JP6892033B1 - 化学機械研磨用組成物及び化学機械研磨方法 - Google Patents
化学機械研磨用組成物及び化学機械研磨方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6892033B1 JP6892033B1 JP2021502913A JP2021502913A JP6892033B1 JP 6892033 B1 JP6892033 B1 JP 6892033B1 JP 2021502913 A JP2021502913 A JP 2021502913A JP 2021502913 A JP2021502913 A JP 2021502913A JP 6892033 B1 JP6892033 B1 JP 6892033B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- acid
- chemical mechanical
- mechanical polishing
- composition
- mass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 189
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 135
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 101
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 33
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 67
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 23
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 14
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 claims abstract description 11
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 19
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims description 16
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 15
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 14
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 10
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 claims description 10
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 claims description 10
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 claims description 6
- LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N crotonic acid Chemical compound C\C=C\C(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N 0.000 claims description 6
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KVUDZUPUUSUAAJ-UHFFFAOYSA-N bis(chloromethyl) carbonate Chemical compound ClCOC(=O)OCCl KVUDZUPUUSUAAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 claims description 4
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 claims description 4
- NTWSIWWJPQHFTO-AATRIKPKSA-N (2E)-3-methylhex-2-enoic acid Chemical compound CCC\C(C)=C\C(O)=O NTWSIWWJPQHFTO-AATRIKPKSA-N 0.000 claims description 3
- NIONDZDPPYHYKY-SNAWJCMRSA-N (2E)-hexenoic acid Chemical compound CCC\C=C\C(O)=O NIONDZDPPYHYKY-SNAWJCMRSA-N 0.000 claims description 3
- YXGNXJVHYJIRTR-MRBUWEIXSA-N 1-o-tert-butyl 5-o-methyl (e,4z)-4-(phenylsulfanylmethylidene)pent-2-enedioate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)/C=C/C(/C(=O)OC)=C/SC1=CC=CC=C1 YXGNXJVHYJIRTR-MRBUWEIXSA-N 0.000 claims description 3
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RSFQOQOSOMBPEJ-UHFFFAOYSA-N 3-Methyl-2-hexenoic acid Natural products CCC(C)=CC(O)=O RSFQOQOSOMBPEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZDZVKPXKLLLOOA-UHFFFAOYSA-N Allylmalonic acid Chemical compound OC(=O)C(C(O)=O)CC=C ZDZVKPXKLLLOOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- NIONDZDPPYHYKY-UHFFFAOYSA-N Z-hexenoic acid Natural products CCCC=CC(O)=O NIONDZDPPYHYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 claims description 3
- YTIVTFGABIZHHX-UHFFFAOYSA-N butynedioic acid Chemical compound OC(=O)C#CC(O)=O YTIVTFGABIZHHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HNEGQIOMVPPMNR-IHWYPQMZSA-N citraconic acid Chemical compound OC(=O)C(/C)=C\C(O)=O HNEGQIOMVPPMNR-IHWYPQMZSA-N 0.000 claims description 3
- 229940018557 citraconic acid Drugs 0.000 claims description 3
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 claims description 3
- HNEGQIOMVPPMNR-NSCUHMNNSA-N mesaconic acid Chemical compound OC(=O)C(/C)=C/C(O)=O HNEGQIOMVPPMNR-NSCUHMNNSA-N 0.000 claims description 3
