JP2007207785A - 金属研磨用組成物 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】酸化剤、及び、表面の珪素原子の少なくとも一部がアルミニウム原子に置換されているコロイダルシリカを含有することを特徴とする。ここで、該コロイダルシリカの1次粒子径が10〜60nmであること、含有量が0.001〜0.5重量%であること、研磨液のpHが2〜7であることが好ましい。
【選択図】なし
Description
CMPは積層化で生じたウェハ表面の凹凸を平坦化するための技術で、一般的な方法は、円形の研磨定盤(プラテン)上に研磨パッドを貼り付け、研磨パッド表面を研磨液で浸して、パッドに基盤(ウェハ)の表面を押しつけ、その裏面から所定の圧力(研磨圧力)を加えた状態で、研磨定盤及び基盤の双方を回転させ、発生する機械的摩擦により基盤の表面を平坦化するものである。
CMPに用いる金属用研磨液は、一般には砥粒(例えばアルミナ、シリカ)と酸化剤(例えば過酸化水素)とを含むものであって、酸化剤によって金属表面を酸化し、その酸化皮膜を砥粒で除去することで研磨していると考えられている。
このような問題点を解決するために、砥粒を含まず、過酸化水素/リンゴ酸/ベンゾトリアゾール/ポリアクリル酸アンモニウムおよび水からなる金属用研磨液が提案されている(例えば、特許文献1参照。)。この方法によれば、凹部に金属膜が残された導体パターンが得られるものの、十分な研磨速度が得難いという問題点を有していた。
一方、砥粒を含む研磨剤は高い研磨速度が得られるものの、研磨途上において砥粒の凝集が生じ、この凝集に起因して研磨速度が低下するという問題がある。
すなわち、本発明は、下記の通りである。
<1> 酸化剤、及び、表面の珪素原子の少なくとも一部がアルミニウム原子に置換されているコロイダルシリカを含有することを特徴とする金属研磨用組成物。
<2> 前記コロイダルシリカの1次粒子径が10〜60nmであることを特徴とする<1>に記載の金属研磨用組成物。
<3> 前記コロイダルシリカを0.001〜0.5重量%含有することを特徴とする<1>に記載の金属研磨用組成物。
<4> pHが2〜7である<1>に記載の金属研磨用組成物。
<5> さらに、分子内にカルボキシル基と2級もしくは3級アミノ基とを有する化合物を含有することを特徴とする<1>に記載の金属研磨用組成物
<6> さらに、4以上の窒素原子を有する複素芳香環であって、置換基としてカルボキシル基、スルホ基、ヒドロキシ基もしくはアルコキシ基を有する芳香環化合物を含有することを特徴とする<1>に記載の金属研磨用組成物
<7> さらに、4級アルキルアンモニウム化合物を含有することを特徴とする<1>に記載の金属研磨用組成物。
<8> さらに、水溶性ポリマーを含有することを特徴とする<1>に記載の金属研磨用組成物。
<9> さらに、リン酸または亜リン酸を含有することを特徴とする<1>に記載の金属研磨用組成物。
<10> さらに、分子内に少なくとも1つのアミノ基と少なくとも1つのスルホ基を有する化合物を含有することを特徴とする<1>に記載の金属研磨用組成物。
本発明の金属研磨用組成物は、酸化剤、及び、表面の珪素原子の少なくとも一部がアルミニウム原子に置換されているコロイダルシリカを含有し、必要に応じてその他の化合物を含有する。
まず、本発明の特徴的な成分であるコロイダルシリカについて説明する。
<表面の珪素原子の少なくとも一部がアルミニウム原子に置換されているコロイダルシリカ>
本発明で用いられるコロイダルシリカは、本発明の金属用研磨組成物中で砥粒として機能するものであり、以下、本明細書において、適宜、特定コロイダルシリカと称する。
本発明において「表面の珪素原子の少なくとも一部がアルミニウム原子に置換されているコロイダルシリカ」とは、配位数4の珪素原子を含むサイトを有するコロイダルシリカ表面に、アルミニウム原子が存在している状態を意味するものであり、該コロイダルシリカ表面に4個の酸素原子が配位したアルミニウム原子が結合し、アルミニウム原子が4配位の状態で固定された新たな表面が生成した状態であってもよく、また、表面に存在する珪素原子が一旦引き抜かれて、アルミニウム原子と置き換わった新たな表面が生成した状態であってもよい。
