CN1189667A

CN1189667A - 记录介质

Info

Publication number: CN1189667A
Application number: CN97114117A
Authority: CN
Inventors: 堀米秀喜; 飞田実; 藤田五郎; 登坂进
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1996-10-04
Filing date: 1997-10-05
Publication date: 1998-08-05

Abstract

提供一种适用于更大容量,更高传送率,和凹坑/纹间表面/纹道集成的记录介质的格式。在第一种方法中,在可记录和可再现区中,构成纹间表面/纹道的双轨迹结构以便其上的纹间表面成为记录轨迹的轨迹和其上的纹道成为记录轨迹的轨迹形成一双螺旋。在只读区,排列凹坑以便在盘的半径方向的轨迹形成在数据区中。在第二种方法中,在可记录和再现区中,构成纹间表面/纹道交替轨迹结构以便在紧跟在其中纹间表面成为数据记录轨迹的圆形轨迹的圆形轨迹内纹道成为数据记录轨迹,而在下一个圆形轨迹中纹间表面成为数据记录轨迹。在只读区,排列凹坑使得在盘的半径方向的轨迹形成在数据区中。

Description

记录介质

本发明涉及适用于记录和再现包括用于计算机的数据在内的各种数据的记录介质，及其驱动装置。

通常，通过使用诸如光盘、磁光盘、或磁盘之类的记录介质提供在计算机设备中使用的各种数据(应用程序、文件数据、管理数据等)，用户使用这些记录介质根据需要存储各种数据。

例如，作为此类记录介质中的一种，近来已开发了被称为局部ROM盘的介质。这种局部ROM盘被制成具有一个只读ROM区和一个可记录和可再现、可再写区(RAM区)。

一直存在着对大容量记录介质的需求。为此，需要数据的高密度记录。当考虑到盘形记录介质时，需要将圆形轨迹间距做得更窄。

然而，由于各种原因，例如降低光头中激光束波长的难度，由此产生的串道问题，以及圆形跟踪控制的难度，将圆形轨迹间距做得更窄受到限制，大容量很难达到实用。

另外，存在着对具有更高传递率的记录和再现系统的需求，以便当使用记录介质时实现高速记录和再现操作。与此相关，需要具有适用于高传递率的轨迹结构和数据结构的记录介质。

除通常被称为只读ROM盘和可记录RAM盘的结构外，当考虑到上述局部ROM盘这样的结构时，需要适合于通常被称为只读凹坑和可记录区中形成的纹间表面/纹道的结合的格式。

鉴于这种情况，本发明目的在于实现更窄的轨迹间距和更大的容量而同时足以保持实用。本发明的其它目的是实现更高的传递率并实现适合于只读凹坑和可记录和可再现区中形成的纹间表面/纹道结合的格式。

为实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供一种盘型记录介质，包括：一个盘形基底；一个设置在基底上并且其中形成有用于获得一个伺服信号的多个凹坑的伺服区；和一个设置在基底上并可向其记录和从其再现信息的数据区；其中由一个伺服区和一个数据区形成一个单元区，一个轨迹由多个单元区形成，和为每个轨迹交替地形成数据区形成在纹间表面的一个第一轨迹和数据区形成在纹道上的一个第二轨迹。

根据本发明的另一方面，提供一种用于驱动盘型记录介质的驱动装置，包括：一个向盘型记录介质上照射激光和接收从盘型记录介质反射的激光的光拾取器，盘型记录介质具有一个其中形成有用于获得一个伺服信号的凹坑的伺服区，和一个可向其记录和从其再现信息的可记录区，由一个伺服区和一个数据区形成一个单元区，多个单元区形成一个轨迹，为每个轨迹交替地形成数据区形成在纹间表面上的轨迹和数据区形成在纹道上的轨迹；用于旋转盘型记录介质的旋转驱动装置；用于控制激光的照射位置以使激光照射在盘型记录介质的轨迹上的跟踪装置；用于根据由光拾取器从伺服区再现的伺服信号产生伺服信息的伺服信息产生装置；和用于根据伺服信息控制跟踪装置，以便每当盘型记录介质旋转一圈时由激光的一个光点沿纹道的中心和纹间表面的中心扫描的控制装置。

根据本发明的再一个方面，提供用于制造具有由一个螺旋轨迹形成的第一区和两个互相不交叉的螺旋轨迹形成的第二区的盘型记录介质的制造装置，该制造装置包括：用于旋转地驱动盘型记录介质的旋转装置；用于向盘型记录介质照射激光的激光装置；用于在盘型记录介质的半径方向移动激光照射位置的移动装置；和用于在第一模式和第二模式之间切换的控制装置，第一模式是凹坑形成在第一区中，通过使激光装置照射激光而同时由旋转装置旋转盘型记录介质，并通过移动装置以第一速度沿盘型记录介质的半径方向的第一方向移动激光装置，第二模式是凹坑形成在第二区中，通过使激光装置照射激光而同时由旋转装置旋转盘型记录介质，并通过移动装置以第一速度两倍快的第二速度在第一方向移动激光装置，并通过使激光装置在与第一方向相反的第二方向移动一段距离，该段距离等于盘型记录介质旋转期间当盘型记录介质达到由旋转装置确定的角度位置的一半时激光装置以第一速度移动的距离。

根据本发明的再一个目的，提供一种制造具有由一个螺旋轨迹形成的第一区和两个互相不交叉的螺旋轨迹形成的第二区的盘型记录介质的方法，该方法包括步骤旋转地驱动盘型记录介质；使激光装置向盘型记录介质上照射激光；通过使激光装置照射激光而同时在旋转盘型记录介质的状态下以第一速度在沿盘型记录介质半径方向的第一方向移动激光装置在第一区中形成凹坑；通过使激光装置照射激光而同时在旋转盘型记录介质的状态下以第一速度两倍快的第二速度在第一方向移动激光装置在第二区中形成凹坑；和当盘型记录介质达到一预定角度位置而凹坑形成在第二区中时，使激光装置移动的一段距离等于盘型记录介质在与第一方向相反的第二方向旋转一半时激光装置以第一速度移动的距离。

本发明的上述和其它目的，方面和新特征将从下面结合附图阅读时的详细描述变得更加显而易见。

图1是根据本发明一个实施例的盘的区域结构的示意图；

图2是根据本发明该实施例的盘的区域结构的示意图；

图3A、3B、3C和3D是根据本发明该实施例的各种盘的示意图；

图4是根据本发明该实施例的盘的轨迹、帧和区段的代表图；

图5A、5B、5C和5D是根据本发明该实施例的盘的轨迹、帧和区段结构的示意图；

图6是根据本发明该实施例的盘的扇区结构的示意图；

图7A、7B和7C是根据本发明该实施例的盘的伺服凹坑的示意图；

图8A、8B、8G和8D是根据本发明该实施例的盘的伺服凹坑的示意图；

图9A和9B是相据本发明该实施例的盘的地址区段的示意图；

图10是根据本发明该实施例的盘的地址区段格雷(Gray)码数据的示意图；

图11是根据本发明该实施例的盘的三相跟踪操作的示意图；

图12是根据本发明该实施例进行盘的三相跟踪操作的跟踪伺服系统的方框图；

图13是根据本发明该实施例的盘的三相跟踪操作特征的示意图；

图14是根据本发明该实施例进行盘的三相跟踪操作的跟踪伺服系统中误差信号产生部分的方框图；

图15A、15B、15C、15D和15E是根据本发明该实施例的盘的三相跟踪操作的示意图；

图16是根据本发明该实施例进行盘的三相跟踪操作的跟踪伺服信号中误差信号产生部分改进的方框图；

图17是根据本发明该实施例的双凹坑型ROM盘的示意图；

图18是根据本发明该实施例的双凹坑型ROM盘的示意图；

图19A和19B是根据本发明该实施例的双沟道双凹坑方法和一个逻辑双凹坑方法的示意图；

图20A、20B、20G和20D是根据本发明该实施例从双凹坑型ROM盘再现数据的方法的示意图；

图21是根据本发明该实施例的双凹坑型ROM盘的再现装置内检测器的示意图；

图22A、22B、22C和22D是根据本发明该实施例的双凹坑型ROM盘的再现装置内检测器中的光接收模式的示意图；

图23A和23B是根据本发明该实施例再现双凹坑型ROM盘时RF信号电平的示意图；

图24A、24B、24C、24D和24E是根据本发明该实施例具有摆动凹坑的双凹坑型ROM盘的示意图；

图25是根据本发明该实施例从具有摆动凹坑的双凹坑型ROM盘再现数据的方法的示意图；

图26A和26B是根据本发明该实施例从具有摆动凹坑的双凹坑型ROM盘再现盘时RF信号电平和推挽信号电平的示意图；

图27是根据本发明该实施例具有摆动凹坑的双凹坑型ROM盘的数据提取操作的示意图；

图28是根据本发明该实施例的L/G交替型RAM盘的示意图；

图29是根据本发明该实施例的L/G交替型RAM盘的示意图；

图30是根据本发明该实施例由一个双凹坑型ROM和一个L/G交替型RAM构成的一个局部ROM盘的示意图；

图31是根据本发明该实施例由一个双凹坑型ROM和一个L/G交替型RAM构成的局部ROM盘的示意图；

图32是根据本发明该实施例由一个双凹坑单数据型ROM和一个L/G交替型RAM构成的局部ROM盘的示意图；

图33A、33B和33C是根据本发明该实施例的双凹坑单数据型ROM的RF信号电平和推挽信号电平的示意图；

图34是根据本发明该实施例由一个双凹坑型ROM和一个单数据型RAM构成的一个局部ROM盘的示意图；

图35是根据本发明该实施例由一个双凹坑型ROM和一个单数据型RAM构成的局部ROM盘的示意图；

图36是根据本发明该实施例用于刻纹由一个双凹坑型ROM和一个L/G交替型RAM构成的局部ROM盘的装置的方框图；

图37是根据本发明该实施例的局部ROM盘刻纹装置中的边界部分中操作的示意图；

图38是相据本发明该实施例的局部ROM盘的刻纹装置中玻璃衬底传送操作的示意图；

图39A、39B和39C是根据本发明该实施例的局部ROM盘的刻纹装置中边界部分内控制操作的示意图；

图40是根据本发明该实施例的局部ROM盘的刻纹装置的刻纹操作控制流程图；

图41是根据本发明该实施例的L/G双轨迹型RAM盘(1型)的示意图；

图42是根据本发明该实施例的L/G双轨迹型RAM盘(1型)的示意图；

图43是根据本发明该实施例的L/G双轨迹型RAM盘(2型)的示意图；

图44是根据本发明该实施例的L/G双轨迹型RAM盘(2型)的示意图；

图45是根据本发明该实施例由一个双凹坑型ROM和一个L/G双轨迹型RAM(1型)构成的一个局部ROM盘的示意图；

图46是根据本发明该实施例由一个双凹坑型ROM和一个L/G双轨迹型RAM(1型)构成的局部ROM盘的示意图；

图47是根据本发明该实施例由一个双凹坑型ROM和一个L/G双轨迹型RAM(2型)构成的一个局部ROM盘的示意图；

图48是根据本发明该实施例由一个双凹坑型ROM和一个L/G双轨迹型RAM(2型)构成的局部ROM盘的示意图；

图49是根据本发明该实施例由一个双凹坑单数据型ROM和一个L/G双轨迹型RAM(1型)构成的一个局部ROM盘的示意图；

图50是根据本发明该实施例由一个双凹坑单数据型ROM和一个L/G双轨迹型RAM(2型)构成的一个局部ROM盘的示意图；

图51A、51B和51C是根据本发明该实施例的双凹坑单数据型ROM的RF信号电平和推挽信号电平的示意图；

图52是相据本发明该实施例处理一个盘的记录和再现装置的方框图；

图53是根据本发明该实施例处理一个盘的记录和再现装置的光拾取器的再现状态示意图；

图54是根据本发明该实施例处理一个盘的记录和再现装置的光拾取器的记录状态示意图；

图55是根据本发明该实施例处理一个盘的光拾取器的纹道数据读取操作的示意图；

图56是根据本发明该实施例处理一个盘的光拾取器的纹间表面数据读取操作的示意图；

图57是根据本发明该实施例处理一个盘的光拾取器的液晶旋光板的操作示意图；

图58A、58B、58C、58D和58E是根据旋光角度的激光光点形状的示意图；和

图59A和59B是根据旋光角度的激光光点形状的X和Y分量的示意图。

下面将以下列顺序描述本发明记录介质的实施例。在该描述中，采用ROM盘、RAM盘和局部ROM盘作为记录介质的实例。[盘的格式]