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HNEGQIOMVPPMNR-UHFFFAOYSA-N methylfumaric acid Natural products OC(=O)C(C)=CC(O)=O HNEGQIOMVPPMNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- TXXHDPDFNKHHGW-ZPUQHVIOSA-N trans,trans-muconic acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C=C\C(O)=O TXXHDPDFNKHHGW-ZPUQHVIOSA-N 0.000 claims description 3
- LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N trans-crotonic acid Natural products CC=CC(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 claims description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 abstract description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 21
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 20
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 abstract description 13
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 abstract description 13
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 13
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 abstract description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 32
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 25
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- -1 hydrogen ions Chemical class 0.000 description 16
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 13
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 description 11
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 10
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 10
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 9
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 9
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 8
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 8
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 6
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 6
- 239000000047 product Substances 0.000 description 6
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 6
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GXDMUOPCQNLBCZ-UHFFFAOYSA-N 3-(3-triethoxysilylpropyl)oxolane-2,5-dione Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCC1CC(=O)OC1=O GXDMUOPCQNLBCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N L-histidine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 3
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101100107923 Vitis labrusca AMAT gene Proteins 0.000 description 3
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 3
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229940024606 amino acid Drugs 0.000 description 3
- 235000001014 amino acid Nutrition 0.000 description 3
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 3
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229960002885 histidine Drugs 0.000 description 3
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 3
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 150000003871 sulfonates Chemical class 0.000 description 3
- LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](CC)(CC)CC LRGJRHZIDJQFCL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- KFJDQPJLANOOOB-UHFFFAOYSA-N 2h-benzotriazole-4-carboxylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC2=NNN=C12 KFJDQPJLANOOOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004475 Arginine Substances 0.000 description 2
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N Peracetic acid Chemical compound CC(=O)OO KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000004931 aggregating effect Effects 0.000 description 2
