KR102003441B1 - 화학-기계적 연마 슬러리 조성물 - Google Patents

화학-기계적 연마 슬러리 조성물 Download PDF

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Abstract

반도체 층간절연막(Interlayer Dielectric: ILD)용 화학-기계적 연마(chemical mechanical polishing: CMP) 공정 수행 시 평탄화율을 현저히 개선할 수 있는 화학-기계적 연마 슬러리 조성물이 개시된다. 상기 화학-기계적 연마 슬러리 조성물은 연마입자; pH 조절제; pH 완충제; 물; 및 하기 화학식 1로 표시되는 이온성 액체를 포함한다.
[화학식 1]
Figure 112018057763045-pat00048

상기 화학식 1에서, R1 및 R2는 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 10의 알킬기이고, X-는 1가 음이온을 나타낸다.

Description

화학-기계적 연마 슬러리 조성물{Chemical mechanical polishing slurry composition}
본 발명은 화학-기계적 연마 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 반도체 층간절연막(Interlayer Dielectric: ILD)용 화학-기계적 연마(chemical mechanical polishing: CMP) 공정 수행 시 평탄화율을 현저히 개선할 수 있는 화학-기계적 연마 슬러리 조성물에 관한 것이다.
반도체 소자 제조 시에는 통상적으로 절연막의 평탄화를 위한 화학-기계적 연마(chemical mechanical polishing: CMP) 공정을 수행하게 된다. 특히, 반도체 층간절연막(Interlayer Dielectric: ILD)용 화학-기계적 연마 공정은 높이 단차를 갖는 단일 막질에서 식각 정지막인 패턴 하부(요부)에 비해 패턴 상부(철부)가 높은 연마속도를 가지도록 하여 표면을 연마(평탄화)하는 것이다. 그러나, 일반적인 연마용 슬러리를 사용하여 연마를 할 경우, 패턴 상, 하부의 연마속도의 차이가 크지 않아 연마 종료 후에도 단차가 여전히 존재하는 문제점이 있다.
이러한 문제점을 해결하기 위한 종래 기술로서, 특허출원 10-2005-0127065호에는 알킬체인이 비교적 긴 아민 계열 첨가제를 사용한 화학 기계적 연마용 수성 슬러리가 개시되어 있고, 특허공개 10-2004-0016154호에는 금속산화물 연마 입자, 제거속도 가속제, 음이온성 폴리머 패시베이션제를 포함하는 화학 기계적 폴리싱 슬러리가 개시되어 있으며, 특허출원 10-2006-0117367호에는 제미니형 계면활성제를 포함하는 연마용 슬러리 조성물이 개시되어 있다.
그러나, 상기 특허의 방법을 사용하더라도, 간격이 조밀한 영역에서의 단차 제거가 용이하지 않거나, 연마 종료 특성이 나타나지 않아 반도체 기판 상에 형성된 상부 구조물이 손상될 우려가 있으며, 일반적인 화학-기계적 연마 공정보다 긴 연마시간이 요구되기 때문에 사용이 제한될 수 있다.
따라서, 본 발명의 목적은, 반도체 층간절연막(Interlayer Dielectric: ILD)용 화학-기계적 연마(chemical mechanical polishing: CMP) 공정 수행 시, 평탄화율이 우수한 화학-기계적 연마 슬러리 조성물을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 연마입자; pH 조절제; pH 완충제; 물; 및 하기 화학식 1로 표시되는 이온성 액체를 포함하는 화학-기계적 연마 슬러리 조성물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure 112018057763045-pat00001
상기 화학식 1에서, R1 및 R2는 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 10의 알킬기이고, X-는 1가 음이온을 나타낸다.
본 발명에 따른 화학-기계적 연마 슬러리 조성물은 이미다졸 구조를 갖는 이온성 액체를 포함하는 것으로서, 반도체 층간절연막(Interlayer Dielectric: ILD)용 화학-기계적 연마(chemical mechanical polishing: CMP) 공정 수행 시, 상기 이온성 액체가 연마 압력이 상대적으로 낮은 층간절연막의 요부(패턴 하부)에 흡착되어 보호층을 형성한다. 따라서, 층간절연막 철부(패턴 상부)의 연마속도에 비해 상기 층간절연막의 요부(패턴 하부)의 연마속도를 현저히 낮출 수 있고, 이를 이용하여 단차가 있는 층간절연막의 고평탄화가 가능하다.