<盘的结构和类型>

首先，将描述本发明光盘的结构和类型。

该光盘被制成一个区域CAV方法和一个取样保持方法的光盘。

图1和2示出该实施例的盘从外区到内区的区域结构。图1以盘的图像形式示出区域结构。图2图解地示出当在盘的半径方向看去时的区域结构。

如从图1和2所见，在盘的最外边区域设置736个轨迹的GCP(格雷码部分)区，并在向内的区域设置两个轨迹的缓冲区，五个轨迹的外侧控制SFP区，两个轨迹的缓冲区和五个轨迹的测试区。在图1中，省略对缓冲区的描述。

另外，在测试区之后，形成一个由用户可进行所需要的数据记录的一个可重写(可记录)区ARW和一个只读ROM区AE构成的、作为主数据区的用户区。用户区分成区带(band)0至区带15这16个区带(16个区)。

每个区带分别规定有预定数量的轨迹。例如，区带0规定有848条轨迹，区带1有864条轨迹，区带2有880条轨迹……。

在比用户区更向内的区域中，设置有五条轨迹的测试区、两条轨迹的缓冲区、五条轨迹的内侧控制SFP区、两条轨迹的缓冲区、和820条轨迹的GCP区。

GCP区，外侧控制SFP区和内侧控制SFP区分别形成其中记录有预定控制信息，而不记录用户数据的一个区。

该盘被制成通常所称的区域CAV盘，用户区的区带0至区带15这16个区带设置在其中。

区域CAV方法使光盘以固定速度旋转，通过改变用于提取每个区(区带)中记录的数据的时钟频率使每个区的记录密度接近恒定，并因此能够容易地进行盘的旋转控制并与取样CAV方法相比提高记录密度。

由于越靠外的区域该盘的线速度越大，用于读取数据的数据时钟DCK的频率在该区域中变得更高。

同时，用于下文所描述的伺服操作的伺服时钟SCK具有固定频率而与区域无关。另外，数据时钟DCK被制成具有伺服时钟SCK的频率乘M/N的频率。

用户区的16区带中的每一个可制成全部由压刻的凹坑记录数据的只读区(ROM区)，也可制成其中被构成通常所称的磁光区的纹间表面/纹道并且用户可根据需要进行记录和再现的可重写区ARW。可由制造商根据需要设定被制成可重写区ARW的16个区带的数量和被制成ROM区AE的数量。

结果是，可实现如图3A至3D所示的各种类型的盘介质。

图3A示出其中整个用户区被由压刻凹坑或类似部分制成ROM区AE的ROM盘。就是说，这是一个所有区带0至15被制成ROM区AE的盘。

图3B示出其中整个用户区被制成可记录和可再现、可重写区ARW的RAM盘。就是说，这是一个所有区带0至15被制成可重写区ARW的盘。

图3C和3D示出局部ROM盘的实例；就是说，在一张盘的用户区中设置有ROM区AE和可重写区ARW。图3C示出其中用户区外部区域的一些区带被制成ROM区AE而用户区内部区域的一些区带被制成可重写区ARW的局部ROM盘的实例。图3D示出其中用户区外部区域的一些区带被制成可重写区ARW而用户区内部区域的一些区带被制成ROM区AE的局部ROM盘的实例。

<轨迹/帧/区段的结构>

参考图4，和5A至5D描述轨迹、帧和区段的结构。

图4图解地示出在圆周方向轨迹、帧和区段的结构。图5A、5B和5C以一个区带的形状示出一个轨迹(一个圆形轨迹)的结构。

首先，如图5A所示，一个轨迹，即一个圆形盘区由帧0至帧99这100个帧构成。

如图5B所示，一个单元区的14个区段由一个帧构成。因此，一条轨迹由1400个区段形成。

图4示出将光盘的一条圆形轨迹分成1400个区段(区段SEG 0至SEG1399)。该图还示出由14个区段(例如，SEG0至SEG 13)形成一帧。

图4中所示的区段SEG 0至SEG 1399被按其内容类型分成地址区段ASEG 0至ASEG 99和数据区段DSEG 0至DSEG 1299。下文中，当在说明中表示某一区段时，采用区段SEG(X)、地址区段ASEG(X)和数据区段DSEG(X)的后标。

在地址区段ASEG(X)中通过压刻凹坑预先记录盘上半径方向中的位置信息(即、轨迹编号)和切线方向中的位置信息(即，区段编号)。

每隔14个区段出现一个地址区段ASEG(X)。即，一帧中有一个地址区段ASEG(X)。因此，在一条轨迹中有100个地址区段ASEG 0至ASEG 99。

地址区段ASEG0至ASEG 99分别成为帧0至帧99的开始区段。

在某一地址区段ASEG(X)和下一个地址区段ASEG(X+1)之间的轨迹部分有13个区段。这13个区段分别成为数据区段DSEG(X)。

就是说，每一帧中有13个数据区段DSEG(X)，例如，数据区段DSEG0至DSEG 12，一条轨迹中有1300个数据区段(DSEG 0至DSEG 1299)。

每个区段(SEG 0至SEG 1399)由以伺服时钟SCK作为基准的216个伺服时钟周期的一个区构成。一个24个伺服时钟周期的区构成为一个伺服区ARs，一个192个伺服时钟周期的区构成为一个数据区Ard。

考虑到地址区段(ASEG 0至ASEG 99)，将数据区ARd分成一个地址区ARda和一个激光控制区Ardb。

图5C示出地址区段ASEG(X)的结构，和图5D示出数据区段DSEG(X)的结构。

如图5C所示，地址区段ASEG(X)具有与以伺服时钟SCK作为基准，以具有下文描述的由压刻或类似工艺形成的伺服凹坑的一个伺服区(24SCK)设置在该区段开始并且接下来的10个伺服时钟周期区为空白的216个伺服时钟周期对应的长度。

接下来的84个伺服时钟周期区和随后的24个伺服时钟周期区分别成为一个地址区和一个附加地址区，并在地址区段的结尾设置一个74个伺服时钟周期的ALPC(自动激光功率控制)区。

地址区段ASEG(X)中的数据通过例如压刻凹坑预先记录在盘上。ALPC区是用来控制读取激光功率为预定等级的区。

数据区段DSEG也被制成与地址区段ASEG具有相同长度(216SCK)。在该区段的开始处，以同样方式，设置具有下文描述的通过压刻或类似工艺形成的伺服凹坑的一个伺服区(24SCK)。

在伺服区之后，以数据时钟DCK作为基准，设置一个长度12DCK的预写区PR，一个数据记录区和一个长度4DCK的后写区PO。

由于数据时钟DCK的频率根据盘上上述区域而不同，根据数据记录区中的区域记录长度176DCK至368 DCK的数据。

预定区PR保证预热所需的距离，以使该盘达到数据记录的稳定温度，并进一步作为抑制因二次光折射引起的DC变化的箝位(damp)区。

设置后写区PO作为覆盖期间消除记录数据未删除部分的边缘区

<扇区结构>

接下来将描述扇区结构。至此描述的轨迹帧、和区段是盘上的物理单元，但扇区是与实际的数据量对应的逻辑单元。

例如，外侧控制SFP区由100个扇区组成，外侧区域的测试区由100个扇区组成，区带0至15由20800个扇区组成，内侧区域的测试区由50个扇区组成，内侧控制SFP区由50个扇区组成。

规定一个扇区中包含的用户数据为2048字节，该扇区中数据量是固定的。然而，每个区段的字节数量(可记录在一个数据区段DSEG(X)的数据记录区中的数据字节容量)根据如上所述的区而不同，构成一个扇区的区段数量根据该区而不同。

例如，在包含区带0的区中，每个区段的数据字节容量为48字节，并且每个扇区有53个区段。另外，在包含区带14的区中，每个区段的数据字节容量为22字节并且每个扇区有110个区段。

扇区从某一区段开始并在构成一个扇区的区段数量后结束。如果在最后区段内剩余有空间，该空间不用作下一个扇区，并且下一个扇区从下一个区段开始。因此，扇区的开始位置总是与区段的开始位置一致。

另外，在区的开始处，扇区0从第一帧(帧0)的第一区段开始。因此，在每个区开始处的扇区0的开始位置在半径方向相同。

图6示出扇区结构。

每个扇区包含总共2352个数据字节，其中包含2048字节的用户数据，一个纠错码的冗余码(256字节)，检错的CRC码(8字节)，和用户定义的数据(40字节)。在该数据之前，加入66字节的参考数据，以致一个扇区的大小为2418字节。

示出参考数据再现RF信号的波形。它由四个重复的4字节8T模式和12字节的2T模式以及还有作为用于设定检测信息边缘的2字节全为“0”的模式构成。以与用户数据相同的方式通过区CAV方法记录该参考数据。

2T模式用来纠正再现期间因记录功率变化或类似情况造成的凹坑位置中的变化。另外，8T模式用来根据局部响应设定三值检测期间的阈值。

<伺服区>

如图4、5A至5D所示，在所有区段(SEG 0至SEG 1399)中，前24个伺服时钟周期区被制成伺服区ARs。

在该伺服区ARs中，形成表示跟踪伺服信息、产生伺服时钟的信息和区段类型信息预定图形的凹坑序列(在本说明书中，在伺服区ARs内形成的凹坑被称为伺服凹坑)。

虽然下文将详细描述，在本实例中，采用被称为三相跟踪的方法作为跟踪控制方法。因此，在该实例中，对于伺服凹坑，制备图7A所示的图形A，B和C。

在图7A中的每种图形中，用实线表示每个跟踪中心。所有伺服凹坑形成在偏离跟踪中心近1/4轨迹间距(或1/2轨迹间距)的位置。凹坑形成在伺服区ARs内的三个位置PS_A、PS_B和PS_C：在图形A中，凹坑在位置PS_A形成在跟踪中心两侧；凹坑在位置PS_B仅形成在偏离跟踪中心内侧的区域中；凹坑在位置PS_C仅形成在偏离跟踪中心外侧的区域中。

