JP2008078494A - 金属研磨用組成物 - Google Patents
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Abstract
【課題】半導体デバイスの製造における化学的機械的研磨に用いられ、被研磨体の高研磨速度と低ディッシングとを両立させた金属研磨用組成物を提供する。
【解決手段】下記一般式(A)で表される化合物を少なくとも一種と、下記一般式(B)で表される化合物を少なくとも一種と、を含有することを特徴とする金属研磨用組成物。
(一般式(A)及び(B)中、R1〜R4は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、フェニル基、アミノ基、スルホ基、カルボキシ基、アミノメチル基、カルボキシメチル基、カルボキシエチル基、カルボキシプロピル基、スルホメチル基、o−アミノフェニル基、m−アミノフェニル基、p−アミノフェニル基、o−カルボキシフェニル基、m−カルボキシフェニル基、p−カルボキシフェニル基、o−スルホフェニル基、m−スルホフェニル基、p−スルホフェニル基を表し、R2とR3は縮環してもよい。)
【選択図】なし
【解決手段】下記一般式(A)で表される化合物を少なくとも一種と、下記一般式(B)で表される化合物を少なくとも一種と、を含有することを特徴とする金属研磨用組成物。
(一般式(A)及び(B)中、R1〜R4は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、フェニル基、アミノ基、スルホ基、カルボキシ基、アミノメチル基、カルボキシメチル基、カルボキシエチル基、カルボキシプロピル基、スルホメチル基、o−アミノフェニル基、m−アミノフェニル基、p−アミノフェニル基、o−カルボキシフェニル基、m−カルボキシフェニル基、p−カルボキシフェニル基、o−スルホフェニル基、m−スルホフェニル基、p−スルホフェニル基を表し、R2とR3は縮環してもよい。)
【選択図】なし
Description
本発明は、半導体デバイスの製造工程において、特に半導体デバイスの配線工程の平坦化に用いられる金属研磨用組成物に関する。
半導体集積回路(以下LSIと記す)で代表される半導体デバイスの開発においては、小型化・高速化のため、近年配線の微細化と積層化による高密度化・高集積化が求められている。このための技術として化学的機械的研磨(Chemical Mechanical Polishing、以下CMPと記す)等の種々の技術が用いられてきている。このCMPは層間絶縁膜等の被加工膜の表面平坦化、プラグ形成、埋め込み金属配線の形成、等を行う場合に必須の技術であり、基板の平滑化や配線形成時の余分な金属薄膜の除去を行っている(例えば、特許文献1参照)。
CMPの一般的な方法は、円形の研磨常盤(プラテン)上に研磨パッドを貼り付け、研磨パッド表面を研磨液で浸して、パッドに基盤(ウエハ)の表面を押しつけ、その裏面から所定の圧力(研磨圧力)を加えた状態で、研磨常盤及び基盤の双方を回転させ、発生する機械的摩擦により基盤の表面を平坦化するものである。
配線用の金属としては従来からタングステンおよびアルミニウムがインターコネクト構造体に汎用されてきた。しかしながら更なる高性能化を目指し、これらの金属より配線抵抗の低い銅を用いたLSIが開発されるようになった。この銅を配線する方法としては、ダマシン法が知られている(例えば、特許文献2参照)。
配線用の金属としては従来からタングステンおよびアルミニウムがインターコネクト構造体に汎用されてきた。しかしながら更なる高性能化を目指し、これらの金属より配線抵抗の低い銅を用いたLSIが開発されるようになった。この銅を配線する方法としては、ダマシン法が知られている(例えば、特許文献2参照)。
また、コンタクトホールと配線用溝とを同時に層間絶縁膜に形成し、両者に金属を埋め込むデュアルダマシン法が広く用いられるようになってきた。この銅配線用のターゲット材には、ファイブナイン以上の高純度銅ターゲットが出荷されてきた。しかしながら、近年は更なる高密度化を目指す配線の微細化に伴って、銅配線の導電性や電子特性などの向上が必要となり、それに伴って高純度銅に第3成分を添加した銅合金を用いることも検討されはじめてきている。同時に、これらの高精細で高純度の材料を汚染させることなく高生産性を発揮し得る高速金属研磨手段が求められている。銅金属の研磨においては、特に軟質の金属であるがため、前記したヂッシング、エロージョンやスクラッチが発生しやすく、益々高精度の研磨技術が要求されてきている。
更に、昨今は生産性向上のため、LSI製造時のウエハ径が益々大型化しており、現在は直径200mm以上が汎用されており、300mm以上の大きさでの製造も開始され始めた。このようなウエハの大型化に伴い、ウエハ中心部と周辺部とでの研磨速度の差異が生じ易くなり、ウエハ面内での研磨の均一性に対する要求が益々厳しくなってきている。
一方、銅及び銅合金に対して機械的研磨手段をもたない化学研磨方法が知られている(例えば、特許文献3参照)。しかしながら化学的溶解作用のみによる化学研磨方法は、凸部の金属膜が選択的に化学的機械的に研磨するCMPに比べ、凹部の削れ込み、即ちディッシングなどの発生によりその平面性に大きな課題が残っている。これに対して、過剰な化学溶解を抑制するために、ベンゾトリアゾール等の腐食防止剤が使用されることが多く、このため研磨速度が抑制される問題があった。
米国特許4944836号公報
特開平2−278822号公報
特開昭49−122432号公報
本発明の目的は、半導体デバイスの製造における化学的機械的研磨に用いられ、被研磨体の高研磨速度と低ディッシングとを両立させた金属研磨用組成物を提供することにある。
上記の金属用研磨組成物に関わる問題点について、本発明者は鋭意検討した結果、下記<1>〜<8>に示す本発明によって問題を解決できることを見出して、課題を達成するに至った。
即ち、本発明は以下の通りである。
<1> 下記一般式(A)で表される化合物を少なくとも一種と、下記一般式(B)で表される化合物を少なくとも一種と、を含有することを特徴とする金属研磨用組成物。
即ち、本発明は以下の通りである。
<1> 下記一般式(A)で表される化合物を少なくとも一種と、下記一般式(B)で表される化合物を少なくとも一種と、を含有することを特徴とする金属研磨用組成物。
