RU2009128240A - Полупроводниковый светоизлучающий прибор, выполненный с возможностью излучения множества длин волн света - Google Patents

Полупроводниковый светоизлучающий прибор, выполненный с возможностью излучения множества длин волн света Download PDF

Info

Publication number
RU2009128240A
RU2009128240A RU2009128240/28A RU2009128240A RU2009128240A RU 2009128240 A RU2009128240 A RU 2009128240A RU 2009128240/28 A RU2009128240/28 A RU 2009128240/28A RU 2009128240 A RU2009128240 A RU 2009128240A RU 2009128240 A RU2009128240 A RU 2009128240A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
emitting layer
layer
columns
light emitting
light
Prior art date
Application number
RU2009128240/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Джеймс К. КИМ (US)
Джеймс К. КИМ
Сунгсоо И (US)
Сунгсоо И
Original Assignee
ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи (US)
ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи
Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl)
Конинклейке Филипс Электроникс Н.В.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи (US), ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи, Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. (Nl), Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. filed Critical ФИЛИПС ЛЬЮМИЛДЗ ЛАЙТИНГ КОМПАНИ, ЭлЭлСи (US)
Publication of RU2009128240A publication Critical patent/RU2009128240A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
    • H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/08—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a plurality of light emitting regions, e.g. laterally discontinuous light emitting layer or photoluminescent region integrated within the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/12—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Luminescent Compositions (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Non-Portable Lighting Devices Or Systems Thereof (AREA)

Abstract

1. Прибор, содержащий ! слой 24 маски, имеющий множество отверстий; ! III-нитридную структуру, содержащую ! множество столбиков из полупроводникового материала, соответствующих отверстиям в слое маски, причем каждый столбик содержит светоизлучающий слой 28, при этом множество столбиков разделены изолирующим материалом 25; ! при этом ! каждый светоизлучающий слой расположен между областью 26 n-типа и областью 30 р-типа; ! первый светоизлучающий слой, расположенный в первом столбике, выполнен с возможностью излучения света с иной длиной волны, чем второй светоизлучающий слой, расположенный во втором столбике; и ! первый столбик имеет иной диаметр, чем второй столбик. ! 2. Прибор по п.1, в котором III-нитридная структура дополнительно содержит плоский слой полупроводникового материала 32, расположенный поверх множества столбиков. ! 3. Прибор по п.1, в котором, по меньшей мере, 90% сечения множества столбиков в плоскости, параллельной поверхности слоя маски, занято столбиками. ! 4. Прибор по п.1, в котором часть столбиков выполнена с возможностью излучения синего света, часть столбиков выполнена с возможностью излучения зеленого света и часть столбиков выполнена с возможностью излучения красного света. ! 5. Прибор по п.1, в котором первый светоизлучающий слой 28 имеет иное содержание InN, чем второй светоизлучающий слой 28. ! 6. Прибор по п.1, в котором слой 24 маски содержит кремний и азот. ! 7. Прибор по п.1, в котором каждый из столбиков имеет диаметр менее 150 нм. ! 8. Прибор по п.1, в котором столбики имеют высоту между 50 нм и 3 мкм. ! 9. Прибор по п.1, в котором изолирующим материалом 25 является воздух. ! 10. Прибор по п.1, в котором светоизлучающий сло�

Claims (13)

