JP6938910B2 - 化学機械研磨用組成物および化学機械研磨方法 - Google Patents
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Description
本発明に係る化学機械研磨用組成物の一態様は、
シリカ粒子と、過酸化物とを含有する化学機械研磨用組成物であって、
前記シリカ粒子のシラノール基密度が3〜6個/nm2であり、
前記シリカ粒子の含有量をMa(質量部)、前記過酸化物の含有量をMb(質量部)としたときに、Ma/Mbの値が200以上700以下であることを特徴とする。
適用例1の化学機械研磨用組成物において、
前記シリカ粒子の長径(Rmax)と短径(Rmin)との比(Rmax/Rmin)が1.0以上1.5以下であることができる。
適用例1または適用例2の化学機械研磨用組成物において、
pHが7以上11以下であることができる。
適用例1ないし適用例3のいずれか一例の化学機械研磨用組成物において、
前記過酸化物が、過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過酸化水素、硝酸第二鉄、硝酸二アンモニウムセリウム、硫酸鉄、オゾン、次亜塩素酸およびその塩、過ヨウ素酸カリウム、ならびに過酢酸よりなる群から選択される少なくとも1種の化合物であることができる。
適用例1ないし適用例4のいずれか一例の化学機械研磨用組成物において、
さらに、二重結合を一つ以上有するアニオン性化合物を含有することができる。
適用例1ないし適用例5のいずれか一例の化学機械研磨用組成物は、
コバルト膜を化学機械研磨する用途に用いることができる。
本発明に係る化学機械研磨方法の一態様は、
適用例1ないし適用例6のいずれか一例の化学機械研磨用組成物を用いてコバルト膜を化学機械研磨する工程を含むことを特徴とする。
本発明の一実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、シリカ粒子と、過酸化物とを含有し、前記シリカ粒子のシラノール基密度が3〜6個/nm2であり、前記シリカ粒子の含有量をMa(質量部)、前記過酸化物の含有量をMb(質量部)としたときに、Ma/Mbの値が200以上700以下であることを特徴とする。以下、本実施形態に係る化学機械研磨用組成物について詳細に説明する。
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、シラノール基密度が3〜6個/nm2のシリカ粒子を含有する。シリカ粒子としては、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ等のシリカ粒子が挙げられるが、コロイダルシリカが好ましい。コロイダルシリカとしては、例えば特開2003−109921号公報等に記載されている方法で製造されたものを使用することができる。
ic Surface Area of Colloidal Silica by Titration with Sodium Hydroxide”,Analytical Chemistry,28(12),1981(1956).を参照の上、実施することができる。測定には1wt%シリカ水溶液を使用し、0.1mol/LのNaOHを滴下速度2mL/minで滴定を行い、下記式に基づき、シラノール基密度を算出することができる。
ρ=(a×b×NA)÷(c×d)
上記式中、ρ:シラノール基密度(個/nm2)、a:滴定に用いたNaOH溶液の濃度(mol/L)b:pH4−9のNaOH溶液の滴下量(mL)、NA:アボガドロ数、c:シリカ質量(g)、d:BET比表面積(nm2/g)をそれぞれ表す。
用いて測定した平均粒子径は、一次粒子が複数個凝集して形成された二次粒子の平均粒子径を表している。
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、過酸化物を含有する。過酸化物は、CMP工程においてコバルト膜の表面を酸化させて脆弱な酸化膜を形成する機能を有する。
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、シリカ粒子の含有量をMa(質量部)、過酸化物の含有量をMb(質量部)としたときに、Ma/Mbの値が200以上700以下であり、220以上700以下であることが好ましく、250以上680以下であることがより好ましく、300以上660以下であることが特に好ましい。Ma/Mbの値が前記範囲内であると、コバルト膜の表面を過度に酸化させて腐食を発生させることなく、コバルトとシリカ粒子表面に存在するシラノール基との化学反応およびコバルト膜の酸化反応が相俟って、コバルト膜を効率的に研磨することができ、良好な研磨特性を実現できる。
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、液状媒体を含有する。液状媒体としては、水、水およびアルコールの混合媒体、水および水との相溶性を有する有機溶媒を含む混合媒体等が挙げられる。これらの中でも、水、水およびアルコールの混合媒体を用いることが好ましく、水を用いることがより好ましい。
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、上記の成分以外に、二重結合を一つ以上有するアニオン性化合物、特開2014−229827号公報等に記載されている公知の有機酸(ただし、二重結合を一つ以上有するアニオン性化合物を除く)、界面活性剤等の添加剤を含有することができる。