(一般式(A)及び(B)中、R1、R2、R3およびR4は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、フェニル基、アミノ基、スルホ基、カルボキシ基、アミノメチル基、カルボキシメチル基、カルボキシエチル基、カルボキシプロピル基、スルホメチル基、o−アミノフェニル基、m−アミノフェニル基、p−アミノフェニル基、o−カルボキシフェニル基、m−カルボキシフェニル基、p−カルボキシフェニル基、o−スルホフェニル基、m−スルホフェニル基、p−スルホフェニル基を表し、R2とR3は縮環してもよい。)
<2> 更に、表面の珪素原子の少なくとも一部がアルミニウム原子に置換されているコロイダルシリカを含有することを特徴とする<1>に記載の金属研磨用組成物。
<3> 前記コロイダルシリカの体積相当径が10〜60nmであることを特徴とする<2>に記載の金属研磨用組成物。
<3> 前記コロイダルシリカの体積相当径が10〜60nmであることを特徴とする<2>に記載の金属研磨用組成物。
<4> pHが2〜7であることを特徴とする<1>〜<3>の何れか1つに記載の金属研磨用組成物。
<5> 前記コロイダルシリカを0.001〜0.5質量%含有することを特徴とする<2>〜<4>の何れか1つに記載の金属研磨用組成物。
<5> 前記コロイダルシリカを0.001〜0.5質量%含有することを特徴とする<2>〜<4>の何れか1つに記載の金属研磨用組成物。
<6> 更に、分子内に少なくとも1つのカルボキシル基と少なくとも1つのアミノ基とを有する化合物を含有することを特徴とする<1>〜<5>の何れか1つに記載の金属研磨用組成物。
<7> 前記分子内に少なくとも1つのカルボキシル基と少なくとも1つのアミノ基を有する化合物におけるアミノ基の少なくとも1つが、2級または3級アミノ基であることを特徴とする<6>に記載の金属研磨用組成物。
<7> 前記分子内に少なくとも1つのカルボキシル基と少なくとも1つのアミノ基を有する化合物におけるアミノ基の少なくとも1つが、2級または3級アミノ基であることを特徴とする<6>に記載の金属研磨用組成物。
<8> 更に、4級アルキルアンモニウム化合物を含有することを特徴とする<1>〜<7>の何れか1つに記載の金属研磨用組成物。
本発明により、半導体デバイスの製造における化学的機械的研磨に用いられ、被研磨体の高研磨速度と低ディッシングとを両立させた金属研磨用組成物を提供することができる。
本発明の金属用研磨組成物は、下記一般式(A)で表される化合物を少なくとも一種と、下記一般式(B)で表される化合物を少なくとも一種と、を含有することを特徴とする。
一般式(A)及び(B)中、R1、R2、R3およびR4は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、フェニル基、アミノ基、スルホ基、カルボキシ基、アミノメチル基、カルボキシメチル基、カルボキシエチル基、カルボキシプロピル基、スルホメチル基、o−アミノフェニル基、m−アミノフェニル基、p−アミノフェニル基、o−カルボキシフェニル基、m−カルボキシフェニル基、p−カルボキシフェニル基、o−スルホフェニル基、m−スルホフェニル基、p−スルホフェニル基を表し、R2とR3は縮環してもよい。
先ず、一般式(A)で表される化合物から説明する。
一般式(A)中、R1は、水素原子、アルキル基、フェニル基、アミノ基、スルホ基、カルボキシ基、アミノメチル基、カルボキシメチル基、カルボキシエチル基、カルボキシプロピル基、スルホメチル基、o−アミノフェニル基、m−アミノフェニル基、p−アミノフェニル基、o−カルボキシフェニル基、m−カルボキシフェニル基、p−カルボキシフェニル基、o−スルホフェニル基、m−スルホフェニル基、p−スルホフェニル基を表し、この中でも、水素原子、アルキル基、カルボキシ基、アミノ基、スルホ基、カルボキシメチル基、カルボキシエチル基、カルボキシプロピル基、アミノメチル基、メチル基、フェニル基が好ましい。また、前記アルキル基のうち好ましくは、炭素数1〜8のアルキル基であり、特に好ましくは1〜3のアルキル基である。
一般式(A)中、R1は、水素原子、アルキル基、フェニル基、アミノ基、スルホ基、カルボキシ基、アミノメチル基、カルボキシメチル基、カルボキシエチル基、カルボキシプロピル基、スルホメチル基、o−アミノフェニル基、m−アミノフェニル基、p−アミノフェニル基、o−カルボキシフェニル基、m−カルボキシフェニル基、p−カルボキシフェニル基、o−スルホフェニル基、m−スルホフェニル基、p−スルホフェニル基を表し、この中でも、水素原子、アルキル基、カルボキシ基、アミノ基、スルホ基、カルボキシメチル基、カルボキシエチル基、カルボキシプロピル基、アミノメチル基、メチル基、フェニル基が好ましい。また、前記アルキル基のうち好ましくは、炭素数1〜8のアルキル基であり、特に好ましくは1〜3のアルキル基である。
金属研磨用組成物の使用時の研磨液における一般式(A)で表される化合物の含有量は、0.0001〜1質量%が好ましく、0.001〜0.1質量%がより好ましく、0.002〜0.02質量%が更に好ましい。
次に、一般式(B)で表される化合物を説明する。
一般式(B)中、R2、R3、およびR4は、水素原子、アルキル基、フェニル基、アミノ基、スルホ基、カルボキシ基、アミノメチル基、カルボキシメチル基、カルボキシエチル基、カルボキシプロピル基、スルホメチル基、o−アミノフェニル基、m−アミノフェニル基、p−アミノフェニル基、o−カルボキシフェニル基、m−カルボキシフェニル基、p−カルボキシフェニル基、o−スルホフェニル基、m−スルホフェニル基、p−スルホフェニル基を表し、この中でも、水素原子、アルキル基、カルボキシ基、アミノ基、スルホ基、カルボキシメチル基、カルボキシエチル基、カルボキシプロピル基、アミノメチル基、メチル基、フェニル基が好ましい。また、前記アルキル基のうち好ましくは、炭素数1〜8のアルキル基であり、特に好ましくは1〜3のアルキル基である。
