JP2010069550A - 回路基板の製造に用いる化学機械研磨用水系分散体、回路基板の製造方法、回路基板および多層回路基板 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】化学機械研磨用水系分散体は、樹脂基板10に銅または銅合金を含む配線層30が設けられた回路基板を形成するために用いる銅または銅合金の化学機械研磨用水系分散体であって、(A)有機酸と、(B)含窒素複素環化合物と、(C)酸化剤と、(D)砥粒と、(E)水溶性高分子と、を含み、前記化学機械研磨用水系分散体に対する前記(A)成分の濃度MA(質量%)および前記(E)成分の濃度ME(質量%)において、MA/ME=20〜80の関係を有し、pHの値は、1〜4である。
【選択図】図5
Description
樹脂基板に銅または銅合金を含む配線層が設けられた回路基板を形成するために用いる化学機械研磨用水系分散体であって、
(A)有機酸と、
(B)含窒素複素環化合物と、
(C)酸化剤と、
(D)砥粒と、
(E)水溶性高分子と、
を含有し、
前記化学機械研磨用水系分散体に対する前記(A)成分の濃度MA[質量%]および前記(E)成分の濃度ME[質量%]において、MA/ME=20〜80の関係を有し、
pHの値は、1〜4である。
配線用凹部を有する樹脂基板と、前記樹脂基板上に設けられた銅膜または銅合金膜と、を有する被処理体において、
請求項1ないし請求項7のいずれか一項に記載の化学機械研磨用水系分散体を用いて、前記被処理体の前記銅膜または銅合金膜を化学機械研磨する工程を含む。
本実施形態に係る銅膜または銅合金膜の化学機械研磨用水系分散体は、樹脂基板に銅または銅合金を含む配線層が設けられた回路基板を形成するために用いる化学機械研磨用水系分散体であって、(A)有機酸と、(B)含窒素複素環化合物と、(C)酸化剤と、(D)砥粒と、(E)水溶性高分子と、を含有し、前記化学機械研磨用水系分散体に対する前記(A)成分の濃度MA[質量%]および前記(E)成分の濃度ME[質量%]において、MA/ME=20〜80の関係を有し、pHの値は、1〜4である。
本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、(A)有機酸を含有する。(A)有機酸の機能の1つとしては、樹脂基板に銅または銅合金を含む配線層の研磨に対して化学機械研磨用水系分散体を適用したときの銅膜または銅合金膜に対する研磨速度を向上させることが挙げられる。
本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、(B)含窒素複素環化合物を含有する。(B)含窒素複素環化合物の機能の1つとしては、銅などの金属と水不溶性錯体を形成し銅膜または銅合金膜の表面を保護することで、被研磨面の平坦性を高めることが挙げられる。
本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、(C)酸化剤を含有する。(C)酸化剤の機能の1つとしては、銅または銅合金を含む配線層が形成された回路基板の研磨に対して銅膜または銅合金膜の研磨速度を向上させることが挙げられる。その理由は、以下のように考えられる。(C)酸化剤の作用により銅膜または銅合金膜の表面が酸化され、化学機械研磨用水系分散体の成分との錯化反応が促進される。その結果、銅膜または銅合金膜の表面に脆弱な改質層が形成され、銅膜または銅合金膜を研磨しやすくさせることができると考えられる。
本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、(D)砥粒を含む。(D)砥粒としては、無機粒子、有機粒子および有機無機複合粒子などが挙げられる。
本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、(E)水溶性高分子を含有する。(E)水溶性高分子の機能としては、(1)銅などの金属と水不溶性錯体を形成し銅膜または銅合金膜の表面を保護することで、被研磨面の平坦性を高めること、(2)前記(D)砥粒を化学機械研磨用水系分散体中に均一に分散させ、その分散状態を保持させること、等が挙げられる。(E)水溶性高分子としては、配線材料元素からなるイオンまたは、銅または銅合金を含む配線材料の表面に対し、配位能力を有する水溶性高分子が好ましく、キレート配位能力のある水溶性高分子がより好ましい。
(A)成分は、上述したように銅膜または銅合金膜に対する研磨速度を増大させる効果がある。(E)成分は、上述したように銅膜または銅合金膜の表面を保護することで平坦性を高める効果がある一方で、銅膜または銅合金に対する研磨速度を減少させてしまうことがある。したがって、銅膜または銅合金膜に対する(μm/分オーダーの)高研磨速度と被研磨面の高平坦化特性とを両立させるためには、(A)成分および(E)成分の濃度バランスを図る必要がある。
