0094] 作為上述環烷基，可舉出例如，環戊基、環己基等。 [0095] 作為上述烷基酯基，可舉出例如，甲基酯基、乙基酯基、n-丙基酯基、i-丙基酯基、n-丁基酯基、2-甲基丙基酯基等。 [0096] 作為上述芳基，可舉出例如，苯基、o-,m-或p-甲苯基等。 [0097] 本說明書中，「取代或未取代之」基係指該基之中之氫原子被氟原子、氯原子、溴原子等之鹵素原子；氰基；硝基；羥基；C1以上C10以下之直鏈狀或分枝狀之烷基；C1以上C10以下之直鏈狀或分枝狀之烷氧基；C6以上C30以下之芳基；C2以上C30以下之雜芳基；C5以上C20以下之環烷基；等之取代基所取代，或為未取代。 [0098] 此種陰離子性界面活性劑係可單獨使用一種，亦可將兩種以上組合使用。 [0099] 在某些態樣中，作為包含聚氧伸烷基構造之陰離子性界面活性劑，可理想採用上述聚氧伸烷基構造為聚氧乙烯構造，且該聚氧乙烯構造中之環氧乙烷之平均加成莫耳數為超過3且25以下者。在從抑制研磨速度降低且減低霾度之觀點，環氧乙烷之平均加成莫耳數係以4以上為佳，以4.5以上為較佳。又，從相同之觀點，環氧乙烷之平均加成莫耳數係以20以下為佳，以18以下為較佳。依據以上，陰離子性界面活性劑中之環氧乙烷之平均加成莫耳數係以4以上20以下為佳，以4.5以上18以下為較佳。 [0100] 界面活性劑之重量平均分子量(Mw)典型為未滿1×104
，在從過濾性或洗淨性等之觀點，以9500以下為佳，亦可為例如未滿9000。又，界面活性劑之Mw在界面活性能力等之觀點，通常在200以上為適當，在從減低霾度程度之效果等之觀點，以250以上為佳，亦可為例如300以上。界面活性劑之Mw之較佳範圍係可根據該界面活性劑之種類而不同。例如，使用聚氧乙烯烷基醚作為界面活性劑時，其之Mw係以2000以下為佳，可為1000以下，亦可為例如500以下。又，例如作為界面活性劑在使用PEO-PPO-PEO型之三嵌段共聚物時，其之Mw係例如1000以上，可為3000以上，更亦可為5000以上。作為界面活性劑之Mw，可採用藉由GPC所求得之值(水系、聚乙二醇換算)。 [0101] 在此揭示之研磨用組成物在包含界面活性劑時，其之含量只要係在不顯著阻礙本發明效果之範圍內，則並無特別限制。通常在從洗淨性等之觀點，相對於磨粒100重量份之界面活性劑之含量在20重量份以下為適當，以15重量份以下為佳，以10重量份以下為較佳，例如6重量份以下。在從更加良好發揮界面活性劑之使用效果之觀點，相對於磨粒100重量份之界面活性劑含量係在0.001重量份以上為適當，以0.005重量份以上為佳，以0.01重量份以上為較佳，可為例如0.05重量份以上。在某些態樣中，上述界面活性劑之含量亦可為例如0.1重量份以上。 又，在此揭示之研磨用組成物在包含界面活性劑時，水溶性高分子之含量w1與界面活性劑之含量w2之重量比(w1/w2)並無特別限制，可作成例如0.01～100之範圍，以0.05～50之範圍為佳，亦可為0.1～30之範圍。 亦或，在從組成之單純化等之觀點，在此揭示之研磨用組成物係亦能在實質上不包含界面活性劑之態樣下理想實施。 [0102] ＜其他成分＞ 其他，在不顯著妨礙本發明之效果範圍內，在此揭示之研磨用組成物因應必要亦可更含有螯合劑、有機酸、有機酸鹽、無機酸、無機酸鹽、防腐劑、防黴劑等之研磨漿所能使用之公知添加劑。上述添加劑可為例如，矽晶圓之拋光步驟中使用之研磨漿所能用之公知添加劑。 [0103] 在此揭示之研磨用組成物係以實質上不包含氧化劑為佳。其係由於研磨用組成物若包含氧化劑時，對例如矽晶圓等之研磨對象物供給上述研磨用組成物，該研磨對象物之表面會受到氧化而產生氧化膜，因此而有導致研磨效率降低之可能性。作為在此所稱之氧化劑之具體例，可舉出如過氧化氫(H2
O2