一般式(B)中、R2、R3、およびR4は、水素原子、アルキル基、フェニル基、アミノ基、スルホ基、カルボキシ基、アミノメチル基、カルボキシメチル基、カルボキシエチル基、カルボキシプロピル基、スルホメチル基、o−アミノフェニル基、m−アミノフェニル基、p−アミノフェニル基、o−カルボキシフェニル基、m−カルボキシフェニル基、p−カルボキシフェニル基、o−スルホフェニル基、m−スルホフェニル基、p−スルホフェニル基を表し、この中でも、水素原子、アルキル基、カルボキシ基、アミノ基、スルホ基、カルボキシメチル基、カルボキシエチル基、カルボキシプロピル基、アミノメチル基、メチル基、フェニル基が好ましい。また、前記アルキル基のうち好ましくは、炭素数1〜8のアルキル基であり、特に好ましくは1〜3のアルキル基である。
一方、R2とR3とは縮環してもよく、R2とR3とが縮環している場合の一般式(B)で表される化合物としては、ベンズイミダゾールが好ましい化合物として挙げられる。
金属研磨用組成物の使用時の研磨液における一般式(B)で表される化合物の含有量は、0.0001〜2質量%が好ましく、0.001〜0.5質量%がより好ましく、0.002〜0.1質量%が更に好ましい。
以下に、一般式(A)で表される化合物の具体例として、例示化合物:A−1〜A−12を、一般式(B)で表される化合物として、例示化合物:B−1〜B−10を挙げるが、本発明はこれらの具体例に限定されるものではない。
本発明の金属用研磨組成物は、用いる砥粒として、表面の珪素原子の少なくとも一部がアルミニウム原子に置換されているコロイダルシリカ(以下、「本発明に係るコロイダルシリカ」という場合がある。)を含有することが好ましい。ここで表面の珪素原子の少なくとも一部がアルミニウム原子に置換されているコロイダルシリカとは、配位数4の珪素原子を含むサイトを有するコロイダルシリカ表面に、アルミニウム原子が存在している状態を意味するものであり、該コロイダルシリカ表面に4個の酸素原子が配位したアルミニウム原子が結合し、アルミニウム原子が4配位の状態で固定された新たな表面が生成した状態であってもよく、また、表面に存在する珪素原子が一旦引き抜かれて、アルミニウム原子と置き換わった新たな表面が生成した状態であってもよい。本発明に係るコロイダルシリカとしては、粒子内部にアルカリ金属などの不純物を含有しないアルコキシシランの加水分解により得たコロイダルシリカであることがより好ましい。
本発明に係るコロイダルシリカの製造方法としては、例えばコロイダルシリカの分散液にアルミン酸ソーダ等のアルミン酸化合物を添加する方法を好適に用いることができ、特許第3463328号公開公報、特開昭63−123807号公開公報に開示されている。
また、その他の本発明に係るコロイダルシリカの製造方法として、アルミニウムアルコキシドを添加する方法などが挙げられる。
また、その他の本発明に係るコロイダルシリカの製造方法として、アルミニウムアルコキシドを添加する方法などが挙げられる。
本発明に係るコロイダルシリカは、4配位のアルミン酸イオンとコロイダルシリカ表面のシラノール基との反応によって生成したアルミノシリケイトサイトが負の電荷を固定し、粒子に負の大きなゼータポテンシャルを与えることによって、酸性においても分散性に優れている。したがって、本発明に係るコロイダルシリカは、アルミニウム原子が4個の酸素原子に配位された状態で存在することが重要であり、アルミニウム原子が通常6個の酸素原子で配位されているアルミナで被覆した研磨材粒子とは構造が明確に異なっている。
コロイダルシリカ表面の珪素原子をアルミニウム原子に置換する量としては、コロイダルシリカの表面原子置換率(導入アルミニウム原子数/表面珪素原子サイト数)が、好ましくは0.001%以上50%以下、更に好ましくは0.01%以上25%以下、特に好ましくは0.1%以上10%以下である。
本発明の金属研磨用組成物に含有される砥粒のうち、本発明に係るコロイダルシリカの質量割合は、好ましくは50%以上であり、特に好ましくは80%以上である。
また、金属研磨用組成物の使用時の研磨液における本発明に係るコロイダルシリカの含有量は、好ましくは0.001〜5質量%であり、より好ましくは0.001〜0.5質量%であり、更に好ましくは0.01〜0.5質量%であり、特に好ましくは0.05〜0.2質量%である。
また、金属研磨用組成物の使用時の研磨液における本発明に係るコロイダルシリカの含有量は、好ましくは0.001〜5質量%であり、より好ましくは0.001〜0.5質量%であり、更に好ましくは0.01〜0.5質量%であり、特に好ましくは0.05〜0.2質量%である。
本発明に係るコロイダルシリカのサイズ(体積相当径)は、3〜200nmが好ましく、5〜100nmが更に好ましく、10〜60nmが特に好ましい。尚、コロイダルシリカの体積相当径は、動的光散乱法による平均粒子サイズとして求めることができる(後記その他の砥粒も同様)。
また、本発明の金属研磨用組成物は、本発明に係るコロイダルシリカ以外のその他の砥粒を含有してもよく、該その他の砥粒としては、ヒュームドシリカ、コロイダルシリカ、セリア、アルミナ、チタニア等が好ましく、特に好ましくはコロイダルシリカである。上記その他の砥粒のサイズ(体積相当径)は、本発明に係るコロイダルシリカと同等以上2倍以下であることが好ましい。
本発明に係るコロイダルシリカに類似の公知技術としては、例えば、特開2005−159269号公報には、アルミナで被覆された基体粒子からなる複合研磨材粒子の記載がある。また、アルミナで被覆された基体粒子の製造法については記載がないが、米国特許第3007878号に、シリカゾルにアルミニウム塩水溶液を添加して、コロイド粒子の表面をアルミナで被覆し、粒子表面を正に帯電させることにより、コロイド粒子の分散安定化を図る技術が開示されている。しかし、アルミナで被覆されたコロイダルシリカは正に帯電する。正に帯電した研磨材粒子は中性付近にゼロ電位点を有するため、pH調整時に凝集しやすいという問題がある。
また、特開2003−197573号公開公報には、ケイ酸アルカリ水溶液からアルカリを除去する方法で製造したコロイダルシリカの表面の一部又は全部をアルミニウムで被覆した研磨用コロイダルシリカが開示されているが、ケイ酸アルカリ水溶液からアルカリを除去する方法で製造したコロイダルシリカの場合、粒子の内部に残留するアルカリ金属が徐々に溶出することにより研磨性能に悪影響を及ぼす問題があった。本発明では、コロイダルシリカはアルコキシシランを原料とするコロイダルシリカを用いることが好ましく、上記コロイダルシリカの表面の一部又は全部をアルミニウムで被覆した研磨用コロイダルシリカとは異なる。