1. Прибор, содержащий
слой 24 маски, имеющий множество отверстий;
III-нитридную структуру, содержащую
множество столбиков из полупроводникового материала, соответствующих отверстиям в слое маски, причем каждый столбик содержит светоизлучающий слой 28, при этом множество столбиков разделены изолирующим материалом 25;
при этом
каждый светоизлучающий слой расположен между областью 26 n-типа и областью 30 р-типа;
первый светоизлучающий слой, расположенный в первом столбике, выполнен с возможностью излучения света с иной длиной волны, чем второй светоизлучающий слой, расположенный во втором столбике; и
первый столбик имеет иной диаметр, чем второй столбик.
2. Прибор по п.1, в котором III-нитридная структура дополнительно содержит плоский слой полупроводникового материала 32, расположенный поверх множества столбиков.
3. Прибор по п.1, в котором, по меньшей мере, 90% сечения множества столбиков в плоскости, параллельной поверхности слоя маски, занято столбиками.
4. Прибор по п.1, в котором часть столбиков выполнена с возможностью излучения синего света, часть столбиков выполнена с возможностью излучения зеленого света и часть столбиков выполнена с возможностью излучения красного света.
5. Прибор по п.1, в котором первый светоизлучающий слой 28 имеет иное содержание InN, чем второй светоизлучающий слой 28.
6. Прибор по п.1, в котором слой 24 маски содержит кремний и азот.
7. Прибор по п.1, в котором каждый из столбиков имеет диаметр менее 150 нм.
8. Прибор по п.1, в котором столбики имеют высоту между 50 нм и 3 мкм.
9. Прибор по п.1, в котором изолирующим материалом 25 является воздух.
10. Прибор по п.1, в котором светоизлучающий слой 28 имеет толщину более 50 ангстрем.
11. Прибор по п.1, в котором светоизлучающий слой 28 легирован кремнием до концентрации примеси между 1·1018 см-3 и 1·1020 см-3.
12. Прибор по п.1, дополнительно содержащий: контакты 68, 70, электрически соединенные с областью n-типа и областью р-типа; и крышку 108, расположенную поверх III-нитридной полупроводниковой структуры.
13. Прибор по п.1, в котором кристаллическая структура в первом светоизлучающем слое является менее деформированной, чем кристаллическая структура во втором светоизлучающем слое.
RU2009128240/28A 2006-12-22 2007-12-20 Полупроводниковый светоизлучающий прибор, выполненный с возможностью излучения множества длин волн света RU2009128240A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/615,601 2006-12-22
US11/615,601 US20080149946A1 (en) 2006-12-22 2006-12-22 Semiconductor Light Emitting Device Configured To Emit Multiple Wavelengths Of Light

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2009128240A true RU2009128240A (ru) 2011-01-27

Family

ID=39387249

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2009128240/28A RU2009128240A (ru) 2006-12-22 2007-12-20 Полупроводниковый светоизлучающий прибор, выполненный с возможностью излучения множества длин волн света

Country Status (11)

