JP2019135297A - N−ビニル−ホモポリマーおよびn−ビニルコポリマーからなる群から選択される1種または複数のポリマーを含む化学機械研磨組成物 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明の目的の1つは、特に、III−V族材料、具体的にはGaAsおよびInP基板の化学機械研磨のためのCMP組成物およびCMP法を提供することであり、CMP組成物およびCMP法は、トランジスタを形成するためのIC製造ラインの初期工程(FEOL)で使用され、改良された研磨性能、特に、
(i)III−V族材料、例えばGaAsおよび/またはInPの高い材料研磨速度(MRR)、
(ii)異なるIII−V族材料の間の調整可能な選択性(即ち、前記異なるIII−V族材料の材料研磨速度の間の高い比率)、例えば、InPに対するGaAsの高い選択性、
(iii)CMP工程の後の、III−V族材料、例えばGaAsおよび/またはInPの高い表面品質、
(iv)安全な操作、ならびに有害な副生成物、例えば、GaAsおよび/またはInPを研磨する場合の有毒ガスAsH3および/またはPH3の最小限までの低減、または
(v)(i)、(ii)、(iii)および(iv)の組合せ
を示す。
(A)2〜6の範囲のpHにおいて−15mV以下の負のゼータ電位を有する表面修飾シリカ粒子、
(B)N−ビニル−ホモポリマーおよびN−ビニルコポリマーからなる群から選択される1種または複数のポリマー、
(C)水、
(D)任意に、1種または複数の他の成分
を含み、
組成物のpHが2〜6の範囲である、化学機械研磨(CMP)組成物が提供される。
表面修飾シリカ粒子は、−15mVより負の、好ましくは−25mVより負の、最も好ましくは−30mVより負のゼータ電位を有する。
構成成分(B)として、本発明のCMP組成物は、N−ビニル−ホモポリマーおよびN−ビニルコポリマーからなる群から選択される1種または複数のポリマーを含む。
− N−ビニルピロリドン、N−ビニルピペリドン、N−ビニルカプロラクタム、C1〜C8−アルキル基で置換されたこれらの誘導体、例えば、3−メチル−、4−メチル−または5−メチル−N−ビニルピロリドン等のN−ビニルラクタム、
− N−ビニルホルムアミドおよび重合に続いて加水分解によって得られるそのN−ビニルアミン、N−ビニル−N−メチルアセトアミド等のN−ビニルアミド、
− N−ビニル置換複素環式化合物、好ましくはN−ビニルピリジン、N−ビニルイミダゾール、これらは、2、4または5位においてC1〜C4−アルキル、特にメチル基またはフェニル基で置換されていてもよく、例えば、1−ビニルイミダゾール、1−ビニル−2−メチルビニルイミダゾール、および3−メチル−1−ビニルイミダゾリウムクロリド、3−メチル−1−ビニルイミダゾリウムメチルスルフェート等のこれらの四級化類似体等のN−ビニルアミン
である。
本発明によるCMP組成物は、前記CMP組成物の使用目的の特定の要求事項に応じて他の成分を含んでもよい。好ましくは、構成成分(D)の1種または少なくとも1種またはすべての他の成分は、酸化剤、2〜6の範囲のpHにおいて−15mV以下の負のゼータ電位を有する表面修飾シリカ粒子とは異なる研磨材、安定剤、界面活性剤、減摩剤、緩衝物質からなる群から選択される。
(A)2〜6の範囲のpHにおいて−15mV以下の負のゼータ電位を有する表面修飾シリカ粒子、
(B)1種または複数のN−ビニルピロリドンポリマー(N−ビニルピロリドンのホモポリマー)
を含む。
(A)2〜6の範囲のpHにおいて−15mV以下の負のゼータ電位を有する表面修飾シリカ粒子、
(B)1種または複数のN−ビニルピロリドン/N−ビニルイミダゾールコポリマー(N−ビニルピロリドンとN−ビニルイミダゾールならびに任意に他のモノマーのコポリマー)
を含む。
− 2〜6の範囲のpHにおいて−15mV以下の負のゼータ電位を有する(A)表面修飾シリカ粒子の総量が、CMP組成物の総質量に対して0.01〜30質量%の範囲であり、
および/または
− N−ビニル−ホモポリマーおよびN−ビニルコポリマーからなる群から選択される(B)ポリマーの総量が、CMP組成物の総質量に対して0.01〜3質量%の範囲である
化学機械研磨(CMP)組成物である。
− 2〜6の範囲のpHにおいて−15mV以下の負のゼータ電位を有する構成成分(A)の表面修飾シリカ粒子が、アルミン酸イオンでアニオン修飾されたもしくはスルホン酸で修飾されたシリカ粒子であり、
および/または
− 1種、少なくとも1種もしくはすべてのポリマー(B)が、3000g/mol〜100000g/molの範囲の平均分子量を有する
化学機械研磨(CMP)組成物である。
CMPの実験のための一般的手順
ベンチトップ研磨機による評価のために、以下のパラメーターを選択した:
手順の設定:Phoenix 4000研磨機;台/保持部 200/150rpm;ダウンフォース 2.5psi(17238Pa);スラリー流量 18mL/min;パッド IC 1000;時間 1分。
それぞれ表1および2に示した量の構成成分(A)、(B)および(D1)を、脱イオン水に分散または溶解した。pHを10%KOH水溶液またはHNO3(0.1%〜10%)溶液をスラリーに添加することによって調整する。pH値をpH電極(Schott、blue line、pH 0〜14/−5〜100℃/3mol/L塩化ナトリウム)で測定する。
シリカ粒子(A)の電気泳動移動度およびゼータ電位を測定するために、Malvern社製標準Zetasizer Nano装置を使用した。移動度を測定する前に、試料を10mmol/lKCl溶液で500倍に希釈した。測定を23℃で実施した。