本発明の金属研磨用組成物は、4級アルキルアンモニウム化合物を含有することが好ましい。4級アルキルアンモニウムとしては、水酸化テトラメチルアンモニウム、硝酸テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、硝酸テトラエチルアンモニウム、硝酸ステアリントリメチルアンモニウム等が挙げられ、特に好ましくは水酸化トリメチルアンモニウムである。金属研磨用組成物の使用時の研磨液における4級アルキルアンモニウム化合物の含有量は、好ましくは0.01質量%以上20質量%以下であり、更に好ましくは0.1質量%以上5質量%以下であり、特に好ましくは0.5質量%以上2質量%以下である。
本発明の金属研磨用組成物は、水溶性ポリマーを含有することが好ましい。水溶性ポリマーとしては、ポリアクリル酸アンモニウム塩、ポリビニルアルコール、コハク酸アミド、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックポリマーを好ましく用いることができる。水溶性ポリマーの添加量は、総量として、研磨に使用する際の金属用研磨液の1L中、0.001〜10gとすることが好ましく、0.01〜5gとすることがより好ましく0.1〜3gとすることが特に好ましい。即ち、界面活性剤及び/又は親水性ポリマーの添加量は、充分な効果を得る上で、0.001g以上が好ましく、CMP速度の低下防止の点から10g以下が好ましい。また、これらの界面活性剤及び/又は親水性ポリマーの重量平均分子量としては、500〜100000が好ましく、特には2000〜50000が好ましい。
本発明の金属研磨用組成物は、酸化剤を含有することが好ましい。
酸化剤としては、例えば、過酸化水素、過酸化物、硝酸塩、ヨウ素酸塩、過ヨウ素酸塩、次亜塩素酸塩、亜塩素酸塩、塩素酸塩、過塩素酸塩、過硫酸塩、重クロム酸塩、過マンガン酸塩、オゾン水および銀(II)塩、鉄(III)塩が挙げられる。
鉄(III)塩としては例えば、硝酸鉄(III)、塩化鉄(III)、硫酸鉄(III)、臭化鉄(III)など無機の鉄(III)塩の他、鉄(III)の有機錯塩が好ましく用いられる。
酸化剤としては、例えば、過酸化水素、過酸化物、硝酸塩、ヨウ素酸塩、過ヨウ素酸塩、次亜塩素酸塩、亜塩素酸塩、塩素酸塩、過塩素酸塩、過硫酸塩、重クロム酸塩、過マンガン酸塩、オゾン水および銀(II)塩、鉄(III)塩が挙げられる。
鉄(III)塩としては例えば、硝酸鉄(III)、塩化鉄(III)、硫酸鉄(III)、臭化鉄(III)など無機の鉄(III)塩の他、鉄(III)の有機錯塩が好ましく用いられる。
酸化剤として鉄(III)の有機錯塩を用いる場合、鉄(III)錯塩を構成する錯形成化合物としては、例えば、酢酸、クエン酸、シュウ酸、サリチル酸、ジエチルジチオカルバミン酸、コハク酸、酒石酸、グリコール酸、グリシン、アラニン、アスパラギン酸、チオグリコール酸、エチレンジアミン、トリメチレンジアミン、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、1,2−エタンジチオール、マロン酸、グルタル酸、3−ヒドロキシ酪酸、プロピオン酸、フタル酸、イソフタル酸、3−ヒドロキシサリチル酸、3,5−ジヒドロキシサリチル酸、没食子酸、安息香酸、マレイン酸などやこれらの塩の他、アミノポリカルボン酸及びその塩が挙げられる。
アミノポリカルボン酸及びその塩としては、エチレンジアミン−N,N,N’,N’−四酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、1,3−ジアミノプロパン−N,N,N’,N’−四酢酸、1,2−ジアミノプロパン−N,N,N’,N’−四酢酸、エチレンジアミン−N,N’−ジコハク酸(ラセミ体)、エチレンジアミンジコハク酸(SS体)、N−(2−カルボキシラートエチル)−L−アスパラギン酸、N−(カルボキシメチル)−L−アスパラギン酸、β−アラニンジ酢酸、メチルイミノジ酢酸、ニトリロ三酢酸、シクロヘキサンジアミン四酢酸、イミノジ酢酸、グリコールエーテルジアミン四酢酸、エチレンジアミン1−N,N’−ニ酢酸、エチレンジアミンオルトヒドロキシフェニル酢酸、N,N−ビス(2−ヒドロキシベンジル)エチレンジアミン−N,N−ジ酢酸など及びその塩が挙げられる。対塩の種類は、アルカリ金属塩及びアンモニウム塩が好ましく、特にはアンモニウム塩が好ましい。
本発明に用いることができる酸化剤としては、中でも、過酸化水素、ヨウ素酸塩、次亜塩素酸塩、塩素酸塩、過硫酸塩、鉄(III)の有機錯塩が好ましく、鉄(III)の有機錯塩を用いる場合の好ましい錯形成化合物は、クエン酸、酒石酸、アミノポリカルボン酸(具体的には、エチレンジアミン−N,N,N’,N’−四酢酸、ジエチレントリアミン五酢酸、1,3−ジアミノプロパン−N,N,N’,N’−四酢酸、エチレンジアミン−N,N’−ジコハク酸(ラセミ体)、エチレンジアミンジコハク酸(SS体)、N−(2−カルボキシラートエチル)−L−アスパラギン酸、N−(カルボキシメチル)−L−アスパラギン酸、β−アラニンジ酢酸、メチルイミノジ酢酸、ニトリロ三酢酸、イミノジ酢酸)を挙げることができる。酸化剤の中でも過酸化水素が最も好ましい。
本発明の金属研磨用組成物における酸化剤の添加量は、研磨に使用する際の金属用研磨液の1Lあたり、0.003mol〜8molとすることが好ましく、0.03mol〜6molとすることがより好ましく、0.1mol〜4molとすることが特に好ましい。即ち、酸化剤の添加量は、金属の酸化が十分で高いCMP速度を確保する点で0.003mol以上が好ましく、研磨面の荒れ防止の点から8mol以下が好ましい。
本発明の金属研磨用組成物は、分子内に少なくとも一つのカルボキシル基と少なくとも一つのアミノ基を有する化合物を含有することが好ましく、該分子内に少なくとも一つのカルボキシル基と少なくとも一つのアミノ基を有する化合物におけるアミノ基の少なくとも1つは2級あるいは3級であることがさらに好ましい。
上記分子内に少なくとも一つのカルボキシル基と少なくとも一つのアミノ基を有する化合物として好ましくは、グリシン、アラニン、バリン、グルタミン酸等のα―アミノ酸、β―アラニン等のβ―アミノ酸、イミノジ酢酸、ヒドロキシエチルイミノジ酢酸、ヒドロキシエチルグリシン、ジヒドロキシエチルグリシン、グリシルグリシン、N−メチルグリシン等が挙げられる。