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 2
- 150000001565 benzotriazoles Chemical class 0.000 description 2
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 2
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 2
- 208000010727 head pressing Diseases 0.000 description 2
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N iron(3+);trinitrate Chemical compound [Fe+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 150000002763 monocarboxylic acids Chemical class 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 2
- CDXVUROVRIFQMV-UHFFFAOYSA-N oxo(diphenoxy)phosphanium Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[P+](=O)OC1=CC=CC=C1 CDXVUROVRIFQMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L potassium persulfate Chemical compound [K+].[K+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 239000010414 supernatant solution Substances 0.000 description 2
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 2
- 229940073455 tetraethylammonium hydroxide Drugs 0.000 description 2
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- ARCGXLSVLAOJQL-UHFFFAOYSA-N trimellitic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C(O)=O)C(C(O)=O)=C1 ARCGXLSVLAOJQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MLIWQXBKMZNZNF-KUHOPJCQSA-N (2e)-2,6-bis[(4-azidophenyl)methylidene]-4-methylcyclohexan-1-one Chemical compound O=C1\C(=C\C=2C=CC(=CC=2)N=[N+]=[N-])CC(C)CC1=CC1=CC=C(N=[N+]=[N-])C=C1 MLIWQXBKMZNZNF-KUHOPJCQSA-N 0.000 description 1
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- ASOKPJOREAFHNY-UHFFFAOYSA-N 1-Hydroxybenzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N(O)N=NC2=C1 ASOKPJOREAFHNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N Glutamic acid Natural products OC(=O)C(N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 1
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N L-alanine Chemical compound C[C@H](N)C(O)=O QNAYBMKLOCPYGJ-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-N L-arginine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCCN=C(N)N ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-N 0.000 description 1
- ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P L-argininium(2+) Chemical compound NC(=[NH2+])NCCC[C@H]([NH3+])C(O)=O ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P 0.000 description 1
- CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N L-aspartic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(O)=O CKLJMWTZIZZHCS-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N L-glutamic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(O)=O WHUUTDBJXJRKMK-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N L-lysine Chemical compound NCCCC[C@H](N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- QIVBCDIJIAJPQS-VIFPVBQESA-N L-tryptophane Chemical compound C1=CC=C2C(C[C@H](N)C(O)=O)=CNC2=C1 QIVBCDIJIAJPQS-VIFPVBQESA-N 0.000 description 1
- KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N Lysine Natural products NCCCCC(N)C(O)=O KDXKERNSBIXSRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004472 Lysine Substances 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 1
- 229920002845 Poly(methacrylic acid) Polymers 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QIVBCDIJIAJPQS-UHFFFAOYSA-N Tryptophan Natural products C1=CC=C2C(CC(N)C(O)=O)=CNC2=C1 QIVBCDIJIAJPQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 235000004279 alanine Nutrition 0.000 description 1