Country Link
US (3) US20080149946A1 (ru)
EP (1) EP2095435B1 (ru)
JP (1) JP5189106B2 (ru)
KR (1) KR101358701B1 (ru)
CN (1) CN101675534B (ru)
AT (1) ATE489733T1 (ru)
BR (1) BRPI0721111A2 (ru)
DE (1) DE602007010827D1 (ru)
RU (1) RU2009128240A (ru)
TW (1) TWI536599B (ru)
WO (1) WO2008078297A2 (ru)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101443265B (zh) * 2006-03-08 2014-03-26 昆南诺股份有限公司 在硅上无金属合成外延半导体纳米线的方法
KR20090096704A (ko) * 2006-12-22 2009-09-14 큐나노 에이비 직립 나노와이어 구조를 갖는 ｌｅｄ 및 이를 제조하는 방법
US8183587B2 (en) * 2006-12-22 2012-05-22 Qunano Ab LED with upstanding nanowire structure and method of producing such
US8049203B2 (en) 2006-12-22 2011-11-01 Qunano Ab Nanoelectronic structure and method of producing such
US8227817B2 (en) * 2006-12-22 2012-07-24 Qunano Ab Elevated LED
US7663148B2 (en) * 2006-12-22 2010-02-16 Philips Lumileds Lighting Company, Llc III-nitride light emitting device with reduced strain light emitting layer
WO2008085129A1 (en) 2007-01-12 2008-07-17 Qunano Ab Nitride nanowires and method of producing such
DE102008035784A1 (de) 2008-07-31 2010-02-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
US8716723B2 (en) * 2008-08-18 2014-05-06 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Reflective layer between light-emitting diodes
US9293656B2 (en) * 2012-11-02 2016-03-22 Epistar Corporation Light emitting device
WO2010044129A1 (ja) * 2008-10-17 2010-04-22 国立大学法人北海道大学 半導体発光素子アレー、およびその製造方法
US20110079766A1 (en) * 2009-10-01 2011-04-07 Isaac Harshman Wildeson Process for fabricating iii-nitride based nanopyramid leds directly on a metalized silicon substrate
US8692261B2 (en) 2010-05-19 2014-04-08 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device grown on a relaxed layer
KR20110131801A (ko) * 2010-05-31 2011-12-07 삼성전자주식회사 발광 소자 및 다중 파장의 광을 만드는 방법
JP5390472B2 (ja) * 2010-06-03 2014-01-15 株式会社東芝 半導体発光装置及びその製造方法
CN106159055B (zh) * 2010-10-12 2019-04-23 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有减小的外延应力的发光器件
CN102054916B (zh) * 2010-10-29 2012-11-28 厦门市三安光电科技有限公司 反射器及其制作方法，以及包含该反射器的发光器件
CN108198749A (zh) * 2010-11-04 2018-06-22 皇家飞利浦电子股份有限公司 基于结晶弛豫结构的固态发光器件
KR101591991B1 (ko) 2010-12-02 2016-02-05 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조 방법
EP2509120A1 (en) 2011-04-05 2012-10-10 Imec Semiconductor device and method
JP6196987B2 (ja) 2012-02-14 2017-09-13 ヘキサジェム アーベー 窒化ガリウムナノワイヤに基づくエレクトロニクス
CN103367584B (zh) 2012-03-30 2017-04-05 清华大学 发光二极管及光学元件
CN103367383B (zh) 2012-03-30 2016-04-13 清华大学 发光二极管
CN103367585B (zh) * 2012-03-30 2016-04-13 清华大学 发光二极管
CN103367560B (zh) * 2012-03-30 2016-08-10 清华大学 发光二极管的制备方法
US9054233B2 (en) 2013-06-07 2015-06-09 Glo Ab Multicolor LED and method of fabricating thereof
US10483319B2 (en) 2014-08-08 2019-11-19 Glo Ab Pixilated display device based upon nanowire LEDs and method for making the same
KR102227771B1 (ko) 2014-08-25 2021-03-16 삼성전자주식회사 나노구조 반도체 발광소자
US9620559B2 (en) 2014-09-26 2017-04-11 Glo Ab Monolithic image chip for near-to-eye display
JP2016081562A (ja) 2014-10-09 2016-05-16 ソニー株式会社 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器
KR20180133436A (ko) * 2016-05-04 2018-12-14 글로 에이비 상이한 색상의 led를 포함하는 일체형 다색 직시형 디스플레이와 이의 제조 방법
EP3869383B1 (en) 2020-02-20 2023-07-19 Continental Automotive Technologies GmbH Method for identifying a passive rfid card