이하, 본 발명을 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 화학-기계적 연마 슬러리 조성물은 반도체 층간절연막(Interlayer Dielectric: ILD)용 화학-기계적 연마(chemical mechanical polishing: CMP) 공정 수행 시 사용되는 것으로서, 연마입자, pH 조절제, pH 완충제, 물, 및 이온성 액체를 포함한다.
본 발명에 사용되는 이온성 액체는 하기 화학식 1로 표시되는 것으로서, 이온성 액체의 이미다졸리움 양이온이 웨이퍼(특히, 층간절연막의 요부(패턴 하부))와 흡착하여 연마 보호층을 형성함으로써, 웨이퍼(특히, 층간절연막의 요부(패턴 하부))의 연마 진행을 막아줄 수 있는 것이다.
Figure 112018057763045-pat00002
상기 화학식 1에서, R1 및 R2는 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 10의 알킬기, 예를 들면, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기 등이고, X-는 1가 음이온, 바람직하게는 Cl-, Br-, BF4 -, PF6 -, (CF3SO2)2N-(trifluoromethylsulfonylamide anion: Tf2N-), CF3SO2 -(trifluoromethylsulfonate anion: TfO-), CF3COO-, (CN)2N-, SCN-, FeCl4 -, (CH3O)2PO2 -, NO3 -, HSO4 -,
Figure 112018057763045-pat00003
등을 나타낸다.
상기 화학식 1로 표시되는 이온성 액체의 비한정적인 예로는, 하기 화학식 1a 내지 1u로 표시되는 이온성 액체를 예시할 수 있다.
[화학식 1a]
Figure 112018057763045-pat00004
[화학식 1b]
*
Figure 112018057763045-pat00005
[화학식 1c]
Figure 112018057763045-pat00006
[화학식 1d]
Figure 112018057763045-pat00007
[화학식 1e]
Figure 112018057763045-pat00008
[화학식 1f]
Figure 112018057763045-pat00009
[화학식 1g]
Figure 112018057763045-pat00010
[화학식 1h]
Figure 112018057763045-pat00011
[화학식 1i]
Figure 112018057763045-pat00012
[화학식 1j]
Figure 112018057763045-pat00013
[화학식 1k]
Figure 112018057763045-pat00014
[화학식 1l]
Figure 112018057763045-pat00015
[화학식 1m]
Figure 112018057763045-pat00016
[화학식 1n]
Figure 112018057763045-pat00017
[화학식 1o]
Figure 112018057763045-pat00018
[화학식 1p]
Figure 112018057763045-pat00019
[화학식 1q]
Figure 112018057763045-pat00020
[화학식 1r]
Figure 112018057763045-pat00021
[화학식 1s]
Figure 112018057763045-pat00022
[화학식 1t]
Figure 112018057763045-pat00023
[화학식 1u]
Figure 112018057763045-pat00024
상기 이온성 액체의 함량은 전체 화학-기계적 연마 슬러리 조성물에 대하여, 0.01 내지 10중량%, 바람직하게는 0.05 내지 5중량%, 더욱 바람직하게는 0.1 내지 3중량%이다. 상기 이온성 액체의 함량이 0.01중량% 미만이면, 층간절연막의 요부(패턴 하부)에 흡착되지 못하여 보호층을 형성하지 못할 우려가 있고, 10중량%를 초과하면, 전체 웨이퍼(층간절연막 요부 및 철부)에 대한 이온성 액체의 흡착력이 증가하여 웨이퍼 전체에 보호층이 형성되고, 연마가 진행되지 않을 우려가 있다.
본 발명에 사용되는 연마입자는 반도체 층간절연막(Interlayer Dielectric: ILD)의 기계적 연마를 수행하는 것으로서, 통상적인 화학-기계적 연마 슬러리 조성물에 사용되는 연마입자(연마제)를 제한 없이 사용할 수 있고, 예를 들면, 콜로이달 실리카, 흄드 실리카, 알루미나, 세리아, 티타니아, 지르코니아, 젠나니아 등을 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다. 바람직하게는 세리아를 사용할 수 있으며, 초순수 등의 물에 분산시킨 슬러리 형태로 다른 첨가제와 혼합하여 본 발명의 화학-기계적 연마 슬러리 조성물에 포함시킬 수 있다. 상기 연마입자의 함량은 전체 화학-기계적 연마 슬러리 조성물에 대하여, 0.1 내지 10중량%, 바람직하게는 0.2 내지 7중량%, 더욱 바람직하게는 0.2 내지 5중량%이다. 상기 연마입자의 함량이 0.1중량% 미만이면, 연마 시 층간절연막의 철부(패턴 상부)를 충분히 연마하지 못하여 층간절연막의 철부 및 요부의 연마 선택비가 저하됨으로써, 평탄화율이 저하될 우려가 있고, 10중량%를 초과하면, 층간절연막 표면의 스크래치 등 결점의 원인이 될 우려가 있다. 또한, 상기 연마입자의 크기는 크게 제한되지 않으나, 예를 들면, 50 내지 300nm의 입자 크기를 가지는 것이 바람직하다.