- 125000005037 alkyl phenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N arginine Natural products OC(=O)C(N)CCCNC(N)=N ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000003704 aspartic acid Nutrition 0.000 description 1
- MXJIHEXYGRXHGP-UHFFFAOYSA-N benzotriazol-1-ylmethanol Chemical compound C1=CC=C2N(CO)N=NC2=C1 MXJIHEXYGRXHGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N beta-carboxyaspartic acid Natural products OC(=O)C(N)C(C(O)=O)C(O)=O OQFSQFPPLPISGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 150000001734 carboxylic acid salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- QBEGYEWDTSUVHH-UHFFFAOYSA-P diazanium;cerium(3+);pentanitrate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[Ce+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O QBEGYEWDTSUVHH-UHFFFAOYSA-P 0.000 description 1
- 150000001991 dicarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical class OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 1
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000013922 glutamic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000004220 glutamic acid Substances 0.000 description 1
- HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N histidine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N iminodiacetic acid Chemical compound OC(=O)CNCC(O)=O NBZBKCUXIYYUSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- 235000018977 lysine Nutrition 0.000 description 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229920003145 methacrylic acid copolymer Polymers 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 125000005010 perfluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 235000019422 polyvinyl alcohol Nutrition 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- SATVIFGJTRRDQU-UHFFFAOYSA-N potassium hypochlorite Chemical compound [K+].Cl[O-] SATVIFGJTRRDQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 1
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 1
- DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N sec-butyl acetate Chemical compound CCC(C)OC(C)=O DCKVNWZUADLDEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000344 soap Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 125000000020 sulfo group Chemical group O=S(=O)([*])O[H] 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-O triethylammonium ion Chemical compound CC[NH+](CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 150000003657 tungsten Chemical class 0.000 description 1
- 239000004711 α-olefin Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/113—Silicon oxides; Hydrates thereof
- C01B33/12—Silica; Hydrates thereof, e.g. lepidoic silicic acid
- C01B33/18—Preparation of finely divided silica neither in sol nor in gel form; After-treatment thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/31051—Planarisation of the insulating layers
- H01L21/31053—Planarisation of the insulating layers involving a dielectric removal step
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/32115—Planarisation
- H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/7684—Smoothing; Planarisation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
Description
(A)下記一般式(1)で表される官能基を有するシリカ粒子と、
(B)不飽和結合を有するカルボン酸及びその塩よりなる群から選択される少なくとも1種と、
を含有する。
−COO−M+ ・・・・・(1)
(M+は1価の陽イオンを表す。)
化学機械研磨用組成物の全質量を100質量%としたときに、
前記(A)成分の含有量が0.1質量%以上10質量%以下であり、
前記(B)成分の含有量が0.0001質量%以上0.02質量%以下であることができる。
前記(A)成分は、その表面に前記一般式(1)で表される官能基が共有結合を介して固定されたシリカ粒子であることができる。
前記(B)成分が、少なくとも一つの解離段における25℃での酸解離指数(pKa)が4.5以上であることができる。
前記(B)成分が、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、2−ブテン酸、2−メチル−3−ブテン酸、2−ヘキセン酸、3−メチル−2−ヘキセン酸、マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、2−ペンテン二酸、イタコン酸、アリルマロン酸、イソプロピリデンコハク酸、2,4−ヘキサジエン二酸、アセチレンジカルボン酸、及びこれらの塩から選択される1種以上であることができる。