上記分子内に少なくとも一つのカルボキシル基と少なくとも一つのアミノ基を有する化合物として好ましくは、グリシン、アラニン、バリン、グルタミン酸等のα―アミノ酸、β―アラニン等のβ―アミノ酸、イミノジ酢酸、ヒドロキシエチルイミノジ酢酸、ヒドロキシエチルグリシン、ジヒドロキシエチルグリシン、グリシルグリシン、N−メチルグリシン等が挙げられる。
また、本発明においては、分子内に少なくとも一つのカルボキシル基と少なくとも一つのアミノ基を有する化合物を2種以上含有することが更に好ましく、分子内にカルボキシル基を1つだけ有する化合物と、分子内にカルボキシル基を2個以上有する化合物とを併用することが特に好ましい。研磨に使用する際の金属用研磨液における前記分子内に少なくとも一つのカルボキシル基と少なくとも一つのアミノ基を有する化合物の含有量は、0.1質量%以上5質量%以下が好ましく、0.5質量%以上2質量%以下が更に好ましい。
本発明の金属研磨用組成物は、分子内に少なくとも一つのアミノ基と少なくとも一つのスルホ基を有する化合物を含有することが好ましい。該分子内に少なくとも一つのアミノ基と少なくとも一つのスルホ基を有する化合物としては、例えば、アミノメタンスルホン酸、タウリン等が挙げられ、好ましくはタウリンである。研磨に使用する際の金属用研磨液における前記分子内に少なくとも一つのアミノ基と少なくとも一つのスルホ基を有する化合物の含有量は、0.1質量%以上10質量%以下が好ましく、1質量%以上5質量%以下が更に好ましい。
本発明の金属研磨用組成物は、pHが2〜7であることが好ましく、4〜6.5であることがより好ましい。
<化学的機械的研磨方法>
本発明の金属研磨用組成物は、以下に詳述する化学的機械的研磨方法(以下、「CMP方法」又は「研磨方法」ともいう。)に適用される。即ち、本発明の金属研磨用組成物を、被研磨面と接触させ、被研磨面と研磨面を相対運動させて、金属配線を形成した基板を研磨することにより金属の少なくとも一部を除去するものである。
ここで研磨対象となる被加工体としては、支持体基板上に導電性材料膜が形成されたウエハ、支持体基板上に形成された配線上に設けられた低誘電性絶縁膜(層間絶縁膜)に導電性材料膜が形成された積層体など、半導体デバイス製造工程において平坦化を必要とする全ての段階の材料を挙げることができる。
本発明の金属研磨用組成物は、以下に詳述する化学的機械的研磨方法(以下、「CMP方法」又は「研磨方法」ともいう。)に適用される。即ち、本発明の金属研磨用組成物を、被研磨面と接触させ、被研磨面と研磨面を相対運動させて、金属配線を形成した基板を研磨することにより金属の少なくとも一部を除去するものである。
ここで研磨対象となる被加工体としては、支持体基板上に導電性材料膜が形成されたウエハ、支持体基板上に形成された配線上に設けられた低誘電性絶縁膜(層間絶縁膜)に導電性材料膜が形成された積層体など、半導体デバイス製造工程において平坦化を必要とする全ての段階の材料を挙げることができる。
〔低誘電率絶縁膜〕
本発明において、研磨する対象の一つである低誘電率絶縁膜について説明する。従来、半導体デバイスの層間絶縁膜材料としてSiO2(比誘電率約4.1)が用いられてきた。本発明における低誘電率絶縁膜材料の誘電率は3.0以下と定義する。
本発明で用いられる低誘電率絶縁膜は有機系でも無機系でもよいが、好ましくはSiOC、MSQ等の有機−無機ハイブリッド系、又はポリイミド、テフロン(登録商標)等の有機ポリマー系である。これらの材料は微小な空孔を有しても構わない。
膜形成方法はプラズマCVDでもスピン塗布でもよい。誘電率は低い方が好ましいが、特に好ましくは1.8〜2.5である。具体的には、SiOC−プラズマCVD方式の「ブラックダイヤモンド(アプライドマテリアルズ社、商標)」や有機ポリマー系の「SiLK(ダウケミカルカンパニー社、商標)」などが挙げられる。
本発明において、研磨する対象の一つである低誘電率絶縁膜について説明する。従来、半導体デバイスの層間絶縁膜材料としてSiO2(比誘電率約4.1)が用いられてきた。本発明における低誘電率絶縁膜材料の誘電率は3.0以下と定義する。
本発明で用いられる低誘電率絶縁膜は有機系でも無機系でもよいが、好ましくはSiOC、MSQ等の有機−無機ハイブリッド系、又はポリイミド、テフロン(登録商標)等の有機ポリマー系である。これらの材料は微小な空孔を有しても構わない。
膜形成方法はプラズマCVDでもスピン塗布でもよい。誘電率は低い方が好ましいが、特に好ましくは1.8〜2.5である。具体的には、SiOC−プラズマCVD方式の「ブラックダイヤモンド(アプライドマテリアルズ社、商標)」や有機ポリマー系の「SiLK(ダウケミカルカンパニー社、商標)」などが挙げられる。
〔配線金属原材料〕
本発明においては、研磨する対象である半導体が、銅金属及び/又は銅合金からなる配線を持つ半導体集積回路(以下、適宜、LSIと記す)であることが好ましく、特には銅合金が好ましい。更には、銅合金の中でも銀を含有する銅合金が好ましい。銅合金に含有される銀含量は、40質量%以下が好ましく、特には10質量%以下、さらには1質量%以下が好ましく、0.00001〜0.1質量%の範囲である銅合金において最も優れた効果を発揮する。
本発明においては、研磨する対象である半導体が、銅金属及び/又は銅合金からなる配線を持つ半導体集積回路(以下、適宜、LSIと記す)であることが好ましく、特には銅合金が好ましい。更には、銅合金の中でも銀を含有する銅合金が好ましい。銅合金に含有される銀含量は、40質量%以下が好ましく、特には10質量%以下、さらには1質量%以下が好ましく、0.00001〜0.1質量%の範囲である銅合金において最も優れた効果を発揮する。
〔配線の太さ〕
本発明においては、研磨する対象である半導体が、例えばDRAMデバイス系ではハーフピッチで0.15μm以下で特には0.10μm以下、更には0.08μm以下、一方、MPUデバイス系では0.12μm以下で特には0.09μm以下、更には0.07μm以下の配線を持つLSIであることが好ましい。これらのLSIに対して、本発明の金属研磨用組成物は特に優れた効果を発揮する。