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、二重結合を一つ以上有するアニオン性化合物を含有することが好ましい。このようなアニオン性化合物は、改質されたコバルト膜表面においてコバルト原子とキレートを形成することができる。これにより、化学機械研磨用組成物中にコバルトが溶出するため、コバルト膜の研磨速度が向上する場合がある。
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物のpHは、好ましくは7以上11以下であり、より好ましくは8以上11以下であり、特に好ましくは9以上11以下である。pHが前記範囲内にあると、コバルト膜の腐食を抑制しながら、コバルト膜を研磨することができるため、良好な研磨特性が得られる。一方、pHが7未満であると、コバルト膜の研磨速度は向上するものの、コバルト膜の腐食が発生しやすくなるため、良好な研磨特性が得られ難い。
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、上述のようにコバルト膜に対する実用的な研磨速度を達成できると共に、コバルト膜の腐食抑制効果を有する。そのため、本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、半導体装置の製造工程において、金属配線、金属ゲートおよび金属プラグなどを形成するコバルト膜を化学機械研磨するための研磨材料として好適である。
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、水等の液状媒体に上述した各成分を溶解または分散させることにより調製することができる。溶解または分散させる方法は、特に制限されず、均一に溶解または分散できればどのような方法を適用してもよい。また、上述
した各成分の混合順序や混合方法についても特に制限されない。
本発明の一実施形態に係る化学機械研磨方法は、上述の化学機械研磨用組成物を用いて、コバルト膜を化学機械研磨する工程を含む。以下、本実施形態に係る化学機械研磨方法の一具体例について、図面を用いながら詳細に説明する。
図4に、本実施形態に係る化学機械研磨方法に用いられる被処理体100を示す。
(1)まず、シリコン基板(図示せず)上に絶縁膜20をプラズマCVD法または熱酸化法により形成する。絶縁膜20としては、例えば、TEOS膜等が挙げられる。
(2)絶縁膜20の上に、CVD法または熱酸化法を用いて保護膜30を形成する。保護膜30としては、例えば、SiN膜等が挙げられる。
(3)絶縁膜20および保護膜30を連通するようにエッチングして配線用凹部40を形成する。
(4)CVD法またはPVD法を用いて保護膜30の表面ならびに配線用凹部40の底部および内壁面を覆うように、バリアメタル膜50を形成する。バリアメタル膜50は、コバルト膜との接着性ならびに絶縁膜および保護膜に対する拡散バリア性に優れる観点から、TiまたはTiNであることが好ましいが、これに限らずTa、TaN、Mn、Ru等であってもよい。
(5)バリアメタル膜50の上にPVD法、CVD法、またはメッキ法によりコバルトを堆積させてコバルト膜60を形成することにより、被処理体100が得られる。
次いで、被処理体100について二段階の研磨処理を行う。第1研磨処理工程として、被処理体100のバリアメタル膜50の上に堆積したコバルト膜60を除去するために、特開2016−30831号公報等に記載されたコバルトに対して高い研磨レートを示す化学機械研磨用組成物を用いて化学機械研磨を行う。この化学機械研磨により、保護膜30またはバリアメタル膜50が表出するまでコバルト膜60を研磨し続ける。通常、保護膜30またはバリアメタル膜50が表出したことを確認した上で研磨を停止させる必要がある。コバルト膜に対する研磨速度が非常に高いが、バリアメタル膜をほとんど研磨しない化学機械研磨用組成物を用いる場合には、図5に示すように、バリアメタル膜50が表出した時点で化学機械研磨を進行できなくなるため、化学機械研磨を自己停止(セルフストップ)させることができる。
本実施形態に係る化学機械研磨方法では、市販の化学機械研磨装置を用いることができる。市販の化学機械研磨装置として、例えば、荏原製作所社製、型式「EPO−112」、「EPO−222」;ラップマスターSFT社製、型式「LGP−510」、「LGP−552」;アプライドマテリアル社製、型式「Mirra」、「Reflexion」;G&P TECHNOLOGY社製、型式「POLI−400L」等が挙げられる。
・定盤回転数;好ましくは30〜120rpm、より好ましくは40〜100rpm
・ヘッド回転数;好ましくは30〜120rpm、より好ましくは40〜100rpm
・定盤回転数/ヘッド回転数比;好ましくは0.5〜2、より好ましくは0.7〜1.5・研磨圧力;好ましくは60〜200gf/cm2、より好ましくは100〜150gf/cm2
・化学機械研磨用組成物供給速度;好ましくは50〜300mL/分、より好ましくは100〜200mL/分
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。なお、本実施例における「部」および「%」は、特に断らない限り質量基準である。
<シリカ粒子分散体A>