さらに、前記(B)成分以外の有機酸を含有することができる。
さらに、酸化剤を含有することができる。
pHが2以上5以下であることができる。
前記いずれかの態様の化学機械研磨用組成物を用いて半導体基板を研磨する工程を含む。
前記半導体基板が、酸化シリコン及びタングステンよりなる群から選択される少なくとも1種を含有する部位を備えることができる。
本発明の一実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、(A)下記一般式(1)で表される官能基を有するシリカ粒子(本明細書において、単に「(A)成分」ともいう。)と、(B)不飽和結合を有するカルボン酸及びその塩よりなる群から選択される少なくとも1種(本明細書において、単に「(B)成分」ともいう。)と、を含有する。
−COO−M+ ・・・・・(1)
(M+は1価の陽イオンを表す。)
以下、本実施形態に係る化学機械研磨用組成物に含まれる各成分について詳細に説明する。
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、砥粒成分として、(A)下記一般式(1)で表される官能基を有するシリカ粒子を含有する。
−COO−M+ ・・・・・(1)
(M+は1価の陽イオンを表す。)
M+で表される1価の陽イオンとしては、これらに限定されないが、例えば、H+、Li+、Na+、K+、NH4 +が挙げられる。すなわち、(A)成分は、「(A)カルボキシ基及びその塩よりなる群から選択される少なくとも1種の官能基を有するシリカ粒子」と言い換えることもできる。ここで、「カルボキシ基の塩」とは、カルボキシ基(−COOH)に含まれている水素イオンをLi+、Na+、K+、NH4 +等の1価の陽イオンで置換した官能基のことをいう。(A)成分は、その表面に上記一般式(1)で表される官能基が共有結合を介して固定されたシリカ粒子であり、その表面に上記一般式(1)で表される官能基を有する化合物が物理的あるいはイオン的に吸着したようなものは含まれない。
まず、シリカ粒子を用意する。シリカ粒子としては、例えば、ヒュームドシリカ、コロイダルシリカ等が挙げられるが、スクラッチ等の研磨欠陥を低減する観点から、コロイダルシリカが好ましい。コロイダルシリカは、例えば、特開2003−109921号公報等に記載された方法で製造されたものを使用することができる。このようなシリカ粒子の表面を修飾することにより、本実施形態で使用可能な(A)成分を製造することができる。以下にシリカ粒子の表面を修飾する方法を例示するが、本発明はこの具体例により何ら限定されるものではない。
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、(B)不飽和結合を有するカルボン酸及びその塩よりなる群から選択される少なくとも1種を含有する。(B)成分を含有することにより、(B)成分がタングステンやコバルト等の導電体金属に由来する金属イオンに配位するため、これらを被研磨面から容易に除去することができる。これにより、研磨欠陥の発生が低減されると推測される。
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、液状媒体を含有する。液状媒体としては、水、水及びアルコールの混合媒体、水及び水との相溶性を有する有機溶媒を含む混合媒体等が挙げられる。これらの中でも、水、水及びアルコールの混合媒体を用いることが好ましく、水を用いることがより好ましい。水としては、特に制限されるものではないが、純水が好ましい。水は、化学機械研磨用組成物の構成材料の残部として配合されていればよく、水の含有量については特に制限はない。
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、必要に応じて、酸化剤、(B)成分以外の有機酸、界面活性剤、水溶性高分子、防蝕剤、pH調整剤等の添加剤をさらに含有してもよい。以下、各添加剤について説明する。
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、酸化剤を含有してもよい。酸化剤を含有することにより、タングステンやコバルト等の金属を酸化して研磨液成分との錯化反応を促すことにより、被研磨面に脆弱な改質層を作り出すことができるため、研磨速度が向上する場合がある。
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、(B)成分以外の有機酸を含有してもよい。(B)成分以外の有機酸を含有することにより、有機酸が被研磨面に配位して研磨速度が向上するとともに、研磨中における金属塩の析出を抑制できる場合がある。また、(B)成分以外の有機酸が被研磨面に配位することで、被研磨面のエッチング及び腐食によるダメージを低減できる場合がある。
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、界面活性剤を含有してもよい。界面活性剤を含有することにより、化学機械研磨用組成物に適度な粘性を付与できる場合がある。化学機械研磨用組成物の粘度は、25℃において0.5mPa・s以上10mPa・s未満となるように調整することが好ましい。
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、水溶性高分子を含有してもよい。水溶性高分子には、被研磨面の表面に吸着して研磨摩擦を低減させる効果がある。この効果により、被研磨面における研磨欠陥の発生を低減できる場合がある。
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、防蝕剤を含有してもよい。防蝕剤としては、例えば、ベンゾトリアゾール及びその誘導体が挙げられる。ここで、ベンゾトリアゾール誘導体とは、ベンゾトリアゾールの有する1個又は2個以上の水素原子を、例えば、カルボキシ基、メチル基、アミノ基、ヒドロキシ基等で置換したものをいう。ベンゾトリアゾール誘導体の具体例としては、4−カルボキシルベンゾトリアゾール、7−カルボキシベンゾトリアゾール、ベンゾトリアゾールブチルエステル、1−ヒドロキシメチルベンゾトリアゾール、1−ヒドロキシベンゾトリアゾール、及びこれらの塩等が挙げられる。
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、さらに必要に応じてpH調整剤を含有してもよい。pH調整剤としては、水酸化カリウム、エチレンジアミン、モノエタノールアミン、TMAH(テトラメチルアンモニウムヒドロキシド)、TEAH(テトラエチルアンモニウムヒドロキシド)、アンモニア等の塩基;リン酸、硫酸、塩酸、硝酸、これらの塩が挙げられ、これらの1種以上を用いることができる。
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物のpHは、特に制限されないが、好ましくは2以上5以下であり、より好ましくは2以上4以下である。pHが前記範囲にあると、化学機械研磨用組成物中の(A)成分の分散性が向上することで、化学機械研磨用組成物の貯蔵安定性が良好となるため好ましい。
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、半導体装置を構成する複数種の材料を有する半導体基板を化学機械研磨するための研磨材料として好適である。例えば、前記半導体基板は、タングステンやコバルト等の導電体金属の他、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、アモルファスシリコン等の絶縁膜材料や、チタン、窒化チタン、窒化タンタル等のバリアメタル材料を有していてもよい。