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5055894A (en) * 1988-09-29 1991-10-08 The Boeing Company Monolithic interleaved LED/PIN photodetector array
EP0732754B1 (en) * 1995-03-17 2007-10-31 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device using group III nitride compound
FR2734097B1 (fr) * 1995-05-12 1997-06-06 Thomson Csf Laser a semiconducteurs
JP4032264B2 (ja) * 1997-03-21 2008-01-16 ソニー株式会社 量子細線を有する素子の製造方法
WO1998019375A1 (fr) * 1996-10-30 1998-05-07 Hitachi, Ltd. Machine de traitement optique de l'information et dispositif a semi-conducteur emetteur de lumiere afferent
US5795798A (en) * 1996-11-27 1998-08-18 The Regents Of The University Of California Method of making full color monolithic gan based leds
US6274924B1 (en) 1998-11-05 2001-08-14 Lumileds Lighting, U.S. Llc Surface mountable LED package
US6204523B1 (en) * 1998-11-06 2001-03-20 Lumileds Lighting, U.S., Llc High stability optical encapsulation and packaging for light-emitting diodes in the green, blue, and near UV range
US6534791B1 (en) * 1998-11-27 2003-03-18 Lumileds Lighting U.S., Llc Epitaxial aluminium-gallium nitride semiconductor substrate
JP2001267242A (ja) * 2000-03-14 2001-09-28 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体及びその製造方法
NO20014399L (no) * 2000-11-29 2002-05-30 Hewlett Packard Co En datastruktur og lagrings- og hentemetode som stötter ordinal-tallbasert datasöking og henting
US6818465B2 (en) 2001-08-22 2004-11-16 Sony Corporation Nitride semiconductor element and production method for nitride semiconductor element
US7071494B2 (en) * 2002-12-11 2006-07-04 Lumileds Lighting U.S. Llc Light emitting device with enhanced optical scattering
WO2004087564A1 (en) * 2003-04-04 2004-10-14 Startskottet 22286 Ab Precisely positioned nanowhiskers and nanowhisker arrays and method for preparing them
US7098589B2 (en) * 2003-04-15 2006-08-29 Luminus Devices, Inc. Light emitting devices with high light collimation
US6995389B2 (en) * 2003-06-18 2006-02-07 Lumileds Lighting, U.S., Llc Heterostructures for III-nitride light emitting devices
DE10327733C5 (de) * 2003-06-18 2012-04-19 Limo Patentverwaltung Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zur Formung eines Lichtstrahls
KR100525545B1 (ko) * 2003-06-25 2005-10-31 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
EP3166152B1 (en) 2003-08-19 2020-04-15 Nichia Corporation Semiconductor light emitting diode and method of manufacturing its substrate
JP4457609B2 (ja) * 2003-08-26 2010-04-28 豊田合成株式会社 窒化ガリウム（ＧａＮ）の製造方法
KR100641989B1 (ko) * 2003-10-15 2006-11-02 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자
US7122827B2 (en) * 2003-10-15 2006-10-17 General Electric Company Monolithic light emitting devices based on wide bandgap semiconductor nanostructures and methods for making same
US7012279B2 (en) * 2003-10-21 2006-03-14 Lumileds Lighting U.S., Llc Photonic crystal light emitting device
WO2005071764A1 (ja) 2004-01-23 2005-08-04 Hoya Corporation 量子ドット分散発光素子およびその製造方法
US7132677B2 (en) * 2004-02-13 2006-11-07 Dongguk University Super bright light emitting diode of nanorod array structure having InGaN quantum well and method for manufacturing the same
US20050205883A1 (en) * 2004-03-19 2005-09-22 Wierer Jonathan J Jr Photonic crystal light emitting device
US20050225222A1 (en) * 2004-04-09 2005-10-13 Joseph Mazzochette Light emitting diode arrays with improved light extraction
US8035113B2 (en) * 2004-04-15 2011-10-11 The Trustees Of Boston University Optical devices featuring textured semiconductor layers
JP2007533164A (ja) * 2004-04-15 2007-11-15 トラスティーズ オブ ボストン ユニバーシティ テクスチャ出しされた半導体層を特徴とする光学装置
TWI433343B (zh) 2004-06-22 2014-04-01 Verticle Inc 具有改良光輸出的垂直構造半導體裝置
KR100649494B1 (ko) * 2004-08-17 2006-11-24 삼성전기주식회사 레이저를 이용하여 발광 다이오드 기판을 표면 처리하는발광 다이오드 제조 방법 및 이 방법에 의해 제조된 발광다이오드
US7633097B2 (en) * 2004-09-23 2009-12-15 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Growth of III-nitride light emitting devices on textured substrates
US20060223211A1 (en) * 2004-12-02 2006-10-05 The Regents Of The University Of California Semiconductor devices based on coalesced nano-rod arrays
DE102004062799A1 (de) * 2004-12-20 2006-06-29 Ensinger Kunststofftechnologie GbR (vertretungsberechtigter Gesellschafter Wilfried Ensinger, 71154 Nufringen) Kunststoffmaterial zur Herstellung von Halteringen
KR100580751B1 (ko) * 2004-12-23 2006-05-15 엘지이노텍 주식회사 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
US7804100B2 (en) 2005-03-14 2010-09-28 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Polarization-reversed III-nitride light emitting device
KR100631980B1 (ko) 2005-04-06 2006-10-11 삼성전기주식회사 질화물 반도체 소자
US20070243703A1 (en) * 2006-04-14 2007-10-18 Aonex Technololgies, Inc. Processes and structures for epitaxial growth on laminate substrates
WO2010002004A1 (ja) * 2008-07-04 2010-01-07 保土谷化学工業株式会社 炭素繊維及び複合材料

Also Published As

Publication number Publication date
US9911896B2 (en) 2018-03-06
WO2008078297A3 (en) 2008-10-23
CN101675534B (zh) 2012-09-05
KR20090094162A (ko) 2009-09-03
TW200843148A (en) 2008-11-01
DE602007010827D1 (de) 2011-01-05
US10312404B2 (en) 2019-06-04
EP2095435B1 (en) 2010-11-24
ATE489733T1 (de) 2010-12-15
WO2008078297A2 (en) 2008-07-03
BRPI0721111A2 (pt) 2014-03-04
US20080149946A1 (en) 2008-06-26
TWI536599B (zh) 2016-06-01
KR101358701B1 (ko) 2014-02-07
JP2010514190A (ja) 2010-04-30
US20100264454A1 (en) 2010-10-21
JP5189106B2 (ja) 2013-04-24
CN101675534A (zh) 2010-03-17
US20180175236A1 (en) 2018-06-21
EP2095435A2 (en) 2009-09-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2009128240A (ru) Полупроводниковый светоизлучающий прибор, выполненный с возможностью излучения множества длин волн света
RU2012103169A (ru) Светоизлучающий прибор на основе нитрида элемента iii группы со светоизлучающим слоем с уменьшенными напряжениями
JP4978014B2 (ja) 半導体発光装置及びその製造方法
RU2011116095A (ru) Полупроводниковые светоизлучающие устройства, выращенные на композитных подложках
US20130221320A1 (en) Led with embedded doped current blocking layer
KR101351484B1 (ko) 질화물계 반도체 전방향 리플렉터를 구비한 발광소자
US20190280155A1 (en) Semiconductor light emitting device
US20150079716A1 (en) Light emitting diode and method for manufacturing the same
US8704252B2 (en) Light emitting device
US9466642B2 (en) Light emitting diode having multi-junction structure and method of fabricating the same
KR20090010623A (ko) 발광다이오드 소자
TW201312741A (zh) 固態光源模組及固態光源陣列
KR20090011372A (ko) 반도체 발광소자 및 이의 제조방법, 반도체 발광 소자패키지
KR101525913B1 (ko) 수직구조 발광다이오드 및 이의 제조방법
US20140240975A1 (en) Light emitting device
US7868337B2 (en) Light emitting diode and method for manufacturing the same
US7888152B2 (en) Method of forming laterally distributed LEDs
KR101628233B1 (ko) 발광 다이오드 및 이를 포함하는 발광 소자 패키지
KR100985720B1 (ko) 발광소자 패키지의 제조 방법
KR20140024791A (ko) 발광 소자 및 발광 소자 패키지
TWI447942B (zh) 軸對稱發光二極體之製造方法
US20230215846A1 (en) Light emitting device and light emitting module including the same
KR100608919B1 (ko) 발광 소자 및 이의 제조 방법
KR102432225B1 (ko) 발광소자 및 이를 포함하는 조명시스템
US8921828B2 (en) Light emitting diode with multiple quantum well structure

Legal Events

Date Code Title Description
FA94 Acknowledgement of application withdrawn (non-payment of fees)

Effective date: 20130128