본 발명에 사용되는 pH 조절제는 화학-기계적 연마 슬러리 조성물의 pH를 4 내지 10, 바람직하게는 5 내지 8, 더욱 바람직하게는 5.5 내지 7로 조절하기 위한 것으로서, 통상적인 화학-기계적 연마 슬러리 조성물에 사용되는 pH 조절제(산, 염기 등)를 제한 없이 사용할 수 있고, 예를 들면, 인산, 염산, 황산, 질산, 암모니아, 수산화칼륨, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(Tetramethylammonium hydroxide: TMAH), 테트라에틸암모늄 하이드록사이드(Tetraethylammonium hydroxide: TEAH), 테트라부틸암모늄 하이드록사이드(Tetrabutylammonium hydroxide: TBAH) 등을 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다.
상기 화학-기계적 연마 슬러리 조성물의 pH가 상기 범위를 벗어나면, 연마입자의 분산성이 떨어지고, 연마 공정 시, 연마가 충분하게 일어나지 못할 우려가 있다. 또한, 상기 pH 조절제의 함량은, 화학-기계적 연마 슬러리 조성물의 pH에 따라 달라질 수 있으나, 예를 들면, 전체 화학-기계적 연마 슬러리 조성물에 대하여, 0.05 내지 10중량%, 바람직하게는 0.1 내지 5중량%, 더욱 바람직하게는 0.3 내지 2중량%이다. 상기 pH 조절제의 함량이 상기 범위를 벗어나면, 상기 화학-기계적 연마 슬러리 조성물의 pH 조절이 어려워지고, 불순물로 작용할 우려가 있다.
본 발명에 사용되는 pH 완충제는 연마입자가 분산된 용액(슬러리)과 이온성 액체, pH 조절제 등의 첨가제를 혼합 시 발생하는 pH의 급격한 변화를 방지하기 위한 것으로서, 통상적인 버퍼 용액을 제한 없이 사용할 수 있으며, 예를 들면, 연마입자의 분산제로도 사용되는 수용성 고분자, 바람직하게는 아크릴산, 메타크릴산, 말레인산 등의 불포화 카르복실산의 중합체, 그의 암모늄염, 또는 아민염, 아크릴산, 메타크릴산, 말레인산 등의 불포화 카르복실산과 아크릴산메틸, 아크릴산에틸 등의 아크릴산알킬, 아크릴산히드록시에틸 등의 아크릴산히드록시알킬, 메타크릴산메틸, 메타크릴산에틸 등의 메타크릴산알킬, 메타크릴산히드록시에틸 등의 메타크릴산히드록시알킬, 아세트산비닐, 비닐알코올 등의 공중합성 단량체와의 공중합체, 그의 암모늄염 또는 아민염, 이들의 혼합물 등을 사용할 수 있다. 상기 중합체, 공중합체 등 수용성 고분자의 비한정적인 예로는, 폴리아크릴산, 폴리아크릴말레산공중합체, 폴리아크릴메타크릴산공중합체, 폴리아크릴아마이드, 폴리아크릴산 암모늄염 등을 예시할 수 있다.
상기 pH 완충제의 함량은 전체 화학-기계적 연마 슬러리 조성물에 대하여, 0.05 내지 10중량%, 바람직하게는 0.1 내지 5중량%, 더욱 바람직하게는 0.2 내지 2중량%이다. 상기 연마입자의 함량이 0.05중량% 미만이면, pH 완충제로서의 역할을 수행하지 못할 우려가 있고, 10중량%를 초과하면, 연마입자의 분산성을 저하시켜 층간절연막 표면의 스크래치 등 결점의 원인이 될 우려가 있다. 또한, 상기 pH 완충제가 수용성 고분자일 경우, 크게 제한되지는 않으나, 상기 수용성 고분자의 중량평균분자량은 1,000 내지 100,000, 바람직하게는 3,000 내지 20,000이다. 상기 수용성 고분자(pH 완충제)의 중량평균분자량이 1,000 미만이면, pH 완충제로서의 역할을 수행하지 못할 우려가 있고, 100,000을 초과하면, 연마입자의 분산성을 저하시킬 우려가 있다.
본 발명에 따른 화학-기계적 연마 슬러리 조성물의 나머지 성분은 물, 바람직하게는 증류수, 탈이온수, 초순수, 더욱 바람직하게는 초순수이다.
또한, 본 발명에 따른 연마 슬러리 조성물은, 필요에 따라, 분산 안정성을 유지하기 위한 분산제, 분산액의 점도를 낮추기 위한 각종 염류 등 통상적인 첨가제를 더욱 포함할 수도 있다.
이하, 구체적인 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명한다. 하기 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것으로서, 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