本実施形態に係る化学機械研磨用組成物は、水等の液状媒体に上述の各成分を溶解又は分散させることにより調製することができる。溶解又は分散させる方法は、特に制限されず、均一に溶解又は分散できればどのような方法を適用してもよい。また、上述の各成分の混合順序や混合方法についても特に制限されない。
本発明の一実施形態に係る研磨方法は、上述した化学機械研磨用組成物を用いて、半導体基板を研磨する工程を含む。以下、本実施形態に係る化学機械研磨方法の一具体例について、図面を用いながら詳細に説明する。
図1は、本実施形態に係る化学機械研磨方法の使用に適した被処理体を模式的に示した断面図である。被処理体100は、以下の工程(1)〜工程(4)を経ることにより形成される。
2.2.1.第1研磨工程
図2は、第1研磨工程終了時での被処理体を模式的に示した断面図である。第1研磨工程では、図2に示すように、上述の化学機械研磨用組成物を用いてバリアメタル膜16が露出するまでタングステン膜18を研磨する。
図3は、第2研磨工程終了時での被処理体を模式的に示した断面図である。第2研磨工程では、図3に示すように、上述の化学機械研磨用組成物を用いてシリコン酸化膜12、バリアメタル膜16及びタングステン膜18を研磨する。第2研磨工程を経ることにより、被研磨面の平坦性に優れた次世代型の半導体装置200を製造することができる。
上述の第1研磨工程及び第2研磨工程には、例えば図4に示すような研磨装置300を用いることができる。図4は、研磨装置300を模式的に示した斜視図である。上述の第1研磨工程及び第2研磨工程は、スラリー供給ノズル42からスラリー(化学機械研磨用組成物)44を供給し、かつ研磨布46が貼付されたターンテーブル48を回転させながら、半導体基板50を保持したキャリアーヘッド52を当接させることにより行う。なお、図4には、水供給ノズル54及びドレッサー56も併せて示してある。
以下、本発明を実施例により説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。なお、本実施例における「部」及び「%」は、特に断らない限り質量基準である。
3.1.1.水分散体Aの調製
容量2000cm3のフラスコに、PL−3(扶桑化学工業株式会社製、19.5%コロイダルシリカ)を2000g入れ、60℃になるまで加熱した。その後、(3−トリエトキシシリル)プロピルコハク酸無水物(東京化成工業株式会社製)6.0gを加え、60℃で加熱、4時間反応を続けた。冷却後、カルボン酸修飾シリカ粒子の水分散体Aを得た。
純水787.9g、25%アンモニア水(富士フイルム和光純薬株式会社製)786.0g、メタノール(富士フイルム和光純薬株式会社製)12924gの混合液に、テトラメトキシシラン(東京化成工業株式会社製)1522.2gとメタノール413.0gの混合液を、液温35℃に保ちつつ55分かけて滴下して、加水分解したシリカゾル分散液を得た。このゾルを常圧下にて、2900mlまで加熱濃縮を行った。この濃縮液をさらに、常圧下、加熱蒸留しつつ、容量を一定に保ちつつ純水を滴下し、塔頂温が100℃に達し、且つpHが8以下になったのを確認した時点で純水の滴下を終了して、シリカゾルを得た。作成したシリカゾル540gに、メタノール19.0gと3−アミノプロピルトリメトキシシラン1.0gの混合液を、液温を保ちつつ10分かけて滴下した後、常圧下、2時間還流を行った。その後、容量を一定に保ちつつ純水を滴下し、塔頂温が100℃に達した時点で純水の滴下を終了して、アミノ修飾シリカ粒子の水分散体を得た。得られた水分散体を150℃、24時間の真空乾燥を行い、アミノ修飾シリカ粒子を得た。
上記「3.1.2.水分散体Bの調製」と同様の方法にてアミノ修飾シリカ粒子を得た。得られたアミノ修飾シリカ粒子を70℃、12時間の真空乾燥を行った。クエン酸(東京化成工業株式会社製)1.4gを、あらかじめ窒素フローした三つ口フラスコに量り取り、20.0mlのN−メチル−2−ピロリドン(NMP)を加えて、クエン酸が完全に溶解するまで攪拌した。この反応溶液にアミノ修飾シリカ粒子2.0gを加えて1時間の攪拌を行い、続いて、(2,3−ジヒドロ−2−チオキソ−3−ベンゾオキサゾリル)ホスホン酸ジフェニルを5.7g、トリエチルアミン)を1.3ml加えて、室温で24時間攪拌した。この反応溶液を一晩静置し、粒子を沈殿させ上澄み溶液を捨てた後、NMPで粒子を数回洗浄し、カルボン酸修飾シリカ粒子を得た。回収した粒子は100℃、12時間の真空乾燥を行い、溶媒を除去した。純水を適量加え20%のカルボン酸修飾シリカ粒子の水分散体C得た。
容量2000cm3のフラスコに、PL−3(扶桑化学工業株式会社製、19.5%コロイダルシリカ)を2000g入れ、60℃になるまで加熱した。続けてシランカップリング剤として(3−トリエトキシシリル)プロピルコハク酸無水物12.0gを加え、60℃で加熱、4時間反応を続けた。冷却後、カルボン酸修飾シリカ粒子の水分散体Dを得た。
容量2000cm3のフラスコに、PL−3(扶桑化学工業株式会社製、19.5%コロイダルシリカ)を2000g入れ、60℃になるまで加熱した。続けてシランカップリング剤として(3−トリエトキシシリル)プロピルコハク酸無水物18.0gを加え、60℃で加熱、4時間反応を続けた。冷却後、カルボン酸修飾シリカ粒子の水分散体Eを得た。
容量2000cm3のフラスコに、25質量%濃度のアンモニア水70g、イオン交換水40g、エタノール175g及びテトラエトキシシラン21gを投入し、180rpmで撹拌しながら60℃に昇温した。60℃のまま1時間撹拌した後冷却し、コロイダルシリカ/アルコール分散体を得た。次いで、エバポレータにより、80℃でこの分散体にイオン交換水を添加しながらアルコール分を除去する操作を数回繰り返すことにより分散体中のアルコールを除き、固形分濃度15%のシリカ分散液を調製した。
純水787.9g、26%アンモニア水786.0g、メタノール12924gの混合液に、テトラメトキシシラン1522.2gとメタノール413.0gの混合液を、液温35℃に保ちつつ55分かけて滴下した。その後、常圧下にて、2900mlまで加熱濃縮を行った。この濃縮液をさらに、常圧下、加熱蒸留しつつ、容量を一定に保ちつつ純水を滴下し、塔頂温が100℃に達し、且つpHが8以下になったのを確認した時点で純水の滴下を終了し、シリカ分散液を調製した。
酸化剤として過酸化水素(富士フイルム和光純薬株式会社製、30%水溶液)を用い、ポリエチレン製容器に、表1〜表3に示す組成となるように各成分を添加し、さらに水酸化カリウムを必要に応じて加えて表1〜表3に示すpHとなるように調整し、全成分の合計量が100質量部となるように純水で調整することにより、各実施例及び各比較例の化学機械研磨用組成物を調製した。
3.3.1.研磨速度試験
上記で得られた化学機械研磨用組成物を用いて、直径12インチのCVD−W膜300nm付きウエハ又は直径12インチのp−TEOS膜(シリコン酸化膜)300nm付きウエハを被研磨体として、下記の研磨条件で60秒間の化学機械研磨試験を行った。
・研磨装置:AMAT社製、型式「Reflexion LK」
・研磨パッド:富士紡ホールディングス株式会社製、「多硬質ポリウレタン製パッド;H800−type1(3−1S)775」
・化学機械研磨用組成物供給速度:300mL/分
・定盤回転数:100rpm
・ヘッド回転数:90rpm
・ヘッド押し付け圧:2.5psi
・研磨速度(Å/分)=(研磨前の膜の厚さ−研磨後の膜の厚さ)/研磨時間
・膜の厚さ(Å)=[タングステン膜の体積抵抗率(Ω・m)÷シート抵抗値(Ω)]×1010
(評価基準)
・「A」…タングステン研磨速度が100Å/分以上かつp−TEOS研磨速度が200Å/分以上である場合、両者の研磨速度が十分に大きいため、実際の半導体基板の研磨において他材料膜の研磨との速度バランスが容易に確保でき、実用的であるから良好「A」と判断した。
・「B」…タングステン研磨速度が100Å/分未満またはp−TEOS研磨速度200Å/分未満である場合、両者もしくはいずれか一方の研磨速度が小さいため、実用困難であり不良「B」と判断した。
被研磨体である直径12インチのp−TEOS膜付きウエハを、下記条件で2分間研磨を行った。
<研磨条件>
・研磨装置:AMAT社製、型式「Reflexion LK」