特定コロイダルシリカの調製に用いられるコロイダルシリカとしては、粒子内部にアルカリ金属などの不純物を含有しない、アルコキシシランの加水分解により得たコロイダルシリカであることがより好ましい。原料となるコロイダルシリカの粒径は、砥粒の使用目的に応じて適宜選択されるが、一般的には10〜200nm程度である。
また、その他の方法として、コロイダルシリカの分散液にアルミニウムアルコキシドを添加する方法が挙げられる。
ここで用いるアルミニウムアルコキシドはいかなるものでもよいが、好ましくは、アルミニウムイソプロポキシド、アルミニウムブトキシド、アルミニウムメトキシド、アルミニウムエトキシドであり、特に好ましくはアルミニウムイソプロポキシド、アルミニウムブトキシドである。
コロイダルシリカ表面の珪素原子をアルミニウム原子に置換する場合の、アルミニウム原子への置換量は、コロイダルシリカの分散液に添加するアルミン酸化合物、アルミニウムアルコキシドなどの添加量(濃度)を制御することにより、適宜制御することができる。
得られた特定コロイダルシリカのサイズ(体積相当径)は、3mから200nmが好ましく、5nmから100nmが更に好ましく、10nmから60nmが特に好ましい。なお、特定コロイダルシリカの粒径(体積相当径)は、動的光散乱法により測定した値を採用している。
本発明の金属研磨用組成物に含有される砥粒のうち、特定コロイダルシリカの重量割合は、好ましくは50%以上であり、特に好ましくは80%以上である。含有される砥粒の全てが特定コロイダルシリカであってもよい。
金属研磨用組成物の使用時の研磨液における特定コロイダルシリカの含有量は、好ましくは0.001重量%以上5重量%以下であり、更に好ましくは0.01重量%以上0.5重量%以下であり、特に好ましくは0.05重量%以上0.2重量%以下である。
表面の珪素原子の少なくとも一部をアルミニウム原子に置換したコロイダルシリカ以外の砥粒のサイズは、前記特定コロイダルシリカと同等以上2倍以下であることが好ましい。
本発明の金属用研磨液は、研磨対象の金属を酸化できる化合物(酸化剤)を含有する。
酸化剤としては、例えば、過酸化水素、過酸化物、硝酸塩、ヨウ素酸塩、過ヨウ素酸塩、次亜塩素酸塩、亜塩素酸塩、塩素酸塩、過塩素酸塩、過硫酸塩、重クロム酸塩、過マンガン酸塩、オゾン水および銀(II)塩、鉄(III)塩が挙げられる。
酸化剤の中でも過酸化水素が最も好ましい。
本発明の金属研磨用組成物には、前記必須成分に加えて、4級アルキルアンモニウム化合物を含有することが好ましい。
4級アルキルアンモニウムとしては、水酸化テトラメチルアンモニウム、硝酸テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、硝酸テトラエチルアンモニウム、硝酸ステアリントリメチルアンモニウム等が挙げられ、特に好ましくは水酸化トリメチルアンモニウムである。
4級アルキルアンモニウム化合物の含有量としては、金属研磨用組成物に対し、好ましくは0.01重量%以上20重量%以下であり、更に好ましくは0.1重量%以上5重量%以下であり、特に好ましくは0.5重量%以上2重量%以下である。
本発明の金属研磨用組成物には、さらに、水溶性ポリマーを含有することが好ましい。
水溶性ポリマーとしては、ポリアクリル酸アンモニウム塩、ポリビニルアルコール、コハク酸アミド、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックポリマーを好ましく用いることができる。
本発明の金属研磨用組成物には、分子内に少なくとも一つのカルボキシル基と少なくとも一つのアミノ基を有する化合物を含有することが好ましく、該化合物のアミノ基の少なくとも1つは2級あるいは3級であることがさらに好ましい。
該化合物の具体例を挙げれば、好ましくは、グリシン、アラニン、バリン、グルタミン酸等のα−アミノ酸、β−アラニン等のβ−アミノ酸、イミノジ酢酸、ヒドロキシエチルイミノジ酢酸、ヒドロキシエチルグリシン、ジヒドロキシエチルグリシン、グリシルグリシン、N−メチルグリシン等が挙げられる。