[제조예] 세리아 함유 슬러리의 제조
연마입자로서 세리아 입자 1kg, pH 완충제(분산제)로서 수용성 폴리아크릴산 용액(40중량%) 23g, 및 초순수 8,977g을 혼합한 후, 교반하면서 초음파 분산을 10분간 실시하였다. 얻어진 슬러리를 1 미크론(micron) 필터로 여과를 하고, 초순수를 더욱 가하여 세리아 함량 5중량%인 세리아 함유 슬러리를 얻었다. 슬러리를 적당한 농도로 희석하고, 레이저 산란식 입도분포계(제품명: Master Sizer Microplus, 제조사: Malvern)를 이용하여 입자 크기를 측정한 결과, 평균입경이 200nm이었다.
[실시예 1] 화학-기계적 연마 슬러리 조성물의 제조 및 평가
중량평균분자량(Mw)이 10,000인 폴리아크릴산(pH 완충제) 2중량%, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH, pH 조절제) 2중량%, 및 상기 화학식 1r로 표시되는 이온성 액체(1-methyl-3-butyl-imidazolium Chloride) 0.5중량%를 초순수에 첨가하여 첨가제를 제조한 후, 상기 제조예에서 제조한 세리아 함유 슬러리 및 상기 첨가제 비율이 각각 1:10이 되도록 혼합하여 화학-기계적 연마 슬러리 조성물을 제조하였다.
다음으로, 상기 화학-기계적 연마 슬러리 조성물과 연마 장비(장치명: Mirra, 제조사: AMAT), 연마 패드(IC1000/suba IV, 제조사: Rohm & Hass) 및 패턴 웨이퍼(ILD용 패턴 웨이퍼(단차: 8000Å)를 사용하여, 헤드(Head) 회전수 87 rpm, 플레이튼(Platen) 회전수 93 rpm, 웨이퍼(Wafer) 압력 4.0 psi, 및 상기 슬러리 조성물 유량 200 ml/분의 조건으로 상기 패턴 웨이퍼의 연마를 수행하였다. 두께 측정기(장치명: Nanospec 2000, 제조사: Nanometrics)를 사용하여 패턴 웨이퍼의 연마 전 및 후의 두께를 측정하여 패턴 웨이퍼의 요부 연마속도, 철부 연마속도 및 요, 철부 선택비를 계산하여 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
[실시예 2] 화학-기계적 연마 슬러리 조성물의 제조 및 평가
상기 화학식 1r로 표시되는 이온성 액체(1-methyl-3-butyl-imidazolium Chloride) 0.5중량% 대신에 1.0중량%를 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 화학-기계적 연마 슬러리 조성물을 제조 및 평가하여 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
[실시예 3] 화학-기계적 연마 슬러리 조성물의 제조 및 평가
상기 화학식 1r로 표시되는 이온성 액체(1-methyl-3-butyl-imidazolium Chloride) 0.5중량% 대신에 상기 화학식 1s로 표시되는 이온성 액체 (1-ethyl-3 -butyl-imidazolium Chloride) 0.5중량%를 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 화학-기계적 연마 슬러리 조성물을 제조 및 평가하여 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
[실시예 4] 화학-기계적 연마 슬러리 조성물의 제조 및 평가
상기 화학식 1r로 표시되는 이온성 액체(1-methyl-3-butyl-imidazolium Chloride) 0.5중량% 대신에 상기 화학식 1n으로 표시되는 이온성 액체(1-ethyl-3 -methyl-imidazolium Chloride) 0.5중량%를 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 화학-기계적 연마 슬러리 조성물을 제조 및 평가하여 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
[실시예 5] 화학-기계적 연마 슬러리 조성물의 제조 및 평가
상기 화학식 1r로 표시되는 이온성 액체(1-methyl-3-butyl-imidazolium Chloride) 0.5중량% 대신에 상기 화학식 1n으로 표시되는 이온성 액체(1-ethyl-3 -methyl-imidazolium Chloride) 1.0중량%를 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 화학-기계적 연마 슬러리 조성물을 제조 및 평가하여 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
[실시예 6] 화학-기계적 연마 슬러리 조성물의 제조 및 평가