本発明においては、研磨する対象である半導体が、例えばDRAMデバイス系ではハーフピッチで0.15μm以下で特には0.10μm以下、更には0.08μm以下、一方、MPUデバイス系では0.12μm以下で特には0.09μm以下、更には0.07μm以下の配線を持つLSIであることが好ましい。これらのLSIに対して、本発明の金属研磨用組成物は特に優れた効果を発揮する。
〔バリアメタル〕
本発明においては、半導体が銅金属及び/又は銅合金からなる配線と層間絶縁膜との間に、銅の拡散を防ぐ為のバリアメタル層を設けることが好ましい。バリアメタル層を構成する材料としては低抵抗のメタル材料がよく、特にはTiN、TiW、Ta、TaN、W、WNが好ましく、中でもTa、TaNが特に好ましい。
本発明においては、半導体が銅金属及び/又は銅合金からなる配線と層間絶縁膜との間に、銅の拡散を防ぐ為のバリアメタル層を設けることが好ましい。バリアメタル層を構成する材料としては低抵抗のメタル材料がよく、特にはTiN、TiW、Ta、TaN、W、WNが好ましく、中でもTa、TaNが特に好ましい。
〔研磨方法〕
本発明の金属研磨用組成物(研磨液)は、濃縮液であって使用する際に水を加えて希釈して使用液とする場合、各成分が次項に述べる水溶液の形態でこれらを混合し、必要により水を加え希釈して使用液とする場合、又は使用液として調製されている場合がある。本発明の金属研磨用組成物を用いた研磨方法は、いずれの場合にも適用でき、研磨液を研磨定盤上の研磨パッドに供給し、被研磨面と接触させて被研磨面と研磨パッドを相対運動させて研磨する研磨方法である。
研磨する装置としては、被研磨面を有する半導体基板等を保持するホルダーと研磨パッドを貼り付けた(回転数が変更可能なモータ等を取り付けてある)研磨定盤を有する一般的な研磨装置が使用できる。研磨パッドとしては、一般的な不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂などが使用でき、特に制限がない。研磨条件には制限はないが、研磨定盤の回転速度は基板が飛び出さないように200rpm以下の低回転が好ましい。被研磨面(被研磨膜)を有する半導体基板の研磨パッドへの押しつけ圧力は、5〜500g/cm2であることが好ましく、研磨速度のウエハ面内均一性及びパターンの平坦性を満足するためには、12〜240g/cm2であることがより好ましい。
本発明の金属研磨用組成物(研磨液)は、濃縮液であって使用する際に水を加えて希釈して使用液とする場合、各成分が次項に述べる水溶液の形態でこれらを混合し、必要により水を加え希釈して使用液とする場合、又は使用液として調製されている場合がある。本発明の金属研磨用組成物を用いた研磨方法は、いずれの場合にも適用でき、研磨液を研磨定盤上の研磨パッドに供給し、被研磨面と接触させて被研磨面と研磨パッドを相対運動させて研磨する研磨方法である。
研磨する装置としては、被研磨面を有する半導体基板等を保持するホルダーと研磨パッドを貼り付けた(回転数が変更可能なモータ等を取り付けてある)研磨定盤を有する一般的な研磨装置が使用できる。研磨パッドとしては、一般的な不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂などが使用でき、特に制限がない。研磨条件には制限はないが、研磨定盤の回転速度は基板が飛び出さないように200rpm以下の低回転が好ましい。被研磨面(被研磨膜)を有する半導体基板の研磨パッドへの押しつけ圧力は、5〜500g/cm2であることが好ましく、研磨速度のウエハ面内均一性及びパターンの平坦性を満足するためには、12〜240g/cm2であることがより好ましい。
研磨している間、研磨パッドには研磨液をポンプ等で連続的に供給する。この供給量に制限はないが、研磨パッドの表面が常に研磨液で覆われていることが好ましい。研磨終了後の半導体基板は、流水中で良く洗浄した後、スピンドライヤ等を用いて半導体基板上に付着した水滴を払い落としてから乾燥させる。本発明の金属研磨用組成物を用いた研磨方法では、希釈する水溶液は、次ぎに述べる水溶液と同じである。水溶液は、予め酸化剤、酸、添加剤、界面活性剤のうち少なくとも1つ以上を含有した水で、水溶液中に含有した成分と希釈される研磨液の成分を合計した成分が、研磨液を使用して研磨する際の成分となるようにする。水溶液で希釈して使用する場合は、溶解しにくい成分を水溶液の形で配合することができ、より濃縮した研磨液を調製することができる。
濃縮された研磨液に水又は水溶液を加え希釈する方法としては、濃縮された研磨液を供給する配管と水又は水溶液を供給する配管を途中で合流させて混合し、混合し希釈された研磨液を研磨パッドに供給する方法がある。混合は、圧力を付した状態で狭い通路を通して液同士を衝突混合する方法、配管中にガラス管などの充填物を詰め液体の流れを分流分離、合流させることを繰り返し行う方法、配管中に動力で回転する羽根を設ける方法など通常に行われている方法を採用することができる。
研磨液の供給速度は10〜1000ml/minが好ましく、研磨速度のウエハ面内均一性及びパターンの平坦性を満足するためには、170〜800ml/minであることがより好ましい。
濃縮された研磨液を水又は水溶液などにより希釈し、研磨する方法としては、研磨液を供給する配管と水又は水溶液を供給する配管を独立に設け、それぞれから所定量の液を研磨パッドに供給し、研磨パッドと被研磨面の相対運動で混合しつつ研磨する方法である。又は、1つの容器に、所定量の濃縮された研磨液と水又は水溶液を入れ混合してから、研磨パッドにその混合した研磨液を供給し、研磨をする方法がある。
本発明の金属研磨用組成物を用いた別の研磨方法は、研磨液が含有すべき成分を少なくとも2つの構成成分に分けて、それらを使用する際に、水又は水溶液を加え希釈して研磨定盤上の研磨パッドに供給し、被研磨面と接触させて被研磨面と研磨パッドを相対運動させて研磨する方法である。
例えば、酸化剤を1つの構成成分(A)とし、酸、添加剤、界面活性剤及び水を1つの構成成分(B)とし、それらを使用する際に水又は水溶液で構成成分(A)と構成成分(B)を希釈して使用する。
また、溶解度の低い添加剤を2つの構成成分(A)と(B)に分け、酸化剤、添加剤及び界面活性剤を1つの構成成分(A)とし、酸、添加剤、界面活性剤及び水を1つの構成成分(B)とし、それらを使用する際に水又は水溶液を加え構成成分(A)と構成成分(B)を希釈して使用する。この例の場合、構成成分(A)と構成成分(B)と水又は水溶液をそれぞれ供給する3つの配管が必要であり、希釈混合は、3つの配管を、研磨パッドに供給する1つの配管に結合し、その配管内で混合する方法があり、この場合、2つの配管を結合してから他の1つの配管を結合することも可能である。