金属研磨用組成物には、この分子内に少なくとも一つのカルボキシル基と少なくとも一つのアミノ基を有する化合物を2種以上含有すること更に好ましく、分子内にカルボキシル基を1つだけ有する化合物と、分子内にカルボキシル基を2個以上有する化合物とを併用することが特に好ましい。分子内に少なくとも一つのカルボキシル基と少なくとも一つのアミノ基を有する化合物の添加量は、0.1重量%以上5重量%以下が好ましく、0.5重量%以上2重量%以下が更に好ましい。
本発明の金属研磨用組成物には、複素芳香環化合物を含有することが好ましい。このような複素芳香環化合物としては、具体的には、例えば、下記例示化合物(I−1)〜(I−16)が挙げられる。
分子内に4以上の窒素原子を有する複素芳香環化合物の添加量は好ましくは0.0001重量%以上0.005重量%以下が好ましく、更に好ましくは、0.0005重量%以上0.002重量%以下である。
本発明の金属研磨用組成物には、分子内に少なくとも一つのアミノ基と少なくとも一つのスルホ基を有する化合物を含有することが好ましい。
該化合物としては、例えば、アミノメタンスルホン酸、タウリン等が挙げられる。好ましくはタウリンである。
分子内に少なくとも一つのアミノ基と少なくとも一つのスルホ基を有する化合物の添加量は、0.1重量%以上10重量%以下が好ましく、1重量%以上5重量%以下が更に好ましい。
本発明の金属研磨用組成物は、リン酸塩または亜リン酸塩を含有することが好ましい。
本発明の金属用研磨液は、以下に詳述する化学的機械的研磨方法(以下、「CMP方法」又は「研磨方法」ともいう。)に適用される。即ち、本発明の金属用研磨液を、被研磨面と接触させ、被研磨面と研磨面を相対運動させて、金属配線を形成した基板を研磨することにより金属の少なくとも一部を除去するものである。
ここで研磨対象となる被加工体としては、支持体基板上に導電性材料膜が形成されたウェハ、支持体基板上に形成された配線上に設けられた低誘電性絶縁膜(層間絶縁膜)に導電性材料膜が形成された積層体など、半導体デバイス製造工程において平坦化を必要とする全ての段階の材料を挙げることができる。
本発明において、研磨する対象の一つである低誘電率絶縁膜について説明する。従来、半導体デバイスの層間絶縁膜材料としてSiO2(比誘電率約4.1)が用いられてきた。本発明における低誘電率絶縁膜材料の誘電率は3.0以下と定義する。
本発明で用いられる低誘電率絶縁膜は有機系でも無機系でもよいが、好ましくはSiOC、MSQ等の有機−無機ハイブリッド系、またはポリイミド、テフロン(登録商標)等の有機ポリマー系である。これらの材料は微小な空孔を有しても構わない。
膜形成方法はプラズマCVDでもスピン塗布でもよい。誘電率は低い方が好ましいが、特に好ましくは1.8〜2.5である。具体的には、SiOC−プラズマCVD方式の「ブラックダイヤモンド(アプライドマテリアルズ社、商標)」や有機ポリマー系の「SiLK(ダウケミカルカンパニー社、商標)」などが挙げられる。
本発明においては、研磨する対象である半導体が、銅金属及び/又は銅合金からなる配線を持つ半導体集積回路(以下、適宜、LSIと記す)であることが好ましく、特には銅合金が好ましい。更には、銅合金の中でも銀を含有する銅合金が好ましい。銅合金に含有される銀含量は、40質量%以下が好ましく、特には10質量%以下、さらには1質量%以下が好ましく、0.00001〜0.1質量%の範囲である銅合金において最も優れた効果を発揮する。
本発明においては、研磨する対象である半導体が、例えばDRAMデバイス系ではハーフピッチで0.15μm以下で特には0.10μm以下、更には0.08μm以下、一方、MPUデバイス系では0.12μm以下で特には0.09μm以下、更には0.07μm以下の配線を持つLSIであることが好ましい。これらのLSIに対して、本発明の研磨液は特に優れた効果を発揮する。
本発明においては、半導体が銅金属及び/または銅合金からなる配線と層間絶縁膜との間に、銅の拡散を防ぐ為のバリアメタル層を設けることが好ましい。バリアメタル層を構成する材料としては低抵抗のメタル材料がよく、特にはTiN、TiW、Ta、TaN、W、WNが好ましく、中でもTa、TaNが特に好ましい。
研磨液は、濃縮液であって使用する際に水を加えて希釈して使用液とする場合、または、各成分が次項に述べる水溶液の形態でこれらを混合し、必要により水を加え希釈して使用液とする場合、あるいは使用液として調製されている場合がある。本発明の研磨液を用いた研磨方法は、いずれの場合にも適用でき、研磨液を研磨定盤上の研磨パッドに供給し、被研磨面と接触させて被研磨面と研磨パッドを相対運動させて研磨する研磨方法である。