本明細書ではK値を、Fikentscher(Volker Buehler、「Polyvinylpyrrolidone excipients for the pharmaceutical industry」、改訂9版、BASF、26〜29頁を参照されたい)に従って決定する。
比較例1〜3および本発明による実施例1〜4において、粒子(A)は、典型的な粒径15nm、典型的な表面積200m2/gおよびpH4においてゼータ電位−40mVを有する、アルミン酸イオンで修飾されたアニオン性コロイダルシリカ、例えばLevasil(登録商標)200A(Akzo Nobel製)である。
Claims (15)
- 以下の構成成分:
(A)2〜6の範囲のpHにおいて−15mV以下の負のゼータ電位を有する表面修飾シリカ粒子、
(B)N−ビニル−ホモポリマーおよびN−ビニルコポリマーからなる群から選択される1種または複数のポリマー、
(C)水、
(D)任意に、1種または複数の他の成分
を含む化学機械研磨(CMP)組成物であって、
組成物のpHが2〜6の範囲である、化学機械研磨(CMP)組成物。 - 2〜6の範囲のpHにおいて−15mV以下の負のゼータ電位を有する構成成分(A)の表面修飾シリカ粒子が、金属酸イオンでアニオン修飾されたまたはスルホン酸で修飾されたシリカ粒子である、請求項1に記載の化学機械研磨(CMP)組成物。
- 2〜6の範囲のpHにおいて−15mV以下の負のゼータ電位を有する構成成分(A)の表面修飾シリカ粒子が、アルミン酸イオン、錫酸イオン、 亜鉛酸イオン、および鉛酸イオンからなる群から選択される金属酸イオンでアニオン修飾されたシリカ粒子である、請求項1または2に記載の化学機械研磨(CMP)組成物。
- 2〜6の範囲のpHにおいて−15mV以下の負のゼータ電位を有する構成成分(A)の表面修飾シリカ粒子が、アルミン酸イオンでアニオン修飾されたシリカ粒子である、請求項1、2または3のいずれか一項に記載の化学機械研磨(CMP)組成物。
- 1種、少なくとも1種またはすべてのポリマー(B)が、3000g/mol〜100000g/molの範囲の平均分子量を有する、請求項1から4のいずれか一項に記載の化学機械研磨(CMP)組成物。
- ポリマー(B)が、N−ビニルピロリドンポリマーおよびN−ビニルピロリドン/N−ビニルイミダゾールコポリマーからなる群から選択される、請求項1から5のいずれか一項に記載の化学機械研磨(CMP)組成物。
- 2〜6の範囲のpHにおいて−15mV以下の負のゼータ電位を有する(A)表面修飾シリカ粒子の総量が、CMP組成物の総質量に対して0.01〜30質量%の範囲であり、
および/または
N−ビニル−ホモポリマーおよびN−ビニルコポリマーからなる群から選択される(B)ポリマーの総量が、CMP組成物の総質量に対して0.01〜3質量%の範囲である、請求項1から6のいずれか一項に記載の化学機械研磨(CMP)組成物。 - 2〜6の範囲のpHにおいて−15mV以下の負のゼータ電位を有する構成成分(A)の表面修飾シリカ粒子が、アルミン酸イオンでアニオン修飾されたもしくはスルホン酸で修飾されたシリカ粒子であり、
および/または
1種、少なくとも1種もしくはすべてのポリマー(B)が、3000g/mol〜100000g/molの範囲の平均分子量を有する、請求項1から7のいずれか一項に記載の化学機械研磨(CMP)組成物。 - 構成成分(D)としての1種または複数の他の成分を含み、構成成分(D)の1種または少なくとも1種またはすべての他の成分が、酸化剤、2〜6の範囲のpHにおいて−15mV以下の負のゼータ電位を有する表面修飾シリカ粒子とは異なる研磨材、安定剤、界面活性剤、減摩剤、緩衝物質からなる群から選択される、請求項1から8のいずれか一項に記載の化学機械研磨(CMP)組成物。
- N−ビニル−ホモポリマーおよびN−ビニル−コポリマーからなる群から選択されるポリマーを、化学機械研磨(CMP)組成物のための添加剤として、好ましくは、2〜6の範囲のpHにおいて−15mV以下の負のゼータ電位を有する表面修飾シリカ粒子を含む化学機械研磨(CMP)組成物のための添加剤として使用する方法。
- N−ビニル−ホモポリマーおよびN−ビニルコポリマーからなる群から選択されるポリマーが、3000g/mol〜100000g/molの範囲の平均分子量を有する、請求項10に記載の方法。
- 請求項1から9のいずれか一項に記載の化学機械研磨(CMP)組成物の存在下における基板または層の化学機械研磨を含む、半導体素子の製造方法。
- 基板または層が、1種または複数のIII−V族材料を含有する、請求項12に記載の方法。
- 1種、少なくとも1種またはすべてのIII−V族材料が、GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlAs、AlN、InP、InAs、InSb、InGaAs、InAlAs、AlGaAs、GaAlN、GaInN、InGaAlAs、InGaAsP、InGaP、AlInP、GaAlSb、GaInSb、GaAlAsSb、およびGaInAsSbからなる群から選択される、請求項12または13に記載の方法。
- 請求項1から9のいずれか一項に記載の化学機械研磨(CMP)組成物を1種または複数のIII−V族材料を含有する基板または層を研磨するために使用する方法であって、1種または少なくとも1種またはすべてのIII−V族材料が、好ましくは、GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlAs、AlN、InP、InAs、InSb、InGaAs、InAlAs、AlGaAs、GaAlN、GaInN、InGaAlAs、InGaAsP、InGaP、AlInP、GaAlSb、GaInSb、GaAlAsSb、およびGaInAsSbからなる群から選択される方法。