另外，在图形B中，凹坑在位置PS_A仅形成在偏离跟踪中心外侧的区域中；凹坑在位置PS_B形成在跟踪中心两侧；以及凹坑在位置PS_C仅形成在偏离跟踪中心内侧的区域中。

在图形C中，凹坑在位置PS_A仅形成在偏离跟踪中心内侧的区域中；凹坑在位置PS_B仅形成偏离跟踪中心外侧的区域中；以及凹坑在位置PS_C形成在跟踪中心两侧。

这些图形的每一种并不是与盘的半径方向中相邻轨迹无关地设置的，而是如图7B和7C所示，按照使凹坑形成在位置PS_A和PS_C的序列、使凹坑形成在位置PS_A和PS_B的序列、和使凹坑形成在位置PS_B和PS_C的序列的顺序来排列。结果是，当从实线箭头指示的跟踪中心观看时看到图形A至C。

换言之，当与每种图形对应的跟踪控制按A、B、C，A、B、C，…，的顺序转换时，在如图7B所示轨迹宽度方向以伺服凹坑序列的间距为单位进行记录和再现扫描。另一方面，当与每种图形对应的跟踪控制按C、B、A、C、B、A，……，的顺序切换时，在如图7C所示轨迹宽度方向以伺服凹坑序列的间距单位两倍的间距进行记录和再现扫描。

下面将描述实现该操作的三相跟踪操作。首先参考图8A至8D描述伺服区ARs的结构。

图8A示出地址区段ASEG(X)中的伺服区ARs。图8B至8D分别示出数据区段DSEG(X)中的伺服区ARs。

另外，图8A至8D示出伺服凹坑的图形是图7A中图形A的伺服区ARs的实例。

在图8A至8D的上部示出24个司服时钟周期(SCK)的定时位置。图8A至8D中的伺服凹坑分别制成长度2SCK的凹坑。所有伺服凹坑形成为压刻凹坑。

为说明起见，伺服区ARs中与24个伺服时钟的每个定时对应的定时位置被称为与上部编号对应的位置1至24。位置PS_A处在从位置3到位置7的间隔内，长度为2SCK的凹坑形成在该间隔中。另外，位置PS_B处在从位置11到位置12的间隔中，位置PS_C处在从位置16到位置17的间隔中。

在位置PS_A、PS_B、PS_C中的每一个形成的伺服凹坑的中心位置相互相隔至少5SCK。

另外，在偏离跟踪中心±1/4轨迹间距(或±1/2轨迹间距)的位置形成所有伺服凹坑。

由于伺服区ARs中的伺服凹坑被制成长度为2SCK，减少了不形成压刻凹坑的部分，即镜面部分，使其能够抑制盘的铸塑期间出现幻像凹坑和类似情况。另外，存取期间，由于从伺服凹坑稳定地再现RF信号，因此能够根据从伺服凹坑再现的RF信号稳定地产生各种伺服信号，例如跟踪伺服信号。

此外，通过将每个伺服凹坑中心之间的间隔设定为预定间隔或更大，可使从每个司服凹坑再现的RF信号之间的数据干扰最小。为减少该数据干扰，最好按照该实例将每个伺服凹坑隔开至少5SCK或更多。

通过由伺服凹坑获得的该RF信号实现通常被称为三相跟踪的操作，并产生一个伺服时钟SCK(和通过频分伺服时钟SCK产生的数据时钟DCK)。

位置18至23的6SCK区被称为聚焦采样区ARfs。

聚焦采样区ARfs是镜面部分，该聚焦采样区ARfs用来执行聚焦伺服、读出功率的自动控制(APC：自动功率控制)、或在盘记录和再现装置中用于箝位RF信号的处理。

很难为了这些处理的目的准确地规定各种采样脉冲的位置，预计有±0.5伺服时钟周期或更少的变化。因此，为了即使在引入该变化时以精确值进行采样而不受因伺服凹坑造成的RF信号电平调制的影响，区域ARfs设定为6SCK的长度。

有图8A至8D示出的四种位置PS_A作为伺服凹坑位置。由该伺服凹坑的位置表示区段类型。

在地址区段ASEG(X)的情况下，在位置PS_A的位置3和4处形成伺服凹坑。即，该伺服凹坑作为地址标记ADM。

在作为一个扇区起点的数据区段DSEG(X)的情况下，在位置PS_A的位置4和5处形成伺服凹坑。即，该伺服凹坑作为第一扇区标记STM1。

在其下一个区段是新扇区起点的数据区段DSEG(X)的情况下，在位置PS_A的位置5和6处形成伺服凹坑。即，该伺服凹坑作为第二扇区标记STM2。

对于不应用于数据区段DSEG(X)的图8B和8C的区段，在位置PS_A的位置6和7处形成伺服凹坑。即，该伺服凹坑作为区段标记SGM。

可通过检查由通常称为差分检波方法(差分最大值检波)再现的RF信号呈现最大幅值的位置检测由如上所述在位置PS_A内的伺服凹坑的位置表示的区段类型的信息。

由该位置PS_A内的伺服凹坑位置表示的区段类型信息使其不需要在扇区单元中记录扇区编号和轨迹地址。

<地址区段>

参考图9A、9B和10描述地址区段ASEG(X)。

图3C中描述了地址区段ASEG(X)的结构。图9A示出与图3C中相同的内容。图9B示出84SCK的区域中记录的地址码和24SCK的区域中记录的附加地址的详细结构。

地址码和附加地址是通过压刻或类似工艺预先记录的并表示轨迹方向中的位置信息。地址码和附加地址具有图9B所示的编码。

更具体地说，如同设置地址码、存取码(AM，A2、A3、AL和奇偶校验位)和帧码(FM和FL)，设置附加地址、附加存取码(SM1和SM2)。每个码依据伺服时钟SCK分别记录在12SCK的区域中。

存取码(AM、A2、A3和AL)是将16位的轨迹地址分成4位的组并对每个4位的组编码作为格雷码。

更具体地说，将16位地址从其上一级分成4位的组，并对每个4位的组编码作为格雷码并按位记录在分别由伺服时钟SCK规定的12SCK区域中的第一到第十二位置。

另外，长度为12SCK的奇偶校检位加到表示为存取码(AM、A2、A3和AL)的轨迹地址。该奇偶校验在表示轨迹地址的存取码(AM、A2、A3和AL)的相同位置形成为4位的偶数校验。

轨迹地址是表示盘上轨迹位置信息的地址。

帧码FM和FL是将8位帧地址分成4位的组，并对每个4位的组编码作为格雷码和按位记录在分别由伺服时钟SCK规定的第一到第十二位置。

帧地址表示轨迹中的一帧(图5A所示的帧0到99)。

附加地址码SM1和SM2分别形成4位码。附加地址表示当当前帧包含扇区起点(STM 1)时扇区的第一区段出现在哪个区段中。当当前帧中不包含扇区起点标记时，附加地址表示扇区的第一区段出现在哪一帧的哪个区段中。

更具体地说，附加存取码SM1表示在帧单元中到扇区起点的距离(在本实例中为0至4)，附加存取码SM2表示在区段单元中到扇区起点的距离(在本实例中为1至13)。另外，当附加存取码SM2的值是“15”时，表示不出现扇区起点(STM1)的标记。

通过如上所述将扇区位置信息加到存取码，则不需要将其包括在伺服区ARs内区段标识信息中。

图10示出将4位数据编码成格雷码并将其记录在12SCK区中的方法的实例。

0到F是4位码的值。如图10所示，与这些值对应的位形成在12SCK的间隔内。

上述存取码、帧码和附加存取码被根据图10所示的表编码成格雷码。[跟踪操作]

<三相跟踪操作①>

参考图11至14，和15A至15E描述该实例中的三相跟踪操作。图11示出激光光点LSP在伺服区ARs中形成的伺服凹坑上的扫描体现。图12是向该实例的盘记录数据和从其再现数据的光盘记录和再现装置中的跟踪控制系统主要部分结构的方框图。

以后将参考图52描述光盘记录和再现装置的整个结构，这里将仅说明跟踪控制系统。

图11中所示的伺服凹坑形成为图形A至C，所需的图形形成在每个轨迹上的每个伺服区ARs中，如图7A至7C所示。

在图11的实例中，在伺服凹坑轨迹#Ai(i＝1、2、3…)上，在位置PS_A和PS_C形成一个伺服凹坑。在伺服凹坑轨迹#Bi上，在位置PS_A和PS_B形成伺服凹坑。在伺服凹坑轨迹#Ci上，在位置PS_B和PS_C形成伺服凹坑。在此提到的伺服凹坑轨迹#Ai、#Bi和#Ci是为了说明的缘故而被称为伺服凹坑轨迹的伺服凹坑序列，而不是基于上面实际记录数据的轨迹(数据凹坑序列、纹道或纹间表面)。

上面记录数据的轨迹和伺服凹坑轨迹可以是在扫描行方向相互一致的轨迹，或可以是在扫描行相互不一致的轨迹。它们相互不一致的情况是这样一种情况：例如，两个伺服凹坑轨迹的中心与数据轨迹中心一致。

伺服凹坑轨迹#Ai、#Bi和#Ci的轨迹间距被制成记录表面上激光光点LSP的大小(直径)的1/2。

通过采用这种伺服凹坑，图12的跟踪伺服系统进行通常被称为三相跟踪的操作。

在图12中的跟踪伺服系统中，激光束首先照射在光盘1上，由检测从记录表面反射的光量的光拾取器4和对与由光拾取器4获得的光量对应的信号进行处理的IN转换矩阵放大器7提取用来产生跟踪误差信号的RF信号。光盘1被主轴电机2旋转地驱动。

从I/V转换矩阵放大器7输出的RF信号提供给PLL电路11，在此由通常所称的锁相环产生与RF信号同步的伺服时钟SCK。(在此省略图52中I/V转换矩阵放大器7和PLL电路11之间所示的箝位电路9和A/D转换器10说明，每个部分的操作将在后面描述)。

所产生的伺服时钟SCK提供给定时控制器17。定时控制器17根据伺服时钟SCK产生取样或类似时钟。来自该定时控制器17的取样时钟提供给跟踪误差产生部分16中的取样保持电路16a。

从I/V转换矩阵放大器7输出的RF信号提供给取样保持电路16a。取样保持电路16a根据取样时钟取样和保持RF信号。该取样保持输出提供给误差信号产生电路16b。

来自取样保持电路16a的输出是通常所称的三相信号。误差信号产生电路16b确定来自取样保持电路16a的每对三相信号之间的差值并通过定期切换和选择这些差分信号产生跟踪误差信号。由伺服控制器8中的相位补偿电路8a对产生的跟踪误差信号进行相位补偿，然后该信号被提供给双轴驱动器8b并作为跟踪驱动信号输出。跟踪驱动信号施加到光拾取器4内双轴机构的跟踪线圈，从而使光拾取器4的物镜在跟踪方向移动，以便进行跟踪伺服操作。