상기 화학식 1r로 표시되는 이온성 액체(1-methyl-3-butyl-imidazolium Chloride) 0.5중량% 대신에 상기 화학식 1n으로 표시되는 이온성 액체(1-ethyl-3-methyl-imidazolium Chloride) 3.0중량%를 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 화학-기계적 연마 슬러리 조성물을 제조 및 평가하여 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
[실시예 7] 화학-기계적 연마 슬러리 조성물의 제조 및 평가
상기 화학식 1r로 표시되는 이온성 액체(1-methyl-3-butyl-imidazolium Chloride) 0.5중량% 대신에 상기 화학식 1n으로 표시되는 이온성 액체(1-ethyl-3-methyl-imidazolium Chloride) 5.0중량%를 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 화학-기계적 연마 슬러리 조성물을 제조 및 평가하여 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
[실시예 8] 화학-기계적 연마 슬러리 조성물의 제조 및 평가
상기 화학식 1r로 표시되는 이온성 액체(1-methyl-3-butyl-imidazolium Chloride) 0.5중량% 대신에 상기 화학식 1t로 표시되는 이온성 액체(1-methyl-3-butyl-imidazolium Tetrafluoroborate) 0.5중량%를 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 화학-기계적 연마 슬러리 조성물을 제조 및 평가하여 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
[실시예 9] 화학-기계적 연마 슬러리 조성물의 제조 및 평가
상기 화학식 1r로 표시되는 이온성 액체(1-methyl-3-butyl-imidazolium Chloride) 0.5중량% 대신에 상기 화학식 1u로 표시되는 이온성 액체(1-methyl-3-octyl-imidazolium Tetrafluoroborate) 0.5중량%를 사용한 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 화학-기계적 연마 슬러리 조성물을 제조 및 평가하여 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
[비교예] 화학-기계적 연마 슬러리 조성물의 제조 및 평가
이온성 액체를 사용하지 않은 것을 제외하고는, 상기 실시예 1과 동일한 방법으로 화학-기계적 연마 슬러리 조성물을 제조 및 평가하여 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
이온성 액체 함량 철부
연마속도
(Å/분)		 요부
연마속도
(Å/분)		 요, 철부
선택비
(철부/요부)
실시예 1 1-methyl-3-butyl-imidazolium Chloride 0.5wt% 2525 151 16.7
실시예 2 1-methyl-3-butyl-imidazolium Chloride 1.0wt% 2037 50 40.7
실시예 3 1-ethyl-3-butyl-imidazolium Chloride 0.5wt% 2321 132 17.6
실시예 4 1-ethyl-3-methyl-imidazolium Chloride 0.5wt% 3052 130 23.5
실시예 5 1-ethyl-3-methyl-imidazolium Chloride 0.1wt% 3325 171 19.4
실시예 6 1-ethyl-3-methyl-imidazolium Chloride 3.0wt% 1511 81 18.7
실시예 7 1-ethyl-3-methyl-imidazolium Chloride 5.0wt% 651 77 8.5
실시예 8 1-methyl-3-butyl-imidazolium Tetrafluoroborate 0.5wt% 2112 98 21.6
실시예 9 1-methyl-3-octyl-imidazolium Tetrafluoroborate 0.5wt% 1822 43 42.4
비교예 - - 1515 522 2.9
상기 결과로부터, 본 발명에 따른 화학-기계적 연마 슬러리 조성물(실시예)은 반도체 층간절연막(Interlayer Dielectric: ILD)용 화학-기계적 연마(chemical mechanical polishing: CMP) 공정 수행 시, 층간절연막 철부(패턴 상부)의 연마속도에 비해 상기 층간절연막의 요부(패턴 하부)의 연마속도를 현저히 낮출 수 있고(연마 선택비(철부/요부): 8.5 이상), 이를 이용하여 단차가 있는 층간절연막의 고평탄화가 가능함을 알 수 있다.