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Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108701616B (zh) * | 2016-02-16 | 2023-04-14 | Cmc材料股份有限公司 | 抛光iii-v族材料的方法 |
JP6928675B2 (ja) * | 2017-05-25 | 2021-09-01 | サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス,インコーポレイティドSaint−Gobain Ceramics And Plastics, Inc. | セラミック材料の化学機械研磨のための酸化流体 |
US20200172759A1 (en) * | 2018-12-04 | 2020-06-04 | Cabot Microelectronics Corporation | Composition and method for cobalt cmp |
CN112552824B (zh) * | 2019-09-26 | 2023-07-11 | 福吉米株式会社 | 研磨用组合物和研磨方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010540759A (ja) * | 2007-10-05 | 2010-12-24 | サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス,インコーポレイティド | 改善された炭化ケイ素粒子、ならびにその製造方法および使用方法 |
WO2011093223A1 (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-04 | 株式会社 フジミインコーポレーテッド | 半導体ウェーハの再生方法及び研磨用組成物 |
JP2011211178A (ja) * | 2010-03-10 | 2011-10-20 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
WO2011158718A1 (ja) * | 2010-06-18 | 2011-12-22 | 日立化成工業株式会社 | 半導体基板用研磨液及び半導体ウエハの製造方法 |
JP2013043893A (ja) * | 2011-08-22 | 2013-03-04 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体およびそれを用いた化学機械研磨方法 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE60031857T2 (de) * | 1999-06-18 | 2007-09-13 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Verwendung eines cmp schleifmittels |
JP4003116B2 (ja) | 2001-11-28 | 2007-11-07 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 磁気ディスク用基板の研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
US6776810B1 (en) * | 2002-02-11 | 2004-08-17 | Cabot Microelectronics Corporation | Anionic abrasive particles treated with positively charged polyelectrolytes for CMP |
US20040175942A1 (en) | 2003-01-03 | 2004-09-09 | Chang Song Y. | Composition and method used for chemical mechanical planarization of metals |
US7044836B2 (en) * | 2003-04-21 | 2006-05-16 | Cabot Microelectronics Corporation | Coated metal oxide particles for CMP |
US7514363B2 (en) * | 2003-10-23 | 2009-04-07 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | Chemical-mechanical planarization composition having benzenesulfonic acid and per-compound oxidizing agents, and associated method for use |
TW200613485A (en) * | 2004-03-22 | 2006-05-01 | Kao Corp | Polishing composition |
US20070037892A1 (en) * | 2004-09-08 | 2007-02-15 | Irina Belov | Aqueous slurry containing metallate-modified silica particles |
JP4776269B2 (ja) | 2005-04-28 | 2011-09-21 | 株式会社東芝 | 金属膜cmp用スラリー、および半導体装置の製造方法 |