シリカ粒子分散体Aは、以下のようにして作製した。純水787.9g、26%アンモニア水786.0g、メタノール12924gの混合液に、テトラメトキシシラン1522.2g、メタノール413.0gの混合液を、液温を35℃に保ちつつ55分かけて滴下し、水とメタノールを液状媒体とするシリカゾルを得た。このシリカゾルを常圧下で5000mlまで加熱濃縮し、シリカ粒子分散体A(シリカ含有量(固形分濃度)20質量%、pH7.4、平均粒子径75nm)を得た。得られたシリカ粒子分散体Aを0.1N水酸化ナトリウム水溶液を用いて、pH4〜9の範囲で滴定し、その滴定値とBET比表面積の値からシラノール基密度を算出したところ、5.2個/nm2であった。
シリカ粒子分散体Bは、以下のようにして作製した。まず、扶桑化学工業社製の高純度コロイダルシリカ(品番:PL−3;固形分濃度20質量%、pH7.4、平均粒子径75nm)35kgとイオン交換水140kgを40Lオートクレーブに投入し、160℃で0.5時間、0.5MPaの加圧下で水熱処理を行った。次に、前記シリカ粒子を含有する分散体水溶液を沸点78℃で減圧濃縮し、シリカ含有量(固形分濃度)20質量%、平均粒子径74nm、pH7.5のシリカ粒子分散体Bを得た。得られたシリカ粒子分散体Bを0.1N水酸化ナトリウム水溶液を用いて、pH4〜9の範囲で滴定し、その滴定値とBET比表面積の値からシラノール基密度を算出したところ、4.5個/nm2であった。長径の平均値(Rmax)および短径の平均値(Rmin)から、その比(Rmax/Rmin)を算出したところ1.2であった。
シリカ粒子分散体Cは、以下のようにして作製した。まず、扶桑化学工業社製の高純度コロイダルシリカ(品番:PL−3;固形分濃度20質量%、pH7.4、平均粒子径7
5nm)5kgと3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン6gを混合させ、2時間加熱還流した後、チオール化シリカゾルを得た。このシリカゾルに過酸化水素を加え、8時間加熱還流させることで、表面を酸化させて、スルホン酸が表面に固定化されたコロイダルシリカを得た。このようにして、シリカ含有量(固形分濃度)20質量%、平均粒子径68nm、pH6.6のシリカ粒子分散体Cを得た。得られたシリカ粒子分散体Cを0.1N水酸化ナトリウム水溶液を用いて、pH4〜9の範囲で滴定し、その滴定値とBET比表面積の値からシラノール基密度を算出したところ、5.7個/nm2であった。長径の平均値(Rmax)および短径の平均値(Rmin)から、その比(Rmax/Rmin)を算出したところ1.3であった。
シリカ粒子分散体Dは、以下のようにして作製した。イオン交換水200g、17%塩酸2g、及びテトラエチルシリケート(固形分濃度28質量%)500gを加えた。60分後に純水4000gを加えて希釈し、約4770gの活性珪酸液(シリカ濃度=0.56モル/リットル)を得た。攪拌下に水酸化ナトリウム10%水溶液を36.4g加えてpHを8.0とし、95℃で1時間加熱した。冷却後、限外ろ過により濃縮し、コロイダルシリカを得た。このようにして、シリカ含有量(固形分濃度)20質量%、平均粒子径40nm、pH9.5のシリカ粒子分散体Dを得た。得られたシリカ粒子分散体Dを0.1N水酸化ナトリウム水溶液を用いて、pH4〜9の範囲で滴定し、その滴定値とBET比表面積の値からシラノール基密度を算出したところ、5.7個/nm2であった。長径の平均値(Rmax)および短径の平均値(Rmin)から、その比(Rmax/Rmin)を算出したところ1.7であった。
ポリエチレン製容器に、表1または表2に示す含有割合となるように各成分を添加し、さらに水酸化カリウム、水酸化ナトリウムを必要に応じて加え、表1または表2に示すpHとなるように調整して各実施例および各比較例の化学機械研磨用組成物を調製した。
3.3.1.研磨速度評価
上記で調製した化学機械研磨用組成物を用いて、直径12インチのコバルト膜200nm付きウェーハと、直径12インチの窒化チタン50nm付きウェーハをそれぞれ被研磨体として、下記の研磨条件で1分間の化学機械研磨試験を行った。なお、上記で説明した第2研磨処理工程では、バリアメタル膜として窒化チタンが用いられる場合が多い。このような場合、コバルト膜の研磨速度だけでなく、被研磨面に共存するバリアメタル膜として窒化チタン膜の研磨速度も重要である。このため、コバルト膜と窒化チタン膜の研磨速度をそれぞれ評価した。
・研磨装置:G&P TECHNOLOGY社製、型式「POLI−400L」
・研磨パッド:富士紡績社製、「多硬質ポリウレタン製パッド;H800−type1(3−1S)775」
・化学機械研磨用組成物供給速度:100mL/分
・定盤回転数:100rpm
・ヘッド回転数:90rpm
・ヘッド押し付け圧:2psi
・研磨速度(Å/min)=(研磨前の膜の厚さ−研磨後の膜の厚さ)/研磨時間
なお、コバルト膜あるいは窒化チタン膜の厚さは、抵抗率測定機(NPS社製、型式「Σ−5」)により直流4探針法で抵抗を測定し、このシート抵抗値とコバルトあるいは窒化チタンの体積抵抗率から下記式によって算出した。
膜の厚さ(Å)=[コバルト膜あるいは窒化チタン膜の体積抵抗率(Ω・m)÷シート抵抗値(Ω))]×1010
・研磨速度が200Å/min以上である場合、研磨速度が大きいため実際の半導体研磨において他材料膜の研磨との速度バランスが容易に確保できるため、実用的であるため良好と判断し「○」と表記した。
・研磨速度が100Å/min以上200Å/min未満である場合、研磨速度がやや低いため実際の半導体研磨において他材料膜の研磨との速度バランスを確保する必要があるが、実用化能であるため良好と判断し「△」と表記した。