研磨する装置としては、被研磨面を有する半導体基板等を保持するホルダーと研磨パッドを貼り付けた(回転数が変更可能なモータ等を取り付けてある)研磨定盤を有する一般的な研磨装置が使用できる。研磨パッドとしては、一般的な不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂などが使用でき、特に制限がない。研磨条件には制限はないが、研磨定盤の回転速度は基板が飛び出さないように200rpm以下の低回転が好ましい。被研磨面(被研磨膜)を有する半導体基板の研磨パッドへの押しつけ圧力は、5〜500g/cm2であることが好ましく、研磨速度のウエハ面内均一性及びパターンの平坦性を満足するためには、12〜240g/cm2であることがより好ましい。
好ましい。研磨終了後の半導体基板は、流水中で良く洗浄した後、スピンドライヤ等を用いて半導体基板上に付着した水滴を払い落としてから乾燥させる。本発明の研磨方法では、希釈する水溶液は、次ぎに述べる水溶液と同じである。水溶液は、予め酸化剤、酸、添加剤、界面活性剤のうち少なくとも1つ以上を含有した水で、水溶液中に含有した成分と希釈される研磨液の成分を合計した成分が、研磨液を使用して研磨する際の成分となるようにする。水溶液で希釈して使用する場合は、溶解しにくい成分を水溶液の形で配合することができ、より濃縮した研磨液を調製することができる。
例えば、酸化剤を1つの構成成分(A)とし、酸、添加剤、界面活性剤及び水を1つの構成成分(B)とし、それらを使用する際に水または水溶液で構成成分(A)と構成成分(B)を希釈して使用する。
また、溶解度の低い添加剤を2つの構成成分(A)と(B)に分け、酸化剤、添加剤及び界面活性剤を1つの構成成分(A)とし、酸、添加剤、界面活性剤及び水を1つの構成成分(B)とし、それらを使用する際に水または水溶液を加え構成成分(A)と構成成分(B)を希釈して使用する。この例の場合、構成成分(A)と構成成分(B)と水または水溶液をそれぞれ供給する3つの配管が必要であり、希釈混合は、3つの配管を、研磨パッドに供給する1つの配管に結合し、その配管内で混合する方法があり、この場合、2つの配管を結合してから他の1つの配管を結合することも可能である。
研磨用のパッドは、無発泡構造パッドでも発泡構造パッドでもよい。前者はプラスチック板のように硬質の合成樹脂バルク材をパッドに用いるものである。また、後者は更に独立発泡体(乾式発泡系)、連続発泡体(湿式発泡系)、2層複合体(積層系)の3つがあり、特には2層複合体(積層系)が好ましい。発泡は、均一でも不均一でもよい。
更に研磨に用いる砥粒(例えば、セリア、シリカ、アルミナ、樹脂など)を含有したものでもよい。また、それぞれに硬さは軟質のものと硬質のものがあり、どちらでもよく、積層系ではそれぞれの層に異なる硬さのものを用いることが好ましい。材質としては不織布、人工皮革、ポリアミド、ポリウレタン、ポリエステル、ポリカーボネート等が好ましい。また、研磨面と接触する面には、格子溝/穴/同心溝/らせん状溝などの加工を施してもよい。
本発明の研磨液でCMPを行なう対象ウエハは、径が200mm以上であることが好ましく、特には300mm以上が好ましい。300mm以上である時に顕著に本発明の効果を発揮する。
〔特定コロイダルシリカ(A−1〜A−6)の調製〕
平均砥粒サイズが5nm〔(A−3)〕、50nm〔(A−1)、(A−5)、(A−6)〕、200nm〔(A−4)〕のコロイダルシリカを用い、それぞれ20重量%水分散物として500gを準備し、水酸化ナトリウムを加えてpHを9.5に調整し、その後、室温にて1重量%のアルミン酸アンモニウム水溶液を所望のアルミニウム原子導入量に適合する量、攪拌しながら5分間かけて添加し、3時間攪拌した。限外濾過およびイオン交換により洗浄し、各砥粒を作製した。
砥粒(A−2)は、平均粒径が50nmのコロイダルシリカの20重量%水分散物500gにアンモニアを添加してpHを9.5に調整し、その後、該分散液を氷水で冷却した状態で、1重量%のアルミニウムイソプロポキシドのエタノール溶液を1時間掛けて徐々に添加した。添加終了後、分散液温を室温に戻し、更に10時間攪拌を継続し、限外濾過およびイオン交換により洗浄し、砥粒を作製した。
コロイダルシリカの表面原子置換量(導入アルミニウム原子数/表面珪素原子サイト数)は、添加したアルミン酸アンモニウムおよびアルミニウムイソプロポキシドが100%と反応したと仮定し、コロイダルシリカ直径から換算される表面積、コロイダルシリカの比重2.2、表面積あたりの珪素原子数/(5〜8個/nm2)から見積もった。その数値を表1に併記する。
前記のようにして得られた特定コロイダルシリカを砥粒とし、下記に示す組成で、実施例1〜8の金属研磨用組成物を調製した。
各組成物のpH調整は、アンモニアおよび硝酸で行った。
<実施例1〜8、比較例1>
(金属研磨用組成物)
砥粒(表2に記載の粒子) (表2に記載の濃度)
グリシン(酸) 10g/L
過酸化水素(酸化剤) 1重量%
例示化合物(I−8)(複素芳香環化合物) 0.05g/L
添加剤(表2に記載の化合物) (表2に記載の量)
純水を加えて全量 1000mL
pH(アンモニア水と硝酸で調整) (表2に記載のpH)
(金属研磨用組成物)
砥粒(表3に記載の粒子) (表3に記載の濃度)
ヒドロキシエチルイキノジ酢酸(酸) 10g/L
過酸化水素(酸化剤) 1重量%
複素芳香環化合物(表3に記載の化合物) (表3に記載の量)
添加剤(表3に記載の化合物) (表3に記載の量)
純水を加えて全量 1000mL
pH(アンモニア水と硝酸で調整) (表3に記載のpH)
実施例10において、ヒドロキシエチルイキノジ酢酸10g/Lに代えて、ヒドロキシエチルイキノジ酢酸5g/Lとジヒドロキシエチルグリシン10g/Lを添加した他は、同様にして実施例14の金属研磨用組成物を調製した。
また、実施例10において、ヒドロキシエチルイキノジ酢酸10g/Lに代えて、ジヒドロキシエチルグリシン20g/Lを添加し、タウリンを加えなかった他は同様にして実施例15の金属研磨用組成物を調製した。
〔研磨廃液中の砥粒凝集評価〕
研磨装置としてラップマスター社製装置「LGP−613」を使用し、下記の条件で、スラリーを供給しながら各ウエハに設けられた膜を研磨した。
基盤:8inch銅膜付きシリコンウエハ
テ−ブル回転数:50rpm
ヘッド回転数:50rpm
研磨圧力:168hPa
研磨パッド:ロデール・ニッタ株式会社製 品番IC−1400
スラリー供給速度:200ml/分
研磨後の廃液を回収し、分光光度計を用いて透過スペクトルを測定した。粒子凝集するほど340nmに対して400nmの光学濃度が大きくなることを利用し、340nmの光学濃度(ABS)と400nmの光学濃度(ABS)の比(濁度比)を尺度に砥粒凝集を評価した。結果を表4に示した。
Claims (10)
- 酸化剤、及び、表面の珪素原子の少なくとも一部がアルミニウム原子に置換されているコロイダルシリカを含有することを特徴とする金属研磨用組成物。
- 前記コロイダルシリカの1次粒子径が10〜60nmであることを特徴とする請求項1に記載の金属研磨用組成物。
- 前記コロイダルシリカを0.001〜0.5重量%含有することを特徴とする請求項1に記載の金属研磨用組成物。
- pHが2〜7である請求項1に記載の金属研磨用組成物。
- さらに、分子内にカルボキシル基と2級もしくは3級アミノ基とを有する化合物を含有することを特徴とする請求項1に記載の金属研磨用組成物
- さらに、4以上の窒素原子を有する複素芳香環であって、置換基としてカルボキシル基、スルホ基、ヒドロキシ基もしくはアルコキシ基を有する芳香環化合物を含有することを特徴とする請求項1に記載の金属研磨用組成物
- さらに、4級アルキルアンモニウム化合物を含有することを特徴とする請求項1に記載の金属研磨用組成物。
- さらに、水溶性ポリマーを含有することを特徴とする請求項1に記載の金属研磨用組成物。
- さらに、リン酸または亜リン酸を含有することを特徴とする請求項1に記載の金属研磨用組成物。
- さらに、分子内に少なくとも1つのアミノ基と少なくとも1つのスルホ基を有する化合物を含有することを特徴とする請求項1に記載の金属研磨用組成物。
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