另外，在该跟踪伺服系统中，如上述图11所示，通过采用相邻轨迹中形成的伺服凹坑进行跟踪伺服，例如，伺服凹坑轨迹#A和伺服凹坑轨迹#B，伺服凹坑轨迹#B和伺服凹坑轨迹#C，或伺服凹坑轨迹#C和伺服凹坑轨迹#B，并因此随光盘记录和再现装置的操作进行数据记录和再现。

更具体地说，光拾取器4由一个激光源、一个使从该激光源发射的光平行的准直透镜，一个聚集来自该准直透镜的平行光并将其照射在光盘1的记录表面上的物镜，一个将由该记录表面反射的光分离的光束分离器，一个检测由该光束分离器分离的反射光量的检测器，一个使物镜在使物镜接近或离开光盘1的聚焦方向和在作为光盘1半径方向的跟踪方向移动的双轴机构、和其它组件构成。在此，由于光盘1中伺服凹坑的轨迹间距是激光光点LSP大小的1/2，激光光点LSP同时照射两个伺服凹坑轨迹，响应该反射光量的RF信号输出到I/V转换矩阵放大器7。I/V转换矩阵放大器7放大该RF信号并将其提供给PLL电路11和取样保持电路16a。

PLL电路11根据由I/V转换矩阵放大器7放大的RF信号中与在位置PS_A、PS_B和PS_C之一形成的伺服凹坑对应的分量产生伺服时钟SCK，并将所产生的伺服时钟SCK提供给定时控制器17。当数据已被记录时，可根据与代替伺服凹坑的盘凹坑对应的RF信号的分量进行PLL电路11中的时钟再现操作。

定时控制器17根据伺服时钟SCK产生与伺服区ARs中的位置PS_A、PS_B和PS_C对应的定时取样时钟并将该取样时钟提供给取样保持电路16a。

取样保持电路16a利用来自定时控制器17的取样时钟取样并保持来自I/V转换矩阵放大器7的RF信号，并将得到的具有互不相同相位的三相信号提供误差信号产生电路16b。

就是说，如图15A所示，输出在与位置PS_A对应的定时通过取样和保持获得的RF信号RFA，在与位置PS_B对应的定时通过取样和保持获得的RF信号RFB，和在与位置PS_C对应的定时通过取样和保持获得的RF信号RFC，这些信号是正弦波并且相位相差120°。

例如，如图14所示构成被提供这些RF信号RFA、RFB和RFC的误差信号产生电路16b。

就是说，误差信号产生电路16b包括分别确定来自取样保持电路16a的每对RF信号RFA、RFB和RFC之间差值的差动放大器21a、21b和21c，和用于切换和选择来自这些差动放大器21a、21b和21c的每个输出的多路复用器22。另外，误差信号产生电路16b包括用于检测差动放大器21a、21b和21c每个输出的极性的比较器23a、23b和23c，和用于根据这些比较器23a和23b的每个输出上的预定逻辑运算结果控制多路复用器22的切换操作的逻辑运算电路24。

然后，例如，如图15B中虚线所表示的，差动放大器21a通过从RF信号RFC减去RF信号RFB产生一个跟踪误差信号TRA，差动放大器21b通过从RF信号RFA减去RF信号RFC产生一个跟踪误差信号TRB，差动放大器21c通过从RF信号RFB减去RF信号RFA产生一个跟踪误差信号TRC。

因此，跟踪误差信号TRA、TRB和TRC是正弦波并变成彼此相位相差120°和分别超前RF信号RFA、RFB和RFC 90°的信号。

然后，将这样产生的跟踪误差信号TRA、TRB和TRC提供给多路复用器22和比较器23a和23b。

如图11所示，从在两个伺服凹坑的衍射得到这些跟踪误差信号TRA、TRB和TRC的动态范围，并可形成比常规光盘更大的值。换句话说，能够获得具有满意S/N比的跟踪误差信号。

比较器23a和23b分别检测跟踪误差信号TRA、TRB和TRC的极性，形成当例如电平为正时达到逻辑“1”(下文简称为“1”)的极性信号PA、PB和PC并将这些极性信号PA、PB和PC提供给逻辑运算电路24，例如如图15C所示。

逻辑运算电路24根据下面描述的等式(1)至(3)计算相互相位相差120°的控制信号CA，CB和CC，例如，如图15D所示。多路复用器22在控制信号CA为“1”时选择跟踪误差信号TRA，在控制信号CB为“1”时选择跟踪误差信号TRB，和在控制信号CC为“1”时选择跟踪误差信号TRC。

CA＝PC∧INV(PB) (1)

CB＝PA∧INV(PC) (2)

CC＝PB∧INV(PA) (3)

在这些等式(1)至(3)中，符号“∧”和“INV”分别表示逻辑“与”和负逻辑。

因此，多路复用器22输出跟踪误差信号以使相互相位隔开的三相跟踪误差信号TRA，TRB和TRC如图15B的实线所示循环切换。然后，将该跟踪误差信号提供给相位补偿电路8a。

在伺服环路中进行相位补偿的相位补偿电路8a对来自多路复用器22的跟踪误差信号进行相位补偿，并根据经相位补偿的跟踪误差信号将跟踪误差信号从双轴驱动器8b提供给光拾取器4中的双轴机构。结果是，在盘的半径方向移动物镜以便有效控制，以使激光光点LSP在正确的跟踪状态扫描，即跟踪误差信号为0。

在上述方式中，形成跟踪伺服控制环路，并进行跟踪伺服。因此，在如上所述进行跟踪伺服的状态中，即例如如图11所示激光光点LSP沿相邻伺服凹坑轨迹的中间扫描的状态下，在该伺服区ARs和下一个伺服区ARs之间进行记录和再现数据区ARd的轨迹(凹坑序列，或纹间表面或纹道的扫描)。

如图15B所示，可对从误差信号产生电路16b输出的跟踪误差信号的整个范围稳定地进行跟踪伺服。即，总是可相对于跟踪误差信号达到“0”的跟踪中心从跟踪误差信号唯一地确定跟踪控制方向，并因此总是能进行稳定的跟踪伺服。

另外，当如图15B中所示的跟踪误差信号是在例如激光束从内侧区域向外侧区域进行搜索时获得的信号时，信号变成反相时间的波形，即，在从内侧区域向外侧区域搜索中，电平总是在电平连续变化的范围内增加；相反，在从外侧区域向内侧区域的搜索中电平总是降低。因此，在电平连续变化的范围中电平的改变方向使其能够检测到激光束光点的运动方向。换言之，它能获得包含搜索方向信息的跟踪误差信号。

另外，该跟踪伺服系统不需要常规装置中使用的产生跟踪误差信号的除法器或存储器，因此可将跟踪伺服系统形成在一个单独电路结构中。

在转让给本申请受让人的美国专利No.5,416,766中公开了三相跟踪的基本概念。

<三相跟踪操作的实例②>

下面将描述上述误差信号产生电路16b的其它具体电路结构。与上述图14所示的误差信号产生电路16b具有相同功能的电路组件被给予相同参考标号，并因此省略其说明。

这种情况下，误差信号产生电路16b包括分别确定来自取样保持电路16a的每对RF信号RFA、RFB和RFC之间差值的差动放大器21a、21b和21c，一个将来自取样保持电路16a的RF信号RFA，RFB和RFC加到一起的加法器31，和分别从来自取样保持电路16a的RF信号RFA、RFB和RFC减去加法器31的输出的差动放大器32a，32b和32c，如图16所示。

还设置有将差动放大器21a、21b和21c的每个输出转换成数字信号的A/D转换器33a、33b和33c，以及将差动放大器32a、32b和32c的每个输出转换成数字信号的A/D转换器34a、34b和34c。

此外，误差信号产生电路16b包括输出以每个A/D转换器33a、33b、33c。34a、34b和34c的输出作为地址的跟踪误差信号的ROM 35，和将作为数字信号从该ROM 35提供的跟踪误差信号转换成模拟信号的D/A转换器。

还设置有检测每个差动放大器21a、21b和21c的输出的极性的比较器23a和23b，和根据这些比较器23a和23b的每个输出通过预定逻辑运算控制ROM35的逻辑运算电路24。

然后，差动放大器21a、21b和21c产生是正弦波和彼此相位相差120°并分别超前对应RF信号RFA，RFB和RFC 90°的跟踪误差信号TRA、TRB和TRC，如图15B所示并将这些跟踪误差信号TRA，TRB和TRC分别提供给A/D转换器33a、33b和33c以及比较器23a和23b。

A/D转换器33a、33b和33c分别将跟踪误差信号TRA，TRB和TRC转换成数字信号，并将这些已转换成数字信号的跟踪误差信号TRA，TRB和TRC提供给ROM35作为地址。

同时，加法器31将来自取样保持电路16a的RF信号RFA，RFB和RFC加在一起，并提供该相加结果，即作为图15A所示三相AC信号的RF信号RFA、RFB和RFC的平均值C(是中间值并为常数)给差动放大器32a、32b和32c。差动放大器32a、32b和32c分别从RF信号RFA、RFB和RFC减去该平均值C。就是说，将通过按照DC将RF信号RFA，RFB和RFC偏移平均值C而消除其DC分量的RF信号RFA、RFB和RFC分别提供给A/D转换器34a、34b和34c。

A/D转换器34a、34b和34c将其DC分量已被消除的RF信号RFA、RFB和RFC分别转换成数字信号，并将这些已转换成数字信号的RF信号RFA、RFB和RFC作为地址提供给ROM35。

因此，将已转换成数字信号的跟踪误差信号TRA、TRB和TRC以及RF信号RFA、RFB和RFC提供给ROM35。在该ROM35中预先存储一个与跟踪误差信号TRA、TRB和TRC以及RF信号RFA、RFB和RFC满足预定关系的表，并且ROM35输出例如由图15E中实线表示以跟踪误差信号TRA、TRB和TRC以及RF信号RFA，RFB和RFC作为地址的跟踪误差信号。

具体地说，例如，如果从激光光点LSP跟踪中心的位移表示为X、轨迹间距表示为P，来自取样保持电路16a的RF信号表示为V_QA，当由下述等式(4)表示该V_QA时，可通过下述等式(5)获得差动放大器32a的输出V_QAC：

V_QA＝K₁COS(2_π)X/P)+C (4)

V_QAC＝V_QA-C

＝K₁COS(2_πx/P) (5)

另一方面，由于来自差动放大器21a的跟踪误差信号TRA与RF信号RAF的相位相差90°，如果跟踪误差信号TRA表示为V_PA，则由下面的等式(6)表示该V_PA：

V_PA＝K₂sin(2_πx/P) (6)

在上面的等式中，设定K₂/K₁＝1。

基于这些等式(5)和(6)，根据下面的等式(7)得到表示位移X的信号V_X：

V_X＝(P/2_π)tan^-1(V_PA/V_QAC) (7)

同时，由于信号V_X在I×I＜(P/4)中基本与位移X成正比，存储线性值(一个数据表)，以使范围I×I＜(P/4)的线性扩展到范围I×I＜(3P/2)，并通过使用数字化的跟踪误差信号T_RA(V_PA)和RF信号RAF(V_QAC)查阅该数据表，以便获得图15E中虚线表示的跟踪误差信号TRA₁。

另外，同样存储其它跟踪误差信号TRB₁和TRC₁的数据表，以便通过使用数字化跟踪误差信号TRB和RF信号RFB，或跟踪误差信号TRC和RF信号RFC读取存储的跟踪误差信号TRB₁和TRC₁。