・研磨速度が100Å/min未満である場合、研磨速度が小さいため、実用困難であり不良と判断し「×」と表記した。
直径12インチのコバルト膜200nm付きウェーハを切断して1×3cmの試験片を作製し、中央の1×1cmの箇所を絶縁性テープで被覆した。その後、電気化学測定装置「HZ−7000(北斗電工株式会社製)」を用いて、試験片を作用極、白金(Pt)電極を対極、および銀塩化銀(Ag/AgCl)電極を参照極とし、調製した化学機械研磨用組成物を電解質とした3極セルを作製した。このようにして作製した3極を用い、リニアスイープボルタンメトリー(LSV)によりターフェルプロットを作成し、腐食電流を求めた。
・腐食電流が0.001μA以上2μA未満である場合、コバルト腐食が抑制できており、実用的であるため良好と判断し「○」と表記した。
・研磨速度が2μA以上100μA未満である場合、腐食が大きく、実用困難であり不良と判断し「×」と表記した。
商品名は、それぞれ以下の成分を意味する。
<シリカ粒子>
・DVSTS−027:コロイダルシリカ水分散体(NALCO社製、商品名「DVSTS−027」
・DVSTS−028:コロイダルシリカ水分散体(NALCO社製、商品名「DVSTS−028」
実施例1〜8の本願発明に係る化学機械研磨用組成物によれば、コバルト膜の腐食を抑制しながら、アルカリ領域で効率的に研磨でき、良好な研磨特性を十分に確保できることが判明した。一方、比較例1〜11の化学機械研磨用組成物では、コバルト膜の腐食抑制とコバルト膜の高研磨速度とを両立できず、良好な研磨特性は得られなかった。
Claims (6)
- シリカ粒子と、過酸化物とを含有する化学機械研磨用組成物であって、
前記シリカ粒子のシラノール基密度が3〜6個/nm2であり、
前記シリカ粒子の含有量をMa(質量部)、前記過酸化物の含有量をMb(質量部)としたときに、
化学機械研磨用組成物100質量部中、Ma=3〜8質量部であり、Mb=0.005〜0.01質量部であり、
Ma/Mbの値が200以上700以下であり、
pHが8以上11以下である、化学機械研磨用組成物。 - 前記シリカ粒子の長径(Rmax)と短径(Rmin)との比(Rmax/Rmin)が1.0以上1.5以下である、請求項1に記載の化学機械研磨用組成物。
- 前記過酸化物が、過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過酸化水素、硝酸第二鉄、硝酸二アンモニウムセリウム、硫酸鉄、オゾン、次亜塩素酸およびその塩、過ヨウ素酸カリウム、ならびに過酢酸よりなる群から選択される少なくとも1種の化合物である、請求項1または請求項2に記載の化学機械研磨用組成物。
- さらに、二重結合を一つ以上有するアニオン性化合物を含有する、請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の化学機械研磨用組成物。
- コバルト膜を化学機械研磨するための請求項1ないし請求項4のいずれか一項に記載の化学機械研磨用組成物。
- 請求項1ないし請求項5のいずれか一項に記載の化学機械研磨用組成物を用いてコバルト膜を化学機械研磨する工程を含む、化学機械研磨方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016252452A JP6938910B2 (ja) | 2016-12-27 | 2016-12-27 | 化学機械研磨用組成物および化学機械研磨方法 |
TW106129258A TWI772323B (zh) | 2016-12-27 | 2017-08-29 | 化學機械研磨用組成物及化學機械研磨方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016252452A JP6938910B2 (ja) | 2016-12-27 | 2016-12-27 | 化学機械研磨用組成物および化学機械研磨方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2018107293A JP2018107293A (ja) | 2018-07-05 |
JP6938910B2 true JP6938910B2 (ja) | 2021-09-22 |
Family
ID=62788081
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016252452A Active JP6938910B2 (ja) | 2016-12-27 | 2016-12-27 | 化学機械研磨用組成物および化学機械研磨方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6938910B2 (ja) |
TW (1) | TWI772323B (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7206695B2 (ja) * | 2017-11-10 | 2023-01-18 | 三菱ケミカル株式会社 | シリカゾル、研磨組成物、シリコンウェーハの研磨方法、シリコンウェーハの製造方法、化学的機械的研磨組成物及び半導体デバイスの製造方法 |
JP2020075830A (ja) * | 2018-11-07 | 2020-05-21 | 三菱ケミカル株式会社 | シリカゾルの製造方法及びシリカゾル中の中間生成物の抑制方法 |