Claims (8)

  1. 세리아 0.2 내지 5중량%;
    pH 조절제;
    pH 완충제;
    물; 및
    하기 화학식 1로 표시되는 이온성 액체 0.05 내지 5 중량%를 포함하는,
    단차가 있는 반도체 층간절연막 연마용 화학-기계적 연마 슬러리 조성물.
    [화학식 1]
    Figure 112019030450365-pat00025

    상기 화학식 1에서, R1 및 R2는 각각 독립적으로, 탄소수 1 내지 10의 알킬기이고, X-는 BF4 -, PF6 -, (CF3SO2)2N-, CF3SO2 -, CF3COO-, (CN)2N-, SCN-, FeCl4 -, (CH3O)2PO2 - 및
    Figure 112019030450365-pat00049
    로 이루어진 군으로부터 선택되는 1가 음이온을 나타낸다.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 이온성 액체는, 하기 화학식 1b 내지 1l 및 화학식 1t 내지 1u로 표시되는 이온성 액체로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인, 화학-기계적 연마 슬러리 조성물.
    [화학식 1b]
    Figure 112019030450365-pat00028

    [화학식 1c]
    Figure 112019030450365-pat00029

    [화학식 1d]
    Figure 112019030450365-pat00030

    [화학식 1e]
    Figure 112019030450365-pat00031

    [화학식 1f]
    Figure 112019030450365-pat00032

    [화학식 1g]
    Figure 112019030450365-pat00033

    [화학식 1h]
    Figure 112019030450365-pat00034

    [화학식 1i]
    Figure 112019030450365-pat00035

    [화학식 1j]
    Figure 112019030450365-pat00036

    [화학식 1k]
    Figure 112019030450365-pat00037

    [화학식 1l]
    Figure 112019030450365-pat00038

    [화학식 1t]
    Figure 112019030450365-pat00046

    [화학식 1u]
    Figure 112019030450365-pat00047
  4. 제1항에 있어서, 전체 화학-기계적 연마 슬러리 조성물에 대하여, 상기 pH 조절제의 함량은 0.05 내지 10중량%이고, 상기 pH 완충제의 함량은 0.05 내지 10중량%이고, 상기 이온성 액체의 함량은 0.05 내지 5 중량%이며, 나머지는 물인 것인, 화학-기계적 연마 슬러리 조성물.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서, 상기 pH 조절제는 인산, 염산, 황산, 질산, 암모니아, 수산화칼륨, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드, 테트라에틸암모늄 하이드록사이드, 테트라부틸암모늄 하이드록사이드 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인, 화학-기계적 연마 슬러리 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 상기 pH 완충제는 불포화 카르복실산의 중합체, 그의 암모늄염 또는 아민염, 불포화 카르복실산 단량체들과 공중합성 단량체와의 공중합체, 그의 암모늄염 또는 아민염 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 수용성 고분자인 것인, 화학-기계적 연마 슬러리 조성물.
  8. 제1항에 있어서, 상기 물은 증류수, 탈이온수 또는 초순수인 것인, 화학-기계적 연마 슬러리 조성물.
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