本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体のpHの値は、1〜4である。ここで、pHとは、水素イオン指数のことを指し、その値は、市販のpHメーター等を用いて測定することができるものである。本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体のpHの値は、好ましくは1.5〜3.5であり、より好ましくは2〜3.5である。pHの値が、上記範囲未満であると、被研磨面の平坦性が悪くなる場合がある。化学機械研磨用水系分散体のpHの値が、上記範囲を超えると、研磨速度が低下する場合がある。
本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体には、必要に応じて酸、アルカリ等のpH調整剤を含有させることができる。pH調整剤の機能の1つとしては、化学機械研磨用水系分散体を所望のpHに調整することである。pHを調整することによって、研磨速度の調整や平坦性の改良、配線層の腐食を抑制することができる。なお、pH調整剤は、化学機械研磨用水系分散体のpHが1〜4の範囲を外れたときに用いることができる他、化学機械研磨用水系分散体のpHが1〜4の範囲にあるときにも、さらにpHを調整するために用いることができる。
本実施形態に係る化学機械研磨用水系分散体は、上記の成分のほか、必要に応じて各種添加剤を配合することができる。その他の添加剤としては、配線材料の防食剤、スラリーの泡立ちを低減する抑泡剤および消泡剤などが挙げられる。
本実施形態に係る回路基板の製造方法は、配線用凹部を有する樹脂基板と、前記樹脂基板上に設けられた銅膜または銅合金膜と、を有する被処理体において、上述した化学機械研磨用水系分散体を用いて、前記被処理体の前記銅膜または銅合金膜を化学機械研磨する工程を含む。
以下、本発明を実施例および比較例を用いてさらに説明するが、本発明はこの実施例および比較例により何ら限定されるものではない。
3.1.1 平坦性評価用基板の作製
表面を粗化処理した銅張り積層板(基板厚;0.6mm、サイズ;10cm角)にWPR−1201ワニス(JSR株式会社製;感光性絶縁樹脂組成物)をスピンコートし、ホットプレートで110℃、3分間加熱し、10μm厚の均一な塗膜を作製した。その後、アライナー(Karl Suss社製、「MA−100」)を用い、L/S=100μm/100μmの配線、および2mm×2mmのパッド部を有するパターンマスクを介して高圧水銀灯からの紫外線を照射した。紫外線の露光は、波長350nmにおける露光量が3,000〜5,000J/m2となるようにした。次いで、ホットプレートで110℃、3分間加熱(PEB)し、2.38質量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(TMAH)水溶液を用いて23℃で60秒間、浸漬現像した後、対流式オーブンで120℃×2時間加熱して銅張り積層板上に溝パターンを有する絶縁樹脂硬化膜を形成した。得られた絶縁樹脂硬化膜上に無電解メッキにより銅シード層を形成し、その後、電解メッキ法により10μmの銅メッキ層を形成した。このようにして溝パターン内に銅を埋め込んだ平坦性評価用基板を得た。この基板を適切に化学機械研磨すれば、溝パターンの外の銅を除去することにより、100μm幅の導電層のラインと、2mm幅の導電層のラインとを有する回路基板が形成される。
絶縁樹脂層の溝パターン形成を行わないこと以外は、「3.1.1.平坦性評価用基板」と同様にして10μmの銅メッキ層付き基板を得た。
容量2リットルのフラスコに、25質量%含有量のアンモニア水70g、イオン交換水40g、エタノール175gおよびテトラエトキシシラン21gを投入し、180rpmで攪拌しながら60℃に昇温し、この温度のまま2時間攪拌を継続した後、冷却し、平均粒子径が70nmのコロイダルシリカ/アルコール分散体を得た。次いで、エバポレータにより、この分散体に80℃の温度でイオン交換水を添加しながらアルコール分を除去する操作を数回繰り返し、分散体中のアルコール分を除き、固形分含有量が8質量%の水分散体を調製した。
「3.2 コロイダルシリカを含む分散体の調製」の項で述べた水分散体の所定量を容量1リットルのポリエチレン製の瓶に投入し、これに、表1または表2に記載の化合物を各々の含有量となるように添加し、十分に攪拌した。その後pH調整剤として、リン酸を添加し、pHを表1または表2に示す値とした。その後、孔径5μmのフィルタで濾過し、実施例1〜9および比較例1〜5の化学機械研磨用水系分散体を得た。
