KR101351484B1 - 질화물계 반도체 전방향 리플렉터를 구비한 발광소자 - Google Patents

질화물계 반도체 전방향 리플렉터를 구비한 발광소자 Download PDF

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KR101351484B1
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Abstract

질화물계 반도체 리플렉터를 구비한 발광소자가 개시된다. 개시된 질화물계 반도체 리플렉터를 구비한 발광소자는, 질화물계 리플렉터와 상기 질화물계 리플렉터 상의 발광부를 포함한다.
상기 질화물계 리플렉터는 언도프 질화물 반도체층과 고농도로 도핑된 질화물 반도체층이 교대로 적층되며, 상기 고농도 질화물 반도체층은 가장자리로부터 식각이 되어서 이웃하는 언도프 질화물 반도체층 사이에 에어층이 형성된다.

Description

질화물계 반도체 전방향 리플렉터를 구비한 발광소자{Light emitting device having nitride-based semiconductor omnidirectional reflector}
본 발명은 굴절률 차이가 높은 두개의 질화물계 반도체층이 교대로 형성된 전방향 리플렉터를 포함한 발광소자에 관한 것이다.
발광소자 칩(light emitting device chip), 예를 들면, 발광다이오드(Light Emitting Diode; LED)는 화합물 반도체(compound semiconductor)의 PN접합을 통해 발광원을 구성함으로써 다양한 색의 빛을 구현할 수 있는 반도체 소자를 말한다. 발광다이오드는 수명이 길고, 소형화 및 경량화가 가능하며, 빛의 지향성이 강하여 저전압 구동이 가능하다는 장점이 있다. 또한, 발광다이오드는 충격 및 진동에 강하고, 예열시간과 복잡한 구동이 불필요하며, 다양한 형태로 패키징할 수 있어 여러가지 용도로 적용이 가능하다.
이종 기판 위에 성장한 GaN LED의 경우 한쪽 방향으로 빛을 효과적으로 추출하기 위해 발광부에서 광추출 방향과 반대방향으로 리플렉터를 배치한다. 금속 물질로 된 리플렉터를 증착시 100%에 가까운 반사율을 얻기 어려우며, 서로 다른 굴절률을 가지는 물질을 교차적으로 증착시에는 그 위에 증착되는 발광부와의 부정합으로 양질의 발광부를 성장시키기가 어려우며, 또한, 이웃하는 층들 간의 굴절률 차이가 적어 많은 상의 구조가 요구되므로, 리플렉터 성장에 따른 제조시간이 증가된다.
본 발명은 이웃하는 층들 사이의 굴절률 차이가 큰 질화물 반도체 적층구조로 이루어진 전방향 리플렉터를 포함하는 발광소자를 제공한다.
일 실시예에 따른 질화물계 반도체 전방향 리플렉터를 구비한 발광소자는:
질화물계 리플렉터; 및
상기 질화물계 리플렉터 상의 발광부;를 구비하며,
상기 질화물계 리플렉터는 언도프 질화물 반도체층과 고농도로 도핑된 질화물 반도체층이 교대로 적층되며, 상기 고농도 질화물 반도체층은 가장자리로부터 식각이 되어서 이웃하는 언도프 질화물 반도체층 사이에 에어층이 형성된다.
상기 질화물계 리플렉터는 GaN으로 이루어질 수 있다.
상기 질화물계 리플렉터는 5~10층의 언도프 질화물 반도체층과, 상기 언도프 질화물 반도체층 사이에 배치된 고농도로 도핑된 질화물 반도체층을 포함할 수 있다.
상기 고농도 질화물 반도체층의 면적은 상기 고농도 질화물 반도체층과 상기 에어층의 전체 면적에 대해서 10~20%를 차지할 수 있다.
상기 에어층의 높이는 100-200 nm일 수 있다.
상기 언도프 질화물 반도체층의 높이는 20-100 nm일 수 있다.
상기 발광부는 상기 질화물계 리플렉터의 최상층에서 성장된다.
다른 실시예에 따른 질화물계 반도체 전방향 리플렉터를 구비한 발광소자는:
질화물계 리플렉터; 및
상기 질화물계 리플렉터 상의 발광부;를 구비하며,
상기 질화물계 리플렉터는 언도프 질화물 반도체층과 고농도로 도핑된 질화물 반도체층이 교대로 적층되며, 상기 고농도 질화물 반도체층은 복수의 기공을 포함한다.
본 발명의 실시예에 따르면, 이웃하는 질화물 반도체층 사이의 굴절률 차이가 커서 적은 쌍으로도 반사율이 큰 전방향 리플렉터가 구현된다.
또한, 질화물계 반도체 전방향 리플렉터 상에서 성장된 발광부는 발광소자 칩별로 성장하므로 성장시 응력 및 내부결함이 줄어 내부 광효율이 향상된다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 발광소자의 구조를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 실시예에 따른 발광소자를 제조하는 방법을 단계별로 보여주는 단면도들이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광소자의 일 예를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 각 구성요소의 크기나 두께는 설명의 명료성을 위하여 과장되어 있을 수 있다. 이하에서 “상” 또는 “위”라는 용어는 어떤 층 위에 직접 접촉되어 배치된 경우뿐만 아니라 접촉되지 않고 떨어져 위에 배치되는 경우, 다른 층을 사이에 두고 위에 배치되는 경우 등을 포함할 수 있다.
도 1은 본 발명에서의 발광소자(100)의 일 예를 개략적으로 보여주는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 발광소자(100)는 기판(110) 상에 형성된 GaN 계열의 리플렉터(130)와, 리플렉터(130) 상에 형성된 발광부(150)를 포함한다. 기판(110)은 예컨대 실리콘 또는 사파이어로 이루어질 수 있다.
기판(110) 상에는 리플렉터(130)와의 사이에 GaN 으로 이루어진 버퍼층(112)과, 그 위에 순차적으로 적층된 한 쌍의 GaN층이 형성될 수 있다. 버퍼층(112) 상에는 불순물이 도핑되지 않은 GaN층(114)과 그 위의 n-GaN층(116)이 형성될 수 있다.
버퍼층(112)은 그 위에 에피성장되는 GaN층(114, 116)과 격자 정합이 되는 물질로 형성되며, 예컨대, GaN층으로 형성될 수 있다. 버퍼층(112)은 불순물이 도핑되지 않은 층일 수 있다. 버퍼층(112)이 GaN으로 이루어진 경우, GaN층(114)은 생략될 수 있다.
n-GaN층(116) 상에는 GaN 물질로된 리플렉터(130)가 형성된다. 리플렉터(130)는 저농도 또는 불순물이 도핑되지 않은 제1 GaN층(131)과 그 위의 n도핑된 제2 GaN층(132)이 교대로 반복적으로 형성된 층일 수 있다. 리플렉터(130)의 최상층은 제1 GaN층(131)으로 형성된다. 제2 GaN층(132)의 불순물 농도는 1019 cm-3 이상일 수 있으며, 제1 GaN층(131)의 불순물 농도는 1017 cm-3 이하일 수 있다. 이하에서는 제1 GaN층(131)을 언도프 GaN층으로도 칭한다.
리플렉터(130)는 예컨대 5~10층의 제1 GaN층(131)과 제1 GaN층(131) 사이에 각각 형성된 제2 GaN층(132)로 이루어질 수 있다. 도 1에서는 편의상 3개의 제1 GaN층(131)과 그 사이에 형성된 2개의 제2 GaN층(132)을 도시하였다. 리플렉터(130)의 제2 GaN층(132)은 이웃하는 제1 GaN층(131) 사이에서 가장자리가 식각된 상태이다. 즉, 공기가 채워지는 공간을 포함한다. 이 공기가 채워진 공간은 이하에서는 에어층(134)이라 일컫는다. 에어층(134)은 제1 GaN층(131)과의 굴절률의 차이를 가져오며, 이는 발광부(150)로부터의 광을 반사하는 리플렉터(130)로 작용하여 상기 광을 상방향(도 1에서 볼 때)으로 반사되게 한다.
에어층(134)으로 둘러쌓인 제2 GaN층(132)은 제1 GaN층(131)과의 굴절률의 차이가 거의 없으므로 리플렉터(130)로서의 효율이 상대적으로 에어층(134) 보다 낮다. 따라서, 에어층(134)의 면적이 그 사이의 제2 GaN층(132)의 면적 보다 넓게 형성되어야 리플렉터(130)의 반사 효율이 향상된다. 제2 GaN층(132)은 에어층(134)과 제2 GaN층(132)을 포함하는 면적의 대략 10~20% 를 차지하도록 형성될 수 있다. 이 면적비가 10% 보다 작은 경우, 리플렉터(130)의 구조가 안정적이지 못하여 쉽게 부서질 수 있다. 이 면적비가 20% 보다 큰 경우 리플렉터(130)의 반사효율이 감소된다.
에어층(134)의 면적은 후술되는 전기화학적 식각(eletro-chemical etching)시 인가되는 전압과, 제2 GaN층(132)의 도핑농도와, 식각 시간에 따라 조절될 수 있다.
에어층(134)의 높이, 즉 제1 GaN층(131) 사이의 제2 GaN층(132)의 높이는 대략 100-200nm 일 수 있다. 제1 GaN층(131)의 높이는 대략 20-100nm 일 수 있다.
리플렉터(130)는 굴절률 차이가 큰 층들이 적층되므로 전방향으로 광을 거의 100% 반사하며, 전방향 리플렉터로 칭할 수 있다.
발광부(150)는 리플렉터(130)의 최상층의 제1 GaN층(131) 상에 형성된다. 발광부(150)는 제1 GaN층(131) 상에서 에피성장된다. 발광부(150)는 제1 GaN층(131) 상의 n형 반도체층(152) 및 p형 반도체층(156), 그리고 그 사이에 마련된 활성층(154)을 포함할 수 있다. P형 반도체층(156) 상에는 p형 전극(161)이 형성되며, n형 반도체층(152)에는 n형 전극(162)이 연결된다. 본 발명의 일 실시예에서는 p형 반도체층(156) 및 활성층(154)이 메사 형상으로 식각되어서 n형 반도체층(152)의 일부가 노출되며, 노출된 n형 반도체층(152) 상에 n형 전극(162)이 형성된다.
n형 반도체층(152)은 n형 불순물로 도핑된 질화물 반도체로 형성될 수 있다. 즉, n형 반도체층(152)은 AlxInyGa(1-x-y)N (여기서, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1임)을 갖는 반도체 재료를 n형 불순물로 도핑하여 형성될 수 있다. n형 반도체층(152)을 형성하는 상기 질화물 반도체는 예를 들어, GaN, AlGaN, InGaN 등을 포함할 수 있으며, 상기 n형 불순물은 예를 들어, Si, Ge, Se, Te 등을 포함할 수 있다. 그리고, n형 반도체층(152)은 유기 금속 화학 증착법(metal-organic chemical vapor deposition, MOCVD), 수소 기상 증착법(hydride vapor phase epitaxy, HVPE), 분자빔에피택시법(molecular beam epitaxy, MBE) 등으로 성장될 수 있다.
활성층(154)은 전자와 정공의 재결합에 의해 소정의 에너지를 갖는 빛을 방출하며, 인듐 함량에 따라 밴드갭 에너지가 조절되도록 InxGa1-xN(0≤x≤1) 등의 반도체 재료로 형성될 수 있다. 또한, 활성층(154)은 양자 장벽층과 양자 우물층이 서로 교대로 적층된 다중 양자 우물(multi-quantumn well, MQW)층일 수 있다.
p형 반도체층(156)은 p형 불순물로 도핑된 질화물 반도체로 형성될 수 있다. 즉, p형 반도체층(156)은 AlxInyGa(1-x-y)N 조성식(여기서, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1임)을 갖는 반도체 재료를 p형 불순물로 도핑하여 형성될 수 있다. p형 반도체층(156)을 형성하는 상기 질화물 반도체는 예를 들어, GaN, AlGaN, InGaN 등을 포함할 수 있으며, 상기 p형 불순물은 예를 들어, Mg, Zn, Be 등을 포함할 수 있다. 그리고, p형 반도체층(156)은 MOCVD, HVPE, MBE 등으로 성장될 수 있다.
일 실시예에 따른 발광소자(100)는 발광부(150) 하부에 형성된 GaN 계 리플렉터(130)에 의해 활성층(154)에서 생성된 광이 리플렉터(130)에서 반사되어서 상부 방향(도 1을 기준으로)으로 방출되므로, 광추출 효율이 향상된다.
또한, 웨이퍼 레벨에서 작은 칩 크기의 발광소자(100)를 형성하므로, 응력 및 내부결함이 감소되어서 광추출 효율이 높은 발광소자를 제조할 수 있다.
도 2a 내지 도 2e는 본 발명의 실시예에 따른 발광소자(200)를 제조하는 방법을 단계별로 보여주는 단면도들이다.
도 2a를 참조하면, 기판(210) 상에 GaN 으로 이루어진 버퍼층(212)과, 그 위에 불순물이 도핑되지 않거나 또는 불순물, 예컨대 n형 불순물이 저농도로 도핑된 제1 GaN층(231)과 n형 불순물이 고농도로 도핑된 제2 GaN층(232)을 교차적으로 형성한다. 제1 GaN층(231)은 6-11층일 수 있으며, 제2 GaN층(232)은 5-10층일 수 있다. 편의상 도 2a 및 이하에서는 4개의 제1 GaN층(231)과 그 사이의 3개의 제2 GaN층(232)을 도시하였다.
버퍼층(212)은 그 위에 에피성장되는 GaN층과 격자 정합이 되는 물질로 형성되며, 예컨대, GaN층으로 형성될 수 있다. 버퍼층(212)은 불순물이 도핑되지 않은 층일 수 있다. 버퍼층(212)과 그 위의 제1 GaN층(231)은 하나의 층으로 볼 수도 있다. 버퍼층(212)과 그 위의 GaN층들은 불순물 농도를 달리하면서 연속적으로 에피성장하여 형성될 수 있다.
제1 GaN층(231)은 대략 20-100 nm 높이로 형성될 수 있으며, 제2 GaN층(232)은 대략 100-200 nm 높이로 형성될 수 있다.
도 2b를 참조하면, 최상층 상의 제2 GaN층(232) 상에 포토레지스트 패턴(240)을 형성한다. 포토레지스트 패턴(240)은 다양한 형상일 수 있다. 예컨대, 원형, 타원형, 사각형 등일 수 있다.
이어서, 포토레지스트 패턴(240)에 노출된 제1 GaN층(231)과 제2 GaN층(232)을 순차적으로 식각하되, 최하위층의 제1 GaN층(231)과 그 하부의 제2 GaN층(232)은 식각하지 않는다. 이러한 식각과정은 식각 시간을 조절하여 수행할 수 있다. 포토레지스트 패턴(240)과 같은 형상의 제1 GaN층(233)과 제2 GaN층(234)이 형성된다.
도 2b에서는 편의상 하나의 포토레지스트 패턴(240)을 도시하였지만, 실제는 하나의 웨이퍼 상에서 복수의 포토레지스트 패턴(240)을 형성하고 이하의 공정을 수행할 수 있다.
도 2c를 참조하면, 포토레지스트 패턴(240)을 제거한다. 노출된 최하위층의 제2 GaN층(232) 상에 제1전극(242)을 형성한다. 제1전극(242)은 패터닝된 제1 GaN층(233)의 주위를 감싸도록 형성된다.
이어서, 측면으로 노출된 제2 GaN층(234)을 전기화학적 식각으로 측면식각을 한다. 구체적으로, 기판(210)을 소정의 식각용액, 예컨대 옥살산 용액이 담긴 용기(미도시)에 넣고 제1전극(242)과 용기에 담긴 제2전극(미도시)에 각각 서로 다른 전압을 인가한다. 예컨대, 제1전극에 +전압을 인가하고, 제2전극에 -전압을 인가할 수 있다. 시간 경과에 따라서, 제2 GaN층(234)이 식각되면서 에어층(235)과 에어층(235)으로 둘러쌓인 제2 GaN층(256)이 형성된다. 도 1의 리플렉터(130)에 해당되는 리플렉터(230)이 형성된다.
제1전극(242)에 인가되는 전압 크기가 소정 전압, 예컨대 10V 보다 큰 경우 제2 GaN층(234)에 에어층(235)이 생긴다. 제2 GaN층(236)이 차지하는 면적이 에어층(235)과 제2 GaN층(236)을 포함하는 면적의 대략 10~20% 를 차지하도록 형성될 수 있다. 이 면적비가 10% 보다 작은 경우, 리플렉터(230)의 구조가 안정적이지 못하여 쉽게 부서질 수 있다. 이 면적비가 20% 보다 큰 경우 리플렉터(230)의 반사효율이 감소될 수 있다.
에어층(235)의 면적은 상술한 전기화학적 식각시 인가되는 전압과, 제2 GaN층(232)의 도핑농도와, 식각 시간에 따라 조절될 수 있다.
도 2d를 참조하면, 제1 전극(242)를 제거한 후, 최상층의 제1 GaN층(233) 상으로 발광부(250)를 에피성장시킨다. 먼저, 제1 GaN층(233) 상에 n형 반도체층(252)을 형성할 수 있다. n형 반도체층(252)은 n형 불순물로 도핑된 질화물 반도체로 형성될 수 있다. 즉, n형 반도체층(252)은 AlxInyGa(1-x-y)N 조성식(여기서, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1임)을 갖는 반도체 재료를 n형 불순물로 도핑하여 형성될 수 있다. n형 반도체층(252)을 형성하는 상기 질화물 반도체는 예를 들어, GaN, AlGaN, InGaN 등을 포함할 수 있으며, 상기 n형 불순물은 예를 들어, Si, Ge, Se, Te 등을 포함할 수 있다. 그리고, n형 반도체층(252)은 유기 금속 화학 증착법(metal-organic chemical vapor deposition, MOCVD), 수소 기상 증착법(hydride vapor phase epitaxy, HVPE), 분자빔에피택시법(molecular beam epitaxy, MBE) 등으로 성장될 수 있다.
N형 반도체층(252) 상에는 활성층(254)을 성장시킨다. 활성층(254)은 전자와 정공의 재결합에 의해 소정의 에너지를 갖는 빛을 방출하며, 인듐 함량에 따라 밴드갭 에너지가 조절되도록 InxGa1-xN(0≤x≤1) 등의 반도체 재료로 형성될 수 있다. 또한, 활성층(254)은 양자 장벽층과 양자 우물층이 서로 교대로 적층된 다중 양자 우물(multi-quantumn well, MQW)층일 수 있다.
활성층(254) 상에는 p형 반도체층(256)을 형성한다. p형 반도체층(256)은 p형 불순물로 도핑된 질화물 반도체로 형성될 수 있다. 즉, p형 반도체층(256)은 AlxInyGa(1-x-y)N 조성식(여기서, 0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1임)을 갖는 반도체 재료를 p형 불순물로 도핑하여 형성될 수 있다. p형 반도체층(256)을 형성하는 상기 질화물 반도체는 예를 들어, GaN, AlGaN, InGaN 등을 포함할 수 있으며, 상기 p형 불순물은 예를 들어, Mg, Zn, Be 등을 포함할 수 있다. 그리고, p형 반도체층(256)은 MOCVD, HVPE, MBE 등으로 성장될 수 있다.
도 2e를 참조하면, p형 반도체층(256)과 활성층(254)의 일부를 메사 식각하여 n형 반도체층(252)을 노출시킨다. 이어서 p형 반도체층(256) 상에는 p형 전극(261)을 형성하고, 노출된 n형 반도체층(252) 상에는 n형 전극(262)을 형성한다.
본 발명의 일 실시예에 따른 제조방법은 불순물의 농도를 변경하면서 동일물질로 제1 GaN층과 제2 GaN층을 교대로 성장시키므로 그 제조가 용이하다.
또한, 웨이퍼 레벨에서 기판 상에서 서로 구별되는 리플렉터 및 발광부를 포함하는 복수의 발광소자 칩을 제조할 수 있다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 따른 발광소자(300)의 일 예를 개략적으로 보여주는 단면도이다. 도 1의 구성요소와 실질적으로 동일한 구성요소에는 동일한 참조번호를 사용하고 상세한 설명은 생략한다.
도 3을 참조하면, 발광소자(300)는 기판(110) 상에 형성된 GaN 계열의 리플렉터(330)와, 리플렉터(330) 상에 형성된 발광부(150)를 포함한다. 기판(110)은 예컨대 실리콘 또는 사파이어로 이루어질 수 있다.
리플렉터(130)는 예컨대 7~15층의 제1 GaN층(131)과 제1 GaN층(131) 사이에 각각 형성된 제2 GaN층(332)로 이루어질 수 있다. 도 3에서는 편의상 3개의 제1 GaN층(131)과 그 사이에 형성된 2개의 제2 GaN층(332)을 도시하였다. 리플렉터(130)의 제2 GaN층(332)은 이웃하는 제1 GaN층(131) 사이에서 가장자리로부터 일정 영역이 부분식각되어서 내부에 기공(335)이 형성된 상태이다. 이 기공(335)이 형성된 영역은 이하에서는 기공층(334)이라 일컫는다. 기공층(334)은 제1 GaN층(131)과의 굴절률의 차이를 가져오며, 이는 발광부(150)로부터의광에 대해서 리플렉터(330)로 작용하여 상기 광을 상방향으로 반사되게 한다.
기공층(334)으로 둘러쌓인 제2 GaN층(132)은 제1 GaN층(131)과의 굴절률의 차이가 거의 없으므로 리플렉터(330)로서의 효율이 매우 낮다. 따라서, 기공층(334)의 면적이 그 사이의 제2 GaN층(132)의 면적 보다 넓게 형성되어야 리플렉터(330)의 반사 효율이 향상된다. 제2 GaN층(132)은 기공층(334)과 제2 GaN층(132)을 포함하는 면적의 15% 이하를 차지하도록 형성될 수 있다. 이 면적비가 15% 보다 큰 경우 리플렉터(330)의 반사효율이 감소된다.
기공층(334)의 면적은 상술한 전기화학적 식각시 인가되는 전압과, 제2 GaN층(132)의 도핑농도와, 식각 시간에 따라 조절될 수 있다. 특히, 기공층(334)을 형성하기 위한 인가 전압의 크기는 소정 전압, 예컨대 10V 이하의 전압이 인가된다. 이 소정의 전압 보다 큰 전압이 인가되는 경우 도 1의 구조에서의 에어층이 형성될 수 있다.
기공(335)은 대략 1-10nm 직경의 크기로 형성될 수 있다. 기공층(334)의 높이, 즉 제1 GaN층(131) 사이의 제2 GaN층(132)의 높이는 대략 100-200nm 일 수 있다. 제1 GaN층(131)의 높이는 대략 20-100nm 일 수 있다.
발광소자(300)의 다른 구조는 발광소자(100)의 구조와 그 작용은 실질적으로 동일하므로 상세한 설명은 생략한다.
상기한 실시예들은 예시적인 것에 불과한 것으로, 당해 기술분야의 통상을 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호범위는 하기의 특허청구범위에 기재된 발명의 기술적 사상에 의해 정해져야만 할 것이다.
100: 발광소자 110: 기판
112: 버퍼층 114: GaN층
116: n-GaN층 130: 리플렉터
131: 제1 GaN층 132: 제2 GaN층
134: 에어층 150: 발광부
152: n형 반도체층 154: 활성층
156: p형 반도체층 161: 제1 전극
162: 제2 전극

Claims (13)

  1. 질화물계 리플렉터; 및
    상기 질화물계 리플렉터 상의 발광부;를 구비하며,
    상기 질화물계 리플렉터는 언도프 질화물 반도체층과 고농도로 도핑된 질화물 반도체층이 교대로 적층되며, 상기 고농도 질화물 반도체층은 가장자리로부터 식각이 되어서 이웃하는 언도프 질화물 반도체층 사이에 에어층이 형성된 질화물계 반도체 전방향 리플렉터를 구비한 발광소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 질화물계 리플렉터는 GaN으로 이루어진 질화물계 반도체 전방향 리플렉터를 구비한 발광소자.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 질화물계 리플렉터는 5~10층의 언도프 질화물 반도체층과, 상기 언도프 질화물 반도체층 사이에 배치된 고농도로 도핑된 질화물 반도체층을 포함하는 질화물계 반도체 전방향 리플렉터를 구비한 발광소자.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 고농도 질화물 반도체층의 면적은 상기 고농도 질화물 반도체층과 상기 에어층의 전체 면적에 대해서 10~20%를 차지하는 질화물계 반도체 전방향 리플렉터를 구비한 발광소자.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 에어층의 높이는 100-200 nm인 질화물계 반도체 전방향 리플렉터를 구비한 발광소자.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 언도프 질화물 반도체층의 높이는 20-100 nm인 질화물계 반도체 전방향 리플렉터를 구비한 발광소자.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 발광부는 상기 질화물계 리플렉터의 최상층에서 성장된 질화물계 반도체 전방향 리플렉터를 구비한 발광소자.
  8. 질화물계 리플렉터; 및
    상기 질화물계 리플렉터 상의 발광부;를 구비하며,
    상기 질화물계 리플렉터는 언도프 질화물 반도체층과 고농도로 도핑된 질화물 반도체층이 교대로 적층되며, 상기 고농도 질화물 반도체층은 복수의 기공을 포함하는 질화물계 반도체 전방향 리플렉터를 구비한 발광소자.
  9. 청구항 9은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 8 항에 있어서,
    상기 질화물계 리플렉터는 GaN으로 이루어진 질화물계 반도체 전방향 리플렉터를 구비한 발광소자.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 질화물계 리플렉터는 7-15층의 언도프 질화물 반도체층과, 상기 언도프 질화물 반도체층 사이의 상기 고농도 도핑된 질화물 반도체층을 포함하는 질화물계 반도체 전방향 리플렉터를 구비한 발광소자.
  11. 제 8 항에 있어서,
    상기 고농도 도핑된 질화물 반도체층은 100-200nm 두께를 가지는 질화물계 반도체 전방향 리플렉터를 구비한 발광소자.
  12. 청구항 12은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 8 항에 있어서,
    상기 언도프 질화물 반도체층은 20-100nm 두께를 가지는 질화물계 반도체 전방향 리플렉터를 구비한 발광소자.
  13. 청구항 13은(는) 설정등록료 납부시 포기되었습니다.
    제 8 항에 있어서,
    상기 발광부는 상기 질화물계 리플렉터의 최상층에서 성장된 질화물계 반도체 전방향 리플렉터를 구비한 발광소자.
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