EP1813656A3 (en) * | 2006-01-30 | 2009-09-02 | FUJIFILM Corporation | Metal-polishing liquid and chemical mechanical polishing method using the same |
JP2007207785A (ja) * | 2006-01-30 | 2007-08-16 | Fujifilm Corp | 金属研磨用組成物 |
US7691287B2 (en) * | 2007-01-31 | 2010-04-06 | Dupont Air Products Nanomaterials Llc | Method for immobilizing ligands and organometallic compounds on silica surface, and their application in chemical mechanical planarization |
JP2008192930A (ja) * | 2007-02-06 | 2008-08-21 | Fujifilm Corp | 金属研磨用組成物及びそれを用いた化学的機械的研磨方法 |
JP2008280229A (ja) * | 2007-04-13 | 2008-11-20 | Hitachi Chem Co Ltd | 表面修飾二酸化ケイ素粒子の製造法及び研磨液 |
US8157876B2 (en) | 2007-07-31 | 2012-04-17 | Cabot Microelectronics Corporation | Slurry composition containing non-ionic polymer and method for use |
EP2181123A1 (de) | 2007-08-21 | 2010-05-05 | Basf Se | Verfahren zur herstellung von vernetzten acrylsäure-polymeren |
US20110081780A1 (en) * | 2008-02-18 | 2011-04-07 | Jsr Corporation | Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing and chemical mechanical polishing method |
JP5843613B2 (ja) * | 2009-01-20 | 2016-01-13 | キャボット コーポレイションCabot Corporation | シラン変性金属酸化物を含む組成物 |
JP2010269985A (ja) | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Fuso Chemical Co Ltd | スルホン酸修飾水性アニオンシリカゾル及びその製造方法 |
CN102741985B (zh) * | 2010-02-01 | 2015-12-16 | Jsr株式会社 | 化学机械研磨用水系分散体及利用其的化学机械研磨方法 |
JP5695367B2 (ja) * | 2010-08-23 | 2015-04-01 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
JP2012146975A (ja) * | 2010-12-24 | 2012-08-02 | Hitachi Chem Co Ltd | 研磨液及びこの研磨液を用いた基板の研磨方法 |
US8778211B2 (en) * | 2012-07-17 | 2014-07-15 | Cabot Microelectronics Corporation | GST CMP slurries |
JP5732601B2 (ja) * | 2012-11-30 | 2015-06-10 | ニッタ・ハース株式会社 | 研磨組成物 |
WO2014130935A1 (en) | 2013-02-22 | 2014-08-28 | Wertz Zachary R | Shaving razor |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010540759A (ja) * | 2007-10-05 | 2010-12-24 | サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス,インコーポレイティド | 改善された炭化ケイ素粒子、ならびにその製造方法および使用方法 |
WO2011093223A1 (ja) * | 2010-01-29 | 2011-08-04 | 株式会社 フジミインコーポレーテッド | 半導体ウェーハの再生方法及び研磨用組成物 |
JP2011211178A (ja) * | 2010-03-10 | 2011-10-20 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
WO2011158718A1 (ja) * | 2010-06-18 | 2011-12-22 | 日立化成工業株式会社 | 半導体基板用研磨液及び半導体ウエハの製造方法 |
JP2013043893A (ja) * | 2011-08-22 | 2013-03-04 | Jsr Corp | 化学機械研磨用水系分散体およびそれを用いた化学機械研磨方法 |
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