JP7225898B2 (ja) * | 2019-02-21 | 2023-02-21 | 三菱ケミカル株式会社 | シリカ粒子の製造方法、シリカゾルの製造方法及び研磨方法 |
JP7331436B2 (ja) * | 2019-04-23 | 2023-08-23 | 三菱ケミカル株式会社 | シリカ粒子、シリカゾル、研磨組成物、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 |
JP7331435B2 (ja) * | 2019-04-23 | 2023-08-23 | 三菱ケミカル株式会社 | シリカ粒子、シリカゾル、研磨組成物、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 |
JP7331437B2 (ja) * | 2019-04-23 | 2023-08-23 | 三菱ケミカル株式会社 | シリカ粒子、シリカゾル、研磨組成物、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 |
JP7443857B2 (ja) | 2020-03-18 | 2024-03-06 | 三菱ケミカル株式会社 | シリカ粒子の製造方法、シリカゾルの製造方法、研磨方法、半導体ウェハの製造方法及び半導体デバイスの製造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006231436A (ja) * | 2005-02-23 | 2006-09-07 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | 研磨用スラリーおよび研磨方法 |
JP2010041027A (ja) * | 2008-02-18 | 2010-02-18 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法 |
KR101330956B1 (ko) * | 2009-08-19 | 2013-11-18 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | Cmp 연마액 및 연마 방법 |
JP6028432B2 (ja) * | 2012-07-17 | 2016-11-16 | 日立化成株式会社 | Cmp用研磨液、cmp用研磨液用貯蔵液及び研磨方法 |
JP2015189898A (ja) * | 2014-03-28 | 2015-11-02 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
JP2018092960A (ja) * | 2015-04-03 | 2018-06-14 | Jsr株式会社 | 洗浄用組成物および洗浄方法 |
-
2016
- 2016-12-27 JP JP2016252452A patent/JP6938910B2/ja active Active
-
2017
- 2017-08-29 TW TW106129258A patent/TWI772323B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201823393A (zh) | 2018-07-01 |
JP2018107293A (ja) | 2018-07-05 |
TWI772323B (zh) | 2022-08-01 |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190805 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20200525 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200623 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210126 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20210608 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210625 |
|
C60 | Trial request (containing other claim documents, opposition documents) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: C60 Effective date: 20210625 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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|
C21 | Notice of transfer of a case for reconsideration by examiners before appeal proceedings |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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