・研磨パッド:富士紡ホールディングス株式会社製、「多硬質ポリウレタン製パッド;H800−type1(3−1S)775」
・化学機械研磨用組成物供給速度:300mL/分
・定盤回転数:100rpm
・ヘッド回転数:90rpm
・ヘッド押し付け圧:2.5psi
(評価基準)
・「A」…ウエハ当たりの欠陥総数が500個未満である場合を良好「A」と判断した。
・「B」…ウエハ当たりの欠陥総数が500個以上である場合を不良「B」と判断した。
下表1〜下表3に、各実施例及び各比較例の化学機械研磨用組成物の組成並びに各評価結果を示す。
<砥粒>
・水分散体A〜G:上記で調製したシリカ粒子の水分散体A〜G
・PL−3:扶桑化学工業株式会社製、商品名「PL−3」、コロイダルシリカ、平均粒子径70nm
<不飽和カルボン酸>
・アクリル酸:東京化成工業株式会社製、商品名「Acrylic Acid(stabilized with MEHQ)」
・メタクリル酸:東京化成工業株式会社製、商品名「Methacrylic Acid(stabilized with MEHQ)」
・2−メチル−3−ブテン酸:東京化成工業株式会社製、商品名「2−Methyl−3−butenoic Acid」
<有機酸>
・クエン酸:東京化成工業株式会社製、商品名「Citric Acid」
・酒石酸:東京化成工業株式会社製、商品名「L−(+)−Tartaric Acid」
・マロン酸:東京化成工業株式会社製、商品名「Malonic Acid」
・リンゴ酸:東京化成工業株式会社製、商品名「DL−Apple Acid」
・ヒスチジン:東京化成工業株式会社製、商品名「L−Histidine」
・アルギニン:東京化成工業株式会社製、商品名「L−(+)−Arginine」
<水溶性高分子>
・ポリアクリル酸:東亜合成株式会社製、商品名「ジュリマーAC−10L」、Mw=20,000〜30,000
<pH調整剤>
・モノエタノールアミン:東京化成工業株式会社製、商品名「2−Aminoethanol」
・TEAH:東京化成工業株式会社製、商品名「Tetraethylammonium Hydroxide(10% in Water)」、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド
Claims (10)
- (A)下記一般式(1)で表される官能基を有するシリカ粒子と、
(B)不飽和結合を有するカルボン酸及びその塩よりなる群から選択される少なくとも1種と、
を含有する、化学機械研磨用組成物。
−COO−M+ ・・・・・(1)
(M+は1価の陽イオンを表す。) - 化学機械研磨用組成物の全質量を100質量%としたときに、
前記(A)成分の含有量が0.1質量%以上10質量%以下であり、
前記(B)成分の含有量が0.0001質量%以上0.02質量%以下である、請求項1に記載の化学機械研磨用組成物。 - 前記(A)成分が、その表面に前記一般式(1)で表される官能基が共有結合を介して固定されたシリカ粒子である、請求項1または請求項2に記載の化学機械研磨用組成物。
- 前記(B)成分が、少なくとも一つの解離段における25℃での酸解離指数(pKa)が4.5以上である、請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の化学機械研磨用組成物。
- 前記(B)成分が、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、2−ブテン酸、2−メチル−3−ブテン酸、2−ヘキセン酸、3−メチル−2−ヘキセン酸、マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、メサコン酸、2−ペンテン二酸、イタコン酸、アリルマロン酸、イソプロピリデンコハク酸、2,4−ヘキサジエン二酸、アセチレンジカルボン酸、及びこれらの塩から選択される1種以上である、請求項1ないし請求項3のいずれか一項に記載の化学機械研磨用組成物。
- さらに、前記(B)成分以外の有機酸を含有する、請求項1ないし請求項5のいずれか一項に記載の化学機械研磨用組成物。
- さらに、酸化剤を含有する、請求項1ないし請求項6のいずれか一項に記載の化学機械研磨用組成物。
- pHが2以上5以下である、請求項1ないし請求項7のいずれか一項に記載の化学機械研磨用組成物。
- 請求項1ないし請求項8のいずれか一項に記載の化学機械研磨用組成物を用いて半導体基板を研磨する工程を含む、化学機械研磨方法。
- 前記半導体基板が、酸化シリコン及びタングステンよりなる群から選択される少なくとも1種を含有する部位を備える、請求項9に記載の化学機械研磨方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019206903 | 2019-11-15 | ||
JP2019206903 | 2019-11-15 | ||
PCT/JP2020/038474 WO2021095412A1 (ja) | 2019-11-15 | 2020-10-12 | 化学機械研磨用組成物及び化学機械研磨方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6892033B1 true JP6892033B1 (ja) | 2021-06-18 |
JPWO2021095412A1 JPWO2021095412A1 (ja) | 2021-12-02 |
Family
ID=75912610
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021502913A Active JP6892033B1 (ja) | 2019-11-15 | 2020-10-12 | 化学機械研磨用組成物及び化学機械研磨方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220389280A1 (ja) |
JP (1) | JP6892033B1 (ja) |
CN (1) | CN114630880A (ja) |
TW (1) | TWI743989B (ja) |
WO (1) | WO2021095412A1 (ja) |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001269857A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-02 | Fujitsu Ltd | 研磨用組成物 |
JP2010041024A (ja) * | 2008-02-06 | 2010-02-18 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法 |
JP2011003665A (ja) * | 2009-06-17 | 2011-01-06 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体およびそれを用いた化学機械研磨方法 |
JP2012040671A (ja) * | 2010-08-23 | 2012-03-01 | Fujimi Inc | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
JP2013033897A (ja) * | 2010-12-22 | 2013-02-14 | Jsr Corp | 化学機械研磨方法 |
US20190211228A1 (en) * | 2018-01-09 | 2019-07-11 | Cabot Microelectronics Corporation | Tungsten bulk polishing method with improved topography |
JP2019169687A (ja) * | 2018-03-26 | 2019-10-03 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102007021002A1 (de) * | 2007-05-04 | 2008-11-06 | Wacker Chemie Ag | Dispergierbare Nanopartikel |