)、過硫酸鈉、過硫酸銨、二氯異三聚氰酸鈉等。尚且，研磨用組成物實質上不包含氧化劑係指至少蓄意地不使其含有氧化劑。 [0104] ＜pH＞ 在此揭示之研磨用組成物之pH係典型為8.0以上，以8.5以上為佳，較佳為9.0以上，更佳為9.3以上，例如9.5以上。研磨用組成物之pH變高時，有研磨效率提升之傾向。另一方面，從防止磨粒，例如二氧化矽粒子之溶解來抑制機械性研磨作用降低之觀點，研磨用組成物之pH係在12.0以下為適當，以11.0以下為佳，以10.8以下為較佳，以10.5以下為更佳。 [0105] 在此揭示之技術中，液狀組成物之pH係使用pH計，在使用標準緩衝液進行3點校正後，藉由將玻璃電極放入測量對象之組成物，測量經過2分鐘以上且安定後之值來取得。上述標準緩衝液為酞酸鹽pH緩衝液pH：4.01(25℃)、中性磷酸鹽pH緩衝液pH：6.86(25℃)、碳酸鹽pH緩衝液pH：10.01(25℃)。作為pH計，可使用例如，堀場製作所製之玻璃電極式氫離子濃度指示計，型號F-23或其相當品。 [0106] ＜用途＞ 在此揭示之技術中之研磨用組成物係能適用於研磨具有各種材質及形狀之研磨對象物。研磨對象物之材質可為例如，矽、鋁、鎳、鎢、銅、鉭、鈦、不鏽鋼等之金屬或半金屬，或該等之合金；石英玻璃、鋁矽酸鹽玻璃、玻璃狀碳等之玻璃狀物質；氧化鋁、二氧化矽、藍寶石、氮化矽、氮化鉭、碳化鈦等之陶瓷材料；碳化矽、氮化鎵、砷化鎵等之化合物半導體基板材料；聚醯亞胺樹脂等之樹脂材料等。亦可為由此等之中複數之材質所構成之研磨對象物。 [0107] 在此揭示之技術中之研磨用組成物特別係理想適用在研磨例如矽晶圓等之由矽所構成之表面。在此所謂之矽晶圓之典型例為矽單結晶晶圓，例如，切割矽單結晶錠而得之矽單結晶晶圓。 [0108] 在此揭示之研磨用組成物係可理想適用於研磨對象物之拋光步驟，例如矽晶圓之拋光步驟。研磨對象物在由在此揭示之研磨用組成物所成之拋光步驟之前，亦可對研磨對象物施以在精削或蝕刻等之比拋光步驟還要上游之步驟中能適用於研磨對象物之一般處理。 [0109] 在此揭示之研磨用組成物係能理想使用於例如藉由上游步驟而調製成表面粗度0.01nm～100nm之表面狀態之研磨對象物例如矽晶圓之拋光。研磨對象物之表面粗度Ra係可使用例如Schmitt Measurement System Inc.公司製之雷射掃描式表面粗度計「TMS-3000WRC」進行測量。在最終拋光(完工研磨)或其之前之拋光下之使用則極具效果，特佳係使用於最終拋光用。在此，最終拋光係指目的物之製造製程中之最後拋光步驟，即係指在該步驟後不會實施進一步拋光之步驟。 [0110] ＜研磨用組成物＞ 在此揭示之研磨用組成物典型係在包含該研磨用組成物之研磨液之形態下供給至研磨對象物，而使用於該研磨對象物之研磨。上述研磨液可為例如將在此揭示之任一研磨用組成物予以稀釋調製而成者。研磨用組成物之稀釋典型係可藉由水來進行。或，亦可將該研磨用組成物直接使用作為研磨液。即，在此揭示之技術中之研磨用組成物之概念係包括，供給至研磨對象物而使用於研磨該研磨對象物之研磨液(亦稱為工作漿(working slurry))，進行稀釋而使用作為研磨液之濃縮液之雙方。上述濃縮液亦係能理解作為研磨液之原液。作為包含在此揭示之研磨用組成物之研磨液之其他例，可舉出調整該組成物之pH而成之研磨液。 [0111] (研磨液) 研磨液中之磨粒之含量並無特別限制，典型為0.01重量%以上，以0.05重量%以上為佳，較佳為0.10重量%以上，可為例如0.15重量%以上。伴隨磨粒之含量增加，而可實現更高研磨速度。從研磨用組成物中粒子之分散安定性之觀點，通常上述含量在10重量%以下為適當，以7重量%以下為佳，較佳為5重量%以下，更佳為2重量%以下，可為例如1重量%以下，亦可為0.7重量%以下。 [0112] 研磨液中之水溶性高分子之濃度並無特別限制，可作成例如0.0001重量%以上。從減低霾度等之觀點，理想濃度為0.0005重量%以上，較佳為0.001重量%以上，例如0.003重量%以上，亦可為0.005重量%以上。又，從研磨速度等之觀點，水溶性高分子之濃度通常係以作成0.2重量%以下為佳，以作成0.1重量%為較佳，可作成0.05重量%以下，亦可作成例如0.01重量%以下。 [0113] 在此揭示之研磨用組成物在包含鹼性化合物時，研磨液中之鹼性化合物之濃度並無特別限制。從提升研磨速度等之觀點，通常係以將上述濃度作成研磨液之0.001重量%以上為佳，以作成0.003重量%以上為較佳，亦可作成例如0.005重量%以上。