例えば、酸化剤を1つの構成成分(A)とし、酸、添加剤、界面活性剤及び水を1つの構成成分(B)とし、それらを使用する際に水又は水溶液で構成成分(A)と構成成分(B)を希釈して使用する。
また、溶解度の低い添加剤を2つの構成成分(A)と(B)に分け、酸化剤、添加剤及び界面活性剤を1つの構成成分(A)とし、酸、添加剤、界面活性剤及び水を1つの構成成分(B)とし、それらを使用する際に水又は水溶液を加え構成成分(A)と構成成分(B)を希釈して使用する。この例の場合、構成成分(A)と構成成分(B)と水又は水溶液をそれぞれ供給する3つの配管が必要であり、希釈混合は、3つの配管を、研磨パッドに供給する1つの配管に結合し、その配管内で混合する方法があり、この場合、2つの配管を結合してから他の1つの配管を結合することも可能である。
例えば、溶解しにくい添加剤を含む構成成分と他の構成成分を混合し、混合経路を長くして溶解時間を確保してから、さらに水又は水溶液の配管を結合する方法である。その他の混合方法は、上記したように直接に3つの配管をそれぞれ研磨パッドに導き、研磨パッドと被研磨面の相対運動により混合する方法、1つの容器に3つの構成成分を混合して、そこから研磨パッドに希釈された研磨液を供給する方法である。上記した研磨方法において、酸化剤を含む1つの構成成分を40℃以下にし、他の構成成分を室温から100℃の範囲に加温し、且つ1つの構成成分と他の構成成分又は水もしくは水溶液を加え希釈して使用する際に、混合した後に40℃以下とするようにすることもできる。温度が高いと溶解度が高くなるため、研磨液の溶解度の低い原料の溶解度を上げるために好ましい方法である。
酸化剤を含まない他の成分を室温から100℃の範囲で加温して溶解させた原料は、温度が下がると溶液中に析出するため、温度が低下したその成分を用いる場合は、予め加温して析出したものを溶解させる必要がある。これには、加温し溶解した構成成分液を送液する手段と、析出物を含む液を攪拌しておき、送液し配管を加温して溶解させる手段を採用することができる。加温した成分が酸化剤を含む1つの構成成分の温度を40℃以上に高めると酸化剤が分解してくる恐れがあるので、加温した構成成分とこの加温した構成成分を冷却する酸化剤を含む1つの構成成分で混合した場合、40℃以下となるようにする。
また本発明においては、上述したように研磨液の成分を二分割以上に分割して、研磨面に供給してもよい。この場合、酸化物を含む成分と酸を含有する成分とに分割して供給する事が好ましい。また、研磨液を濃縮液とし、希釈水を別にして研磨面に供給してもよい。
〔パッド〕
研磨用のパッドは、無発泡構造パッドでも発泡構造パッドでもよい。前者はプラスチック板のように硬質の合成樹脂バルク材をパッドに用いるものである。また、後者は更に独立発泡体(乾式発泡系)、連続発泡体(湿式発泡系)、2層複合体(積層系)の3つがあり、特には2層複合体(積層系)が好ましい。発泡は、均一でも不均一でもよい。
更に研磨に用いる砥粒(例えば、セリア、シリカ、アルミナ、樹脂など)を含有したものでもよい。また、それぞれに硬さは軟質のものと硬質のものがあり、どちらでもよく、積層系ではそれぞれの層に異なる硬さのものを用いることが好ましい。材質としては不織布、人工皮革、ポリアミド、ポリウレタン、ポリエステル、ポリカーボネート等が好ましい。また、研磨面と接触する面には、格子溝/穴/同心溝/らせん状溝などの加工を施してもよい。
研磨用のパッドは、無発泡構造パッドでも発泡構造パッドでもよい。前者はプラスチック板のように硬質の合成樹脂バルク材をパッドに用いるものである。また、後者は更に独立発泡体(乾式発泡系)、連続発泡体(湿式発泡系)、2層複合体(積層系)の3つがあり、特には2層複合体(積層系)が好ましい。発泡は、均一でも不均一でもよい。
更に研磨に用いる砥粒(例えば、セリア、シリカ、アルミナ、樹脂など)を含有したものでもよい。また、それぞれに硬さは軟質のものと硬質のものがあり、どちらでもよく、積層系ではそれぞれの層に異なる硬さのものを用いることが好ましい。材質としては不織布、人工皮革、ポリアミド、ポリウレタン、ポリエステル、ポリカーボネート等が好ましい。また、研磨面と接触する面には、格子溝/穴/同心溝/らせん状溝などの加工を施してもよい。
〔ウエハ〕
本発明の研磨液でCMPを行なう対象ウエハは、径が200mm以上であることが好ましく、特には300mm以上が好ましい。300mm以上である時に顕著に本発明の効果を発揮する。
本発明の研磨液でCMPを行なう対象ウエハは、径が200mm以上であることが好ましく、特には300mm以上が好ましい。300mm以上である時に顕著に本発明の効果を発揮する。
<実施例1〜11、比較例1〜2>
(アルミニウム被覆コロイダルシリカの作製)
体積相当径が50nmのコロイダルシリカの20質量%水分散物100gに、水酸化ナトリウムを加えてpHを9.5に調整し、その後室温にて0.12mmolのアルミン酸ナトリウムを所望のアルミニウム原子導入量になる量添加し、3時間攪拌した。
アルミニウム原子によるコロイダルシリカ表面の珪素原子の置換量は、添加したアルミン酸ナトリウムの100%が反応すると仮定し、コロイダルシリカの表面の原子置換量(導入アルミニウム原子数/表面珪素原子サイト数)は、コロイダルシリカ直径から換算される表面積、コロイダルシリカの比重2.2、表面積あたりの珪素原子数13個/nm2とすると、1%に相当する量である。以上のようにして、アルミニウム被覆コロイダルシリカT−2を得た。
一方、体積相当径が50nmのコロイダルシリカをT−1とした。
(アルミニウム被覆コロイダルシリカの作製)
体積相当径が50nmのコロイダルシリカの20質量%水分散物100gに、水酸化ナトリウムを加えてpHを9.5に調整し、その後室温にて0.12mmolのアルミン酸ナトリウムを所望のアルミニウム原子導入量になる量添加し、3時間攪拌した。
アルミニウム原子によるコロイダルシリカ表面の珪素原子の置換量は、添加したアルミン酸ナトリウムの100%が反応すると仮定し、コロイダルシリカの表面の原子置換量(導入アルミニウム原子数/表面珪素原子サイト数)は、コロイダルシリカ直径から換算される表面積、コロイダルシリカの比重2.2、表面積あたりの珪素原子数13個/nm2とすると、1%に相当する量である。以上のようにして、アルミニウム被覆コロイダルシリカT−2を得た。
一方、体積相当径が50nmのコロイダルシリカをT−1とした。
(金属研磨用組成物の調製)
上記のようにして得られたコロイダルシリカT−1及びT−2を砥粒とし、表1に示す組成で混合し、全量が1000mLとなるように純水を添加し、アンモニアおよび硝酸を用いて、pHを7.5に調整した。更に、スラリー1Lに対して25mLの30%過酸化水素を添加して、スラリーS−1〜S−13を調製した。その詳細を表1に示す。
尚、スラリーS−1〜S−13のスラリーにおけるコロイダルシリカT−1又はT−2の含有量は0.25質量%であり、一般式(A)で表される化合物の含有量は0.01質量%であり、一般式(B)で表される化合物の含有量は0.5質量%である(ただし、一般式(A)で表される化合物又は(B)で表される化合物の欄に「−」と記載されているものは未添加であることを示す。)。
上記のようにして得られたコロイダルシリカT−1及びT−2を砥粒とし、表1に示す組成で混合し、全量が1000mLとなるように純水を添加し、アンモニアおよび硝酸を用いて、pHを7.5に調整した。更に、スラリー1Lに対して25mLの30%過酸化水素を添加して、スラリーS−1〜S−13を調製した。その詳細を表1に示す。
尚、スラリーS−1〜S−13のスラリーにおけるコロイダルシリカT−1又はT−2の含有量は0.25質量%であり、一般式(A)で表される化合物の含有量は0.01質量%であり、一般式(B)で表される化合物の含有量は0.5質量%である(ただし、一般式(A)で表される化合物又は(B)で表される化合物の欄に「−」と記載されているものは未添加であることを示す。)。
表2に示すスラリーS−1〜S−13を用いての研磨速度の評価は以下の方法で行った。その結果を表2に示す。
研磨装置としてラップマスター社製装置「LGP−612」を使用し、下記の条件で、スラリー(スラリーS−1〜S−13の何れか)を供給しながら各ウエハに設けられた膜を研磨し、その時の研磨速度を算出した。
基盤:8inch銅膜付きシリコンウエハ
テ−ブル回転数:64rpm
ヘッド回転数:65rpm
(加工線速度=1.0m/s)
研磨圧力:140hPa
研磨パッド:ローム アンド ハース社製 品番IC−1400 (K−grv)+(A21)
スラリー供給速度:200ml/分
研磨装置としてラップマスター社製装置「LGP−612」を使用し、下記の条件で、スラリー(スラリーS−1〜S−13の何れか)を供給しながら各ウエハに設けられた膜を研磨し、その時の研磨速度を算出した。
基盤:8inch銅膜付きシリコンウエハ
テ−ブル回転数:64rpm
ヘッド回転数:65rpm
(加工線速度=1.0m/s)
研磨圧力:140hPa
研磨パッド:ローム アンド ハース社製 品番IC−1400 (K−grv)+(A21)
スラリー供給速度:200ml/分
研磨速度の測定は、研磨前後の電気抵抗から膜厚を換算した。具体的には、
研磨速度(nm/分)=(研磨前の銅膜の厚さ−研磨後の銅膜の厚さ)/研磨時間
で測定した。
研磨速度(nm/分)=(研磨前の銅膜の厚さ−研磨後の銅膜の厚さ)/研磨時間
で測定した。
表2に示すスラリーS−1〜S−13を用いてのディッシングの評価は以下の方法で行った。
テストウエハとしてセマテック社の854パターンウエハを用い、上述の研磨速度の評価と同様の条件で、過研磨30%分研磨した後、段差計にてディッシングを測定した。すなわちメッキ厚を1000nmとして1300nm研磨する時間を計算し、銅ベタ膜と同様に研磨したのち、ライン/スペースが100μm/100μm部分の段差を触針式段差計にて求め、ディッシングとした。その結果を表2に示す。
テストウエハとしてセマテック社の854パターンウエハを用い、上述の研磨速度の評価と同様の条件で、過研磨30%分研磨した後、段差計にてディッシングを測定した。すなわちメッキ厚を1000nmとして1300nm研磨する時間を計算し、銅ベタ膜と同様に研磨したのち、ライン/スペースが100μm/100μm部分の段差を触針式段差計にて求め、ディッシングとした。その結果を表2に示す。
表2より、本発明の金属研磨用組成物を用いた場合、製造時に問題にならない程度の十分な研磨速度が得られ、且つ、低ディッシングであることがわかった。
Claims (8)
- 下記一般式(A)で表される化合物を少なくとも一種と、下記一般式(B)で表される化合物を少なくとも一種と、を含有することを特徴とする金属研磨用組成物。
- 更に、表面の珪素原子の少なくとも一部がアルミニウム原子に置換されているコロイダルシリカを含有することを特徴とする請求項1に記載の金属研磨用組成物。
- 前記コロイダルシリカの体積相当径が10〜60nmであることを特徴とする請求項2に記載の金属研磨用組成物。
- pHが2〜7であることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の金属研磨用組成物。
- 前記コロイダルシリカを0.001〜0.5質量%含有することを特徴とする請求項2〜4の何れか1項に記載の金属研磨用組成物。
- 更に、分子内に少なくとも1つのカルボキシル基と少なくとも1つのアミノ基とを有する化合物を含有することを特徴とする請求項1〜5の何れか1項に記載の金属研磨用組成物。
- 前記分子内に少なくとも1つのカルボキシル基と少なくとも1つのアミノ基を有する化合物におけるアミノ基の少なくとも1つが、2級または3級アミノ基であることを特徴とする請求項6に記載の金属研磨用組成物。
- 更に、4級アルキルアンモニウム化合物を含有することを特徴とする請求項1〜7の何れか1項に記載の金属研磨用組成物。
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-
2006
- 2006-09-22 JP JP2006257693A patent/JP2008078494A/ja not_active Withdrawn
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