CN102762684A (zh) * | 2010-02-24 | 2012-10-31 | 巴斯夫欧洲公司 | 研磨制品,其制备方法及其应用方法 |
US20150344739A1 (en) * | 2012-12-25 | 2015-12-03 | Jsr Corporation | Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing, and chemical mechanical polishing method |
KR20160125957A (ko) * | 2014-02-26 | 2016-11-01 | 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 | 연마용 조성물 |
US10253216B2 (en) * | 2016-07-01 | 2019-04-09 | Versum Materials Us, Llc | Additives for barrier chemical mechanical planarization |
JP6819280B2 (ja) * | 2016-12-27 | 2021-01-27 | Jsr株式会社 | 化学機械研磨用組成物および化学機械研磨方法 |
US10907073B2 (en) * | 2017-01-11 | 2021-02-02 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
US10647887B2 (en) * | 2018-01-08 | 2020-05-12 | Cabot Microelectronics Corporation | Tungsten buff polishing compositions with improved topography |
-
2020
- 2020-09-14 TW TW109131563A patent/TWI743989B/zh active
- 2020-10-12 US US17/776,227 patent/US20220389280A1/en active Pending
- 2020-10-12 JP JP2021502913A patent/JP6892033B1/ja active Active
- 2020-10-12 WO PCT/JP2020/038474 patent/WO2021095412A1/ja active Application Filing
- 2020-10-12 CN CN202080076095.9A patent/CN114630880A/zh active Pending
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001269857A (ja) * | 2000-03-24 | 2001-10-02 | Fujitsu Ltd | 研磨用組成物 |
JP2010041024A (ja) * | 2008-02-06 | 2010-02-18 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体およびその製造方法、ならびに化学機械研磨方法 |
JP2011003665A (ja) * | 2009-06-17 | 2011-01-06 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体およびそれを用いた化学機械研磨方法 |
JP2012040671A (ja) * | 2010-08-23 | 2012-03-01 | Fujimi Inc | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
JP2013033897A (ja) * | 2010-12-22 | 2013-02-14 | Jsr Corp | 化学機械研磨方法 |
US20190211228A1 (en) * | 2018-01-09 | 2019-07-11 | Cabot Microelectronics Corporation | Tungsten bulk polishing method with improved topography |
JP2019169687A (ja) * | 2018-03-26 | 2019-10-03 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20220389280A1 (en) | 2022-12-08 |
TW202128941A (zh) | 2021-08-01 |
WO2021095412A1 (ja) | 2021-05-20 |
CN114630880A (zh) | 2022-06-14 |
TWI743989B (zh) | 2021-10-21 |
JPWO2021095412A1 (ja) | 2021-12-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI814880B (zh) | 化學機械研磨用水系分散體 | |
TWI814885B (zh) | 化學機械研磨用水系分散體及其製造方法 | |
TWI825146B (zh) | 化學機械研磨用水系分散體及其製造方法、以及化學機械研磨方法 | |
JP6892035B1 (ja) | 化学機械研磨用組成物及び化学機械研磨方法 | |
JP7375483B2 (ja) | 化学機械研磨用組成物及び化学機械研磨方法 | |
JP6892033B1 (ja) | 化学機械研磨用組成物及び化学機械研磨方法 | |
WO2021111863A1 (ja) | 化学機械研磨用組成物及び化学機械研磨方法 | |
TWI837428B (zh) | 化學機械研磨用組成物及化學機械研磨方法 | |
JP6892034B1 (ja) | 化学機械研磨用組成物及び化学機械研磨方法 | |
WO2021095415A1 (ja) | 化学機械研磨用組成物及び化学機械研磨方法 | |
JP2020017556A (ja) | 化学機械研磨用水系分散体及びその製造方法 | |
WO2024162160A1 (ja) | 化学機械研磨用組成物および研磨方法 | |
WO2023085007A1 (ja) | 化学機械研磨用組成物および研磨方法 | |
WO2023085008A1 (ja) | 化学機械研磨用組成物およびその製造方法、ならびに研磨方法 | |
WO2021124771A1 (ja) | 化学機械研磨用組成物、化学機械研磨方法、及び化学機械研磨用粒子の製造方法 | |
WO2023085009A1 (ja) | 化学機械研磨用組成物および研磨方法 | |
JP2023072344A (ja) | 化学機械研磨用組成物および研磨方法 | |
TW202340404A (zh) | 半導體製程用組合物和半導體元件的製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210118 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20210118 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20210205 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20210427 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20210510 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6892033 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |