RU2009110178A - Оптическое устройство, способ изготовления мастер-копии, используемой при изготовлении оптического устройства, и фотоэлектрический преобразователь - Google Patents

Оптическое устройство, способ изготовления мастер-копии, используемой при изготовлении оптического устройства, и фотоэлектрический преобразователь Download PDF

Info

Publication number
RU2009110178A
RU2009110178A RU2009110178/28A RU2009110178A RU2009110178A RU 2009110178 A RU2009110178 A RU 2009110178A RU 2009110178/28 A RU2009110178/28 A RU 2009110178/28A RU 2009110178 A RU2009110178 A RU 2009110178A RU 2009110178 A RU2009110178 A RU 2009110178A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
optical device
structures
substrate
manufacture
manufacturing
Prior art date
Application number
RU2009110178/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2450294C2 (ru
Inventor
Сохмеи ЭНДО (JP)
Сохмеи ЭНДО
Казуя ХАЯСИБЕ (JP)
Казуя ХАЯСИБЕ
Тоору НАГАИ (JP)
Тоору НАГАИ
Икухиро ХИДЕТА (JP)
Икухиро ХИДЕТА
Тосихико СИРАСАГИ (JP)
Тосихико СИРАСАГИ
Кимитака НИСИМУРА (JP)
Кимитака НИСИМУРА
Тадао СУЗУКИ (JP)
Тадао СУЗУКИ
Original Assignee
Сони Корпорейшн (JP)
Сони Корпорейшн
Сони Диск Энд Диджитал Солюшнз Инк. (Jp)
Сони Диск Энд Диджитал Солюшнз Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сони Корпорейшн (JP), Сони Корпорейшн, Сони Диск Энд Диджитал Солюшнз Инк. (Jp), Сони Диск Энд Диджитал Солюшнз Инк. filed Critical Сони Корпорейшн (JP)
Publication of RU2009110178A publication Critical patent/RU2009110178A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2450294C2 publication Critical patent/RU2450294C2/ru

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/11—Anti-reflection coatings
    • G02B1/118—Anti-reflection coatings having sub-optical wavelength surface structures designed to provide an enhanced transmittance, e.g. moth-eye structures
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00—Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10—Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/11—Anti-reflection coatings
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
    • B29D—PRODUCING PARTICULAR ARTICLES FROM PLASTICS OR FROM SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE
    • B29D11/00—Producing optical elements, e.g. lenses or prisms
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0236—Special surface textures
    • H01L31/02366—Special surface textures of the substrate or of a layer on the substrate, e.g. textured ITO/glass substrate or superstrate, textured polymer layer on glass substrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/542—Dye sensitized solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Ophthalmology & Optometry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Diffracting Gratings Or Hologram Optical Elements (AREA)

Abstract

1. Оптическое устройство, характеризующееся тем, что !имеет множество структур с возвышенными участками или углубленными участками, расположенными с коротким шагом, равным или короче, чем длина волны видимого света, на поверхности основания, при этом: ! структуры размещены так, что образуют множество рядов в виде дугообразных дорожек на поверхности основания и образуют конфигурацию квазишестиугольной решетки, а ! структура имеет форму эллиптического конуса или усеченного эллиптического конуса, имеющего главную ось в направлении вдоль дугообразных дорожек. ! 2. Оптическое устройство по п.1, характеризующаяся тем, что ! шаг Р1 размещения структур на одной дорожке длиннее, чем шаг Р2 размещения структур между двумя соседними дорожками. ! 3. Оптическое устройство по п.1, характеризующееся тем, что ! при шаге Р1 размещения структур на одной дорожке, и шаге Р2 размещения структур между двумя соседними дорожками отношение Р1/Р2 удовлетворяет условию 1,00<Р1/Р2≤1,32. ! 4. Оптическое устройство по п.1, характеризующееся тем, что ! структуры имеют форму эллиптического конуса или усеченного эллиптического конуса, имеющего главную ось в направлении вдоль дугообразных дорожек и имеющего более крутой наклон на среднем участке, чем на верхнем и нижнем участках. ! 5. Оптическое устройство по п.1, характеризующееся тем, что ! высота или глубина структур дугообразных дорожек в направлении вдоль окружности меньше, чем высота или глубина структур дугообразных дорожек в радиальном направлении. ! 6. Оптическое устройство по п.1, характеризующееся тем, что ! отношение размеров находится в диапазоне 0,81-1,46. ! 7. Оптическое устройство по п.5, характ

Claims (21)

1. Оптическое устройство, характеризующееся тем, что
имеет множество структур с возвышенными участками или углубленными участками, расположенными с коротким шагом, равным или короче, чем длина волны видимого света, на поверхности основания, при этом:
структуры размещены так, что образуют множество рядов в виде дугообразных дорожек на поверхности основания и образуют конфигурацию квазишестиугольной решетки, а
структура имеет форму эллиптического конуса или усеченного эллиптического конуса, имеющего главную ось в направлении вдоль дугообразных дорожек.
2. Оптическое устройство по п.1, характеризующаяся тем, что
шаг Р1 размещения структур на одной дорожке длиннее, чем шаг Р2 размещения структур между двумя соседними дорожками.
3. Оптическое устройство по п.1, характеризующееся тем, что
при шаге Р1 размещения структур на одной дорожке, и шаге Р2 размещения структур между двумя соседними дорожками отношение Р1/Р2 удовлетворяет условию 1,00<Р1/Р2≤1,32.
4. Оптическое устройство по п.1, характеризующееся тем, что
структуры имеют форму эллиптического конуса или усеченного эллиптического конуса, имеющего главную ось в направлении вдоль дугообразных дорожек и имеющего более крутой наклон на среднем участке, чем на верхнем и нижнем участках.
5. Оптическое устройство по п.1, характеризующееся тем, что
высота или глубина структур дугообразных дорожек в направлении вдоль окружности меньше, чем высота или глубина структур дугообразных дорожек в радиальном направлении.
6. Оптическое устройство по п.1, характеризующееся тем, что
отношение размеров находится в диапазоне 0,81-1,46.
7. Оптическое устройство по п.5, характеризующееся тем, что:
отношение размеров находится в диапазоне 0,94-1,28.
8. Оптическое устройство по п.1, характеризующееся тем, что отношение размеров находится в диапазоне 0,94-1,46.
9. Оптическое устройство по п.1, характеризующееся тем, что
отношение размеров находится в диапазоне 0,81-1,28.
10. Оптическое устройство по п.1, характеризующееся тем, что
шаг Р1 размещения структур на одной и той же дорожке находится в диапазоне 300 - 350 нм, а шаг Р2 размещения структур между двумя соседними дорожками находится в диапазоне 265 - 300 нм.
11. Оптическое устройство по п.1, характеризующееся тем, что
указанное множество структур выполнено на поверхности падения света и на поверхности выхода света.
12. Способ изготовления мастер-копии, предназначенной для использования при производстве оптического устройства, в котором множество структур с возвышенными участками или углубленными участками расположены с коротким шагом, равным или короче, чем длина волны видимого света, характеризующийся тем, что содержит
первый этап, на котором готовят подложку, со сформированным на поверхности слоем резиста;
второй этап, на котором формируют скрытое изображение с шагом короче, чем длина волны видимого света, путем периодического облучения лазерным лучом слоя резиста при вращении подложки и относительном перемещении лазерного луча в радиальном направлении относительно вращения подложки; и
третий этап, на котором формируют конфигурацию резиста на поверхности подложки посредством проявления слоя резиста, при этом
на втором этапе формируют скрытое изображение так, что оно имеет эллиптическую форму с основной осью в направлении вращения подложки, и имеет конфигурацию квазишестиугольной решетки в трех соседних рядах-дорожках.
13. Способ изготовления мастер-копии для использования при производстве оптического устройства по п.12, характеризующийся тем, что
на втором этапе облучают слой резиста лазерным лучом при изменении периода облучения для каждой дорожки.
14. Способ изготовления мастер-копии для использования при производстве оптического устройства по п.12, характеризующееся тем, что
шаг формирования скрытого изображения на одной и той же дорожке устанавливают более длинным, чем шаг формования скрытого изображения между двумя соседними дорожками.
15. Способ изготовления мастер-копии, предназначенный для использования при производстве оптического устройства по п.12, характеризующийся тем, что
подложку вращают с постоянной угловой скоростью.
16. Способ изготовления мастер-копии, предназначенной для использования при производстве оптического устройства по п.12, способ, характеризующийся тем, что дополнительно содержит:
четвертый этап, на котором выполняют травление, используя конфигурацию резиста в качестве маски, для формирования неровной структуры на поверхности подложки, после третьего этапа.
17. Способ изготовления мастер-копии для использования при производстве оптического устройства по п.16, характеризующийся тем, что
на четвертом этапе поочередно выполняют озоление конфигурации резиста и травление поверхности подложки.
18. Способ изготовления мастер-копии для использования при производстве оптического устройства по п.17, характеризующийся тем, что
озоление резиста и травление поверхности подложки выполняют поочередно при установке времени озоления равном определенному периоду и при постепенном увеличении времени травления, затем при установке времени озоления равном определенному периоду и постепенном уменьшении времени травления.
19. Способ изготовления мастер-копии для использования при производстве оптического устройства по п.17, характеризующийся тем, что
поочередно выполняют озоление резиста и травление поверхности подложки при установке времени озоления и времени травления равными определенному периоду соответственно.
20. Фотоэлектрический преобразователь, содержащий:
слой фотоэлектрического преобразования и
пропускающее свет оптическое устройство, выполненное на светопринимающей части слоя фотоэлектрического преобразования, при этом
оптическое устройство имеет множество структур с возвышенными участками или углубленными участками, расположенными на светопринимающей поверхности с коротким шагом, равным или короче, чем длина волны видимого света,
причем структуры расположены так, что образуют множество дугообразных дорожек на поверхности падения света, и образуют конфигурацию квазишестиугольной решетки,
указанная структура имеет форму эллиптического конуса или форму усеченного эллиптического конуса, имеющего главную ось в направлении вдоль дугообразных дорожек.
21. Фотоэлектрический преобразователь по п.20, характеризующийся тем, что
слой фотоэлектрического преобразования имеет слоистую структуру, сформированную из полупроводникового слоя и слоя электролита, размещенных между первым электродом и вторым электродом.
RU2009110178/28A 2006-08-21 2007-08-21 Оптическое устройство, способ изготовления мастер-копии, используемой при изготовлении оптического устройства, и фотоэлектрический преобразователь RU2450294C2 (ru)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006-224173 2006-08-21
JP2006224173 2006-08-21
JP2006338787 2006-12-15
JP2006-338787 2006-12-15

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2009110178A true RU2009110178A (ru) 2010-09-27
RU2450294C2 RU2450294C2 (ru) 2012-05-10

Family

ID=39106895

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2009110178/28A RU2450294C2 (ru) 2006-08-21 2007-08-21 Оптическое устройство, способ изготовления мастер-копии, используемой при изготовлении оптического устройства, и фотоэлектрический преобразователь

Country Status (7)

Country Link
US (2) US7633045B2 (ru)
EP (1) EP2056129B1 (ru)
JP (1) JP4398507B2 (ru)
KR (1) KR101389914B1 (ru)
CN (2) CN101825730B (ru)
RU (1) RU2450294C2 (ru)
WO (1) WO2008023816A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2523764C2 (ru) * 2008-02-27 2014-07-20 Сони Корпорейшн Антиотражающее оптическое устройство и способ изготовления эталонной формы

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4539657B2 (ja) * 2007-01-18 2010-09-08 ソニー株式会社 反射防止用光学素子
JP4935513B2 (ja) * 2007-06-06 2012-05-23 ソニー株式会社 光学素子およびその製造方法、ならびに光学素子作製用複製基板およびその製造方法
JP4935627B2 (ja) * 2007-10-30 2012-05-23 ソニー株式会社 光学素子および光学素子作製用原盤の製造方法
JP2010002761A (ja) * 2008-06-20 2010-01-07 Housetec Inc 成形構造体
US9588259B2 (en) * 2008-07-16 2017-03-07 Sony Corporation Optical element including primary and secondary structures arranged in a plurality of tracks
US8747994B2 (en) 2008-09-17 2014-06-10 Sharp Kabushiki Kaisha Anti-reflective film and production method thereof
JP5439783B2 (ja) 2008-09-29 2014-03-12 ソニー株式会社 光学素子、反射防止機能付き光学部品、および原盤
JP5257066B2 (ja) 2008-12-26 2013-08-07 ソニー株式会社 光学素子、表示装置、反射防止機能付き光学部品、および原盤
JP5444747B2 (ja) * 2009-02-17 2014-03-19 ソニー株式会社 カラー撮像素子およびその製造方法ならびに光センサーおよびその製造方法ならびに光電変換素子およびその製造方法ならびに電子機器
US9025250B2 (en) 2009-04-24 2015-05-05 Sharp Kabushiki Kaisha Antireflection film, method for manufacturing antireflection film, and display apparatus
JP5504495B2 (ja) * 2009-04-28 2014-05-28 株式会社ハウステック 成形構造体の製造方法
CN102460227B (zh) * 2009-06-12 2014-10-22 夏普株式会社 防反射膜、显示装置以及透光部件
DE102009029944A1 (de) * 2009-06-19 2010-12-23 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Solarzelle und Verfahren zu deren Herstellung
WO2010148389A2 (en) * 2009-06-20 2010-12-23 Wayne State University Light funnel
JP6049979B2 (ja) * 2009-07-03 2016-12-21 ソニー株式会社 光学素子、および表示装置
JP2011053496A (ja) * 2009-09-02 2011-03-17 Sony Corp 光学素子およびその製造方法、ならびに原盤の製造方法
JP2011053495A (ja) * 2009-09-02 2011-03-17 Sony Corp 光学素子、およびその製造方法
JP2012208526A (ja) * 2009-09-02 2012-10-25 Sony Corp 光学素子、および表示装置
JP5075234B2 (ja) * 2009-09-02 2012-11-21 ソニー株式会社 光学素子、および表示装置
JP4626721B1 (ja) * 2009-09-02 2011-02-09 ソニー株式会社 透明導電性電極、タッチパネル、情報入力装置、および表示装置
JP5440165B2 (ja) * 2009-12-28 2014-03-12 デクセリアルズ株式会社 導電性光学素子、タッチパネル、および液晶表示装置
CN102763008A (zh) * 2010-03-02 2012-10-31 松下电器产业株式会社 光学元件以及光学元件的制造方法
JP5649315B2 (ja) * 2010-03-05 2015-01-07 Ｊｘ日鉱日石エネルギー株式会社 太陽電池用透明導電性基板、その製造方法及びそれを用いた太陽電池
JP5659551B2 (ja) * 2010-04-28 2015-01-28 ソニー株式会社 透明導電性素子、入力装置、および表示装置
US8878055B2 (en) * 2010-08-09 2014-11-04 International Business Machines Corporation Efficient nanoscale solar cell and fabrication method
CN103155725B (zh) * 2010-10-22 2016-07-06 索尼公司 图案基板、图案基板的制造方法、信息输入装置和显示装置
CN102097535A (zh) * 2010-11-30 2011-06-15 中国科学院半导体研究所 用于太阳电池表面抗反射的蛾眼结构的制备方法
JP6077194B2 (ja) * 2010-12-07 2017-02-08 ソニー株式会社 導電性光学素子ならびに情報入力装置および表示装置
JP5071563B2 (ja) 2011-01-19 2012-11-14 ソニー株式会社 透明導電性素子、入力装置、および表示装置
WO2012133943A1 (ja) * 2011-03-31 2012-10-04 ソニー株式会社 印刷物および印画物
US9618657B2 (en) 2011-03-31 2017-04-11 Dexerials Corporation Optical element, display device, and input device
JP2012230349A (ja) * 2011-04-13 2012-11-22 Ricoh Opt Ind Co Ltd 反射光学素子および反射光学系
US20120268822A1 (en) * 2011-04-19 2012-10-25 Bee Khuan Jaslyn Law Antireflective hierarchical structures
US8628996B2 (en) 2011-06-15 2014-01-14 International Business Machines Corporation Uniformly distributed self-assembled cone-shaped pillars for high efficiency solar cells
WO2013049432A1 (en) * 2011-09-30 2013-04-04 The Government Of The United States Of America, As Represented By The Secretary Of The Navy Tailored interfaces between optical materials
RU2550511C2 (ru) * 2012-08-03 2015-05-10 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (Международный учебно-научный лазерный центр Московского государственного университета имени М.В. Ломоносова (МЛЦ МГУ имени М.В. Ломон Новые редокс медиаторы для электролитов фотоэлектрохимических солнечных элементов
US8917995B1 (en) * 2012-11-11 2014-12-23 Google Inc. Balloon envelope with integrated receiver
KR101492503B1 (ko) * 2013-04-29 2015-02-13 부산대학교 산학협력단 가시광 영역에서 낮은 반사율을 갖는 양면 나노 구조체
CN104201228A (zh) * 2014-07-21 2014-12-10 同济大学 宽光谱宽角度椭圆纳米线阵列薄膜太阳能电池陷光结构
JP2016105203A (ja) * 2016-02-17 2016-06-09 デクセリアルズ株式会社 光学素子およびその製造方法、ならびに原盤の製造方法
JP6737613B2 (ja) * 2016-03-25 2020-08-12 デクセリアルズ株式会社 光学体及び発光装置
RU2641596C2 (ru) * 2016-05-30 2018-01-18 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ) Способ получения вольфрамового изделия послойным нанесением вольфрама и устройство для его осуществления
US10310144B2 (en) * 2016-06-09 2019-06-04 Intel Corporation Image sensor having photodetectors with reduced reflections
WO2020144960A1 (ja) * 2019-01-10 2020-07-16 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 メッキ用パターン版及び配線基板の製造方法
JP2020118909A (ja) * 2019-01-25 2020-08-06 富士フイルム株式会社 凹凸構造の形成方法、基材の製造方法および基材
CN113232341A (zh) * 2021-02-02 2021-08-10 杭州电子科技大学 一种高精度透镜成型方法和装置
WO2024047257A1 (de) 2022-09-02 2024-03-07 Fusion Bionic Gmbh Strukturiertes optoelektronisches bauelement

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH08306069A (ja) * 1995-05-11 1996-11-22 Seiko Epson Corp 光ディスクおよび光ディスクの製造方法
CN1077710C (zh) * 1996-06-04 2002-01-09 Lg电子株式会社 光盘及其记录/再现装置
CN1189667A (zh) * 1996-10-04 1998-08-05 索尼株式会社 记录介质
WO2002037146A1 (en) * 2000-11-03 2002-05-10 Mems Optical Inc. Anti-reflective structures
JP2003131390A (ja) * 2001-03-22 2003-05-09 Seiko Epson Corp 微細構造体の製造方法、電子装置の製造方法及び製造装置
US6661561B2 (en) * 2001-03-26 2003-12-09 Creo Inc. High frequency deformable mirror device
JP2003004916A (ja) 2001-06-20 2003-01-08 Dainippon Printing Co Ltd 表示装置の窓材、その製造方法、及び表示装置
JP4197100B2 (ja) 2002-02-20 2008-12-17 大日本印刷株式会社 反射防止物品
JP4174344B2 (ja) * 2002-03-15 2008-10-29 日東電工株式会社 反射防止フィルム、その製造方法、光学素子および画像表示装置
JP2003294910A (ja) 2002-04-08 2003-10-15 Sanyo Electric Co Ltd 光学素子および光源装置
JP4068890B2 (ja) * 2002-05-08 2008-03-26 アルプス電気株式会社 光学部材
RU2204179C1 (ru) * 2002-08-19 2003-05-10 Общество с ограниченной ответственностью "Агентство маркетинга научных разработок" Способ формирования нанорельефа на поверхности пленок
JP2004317922A (ja) 2003-04-18 2004-11-11 Minolta Co Ltd 表面加工方法ならびに光学素子およびその金型
JP4270968B2 (ja) 2003-07-10 2009-06-03 オリンパス株式会社 反射防止面付光学素子を持つ光学系を備えた光学機器
US7052757B2 (en) 2003-10-03 2006-05-30 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Capping layer for enhanced performance media
JP2006038928A (ja) 2004-07-22 2006-02-09 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 無反射周期構造体及びその製造方法
JP2006145885A (ja) 2004-11-19 2006-06-08 Sony Corp 光学フィルタ及びバックライト装置
JP4368384B2 (ja) * 2004-12-03 2009-11-18 シャープ株式会社 反射防止材、光学素子、および表示装置ならびにスタンパの製造方法およびスタンパを用いた反射防止材の製造方法
JP4935513B2 (ja) * 2007-06-06 2012-05-23 ソニー株式会社 光学素子およびその製造方法、ならびに光学素子作製用複製基板およびその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2523764C2 (ru) * 2008-02-27 2014-07-20 Сони Корпорейшн Антиотражающее оптическое устройство и способ изготовления эталонной формы

Also Published As

Publication number Publication date
WO2008023816A9 (ja) 2015-01-15
JPWO2008023816A1 (ja) 2010-01-14
CN101356454B (zh) 2010-11-03
RU2450294C2 (ru) 2012-05-10
EP2056129A4 (en) 2012-02-22
US8309903B2 (en) 2012-11-13
KR20090045138A (ko) 2009-05-07
JP4398507B2 (ja) 2010-01-13
CN101356454A (zh) 2009-01-28
EP2056129B1 (en) 2013-10-02
US20080265149A1 (en) 2008-10-30
WO2008023816A1 (fr) 2008-02-28
KR101389914B1 (ko) 2014-04-29
US7633045B2 (en) 2009-12-15
CN101825730B (zh) 2012-07-04
CN101825730A (zh) 2010-09-08
US20100134892A1 (en) 2010-06-03
EP2056129A1 (en) 2009-05-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2009110178A (ru) Оптическое устройство, способ изготовления мастер-копии, используемой при изготовлении оптического устройства, и фотоэлектрический преобразователь
RU2009139631A (ru) Антиотражающее оптическое устройство и способ изготовления эталонной формы
CN102769082B (zh) 图形化衬底及其形成方法及用于制作所述衬底的掩膜版
JP2008055467A5 (ru)
CN101515625B (zh) 发光二极管芯片衬底结构的制备方法
JP2008158013A5 (ru)
JP2007173579A (ja) 半導体発光素子およびその製造方法
JP2013201356A (ja) 露光方法及びパターン形成方法
TW200613147A (en) Method for manufacturing minute structure, method for manufacturing liquid discharge head, and liquid discharge head
JP5490216B2 (ja) 光学素子及び光学素子の製造方法
JP5391701B2 (ja) 濃度分布マスクとその設計装置及び微小立体形状配列の製造方法
CN104698768B (zh) 光刻曝光系统
JP2009186863A5 (ru)
JP2009199086A5 (ru)
TWI613522B (zh) 微細構造體之製造方法及微細構造體
CN1266543C (zh) 用于改进相移掩模成像性能的装置和系统及其方法
JP2002287370A (ja) 光学素子の製造方法
JP2009147059A (ja) 光起電力装置の製造方法
US8048592B2 (en) Photomask
JP2015032815A (ja) パターン形成方法
JP5856550B2 (ja) パターン形成方法
US20120100662A1 (en) Method of manufacturing solid-state image sensor
KR20090072462A (ko) 나노렌즈의 제조방법
JP2004093868A (ja) マイクロレンズアレイ
US8465906B2 (en) Method and mask for enhancing the resolution of patterning 2-row holes

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20150822