実施例1〜9および比較例1〜5の水系分散体を用いて配線パターンの無い銅膜付き基板および、前述の溝パターン内に銅を埋め込んだ平坦性評価用基板を以下の条件で研磨した。
・研磨装置 : Lapmaster LM15
・研磨パッド : IC1000(ニッタ・ハース製)
・キャリアヘッド荷重 : 280hPa
・定盤回転数 : 90rpm
・化学機械研磨用水系分散体の供給量 : 100ミリリットル/分
銅の研磨速度は配線パターンの無い部分の銅の膜厚より算出した。各実施例および比較例の研磨速度は、表1および表2に記載した。また、銅の膜厚は電気抵抗式ハンディータイプ膜厚計「SR−SCOPE RMP30−S」(フィッシャー・インストルメンツ社製)にて測定した。
研磨速度の値が5μm/分以上のとき、研磨速度が良好といえる。
凹部等に配線材料を堆積させた厚さT(nm)の初期の余剰膜を研磨速度V(nm/分)で研磨すると、本来T/V(分)の時間だけ研磨すれば目的が達成できるはずである。しかし、実際の製造工程では、凹部以外の部分に残る配線材料を除去するため、T/V(分)を超える過剰研磨(オーバーポリッシュ)を実施している。このとき、配線部分が過剰に研磨されることにより、凹状の形状となることがある。このような凹状の配線形状は、「ディッシング」と呼ばれ、製造品の歩留まりを低下させてしまう観点から好ましくない。そのため、各実施例および比較例でディッシングを評価項目として採り上げた。
各実施例および各比較例の化学機械研磨用水系分散体の貯蔵安定性評価は、化学機械研磨用水系分散体を調製した後、常温、常圧で静置し、60日間静置後の各分散体を目視にて観察することによって実施した。貯蔵安定性の評価の指標としては、調製直後と変化がない場合を◎、わずかに沈殿物が観察された場合を○、成分の分離が生じているか上澄み領域が生じている場合を×とし、その結果を表1および表2に記した。
表1の結果によれば、実施例1〜9の化学機械研磨用水系分散体では、いずれも銅膜に対する研磨速度は5.0μm/分以上であり、十分に高かった。また、100μm配線のディッシングはいずれも1.5μm以下であり、良好なオーバーポリッシュマージンを有していることが判明した。さらに、2mm配線のディッシングは2.0μm以下であり、幅の大きい配線に対しても良好なオーバーポリッシュマージンを有していることが判明した。しかも100μmラインと2mmラインとでディッシングの差は、0.6μm以下であり、ディッシングのライン幅依存性が小さいことが判明した。また、実施例1〜9の化学機械研磨用水系分散体は、貯蔵安定性も良好であった。
Claims (10)
- 樹脂基板に銅または銅合金を含む配線層が設けられた回路基板を形成するために用いる化学機械研磨用水系分散体であって、
(A)有機酸と、
(B)含窒素複素環化合物と、
(C)酸化剤と、
(D)砥粒と、
(E)水溶性高分子と、
を含有し、
前記化学機械研磨用水系分散体に対する前記(A)成分の濃度MA[質量%]および前記(E)成分の濃度ME[質量%]において、MA/ME=20〜80の関係を有し、
pHの値は、1〜4である、銅膜または銅合金膜の化学機械研磨用水系分散体。 - 請求項1において、
前記MAは、3質量%〜8質量%である、化学機械研磨用水系分散体。 - 請求項1または請求項2において、
前記(A)有機酸は、クエン酸、マレイン酸、リンゴ酸、グリシン、酒石酸およびシュウ酸から選択される少なくとも1種である、化学機械研磨用水系分散体。 - 請求項1ないし請求項3のいずれか一項において、
前記(B)含窒素複素環化合物は、キナルジン酸およびキノリン酸から選択される少なくとも1種である、化学機械研磨用水系分散体。 - 請求項1ないし請求項4のいずれか一項において、
前記(C)酸化剤は、過酸化水素である、化学機械研磨用水系分散体。 - 請求項1ないし請求項5のいずれか一項において、
前記(D)砥粒は、シリカ粒子、炭酸カルシウム粒子、有機ポリマー粒子、および有機無機複合粒子から選択される1種である、化学機械研磨用水系分散体。 - 請求項1ないし請求項6のいずれか一項において、
前記(E)水溶性高分子は、ポリカルボン酸である、化学機械研磨用水系分散体。 - 配線用凹部を有する樹脂基板と、前記樹脂基板上に設けられた銅膜または銅合金膜と、を有する被処理体において、
請求項1ないし請求項7のいずれか一項に記載の化学機械研磨用水系分散体を用いて、前記被処理体の前記銅膜または銅合金膜を化学機械研磨する工程を含む、回路基板の製造方法。 - 請求項8に記載の製造方法により製造された回路基板。
- 請求項9に記載の回路基板が複数積層された多層回路基板。
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