又，從減低霾度等之觀點，上述濃度係作成未滿研磨液之0.3重量%適當，以作成未滿0.1重量%為佳，以作成未滿0.05重量%為較佳，亦可作成例如未滿0.03重量%。 [0114] 在此揭示之研磨用組成物在包含界面活性劑時，其之含量在不顯著阻礙本發明效果之範圍內即無特別限制。通常在從洗淨性等之觀點，相對於磨粒100重量份之界面活性劑之含量係以作成10重量份以下為適當，以5重量份以下為佳，以1重量份以下為較佳，可作成0.5重量份以下，亦可作成例如0.3重量份以下。又，再從更加良好發揮界面活性劑之使用效果之觀點，相對於磨粒100重量份之界面活性劑之含量係以0.001重量份以上為適當，以0.005重量份以上為佳，可作成0.01重量份以上，可作成0.03重量份以上，亦可作成例如0.05重量份以上。研磨液中之界面活性劑之濃度可為例如0.000001重量%以上、0.000005重量%以上、0.00001重量%以上、0.00005重量%以上、0.0001重量%以上，或亦可為0.0002重量%以上。又，界面活性之濃度通常係在0.2重量%以下為適當，可為0.1重量%以下、0.05重量%以下、0.01重量%以下、0.005重量%以下，或亦可為0.001重量%以下。 [0115] (濃縮液) 在此揭示之研磨用組成物在供給至研磨對象物之前亦可為經濃縮之形態。上述經濃縮之形態係指研磨液之濃縮液之形態，亦能理解作為研磨液之原液。在從製造、流通、保存等時之便利性或降低成本等之觀點，此種經濃縮形態之研磨用組成物較為有利。濃縮倍率並無特別限定，例如以體積換算可作成2倍～100倍程度，通常以5倍～50倍程度為適當，可為例如10倍～40倍程度。 [0116] 此種濃縮液係能以在所欲之時機下進行稀釋而調製成研磨液(工作漿)，並將該研磨液供給至研磨對象物之態樣進行使用。上述稀釋係藉由例如對上述濃縮液添加水進行混合來進行。 [0117] 上述濃縮液中之磨粒之含量係可作成例如50重量%以下。在從上述濃縮液之操作性，例如磨粒之分散安定性或過濾性等之觀點，通常上述濃縮液中之磨粒之含量係以45重量%以下為佳，較佳為40重量%以下。又，從製造、流通、保存等時之便利性或降低成本等之觀點，磨粒之含量係可作成例如0.5重量%以上，以1重量%以上為佳，較佳為3重量%以上，可為例如4重量%以上。在理想之一種態樣中，磨粒之含量係可作成5重量%以上，可作成10重量%以上，亦可作成例如15重量%以上，或20重量%以上，或30重量%以上。 [0118] (研磨用組成物之調製) 在此揭示之技術所使用之研磨用組成物可為單劑型，亦可為以兩劑型為首之多劑型。可為例如藉由將研磨用組成物之構成成分之中至少包含磨粒之部分A，與包含剩餘成分之至少一部分之部分B予以混合，因應必要將此等在適當時機下進行混合及稀釋而調製成研磨液之構成。 [0119] 研磨用組成物之調製方法並無特別限定。例如，使用翼式攪拌機、超音波分散機、均質混合機等之周知混合裝置，混合構成研磨用組成物之各成分為宜。混合該等成分之態樣並無特別限定，例如可將全成分一次地進行混合，亦可以適宜設定之順序進行混合。 [0120] ＜研磨＞ 在此揭示之研磨用組成物係例如在包含以下操作之態樣下使用於研磨對象物之研磨。以下，說明關於使用在此揭示之研磨用組成物對研磨對象物，例如矽晶圓進行研磨之方法之適合之一種態樣。 即，準備包含在此揭示之任一研磨用組成物之研磨液。準備上述研磨液係能包括對研磨用組成物施加稀釋等之濃度調整，或pH調整等之操作而製作研磨液。或，亦可將研磨用組成物直接使用作為研磨液。 [0121] 其次，將該研磨液供給至研磨對象物，藉由常法進行研磨。例如，在進行矽晶圓之完工研磨時，典型為將經過精削步驟之矽晶圓裝設在一般研磨裝置上，透過該研磨裝置之研磨墊對上述矽晶圓之研磨對象面供給研磨液。典型而言，連續供給上述研磨液，且同時將研磨墊壓向矽晶圓之研磨對象面，並使兩者相對地移動，例如旋轉移動。經過該研磨步驟而結束研磨對象物之研磨。 [0122] 上述研磨步驟所使用之研磨墊並無特別限定，可使用例如，發泡聚胺基甲酸酯型、不織布型、麂皮型等之研磨墊。各研磨墊可包含磨粒，亦可不包含磨粒通常係理想使用不包含磨粒之研磨墊。 [0123] 使用在此揭示之研磨用組成物所研磨之研磨對象物典型者為經洗淨者。洗淨係可使用適當洗淨液進行。使用之洗淨液並無特別限定，例如，在半導體等之領域中，可使用一般性SC-1洗淨液、SC-2洗淨液等。上述SC-1洗淨液為氫氧化銨(NH4
OH)與過氧化氫(H2
O2
)與水(H2
O)之混合液。上述SC-2洗淨液為HCl與H2
O2
與H2
O之混合液。洗淨液之溫度係可作成例如室溫以上，約90℃程度為止之範圍。上述室溫係典型為約15℃～25℃。從提升洗淨效果之觀點，可理想使用50℃～85℃程度之洗淨液。 [0124] ＜前段研磨用組成物＞ 在此揭示之研磨用組成物係可適合使用於、例如，包含：使用該研磨用組成物進行完工研磨步驟、在該完工研磨步驟之前先實施之前段研磨步驟之研磨製程中。上述前段研磨步驟係典型為使用與上述完工研磨用組成物組成相異之前段研磨用組成物，將該前段研磨用組成物供給至研磨對象物來進行。上述完工研磨步驟係對由上述前段研磨用組成物所成之研磨後之研磨對象物供給包含上述研磨用組成物之完工研磨用組成物來進行。作為上述前段研磨步驟所使用之研磨用組成物，可理想採用包含磨粒、水溶性高分子及鹼性化合物之前段研磨用組成物。 [0125] 過往在包含前段研磨步驟與完工研磨步驟之研磨製程中，前段研磨步驟係視為位於在完工研磨步驟之前，作為整備研磨對象物之形狀或大致表面狀態之步驟。因此，一般而言，藉由使用與完工研磨用組成物相比具有大致較強研磨力之前段研磨用組成物去除研磨對象物之表面，而效率良好地進行表面粗度之減低等。因此在重視研磨力之關係上，在前段研磨用組成物之領域中，一般並不會蓄意對該組成物配合水溶性高分子。 [0126] 根據在此揭示之技術，在前段研磨步驟中藉由使用包含水溶性高分子之前段研磨用組成物，可提高完工研磨之開始時間點之研磨對象物表面之平滑性。藉此，在完工研磨步驟中，即使採用研磨力較弱且對研磨對象物表面賦予之負荷較小之完工研磨用組成物，而能減少在完工研磨之開始時間點所存在之凹凸至所欲之程度，且該完工研磨步驟中變得能抑制研磨對象物表面產生新的缺陷。 [0127] 在一種態樣中，前段研磨用組成物係以設定成該前段研磨用組成物之水溶性高分子/磨粒之重量比R1變得比完工研磨用組成物之水溶性高分子/磨粒之重量比R2還小為佳。藉此，可不過度損及前段研磨步驟之研磨效率，且可有效提升完工研磨後之表面品位。 [0128] (前段研磨用磨粒) 前段研磨用組成物所包含之磨粒，即前段研磨用磨粒係可適宜選自例如上述例示之磨粒當中。前段研磨用磨粒係可單獨使用一種或亦可將兩種以上組合使用。前段研磨用磨粒，與完工研磨用磨粒即完工研磨用組成物所包含之磨粒可為相同之磨粒，亦可為材質、尺寸、形狀等之至少任一者互為相異之磨粒。上述尺寸之差異可為例如BET徑之差異。 [0129] 作為前段研磨用磨粒，以無機粒子為佳，其中亦以由金屬或半金屬之氧化物所構成之粒子為佳，以二氧化矽粒子為特佳。在此揭示之技術係能在前段研磨用磨粒係實質上由二氧化矽粒子所構成之態樣下理想實施。 在一種態樣中，作為前段研磨用磨粒，可理想使用其之BET徑與完工研磨用磨粒之BET徑大約同等或較大者。例如，前段研磨用磨粒之BET徑可為完工研磨用磨粒之BET徑之0.9倍～2.0倍程度，亦可為1倍～1.5倍程度。 [0130] 前段研磨用組成物之磨粒濃度，即研磨用漿之重量中所佔之磨粒之重量比例並無特別限制。在一種態樣中，前段研磨用組成物之磨粒濃度係可作成例如完工研磨用組成物之磨粒濃度之0.5倍～20倍，可作成0.5倍～10倍，亦可作成0.5倍～8倍。 [0131] (前段研磨用水溶性高分子) 前段研磨用組成物所含有之水溶性高分子，即前段研磨用水溶性高分子係可從例如上述聚合物A及聚合物B之例示者當中適宜選擇。前段研磨用水溶性高分子係可單獨使用一種或可將兩種以上組合使用。上述包含氧伸烷基單位之聚合物、含有氮原子之聚合物、含有乙烯基醇單位之聚合物、纖維素衍生物、澱粉衍生物等，並且係上述吸附參數為5以上者及未滿5者之任一者係皆能包括在此揭示之技術中之前段研磨用水溶性高分子之選項中。並非係受到特別限定者，但在一種態樣中，可理想採用例如HEC等之纖維素衍生物作為前段研磨用水溶性高分子。 [0132] 前段研磨用水溶性高分子之濃度並無特別限制。在一種態樣中，前段研磨用水溶性高分子之濃度係可作成例如0.00001重量%以上，較佳為0.0001重量%以上，可為0.0005重量%以上，亦可為例如0.001重量%以上。藉由增加前段研磨用水溶性高分子之濃度，而有完工研磨後取得更加高品位表面之傾向。另一方面，從研磨效率之觀點，前段研磨用水溶性高分子之濃度通常係以作成0.1重量%以下為佳，較佳為0.05重量%以下，可為0.01重量%以下，亦可為例如0.005重量%以下。 [0133] 又，前段研磨用水溶性高分子之含量係以前段研磨用組成物所包含之磨粒每100重量份，可作成例如0.0001重量份以上，通常係作成0.005重量份為適當，可作成0.01重量份以上，可為0.05重量份以上，亦可為例如0.1重量份以上。又，從研磨效率之觀點，前段研磨用水溶性高分子之含量係以前段研磨用組成物所包含之磨粒每100重量份，通常作成10重量份以下為適當，以7重量份以下為佳，可為5重量份以下，亦可為例如3重量份以下。 [0134] 在一種態樣中，可將前段研磨用組成物中之水溶性高分子/磨粒之重量比R1作成比完工研磨用組成物中之水溶性高分子/磨粒之重量比R2還小。在此態樣中，R1/R2之值係未滿1.0即可，可為例如0.95以下，亦可為0.9以下。在此揭示之技術即使係在R1/R2為0.7以下之態樣，或0.5以下之態樣下等仍可適宜實施。又，從變得容易顯著發揮藉由使前段研磨用組成物含有水溶性高分子所達成之效果之觀點，R1/R2通常係以作成0.001以上為適當，可作成例如0.005以上，可作成0.01以上，亦可作成0.1以上。 [0135] (前段用鹼性化合物) 前段研磨用組成物典型為含有鹼性化合物。前段研磨用組成物所含有之鹼性化合物，即前段研磨用鹼性化合物並無特別限定，例如可從上述例示之鹼性化合物當中適宜選擇。前段研磨用鹼性化合物係可單獨使用一種或可將兩種以上適宜組合使用。前段研磨用組成物所包含之鹼性化合物與完工研磨用組成物所包含之鹼性化合物可為相同之化合物，亦可為相異之化合物。 [0136] 從更加重視前段研磨步驟之研磨效率之觀點，在一種態樣中，作為前段用鹼性化合物，可理想採用選自鹼金屬氫氧化物及氫氧化第四級銨之至少一種之鹼性化合物。作為氫氧化第四級銨之一適合例，可舉出如氫氧化四烷基銨。其中亦以鹼金屬氫氧化物為佳。作為鹼金屬氫氧化物之適合例，可舉出如氫氧化鉀。又，從更加重視完工研磨後之表面品位之觀點，在一種態樣中，可理想採用氨作為前段用鹼性化合物。 [0137] 前段研磨用組成物之pH典型為8.0以上，以8.5以上為佳，較佳為9.0以上，更佳為9.5以上，例如10.0以上。研磨用組成物之pH變高時，有研磨效率提升之傾向。另一方面，從防止例如二氧化矽粒子等之磨粒之溶解而抑制機械性研磨作用降低之觀點，研磨用組成物之pH係以12.0以下為適當，以11.8以下為佳，以11.5以下為較佳，以11.0以下為更佳。在一種態樣中，前段研磨用組成物之pH係可設定成與完工研磨用組成物之pH同等或較高。例如，前段研磨用組成物之pH可作成pH 12.0以下且比完工研磨用組成物之pH還高之pH。藉此，可適宜地使前段研磨步驟中之高研磨效率與完工研磨步驟中之高表面品位並存。前段研磨用組成物之pH與完工研磨用組成物之pH相比，pH可為例如高0.1以上，亦可為高0.2以上。 [0138] (其他成分) 前段研磨用組成物因應必要可包含界面活性劑。作為界面活性劑，可從上述所例示之界面活性劑當中適宜選擇。在一種態樣中，前段研磨用組成物亦可實質上不包含界面活性劑。 其他，前段研磨用組成物在顯著妨礙本發明之效果範圍內，因應必要亦可更含有螯合劑、有機酸、有機酸鹽、無機酸、無機酸鹽、防腐劑、防黴劑等之研磨漿所能使用之公知添加劑。上述添加劑可為例如矽晶圓之拋光步驟中使用之研磨漿所能使用之公知添加劑。前段研磨用組成物係與完工研磨用組成物同樣地，以實質上不包含氧化劑為佳。 [0139] ＜研磨用組成物套組＞ 由說明書所提供之事項係能包括提供包含上述任一之研磨用組成物之完工研磨用組成物，在由上述完工研磨用組成物所成之研磨之先前階段實施之研磨中所使用之前段研磨用組成物之研磨用組成物套組。上述完工研磨用組成物典型為至少包含聚合物A作為水溶性高分子之研磨用組成物。構成該研磨用組成物套組之前段研磨用組成物可為上述任一之前段研磨用組成物。藉由使用此種研磨用組成物套組，在由上述完工研磨用組成物所成之研磨之前，先進行由上述前段研磨用組成物所成之研磨，而能更加合適地發揮使用包含聚合物A之完工研磨用組成物所得之缺陷減低效果。上述前段研磨用組成物中之水溶性高分子/磨粒之重量比係可設定成比上述完工研磨用組成物中之水溶性高分子/磨粒之重量比還小。藉此，可抑制前段研磨步驟中對研磨效率之影響，且可有效提升完工研磨後之表面品位。 [0140] 此說明書所揭示之事項係包含以下者。 ＜1＞ 一種研磨用組成物，其係包含磨粒、水溶性高分子及鹼性化合物之研磨用組成物，其中 前述水溶性高分子包含聚合物A，且 前述聚合物A滿足以下之雙方條件： (1)一分子中包含乙烯基醇單位及非乙烯基醇單位；及， (2)藉由下式所算出之吸附參數為5以上； 吸附參數=[(C1-C2)/C1]×100； 在此，前述式中之C1係在包含前述聚合物A 0.017重量%、氨0.009重量%，且剩餘部分係由水所構成之試驗液L1中所包含之有機碳之總量， 前述式中之C2係將試驗液L2予以離心分離而使前述磨粒沉澱而成之上澄液中所包含之有機碳之總量，該試驗液L2係包含BET徑35nm之膠質二氧化矽0.46重量%、前述聚合物A 0.017重量%、氨0.009重量%，且剩餘部分係由水所構成者。 ＜2＞ 如上述＜1＞之研磨用組成物，其中前述聚合物A為一分子中具有乙烯基醇系鏈段與非乙烯基醇系鏈段之共聚物。在此揭示之技術係可使用具有此種構造之聚合物A來適宜實施。 ＜3＞ 如上述＜1＞或＜2＞之研磨用組成物，其中前述聚合物A為一分子中包含乙烯基醇單位與氧伸烷基單位之共聚物。在此揭示之技術係可使用包含組合此等單位之聚合物A來適宜實施。 ＜4＞ 如上述＜1＞至＜3＞中任一項之研磨用組成物，其中前述聚合物A為一分子中包含乙烯基醇系鏈段與氧伸烷基系鏈段之共聚物。在此揭示之技術係可使用具有此種構造之聚合物A來適宜實施。 ＜5＞ 如上述＜1＞至＜4＞中任一項之研磨用組成物，其中前述聚合物A為一分子中包含乙烯基醇單位與N-乙烯基型單體單位之共聚物。在此揭示之技術係可使用包含組合此等單位之聚合物A來適宜實施。 ＜6＞ 如上述＜1＞至＜5＞中任一項之研磨用組成物，其中前述聚合物A為一分子中包含乙烯基醇系鏈段與N-乙烯基系鏈段之共聚物。在此揭示之技術係可使用具有此種構造之聚合物A來適宜實施。 ＜7＞ 如上述＜1＞至＜6＞中任一項之研磨用組成物，其中前述聚合物A之重量平均分子量為15×104
以下。在此揭示之技術係可使用此種聚合物A來適宜實施。 ＜8＞ 如上述＜1＞至＜7＞中任一項之研磨用組成物，其中前述磨粒之BET徑為30nm以下。藉由使用此種尺寸之磨粒，有研磨後之表面品位提升之傾向。 ＜9＞ 如上述＜1＞至＜8＞中任一項之研磨用組成物，其中前述磨粒每1017
個之前述聚合物A之含量為10mg～1000mg。根據此種研磨用組成物，有使用聚合物A之意義更加有效受到發揮之傾向。 ＜10＞ 如上述＜1＞至＜9＞中任一項之研磨用組成物，其中更包含重量平均分子量未滿1×104
之水溶性有機化合物。藉由含有該水溶性有機化合物，可使研磨後之表面品位更加提升。 ＜11＞ 如上述＜1＞至＜10＞中任一項之研磨用組成物，其中前述磨粒為二氧化矽粒子。在包含二氧化矽粒子作為磨粒之研磨用組成物中，使用聚合物A之意義有特別受到有效發揮之傾向。 ＜12＞ 如上述＜1＞至＜11＞中任一項之研磨用組成物，其中係使用於研磨矽晶圓。上述研磨用組成物特別係適合作為矽晶圓之完工研磨所使用之研磨用組成物。 ＜13＞ 一種研磨用組成物套組，其係包括： 包含如上述＜1＞至＜12＞中任一項之研磨用組成物之完工研磨用組成物，與， 在使用前述完工研磨用組成物之研磨之先前階段所施行之研磨中使用之前段研磨用組成物，且其係包含磨粒、水溶性高分子及鹼性化合物。 [實施例] [0141] 以下，說明關於本發明之數個實施例，但並非係意圖將本發明侷限於該實施例所示者。尚且，以下之說明中，「份」及「%」在未特別界定時皆為重量基準。 [0142] ＜吸附參數之測量＞ 以下之實施例及比較例所使用之各水溶性高分子之吸附參數係藉由以下操作來算出。 調製出包含水溶性高分子0.017%、氨0.009%且剩餘部分係由水所構成之試驗液L1。對於此試驗液L1，使用島津製作所公司製之全有機物碳計(燃燒觸媒氧化方式，型式「TOC-5000A」)測量全有機碳量(TOC)，換算成體積求出該試驗液L1所包含之機碳之總量C1。 又，調製出包含二氧化矽粒子0.46%、水溶性高分子0.017%、氨0.009%且剩餘部分係由水所構成之試驗液L2。二氧化矽粒子係使用BET徑35nm之膠質二氧化矽。對於上述試驗L2，使用貝克曼庫爾特公司製之離心分離器，型式「Avanti HP-30I」，以20000rpm之旋轉數進行30分鐘之離心分離處理。回收上述離心分離處理後之上澄液，以上述全有機物碳計測量該上澄液之TOC。藉由將測量結果以上述上澄液體積進行換算而求出該上澄液所包含之有機碳之總量C2。 從上述C1及上述C2，藉由下式算出吸附參數。 吸附參數=[(C1-C2)/C1]×100。 [0143] ＜前段研磨步驟＞ 適用於以下實施例及比較例之前段研磨步驟之內容係如以下所述。 (前段研磨步驟I) 調製出包含磨粒1.00%及鹼性化合物0.068%且剩餘部分係由水所構成之前段研磨用組成物I。磨粒係使用BET徑35nm之膠質二氧化矽。鹼性化合物係使用氫氧化鉀(KOH)。 將此前段研磨用組成物直接使用作為研磨液(工作漿)，在下述之前段研磨條件下研磨作為研磨對象物之矽晶圓。矽晶圓係使用已完成精削及蝕刻之直徑300mm之市售矽單結晶晶圓(傳導型：P型、結晶方位：＜100＞、電阻率：1Ω・cm以上未滿100Ω・cm，無COP)。 [0144] [前段研磨條件] 研磨裝置：股份有限公司岡本工作機械製作所製之枚葉研磨機，型式「PNX-332B」 研磨荷重：20kPa 定盤旋轉數：20rpm 載體旋轉數：20rpm 研磨墊：富士紡愛媛公司製、製品名「FP55」 研磨液供給速率：1公升/分 研磨液之溫度：20℃ 定盤冷卻水之溫度：20℃ 研磨時間：2分 [0145] (前段研磨步驟II) 調製出包含磨粒0.23%、水溶性高分子0.003%及鹼性化合物0.014%且剩餘部分係由水所構成之前段研磨用組成物II。水溶性高分子係使用Mw為120×104
之羥基乙基纖維素(HEC)。磨粒係使用BET徑35nm之膠質二氧化矽。鹼性化合物係使用氨。 除了將此前段研磨用組成物II直接使用作為研磨液以外，其他係與前段研磨步驟I同樣地操作，在上述之前段研磨條件下研磨作為研磨對象物之矽晶圓。 [0146] ＜研磨用組成物之調製與完工研磨＞ (實施例1) 調製出以表1所示之濃度包含磨粒、水溶性高分子與鹼性化合物且剩餘部分係由水所構成之研磨用組成物。磨粒係使用BET徑35nm之膠質二氧化矽。水溶性高分子係使用將皂化度95%以上之聚乙烯醇(PVA)作為主鏈且將聚環氧乙烷(PEO)作為側鏈之接枝共聚物(以下標示為「PVA-g-PEO」)。本例中使用Mw為20000之PVA-g-PEO。 將此研磨用組成物直接使用作為研磨液，在下述之完工研磨條件下研磨已完成上述前段研磨步驟I之矽晶圓。 [0147] [完工研磨條件] 研磨裝置：股份有限公司岡本工作機械製作所製之枚葉研磨機、型式「PNX-332B」 研磨荷重：15kPa 定盤旋轉數：30rpm 載體旋轉數：30rpm 研磨墊：富士紡愛媛公司製之研磨墊、商品名「POLYPAS27NX」 研磨液供給速率：2公升/分 研磨液之溫度：20℃ 定盤冷卻水之溫度：20℃ 研磨時間：2分 [0148] 從研磨裝置取出研磨後之矽晶圓，使用NH4
OH (29%)：H2
O2
(31%)：脫離子水(DIW)=1：3：30(體積比)之洗淨液進行洗淨(SC-1洗淨)。更具體而言，準備兩個裝有頻率950kHz之超音波振盪器之洗淨槽，在該等個別第1及第2之洗淨槽中收容上述洗淨液並保持在60℃，將研磨後之矽晶圓置於第1洗淨槽6分鐘，其後經由使用超純水與超音波之潤洗槽，放置於第2洗淨槽6分鐘，分別在使上述超音波振盪器運作之狀態下浸漬，拉起至異丙基醇(IPA)環境中並使其乾燥。 [0149] (實施例2) 除了磨粒係使用BET徑25nm之膠質二氧化矽，且將鹼性化合物之量變更成如表1所示之外，其他係與實施例1同樣地操作而調製出本例之研磨用組成物。除了使用研磨用組成物之外，其他係與實施例1同樣地操作，並進行已完成上述前段研磨步驟I之矽晶圓之完工研磨、洗淨及乾燥。 [0150] (實施例3) 除了更含有如表1所示濃度之界面活性劑之外，其他係與實施例1同樣地操作而調製出本例之研磨用組成物。界面活性劑係使用環氧乙烷加成莫耳數5之聚氧乙烯癸基醚(以下標示為「C10PEO5」)。除了使用此研磨用組成物之外，其他係與實施例1同樣地操作，並進行已完成上述前段研磨步驟I之矽晶圓之完工研磨、洗淨及乾燥。 [0151] (實施例4) 對已完成上述前段研磨步驟II之矽晶圓進行與實施例1相同之完工研磨、洗淨及乾燥。 [0152] (實施例5) 除了將鹼性化合物之濃度變成如表1所示，且以表1所示之濃度使用PVA-PVP作為水溶性高分子，更含有如表1所示濃度之界面活性劑之外，其他係與實施例2同樣地操作而調製出本例之研磨用組成物。上述PVA-PVP為乙烯基醇與N-乙烯基吡咯啶酮之無規共聚物。上述PVA-PVP所包含之VA單位：VP單位之莫耳比為95：5。上述界面活性劑係使用環氧乙烷加成莫耳數18之聚氧乙烯月桂基醚硫酸銨(以下標示為「C12EO18SO3NH4」)。除了使用此研磨用組成物之外，其他係與實施例1同樣地操作並進行已完成上述前段研磨步驟I之矽晶圓之完工研磨、洗淨及乾燥。 [0153] (比較例1、2) 在實施例1之研磨用組成物中，將使用做為水溶性高分子之PVA-g-PEO變更成如表1所示之Mw及濃度之聚乙烯醇(皂化度95%以上，以下標示為「PVA」)或聚環氧乙烷(以下標示為「PEO」)。除了使用此研磨用組成物之外，其他係與實施例1同樣地操作並進行已完成上述前段研磨步驟I之矽晶圓之完工研磨、洗淨及乾燥。 [0154] (比較例3) 在實施例1之研磨用組成物中，取代使用作為水溶性高分子之PVA-g-PEO，而改用單純混合表1所示之Mw及濃度之PVA及PEO。除了使用此研磨用組成物之外，其他係與實施例1同樣地操作並進行已完成上述前段研磨步驟I之矽晶圓之完工研磨、洗淨及乾燥。 [0155] ＜評價＞ 對於上述藉由各例而得之矽晶圓進行以下之評價。 [0156] (LPD-N數測量) 使用KLA-Tencor公司製之晶圓檢査裝置，商品名「SURFSCAN SP2」，在同裝置之DCO模式下測量存在於矽晶圓表面(研磨面)之LPD-N之個數。使用以下之3階段基準，將經測量之LPD-N之個數(LPD-N數)展示於表1。 A：未滿50個 B：50個以上，100個以下 C：大於100個 [0157] (霾度測量) 使用KLA-Tencor公司製之晶圓檢査裝置，商品名「SURFSCAN SP2」在DWO模式下測量霾度(ppm)，使用以下之3階段基準將結果展示於表1。 A：未滿0.1ppm B：0.1ppm以上，0.15ppm以下 C：大於0.15ppm [0158][0159] 如表1所示，在與使用不包含滿足該等之水溶性高分子之研磨用組成物實施完工研磨之比較例1～3相比，使用包含滿足條件(1)、(2)雙方之水溶性高分子之研磨用組成物實施完工研磨之實施例1～4及實施例5在完工研磨後之表面上之LPD-N數及霾度明顯減低。從上述表所示之結果，得知藉由使用BET徑較小之磨粒或配合界面活性劑，能更加改善LPD-N數及霾度(實施例2、3)。又，得知在前段研磨步驟中藉由使用包含水溶性高分子之前段研磨用組成物，可更加改善完工研磨後之LPD-N(實施例4)。 [0160] 以上，已詳細地說明本發明之具體例，但該等僅為例示，而並非係限制申請專利範圍者。申請專利範圍記載之技術係包含將以上例示之具體例予以各種變形、變更者。