此外，如图15D所示来自逻辑运算电路24的控制信号CA，CB和CC，以及用于在正常模式和锁定模式之间通过端子37切换的控制信号作为控制信号提供给ROM35。

在正常模式中，当控制信号CA是“1”时，选择跟踪误差信号TRA₁。当控制信号CB是“1”时，选择跟踪误差信号TRB₁。当控制信号CC是“1”时，选择跟踪误差信号TRC₁。

因此，输出一个跟踪误差信号以使彼此相位不同步的三相跟踪误差信号TRA₁、TRB₁和TRC₁被循环切换，如图15E中实线所示。

另一方面，在锁定模式的情况下，与控制信号CA、CB和CC无关，选择并输出跟踪误差信号TRA₁，TRB₁和TRC₁之一。

以上述方式从ROM35读出的跟踪误差信号被D/A转换器36转换成模拟信号，然后，与图14的实例类似，经由相位补偿电路8a和双轴驱动器8b使该信号成为跟踪误差信号并提供给光拾取器4中的双轴机构。

结果是，在正常模式中，与图14的实例类似，在整个跟踪误差信号的范围内稳定地进行跟踪伺服，并能获得实现稳定跟踪伺服控制的相同效果。另外，同样还形成包含搜索方向信息的跟踪误差信号。

现在描述轨迹跳变期间的操作。例如，在轨迹#Ai中进行跟踪的状态中，例如，当进行从该轨迹#Ai到轨迹#Bi的轨迹跳变时，记录和再现装置的控制器经端子37提供控制信号以便设定到锁定模式。即，从ROM35的读取被从跟踪误差信号TRA₁强制切换到跟踪误差信号TRB₁，另外，与控制信号CA、CB和CC无关不进行跟踪误差信号的切换。

具体地说，如图13所示，当对轨迹#A1进行跟踪时，激光光点LSP在控制信号CA为逻辑“1”的范围内定位在与跟踪误差信号TRA₁的零交叉点X_A对应的轨迹#Ai的跟踪中心。

然后，在该状态中，当从ROM35的读取与控制信号CA、CB和CC无关地被切换到跟踪误差信号TRB₁时，从ROM35输出L-电平信号。光拾取器4使激光光点LSP移到与跟踪误差信号TRB₁的零交叉点X_B对应的轨迹#Bi的跟踪中心，以使该电平L变为低。这样完成轨迹跳变。

如上所述，根据该跟踪伺服系统，可通过保持在闭环中跟踪伺服进行轨迹跳变。换句话说，不需要用于使跟踪伺服开路的电路组件，并且该结构可以更简单。

另外，虽然提供锁定模式，能够加宽跟踪伺服中的回复范围。例如，从跟踪误差信号TRA₁切换到跟踪误差信号TRB₁以便设定锁定模式之后，即使出现一些扰动，存在着如图15E所示的边缘，并能稳定地进行轨迹跳变。[ROM盘]

[双凹坑型ROM盘]

作为该实例中按照至此描述的数据区段、轨迹/帧/区段格式形成的，并且上面形成有伺服凹坑以便进行上述三相跟踪操作的盘有三种类型：ROM盘、RAM盘和局部ROM盘。首先，在此将描述一个ROM盘。该ROM盘具体被称为双凹坑型ROM盘。

图17示出该双凹坑型ROM盘的轨迹表示。图18示出该双凹坑型ROM盘中的伺服区ARs和该伺服区ARs之前和之后的部分数据区ARd。

在图17中，对应于伺服区ARs的位置中的黑色部分表示用于至此已描述的三相跟踪的伺服凹坑。

另外，沿圆周方向在两个伺服区ARs之间数据区ARd中黑色部分描绘的曲线表示凹坑的数据轨迹。

另外，示出以激光光点LSP作为起始部分按螺旋形状移动的实线箭头SSP。该箭头表示在该双凹坑型ROM盘中激光光点LSP的再现扫描路径。

虽然实际上沿圆周方向仅示出8个伺服区ARs和8个数据区ARd，如上所述，为每个区段设置了伺服区ARs和数据区ARd。

就是说，图17仅是说明的示范图，而并未示出盘本身的实际跟踪伺服。描述了该双凹坑型ROM盘之后，将描述各种盘的实例。用于对其描述的图28、30和34是为便于理解而具体采用的示范图，而并未示出轨迹本身的实际跟踪伺服。

图18是双凹坑型ROM盘中伺服区ARs和伺服区ARs之前和之后的数据区ARd的放大图。伺服区ARs是一个以伺服时钟SCK为基准的24个伺服时钟周期的区域，并相据该伺服时钟SCK进行伺服凹坑信息的提取。

在数据区ARd中，根据数据时钟DCK再现数据。包括位于数据区ARd末端的后写区PO和位于数据区ARd起点的预写区PR主要是为了防止激光的残余热量和记录操作期间记录数据的未擦除，如图5A、5B和5C中所述。然而，为实现盘的兼容性，即使对这种只读ROM盘也设置上述区域。

另外，在该双凹坑型ROM盘的情况下，在预写区PR中形成所描绘的，例如具有三个数据时钟周期长度的固位凹坑凹槽，并减小镜面部分，从而减小盘铸塑期间对伺服凹坑的不利影响。

如图8A至8D所述，在伺服区ARs中形成伺服凹坑，由在位置PS_A的伺服凹坑的位置表示区段类型。

如在图17中可看到的，在该双凹坑型ROM盘中，伺服凹坑轨迹(伺服区ARs中的凹坑序列)和数据轨迹(数据区ARd中的凹坑序列)是相互一致的轨迹(定位在相同圆周线)。

因此，当由形成图形A、图形B、或图形C中一种的两个相邻伺服凹坑轨迹进行跟踪伺服，并且激光光点LSP的再现扫描路径SSP从两条相邻伺服凹坑轨迹的中间位置开始作为如图17所示的跟踪中心时，再现扫描路径SSP沿也是在数据区ARd中的数据轨迹的中间位置继续进行。就是说，激光光点LSP同时扫描两条相邻的数据轨迹。

对于同时被扫描的两条相邻数据轨迹，当从激光光点LSP前进方向看去时，左侧的数据轨迹被称为左轨迹Ltk，右侧的数据轨迹被称为右轨迹Rtk。

另外，左轨迹Ltk和右轨迹Rtk以成对状态形成螺旋形轨迹。

图17中TNCG表示的圆周位置表示轨迹编号改变点，即圆形轨迹的起点和终点。正如可易于理解的，当标出该圆周位置TNCG时，由左轨迹Ltk和右轨迹Rtk形成通常所称的双螺旋形轨迹。

在伺服区ARs中以图形A、图形B、图形C、图形A、图形B和图形C的顺序沿圆周方向形成伺服凹坑的图形。

当在半径方向看去时，在如图7B和7C所示图形的情况下，就是说，当逐一看到每对相邻伺服凹坑轨迹图形的中间作为参考时，图形以图形A、图形B和图形C的顺序改变。

这种情况下，由于通过再现扫描路径SSP同时再现形成双螺旋的左轨迹Ltk和右轨迹Rtk，即，再现扫描路径SSP沿双螺旋中心前进，当在半径方向看去时再现扫描路径SSP以两个轨迹间距为单位前进。

图18中，每个再现扫描路径SSP左侧上的表示图(A)、(B)和(C)示出了与每个再现扫描路径SSP对应的伺服凹坑的图形。

另外，正如可理解的，当在盘的半径方向逐一看去每条再现扫描路径SSP时，由于跟踪伺服操作在半径方向以图形C、图形B、图形A、图形C、图形B、图形A……的顺序前进时，在该实施的双螺旋(左轨迹Ltk和右轨迹Rtk)形中进行轨迹的同时扫描。

此刻，假设使激光束的波长与常规激光束的波长类似，即激光光点LSP的大小(直径)几乎与常规光记录和再现装置的波长相同，为满足记录和再现操作需要至少约1.2μm的轨迹间距。

然而，在双凹坑型ROM盘中，由于两个轨迹同时进行扫描，轨迹间距可以是一半，即0.6μm，从而使其能够实现双倍的高密度记录或更高。

另外，虽然将在后面描述同时再现两条轨迹的方法，两条轨迹的同时再现能够使其再现数据的传递率快一倍。

另外，分别以1.2μm的宽度形成伺服凹坑的图形A，图形B和图形C，这样能确保在跟踪操作情况下至少1.2μm的间距，从而以足够的精度进行跟踪伺服。此外，由于图形在如该图所示半径方向是按图形A，图形B和图形C的顺序排列的，除在三个伺服凹坑轨迹间距范围内形成当前伺服图形的伺服凹坑外没有来自伺服凹坑的干扰。就是说，这样变成与激光光点LSP沿形成某一图形的伺服凹坑组中心经过时的情况等效，不能看见与每个伺服凹坑相邻的伺服凹坑。

因此，对于跟踪伺服操作，它变成与在数据轨迹间距宽度三倍的1.8μm轨迹间距的伺服控制等效。使其能够准确和稳定地进行跟踪控制，并可处理更窄的轨迹间距。

在形成固位凹坑凹槽，例如一个扇区标记的预定区PR中，可形成区段或类似标记。

(双沟道双凹坑和逻辑双凹坑)

在具有图17和18所示结构的双凹抗型ROM盘中，按照待记录数据的结构，依据数据形成相互无关内容的方法和依据数据形成相互相关内容的方法是可能的，特别是在左轨迹Ltk和右轨迹Rtk中。

当依据数据形成相互无关内容的方法被称为双沟道双凹坑方法时，该双沟道双凹坑方法变成例如图19A的数据实例中所示。

就是说，例如，当将左轨迹Ltk作为沟道ch1和右轨迹Rt作为沟道ch2时，形成基于相互无关数据的凹坑Pt。

当在箭头指示的数据时钟定时通过设定一个凹坑pt为“1”和在凹坑不形成“0”的位置提取数据(RF信号)时，在该实例的情况下，提取“1、0、1、1、0、0、1、0、0、1、0…”作为由激光光点LSP的扫描再现的沟道ch1的数据。另外，提取“1、1、0、1、0、1、1、1、0、0、1…”值作为沟道ch2的再现数据。

对按每个沟道ch1和ch2读出的数据序列相互独立地解码以读取两个沟道的再现数据。

在形成如上所述相互独立的双螺旋的左轨迹Ltk和右轨迹Rtk中进行数据解码处理的方法是双沟道双凹坑方法。

另外，在左轨迹Ltk和右轨迹Rtk中的数据内容相互相关的逻辑双凹坑方法中，利用从两个轨迹提取的值获得一个值，并对该值解码。这种情况下，例如，可在一个数据时钟定时进行四个值的检测。

例如，在图19B中，虽然凹坑图形被描绘成与图19A中的完全相同，在由箭头指示的数据时钟定时根据两个轨迹中凹坑Pt的出现或不出现提取四个值“00”、“01”、“10”和“11”。例如，当假设指定左轨迹Ltk为上级比特时，提取值“11”、“01”、“10”、“11”、“00”、“01”、“11”、“01”、“00”、“10”和“01”作为由激光光点LSP扫描的再现数据。

该实例采用通常所称的四值检测。如下面将描述的，基于使用例如四段检测器检测的反射光的RF信号和推挽信号两者的使用使该四值检测成为可能。

另外，可通过仅使用RF信号或仅使用推挽信号进行三值检测，在逻辑双凹坑方法的情况下，可使用三值检测。

例如，如果仅通过RF信号提取数据，可在“在两个轨迹中出现凹坑”、“在任何一个轨迹中不出现凹坑”和“在一个轨迹中出现凹坑”的状态之间进行识别，这样使其能够提取三值数据。

另外，推挽信号的使用使其能够在“在两个轨迹中出现凹坑，或在任何一个轨迹中不出现凹坑”、“在左轨迹Ltk中不出现凹坑”、和“在右轨迹PtR中出现凹坑”的状态之间进行识别。这样使其能够提取三值数据。

另外，在双沟道双凹坑的情况下，由于必须针对每个轨迹独立地提取凹坑信息。必须能够在两个轨迹中检测四凹坑出现或不出现状态。就是说，需要四值检测操作。

即使是使用上述双沟道双凹坑方法和逻辑双凹坑方法中的任何一种，不需指出，它能够实现更大的ROM盘容量。

(读取双凹坑数据的方法)

下面给出在这种双凹坑型ROM盘中通过两个轨迹同时扫描读取数据的实例(三值检测和四值检测)的说明。

图20A至20D中所示的光拾取器4的物镜4a具有可与常规光拾取器的透镜兼容的数值孔径(NA)。物镜4a聚集从激光光源发出的光并将其照射到光盘1的记录表面1a上。如上所述，使激光光点LSP在记录表面1a上的尺寸近似于数据轨迹的轨迹间距的两倍大小。

凹坑Pt根据记录数据形成在光盘1的记录表面1a上。在图20A至20D中所示的数据时钟定时有四种左轨迹Ltk和右轨迹Rtk的状态，即，下面这四种状态：在任何一个轨迹中不出现凹坑，仅在左轨迹Ltk中出现凹坑、仅在右轨迹Rtk中出现凹坑和在两个轨迹中出现凹坑。

在图20A至20D中，点划线表示左轨迹Ltk和右轨迹Rtk的位置。图20A和20D分别表示与左轨迹Ltk和右轨迹Rtk的状态对应的经物镜4a照射的激光束的反射光的强度分布。

如图20A所示，当任何一个轨迹不出现凹坑时，反射光的强度分布变为在纸平面上左右对称。

另外，如图20B所示，当在右轨迹Rtk中不出现凹坑Pt而在左轨迹Ltk中出现凹坑Pt时，由于在凹坑Pt处的衍射，使得右侧反射光的强度分布在纸平面上变得较强。

相反，如图20c所示，当在右轨迹Rtk中出现凹坑Pt而在左轨迹Ltk中不出现凹坑Pt时，由于在凹坑Pt处的衍射，使得左侧反射光的强度分布在纸平面上变得较强。

另外，如图20D所示，当在两个轨迹中出现凹坑Pt时，反射光的强度分布左右对称并变得比不出现凹坑的情况弱。

这样，使具有基于凹坑Pt出现或不出现的强度分布的反射光通过物镜4a平行，然后再次引入光拾取器4内的光学系统，并最终照射到具有例如图21所示光接收图形的检测器4d上。

图21所示的检测器4d的光接收图形分成四个区KA、KB、KC和KD。

检测器4d的光接收表面上的远场图形根据图20A至20D的每种情况而不同。

例如，图22A的上部示出右轨迹Rtk上出现凹坑Pt和左轨迹Ltk上不出现凹坑Pt的状态。此时，在检测器4d中，由于凹坑Pt的衍射使区域KA和KD变亮，区域KB和KC变暗(由倾线表示)。

另一方面，如图22B所示，当右轨迹Rtk不出现凹坑Pt而左轨迹Ltk上出现凹坑Pt时，区域KA和KD变暗，而区域KB和KC变亮。

另外，如图22C所示，当两个轨迹上出现凹坑Pt时，四个区域KA、KB、KC和KD全部变暗，如图22D所示，当任何一个轨迹都不出现凹坑Pt时，四个区域KA、KB、KC和KD全部变亮。

从该检测器4d输出RF信号作为(KA+KB+KC+KD)。当在激光光点LSP同时扫描两个轨迹时检测到RF信号的电平时，探测到与RF信号电平有关的三个电平(H、M和L电平)与两个轨迹都不出现凹坑、一个轨迹上出现凹坑和两个轨迹上出现凹坑的三种情况一致，如图23A所示。

图23A中所示曲线图水平轴中的光束位置表示沿激光光点LSP轨迹方向的位置，如图23B所示。

因此，基于两个阈值确定RF信号的电平使其能够确定H电平，M电平和L电平。这使得两轨迹同时再现期间三值检测成为可能。

另外，即使使用推挽信号，即(区域KA+KB的输出)-(区域KC+KD的输出)，可进行同样的三值检测。

当由推挽信号衍射的电平表示为数值模式时，推挽信号(KA+KB)-(KC+KD)的值变为“-1”、“+1”、“0”和“0”，分别与图22A至22D的每种情况一致。

因此，与RF信号的情况一样探测到三个电平(H电平为“+1”、M电平为“0”、和L电平为“-1”)，因此通过设定阈值使三值检测成为可能。

当进行四值检测时，通过RF信号和推挽信号的组合确定相邻轨迹之间的凹坑图形。

当由RF信号和推挽信号衍射的电平表示为数值模式时，RF信号变为“1”、“1”、“2”和“0”，推挽信号变成“-1”、“+1”、“0”和“0”，分别与图22A至22D的每种情况对应。

就是说，以下面描述的方式进行四值确定。

当RF信号＝“1”和推挽信号＝“-1”时，左轨迹Ltk上不出现凹坑Pt，右轨迹Ptk上出现凹坑Pt。

当RF信号＝“1”和推挽信号＝“+1”时，左轨道Ltk上出现凹坑Pt，右轨迹Rtk上不出现凹坑Pt。

当RF信号＝“2”和推挽信号＝“0”时，两个轨迹上出现凹坑Pt。

当RF信号＝“0”和推挽信号＝“0”时，两个轨迹上都不出现凹坑Pt。

如上所述，当通过由其光接收区被分成多个区的检测器4d检测反射光的强度分布从其形状与例如密致盘相同、其中以近似激光光点LSP的大小1/2的轨迹间距的高密度已记录凹坑Pt的光盘1再现数据时，可读取每个轨迹的凹坑信息或两个轨迹上逻辑相关的凹坑信息。

<双凹坑方法，包括摆动凹坑>

在上述逻辑双凹坑方法中考虑左轨迹Ltk和右轨迹Rtk两个轨迹同时扫描的情况下，通过在左轨迹Ltk和右轨迹Rtk的每一个中形成摆动凹坑，例如，16值检测成为可能，从而达到更大容量。另外，在双沟道双凹坑的情况下，能够在一个数据时钟定时在每个轨迹进行四值检测，从而同样达到更大容量。

下面参考图24A至24E、25、26A、26B和27描述该实例。

图24A示出由左轨迹Ltk和右轨迹Rtk两个轨迹形成的凹坑图形P₁至P₆，包括摆动凹坑。

这种情况下，在每个轨迹中设置一个位于跟踪中心作为凹坑Pt的凹坑(非摆动凹坑(α))，一个位于偏离每个轨迹中心+Δt方向的凹坑(摆动凹坑(β))，和一个位于偏离每个轨迹中心-Δt方向的凹坑(摆动凹坑(γ))，以及设置一个不形成凹坑P的像面部分(M)。因此表示四值信息。

该四值信息分别表示为α、β、γ和M，如图24B所示。轨迹#n(左轨迹Ltk)上出现信息α₁、β₁、γ₁和M₁，并在轨迹#n+1(右轨迹Rtk)上出现信息α₂、β₂、γ₂和M₂。就是说，通过使激光光点LSP同时扫描轨迹#n和#n+1，利用信息α₁、β₁、γ₁和M₁与信息α₂、β₂、γ₂和M₂的组合使16种数据表示(凹坑图形P₁至P₁₆)成为可能。

因此，在逻辑双凹坑方法的情况下，可通过由凹坑图形P₁至P₁₆中的任何一个表示16值数据记录将在该光盘的轨迹上记录的数据。即，在相邻轨迹的一个数据时钟定时表示值“0000”至“1111”。

另外，在双沟道双凹坑方法的情况下，可将四值数据记录到每个轨迹上。例如，使信息α、β、γ和M分别对应于记录数据值“11”、“10”、“01”和“00”。

因此，这种光盘的记录容量比采用两个仅表示凹坑出现或不出现的“1”和“0”值的光盘有明显提高。

下面将描述从包括这种摆动凹坑的凹坑图形提取数据的方法。

如图25所示，对于激光光点LSP，当假设在左轨迹Ltk上出现镜面部分M₁、以及凹坑α₁、β₁和γ₁，并在右轨迹Rtk上出现镜面部分M₂，以及凹坑α₂、β₂和γ₂时，由例如图21所示的检测器4d的光接收区KA和KD获得的衍射电平，即I₁电平和由检测器4d的光接收区KB和KC获得的衍射电平，即I₂电平分别对应于如图25所示折0，L，2L和3L。

与每个凹坑图形P₁至P₁₆对应的I₁衍射电平和I₂衍射电平如图24C所示。

另外，由于通过I₁+I₂获得RF信号，RF信号的衍射电平具有与凹坑图形P₁至P₁₆对应的电平分布从0到6，如图24D所示。另一方面，由I₁-I₂获得的推挽信号具有与凹坑图形P₁至P₁₆对应的电平分布从-3到+3，如图24E所示。

图26A和26B示出RF信号(调制程度)和推挽信号的电平分布。图26A和26B示出通过假设0.0为垂直轴中镜像电平计算的值。另外，沿水平轴的光束位置表示激光光点LSP在具有在0.0点的凹坑中心的再现扫描方向移动的位置，如图23B所示。因此，通过根据与0.0点对应的数据时钟DCK进行数据提取，在RF信号的情况下在约0到-0.65的电平范围内提取信息，在推挽信号的情况下在约-0.3到+0.3的电平范围内提取信息。

如上所述，可由七种范围确定RF信号和推挽信号两者的电平，另外，每个凹坑图形P₁到P₁₆在与RF信号和推挽信号的电平范围对应的信息布图上相互独立地定位，如图27所示。因此，由于再现装置将该信息布图保留在解码器内，使得根据已形成数字数据并输入的RF信号和推挽信号的值方便地确定凹坑图形P₁到P₁₆中的哪一个已被扫描再现成为可能。

例如，如果假设RF信号的值是-0.2(即，信息布图中的2)，和推挽信号值是0.0(信息布图中的0)，确定图形是凹坑图形P₇，使其能够提取假设左轨迹Ltk包含摆动凹坑+Δt表示的信息β和右轨迹Rtk包含摆动凹坑-Δt表示的信息γ的数据。

通过将图27中这样的信息布图存储在解码器中，可根据RF信号的值和推挽信号的值确定凹坑图形P₁至P₁₆。为此，如图27所示，需要用于确定RF信号的值是电平0到6之一的阈值SL_R1至SL_R6，和需要用于确定推挽信号值是电平-3至+3之一的阈值SL_P1到SL_P6。

如果从光盘到光盘的反射率总是常数，并且如果光盘中的符号间干扰不被识别，可根据实验或类似数据将阈值SL_R1到SL_R6和SL_P1到SL_P6预存。然而，在实际中，由于符号间或类似干扰，基于信息α、β、γ和M的RF信号值和推挽信号值可改变。

因此，预先将图24A中所示的16个凹坑图形的所有或一些作为参考信息按其原样记录在光盘1上预定循环的预定区中(例如靠近伺服区ARs)。再现期间，根据当该参考信息中每个图形被再现并存储在解码器内时获得的RF信号值和推挽信号值计算最佳阈值SL_R1到SL_R6和SL_P1到SL_P6。这使得准确的16值确定成为可能。

例如，通过使用已记录图18中的固位凹坑凹槽的预写区PR和后写区PO能够记录参考信息。

另外，在形成伺服凹坑的伺服区ARs中，由于描绘了凹坑图形P₁、凹坑图形P₄、凹坑图形P₁₃和凹坑图形P₁₆，这些伺服凹坑可用作凹坑图形P₁、P₄、P₁₃和P₁₆的参考信息。[PAM盘]

接下来，将给出RAM盘的说明，作为根据上述数据结构、轨迹/帧/区段格式和扇区格式形成的并且其中形成伺服凹坑以进行上述三相跟踪操作这样一个实例的盘。该RAM盘的特性是在沿轨迹的圆周方向前进时纹间表面和纹道交替出现。具体将其称为纹间表面/纹道交替型(L/G交替型)RAM盘。

图28是该L/G交替型RAM盘的轨迹结构的示意描绘。图29示出该L/G交替型RAM盘中的伺服区ARs和该伺服区ARs之前和之后的部分数据区ARd。

在图28中，对应于伺服区ARs的位置中的黑色部分表示用于前面已描述的三相跟踪的伺服凹坑。

另外，在沿圆周方向的两伺服区ARs之间的数据区ARd中阴影部分描绘的曲线部分表示纹道GB的数据轨迹，数据区ARd中示给出阴影的部分表示纹间表面LD的数据轨迹。

另外，实线箭头SSPR被表示为以激光光点LSP为起点以螺旋形前进。该箭头表示在该L/G交替型RAM盘中激光光点LSP的记录扫描路径和再现扫描路径。

图29是L/G交替型RAM盘中一个伺服区ARs和该伺服区ARs之前和之后的数据区ARd的放大图，表示方法与上述图18中的类似。

也是在这种情况下，伺服区ARs是一个以伺服时钟SCK作为基准的24个伺服时钟周期的区域，并根据伺服时钟SCK提取伺服凹坑信息或类似信息。另外，由处在如图8中描述的位置PS_A的伺服凹坑的位置表示区段类型。

同时，在数据区ARd中，根据数据时钟DCK再现数据。数据区ARd形成为纹道GB或纹间表面LD而不是如上述双凹坑型ROM盘中的凹坑序列。

在数据区ARd尾端的后写区PO和在数据区ARd起点的预写区PR主要用于防止记录操作期间激光的残余热量和记录的数据未擦除，如图5中所述。

如可从图28和29看到的，在该L/G交替型RAM盘中，伺服凹坑轨迹(伺服区ARs中的凹坑序列)的中心与圆周方向中数据轨迹(数据区ARd中的纹间表面LD或纹道GB)的中心不一致。

因此，当采用形成为图形A，图形B、图形C之一的两个相邻伺服凹坑轨迹进行跟踪伺服并且激光光点LSP的记录再现扫描SSPR以两个相邻伺服凹坑轨迹的中间位置作为如图中所示的跟踪中心前进时，记录再现扫描SSPR沿数据区ARd中纹道GB的中心或纹间表面LD的中心前进。

就是说，相对于纹道GB或纹间表面LD到达正确跟踪状态，并由激光光点LSP沿纹道GB或纹间表面LD前进扫描。

然后，如从图28可看到的，当观看以圆周位置TNCG为起点和结束点的每个圆形轨迹时，由其中使数据区ARd为纹道GB的区段构成的轨迹，和由其中使数据区ARd为纹间表面LD的区段构成的轨迹交替出现。

具体地说，在某一轨迹中，扫描前进的顺序是：纹道GB，伺服区ARs、纹道GB、伺服区ARs、……伺服区ARs、纹道GB。当到达圆周位置TNCG并且扫描前进到下一个轨迹时，轨迹扫描前进的顺序是：伺服区ARs、纹间表面LD、伺服区ARs，纹间表面LD、……伺服区ARs、纹间表面LD。结果是，纹道GB和纹间表面LD二者都用于记录数据。

如上所述，该L/G交替型RAM盘是以这样的方式构成的，即由其中数据区ARd为纹道GB的区段构成的轨迹(下文称为纹道轨迹)，和由其中数据区ARd为纹间表面LD的区段构成的轨迹(下文称为纹间表面轨迹)交替地形成每个圆形轨迹。

在此所称的区段是指图4、和5A到5D所示的数据区段DSEG(X)。如上所所述，由凹坑序列而不是由磁光记录和再现区的纹道/纹间表面将诸如地址之类的数据作为只读数据记录到地址区段ASEG(X)中。

在图28的示意图中，为简化说明，省略地址区段ASEG(X)的描述，并示出仅考虑数据区段DSEG(X)的说明图。该附图说明也应用于下文描述的图30和34中。

图28中的圆周位置TNCG被设定为轨迹编号的改变点，即圆形轨迹的起点和结束点。图29中示出该圆周位置TNCG后的伺服区ARs之前和之后的部分。

如可在图29中可清楚看到的，如果已沿纹间表面轨迹前进的记录和再现扫描路径SSPR照这样前进，它以该圆周位置TNCG之后的伺服区ARs作为边界进入纹道轨迹。

另外，如果已沿纹道轨迹前进的记录和再现扫描路径SSPR照这样前进，它以该圆周位置TNCG之后的伺服区ARs作为边界进入纹间表面轨迹。这些情况在图29中针对每个记录和再现扫描路径SSPR表示为(LD→GB)或(GB→LD)。

如可在图28中看到的，伺服区ARs中伺服凹坑图形的形成顺序是：在圆周方向中图形A，图形B、图形C、图形A、图形B、图形C……。

另外，当在半径方向看去时，在如图7B和7C所示图形的情况下，就是说，图形以按顺序看到的每对相邻伺服凹坑轨迹的中部为基准以图形A、图形B、图形C、……的顺序改变。

这种情况下，由于记录和再现扫描路径SSPR沿纹道轨迹和纹间表面轨迹交替前进，当在半径方向看去时，再现扫描SSPR以纹间表面LD和纹道GB的间距为单位前进。

在图29中，对应于每个记录和再现扫描路径SSPR的伺服凹坑图形表示为每个记录和再现扫描路径SSPR左侧上的(A)、(B)和(C)。如当在盘的半径方向顺序观看每个记录和再现扫描路径SSPR时可看到的，按图形A、图形B、图形C、图形A、图形B、图形C，……的顺序进行跟踪伺服操作，并因此进行如该实例中沿纹道轨迹和纹间表面轨迹前进的扫描。

这种情况下，即使数据轨迹间距，即从纹间表面LD的中心到纹道GB中心的宽度被设定为0.6μm，激光光点LSP的大小被设定为1.2μm，接近2倍大，图形A、B和C分别以1.2μm的宽度形成。因此，在记录和再现扫描路径SSPR中跟踪操作的情况下确保至少1.2μm的轨迹间距，并能以足够的精度进行跟踪伺服。

此外，由于伺服凹坑在图中所示半径方向是按图形A、图形B、图形C的顺序排列的，此刻除了形成伺服图形的伺服凹坑外没有来自其它伺服凹坑的干扰。就是说，这样变得可与激光光点LSP沿形成某一图形的伺服凹坑组中心经过时的情况相比，不能看到与每个伺服凹坑相邻的伺服凹坑。

因此，该跟踪伺服操作变得可与在轨迹间距是数据轨迹间距3倍大的1.8μm的伺服控制相比，使准确和稳定的跟踪控制成为可能并使其能够处理更窄的轨迹间距。

并且，在该L/G交替型RAM盘中，由于纹间表面LD和纹道GB二者都用作记录轨迹，它能够实现常规盘，即或是纹间表面或是纹道作为记录轨迹的盘两倍高的高密度记录。[局部ROM盘]

[双凹坑型ROM和L/G交替型RAM]

接下来，将给出局部ROM盘的说明，作为根据上述盘结构，轨迹/帧/区段格式，和扇区格式形成的并且其上形成伺服凹坑以进行上述三相跟踪操作这样一个实例的盘。

如图3C和3D所示，局部ROM盘具有一个ROM区AE和一个可重写区ARW。采用外区域侧为可重写区ARW和内区域侧为ROM区AE的实例给出说明，如图3D所示。下面将描述的外区域侧如图3C为ROM区AE的该实施的局部ROM盘可以完全相同的方式应用。

另外，在此描述的局部ROM盘是双凹坑型ROM和L/G交替型RAM组合的局部ROM盘就是说，该盘具有针对沿图28和29所述的轨迹的圆周方向前进的每个圆形轨迹纹间表面轨迹和纹道轨迹交替出现的L/G交替型可重写区，和其中由左轨迹Ltk和右轨迹Rtk形成双螺旋形轨迹的双凹坑型ROM区，如图17和18中所述，这些轨迹被同时扫描。

图30是这种双凹坑型ROM和L/G交替型RAM组合型局部ROM盘轨迹结构的示意说明。图31示出该局部ROM盘中在圆周位置TNCG的伺服区ARs和在该伺服区ARs之前和之后的数据区ARd部分。

在图30中，在与伺服区ARs对应位置的部分表示至此描述的三相跟踪的伺服凹坑。

另外，盘的外区域侧中两伺服区ARs之间的数据区AFd中阴影部分描绘的曲线部分表示纹道GB的数据轨迹，数据区ARd中未给出阴影的部分表示纹间表面LD的数据轨迹。

另外，以螺旋形前进的实线箭头SSPR表示激光光点LSP在该盘外区域侧的L/G交替型RAM的可重写区中的记录扫描路径和再现扫描路径。

同样，该盘内区域侧上圆周方向中两伺服区ARs之间的数据区ARd中黑色部分描绘的曲线表示凹坑的报告数据轨迹。另外，以螺旋形前进的实线箭头SSPR表示激光光点LSP在作为双凹坑型ROM的内区域侧上的再现扫描路径。

图31是在与上述图29中具有相同结构的L/G交替型RAM的可重写区中和作为与上述图18中具有相同结构的双凹坑型ROM的ROM区中的同服区ARs和该伺服区ARs之前和之后的数据区ARd的放大图。表示方法与上述图18和29类似。

伺服区ARs是以伺服时钟SCK为基准的24个伺服时钟周期的区域，并根据伺服时钟SCK提取伺服凹坑信息或类似内容。另外，如图8A至8D所述，由在位置PS_A的伺服凹坑的位置表示区段类型。

同时，在数据区ARd中，根据数据时钟DCK再现数据。盘的内区域侧上的数据区ARd被制成与上述双凹坑型ROM盘相同方式左轨迹Ltk和右轨迹Rtk的双螺旋形凹坑序列。盘的外区域侧上的数据区ARd被制成纹道GB或纹间表面LD。

位于数据区ARd尾端的后写区PO和位于数据区ARd起点的预写区PR主要用于在记录操作防止激光残留热量和记录数据的未擦除，如图5A至5D所述。同时，在盘的内区域侧上的ROM区中，为了格式的兼容性和减少镜面部分形成一个固位凹坑凹槽。

如从图30和31所看到的，在该局部ROM盘的外区域上，伺服凹坑轨迹(伺服区ARs中的凹坑序列)的中心与圆周方向中数据轨迹(数据区ARd中的纹间表面LD或纹道GB)的中心不一致。

因此，当由形成图形A、图形B、和图形C之一的两个相邻伺服凹坑轨迹进行跟踪伺服时，激光光点LSP的记录和再现扫描路径SSPR以两个相邻伺服凹坑轨迹的中间位置作为如图中所示的跟踪中心前进。记录再现扫描路径SSPR在数据区ARd中沿纹道GB的中心或沿纹间表面LD的中心前进。

就是说，相对于纹道GB或纹间表面LD到达正确跟踪状态，并由激光光点LSP扫描前进。

然后，当针对每个圆形轨迹以作为起点和结束点的圆周位置TNCG看去时，由数据区ARd为纹道GB的区段构成的轨迹，和数据区ARd是纹间表面LD的区段构成的轨迹交替出现。结果是，纹道GB和纹间表面LD二者用于记录数据。

在图31中，沿纹间表面轨迹前进的记录和再现扫描路径SSPR进入以该圆周位置TNCG之后的伺服区ARs为边界的纹道轨迹情况表示为(LD→GB)，沿纹道轨迹前进的记录和再现扫描路径SSPR进入以该圆周位置TNCG之后的伺服区ARs为边界的纹间表面轨迹的情况表示为(GB→LD)。

另外，如从图30和31可看到的，在该盘中，伺服凹坑轨迹和数据轨迹(数据区ARd中的凹坑序列)在圆周方向相互一致。

因此，当由形成图形A、图形B、和图形C之一的两个相邻伺服凹坑轨迹进行跟踪伺服，和以两个相邻伺服凹坑轨迹的中间位置作为如图中所示跟踪中心时，再现扫描路径SSP沿同样在数据区ARd中的数据轨迹的中间位置前进。就是说，激光光点LSP同时扫描两相邻数据轨迹。

另外，如从图30看到的，左轨迹Ltk和右轨迹Rtk形成成对状态的螺旋形轨迹。

在该局部ROM盘中，如在图30看到的，伺服区ARs中伺服凹坑图形形成的顺序是：在圆周方向从最外区到最内区为图形A、图形B、图形C、图形A、图形B、图形C、……。

另外，当在半径方向看去时，在图7B和7C所示图形的情况下，就是说，以按顺序所看到的每对伺服凹坑轨迹的中间为基准图形改变顺序为：图形A、图形B、图形C……。

在由纹道GB/纹间表面LD通过凹坑序列从可重写区到ROM区产生偏移的轨迹部分上，伺服凹坑的规律发生畸变。这是由于刻纹操作的情况造成的，下面将对其细节进行描述。

对于这种局部ROM盘的情况，因为在外区域侧执行的记录和再现扫描路径SSPR沿纹道轨迹和纹间表面轨迹交替前进，所以当在半径方向看去时再现扫描路径SSP以纹间表面LD和纹道GB的间距为单位前进。

在图31，对应于每个记录和再现扫描路径SSPR的伺服凹坑图形在每个记录和再现扫描路径SSPR左侧上表示为(A)、(B)和(C)。正如当在盘的半径方向按顺序看每个记录和再现扫描路径SSPR时能够观察到的，沿半径方向以图形A，图形B，图形C，图形A，图形B，图形C，……的顺序执行跟踪伺服控制，这样就执行了沿纹道轨迹和纹间表面交替前进的扫描。

同时，因为在内区域侧执行的再现扫描路径SSP沿双螺旋的中心前进以便以双螺旋形状同时扫描左轨迹Ltk和右轨迹Rtk，所以当沿半径方向看去时再现扫描路径SSP以两个轨迹间距为单位前进。

在图31，正如当在盘的半径方向按顺序看每个再现扫描路径SSP时所观察到的，在半径方向以图形A，图形B，图形C，图形A，图形B，图形C，……的顺序执行跟踪伺服控制，这样就执行了轨迹(左轨迹Ltk和右轨迹Rtk)的同时扫描。

也就是说，在这种局部ROM盘中，在外侧区域侧上的可重写区和内侧区域侧上的ROM区之间的不同序列改变跟踪伺服控制图形的顺序。

在这种情况下，即使数据轨迹间距，即，从纹间表面LD的中心到纹道GB的中心的宽度，以及从左轨迹Ltk的中心到右轨迹Rtk的中心的宽度设定为0.6μm，并且激光光点的大小设定为大约其两倍大的1.2μm，以1.2μm的宽度分别形成图形A，B和C。因此，在记录和再现扫描路径SSPR中跟踪操作的情况下可以保证至少1.2μm的轨迹间距，并且能够以足够准确度进行跟踪伺服。

更进一步，因为如图所示沿半径方向以顺序：图形A，图形B，图形C排列伺服凹坑，所以不存在来自此时构成伺服图形的伺服凹坑之外的伺服凹坑的干扰。也就是说，这与激光光点LSP沿形成某一图形的伺服凹坑组的中心通过时的情况相差不大，不能看见与伺服凹坑的每一个相邻的伺服凹坑。

因此，对于跟踪伺服操作，它就等同于在为数据轨迹间距的宽度三倍的1.8μm的轨迹间距上的伺服控制，这样有可能准确和稳定地执行跟踪控制，并且能够处理更窄的轨迹间距。

以及，在这种局部ROM盘的可重写区，因为纹间表面LD和纹道GB都用作记录轨迹，所以有可能实现较常规盘，即，或者纹间表面或者纹道成为记录轨迹的盘，两倍高的高密度记录。

更进一步，在这种局部ROM盘的ROM区，因为使用具有0.6μm的轨迹间距的双凹坑型ROM，通过上述的双沟道双凹坑方法和逻辑双凹坑方法能执行两轨迹同时扫描，并且通过双沟道双凹坑方法和逻辑双凹坑方法也能够记录诸如三值或四值这样的多值数据。这样，有可能实现两倍或更高的高密度记录以及更高的传送率。

<双凹坑单数据型ROM和L/G交替型RAN>

下面，参考图32和33，将描述具有以双凹坑单数据型ROM为ROM区和双L/G可交替型RAM为可重写区的局部ROM盘的实例。

因为该盘所显示的轨迹结构与上述图30的结构类似，所以已略去对其的说明和描述，图32表示这种局部ROM盘内的伺服区ARs和在伺服区ARs前及后的数据区ARd部分。

在该实例中，与图31描述的局部ROM盘类似，使位于盘的外区域侧的可重写区为L/G交替型RAM，因此，已略去对其的描述。

在该实例中，ROM区的结构与上述图31的实例的结构不同。即，在同时扫描左轨迹Ltk和右轨迹Rtk方面二者是相似的。然而，未形成诸如上述两沟道双凹坑或逻辑双凹坑形式的凹坑序列，并且在左轨迹Ltk和右轨迹Rtk未形成互相物理相邻的凹坑或镜面。

在这种情况下，如图32所示，在伺服区ARs中ROM区与图31的局部ROM相似，并且形成用于三相跟踪的伺服凹坑。

与此同时，在数据区ARd，当从再现扫描路径SSP的扫描中心看去时在的两侧的轨迹上，也就是说，在左轨迹LtR和右轨迹Rtk上，形成互相倒置的凹坑序列内的凹坑Pt，和镜面M。

更具体地说，对于每个均为凹坑序列和倒置凹坑序列的左轨迹Ltk和右轨迹Rtk，构成一轨迹数据。就数据而论时，左轨迹Ltk和右轨迹Rtk的两个轨迹构成一个轨迹。

接着，仍在这种情况下，左轨迹Ltk和右轨迹Rtk的轨迹间距设定为，例如0.6μm，并且同时扫描构成双螺旋的左轨迹Ltk和右轨迹Rtk。就再现扫描路径SSP的数据时钟DCK的每个定时来看，当凹坑Pt出现在左轨迹Ltk时，右轨迹Rtk成为镜面M。更进一步，当左轨迹Ltk成为镜面M时，凹坑Pt形成在右轨迹Rtk上。

因此，只要通过激光光点LSP扫描该ROM区的数据区ARd，凹坑Pt中的任何一个总是出现在激光光点LSP内。

数据区ARd内的预写区PR和后写区PO不必一直为图中所示的凹坑序列和倒置凹坑序列。仅在除去数据区ARd的预写区PR和后写区PO之外的实际数据部分是必要的，左轨迹Ltk和右轨迹Rtk是凹坑序列和倒置凹坑序列的关系。然而，在预定区PR或后写区PO中，当记录某些数据时，这些区最好也设置为凹坑序列和倒置凹坑序列的关系。

在这种局部ROM盘的ROM区，在对其再现期间，按照数据时钟DCK再现凹坑序列和倒置凹坑序列。

由图33A、33B和33C中的虚线表示的纵线表示数据时钟DCK的定时。

从图33A可以清楚看出，凹坑序列和倒置凹坑序列中凹坑Pt的开始和结束形成为与数据时钟DCK的定时同步。更进一步，以这样的方式构成关于凹坑序列的再现逻辑数据，即，在凹坑Pt和镜面M之间的边界(也就是，上述的开始和结束)逻辑设定为“1”，并且除边界之外的凹坑Pt部分(和镜面部分)逻辑设定为“0”。

扫描这样的凹坑序列和倒置凹坑序列时所得到的推挽信号和RF信号的信号波形分别如图33B和33C所示。

图33B和33C所示的推挽信号和RF信号为再现图33A所示的数据区ARd内的凹坑序列和倒置凹坑序列所产生的波形。

如图33C所示，在数据区ARd，以再现扫描路径SSP的跟踪中心为基准当凹坑Pt出现在右轨应Ltk时，镜面M总是出现在右轨迹Rtk。相反，当左轨迹Ltk为镜面M时，凹坑Pt总是出现在右轨迹Rtk。由于这种关系，RF信号的信号电平达到中间电平(M)。

另一方面，推挽信号在镜面M和凹坑序列(或倒置凹坑序列)内的凹坑Pt之间的边界达到“0”。例如，当凹坑Pt出现在左轨迹Ltk时，信号成为波动到(-)方向的信号波形；当凹坑Pt出现在右轨迹Rtk时，信号成为波动到(+)方向的信号。

在凹坑序列和倒置凹坑序列形成在上述的左轨迹Ltk和右轨迹Rtk的情况下，通过按照推挽信号再现数据，能够进行令人满意的直流平衡，也就是说，可以使数字和值(DSV)的值为零。在不执行用于稳定直流平衡的调制，例如EFM(八到十四调制)的情况下自然可以实现这一点，在未执行调制，例如EFM，即，使数据长度增加的调制，的情况下有可能记录与记录数据一样的凹坑信息的数据，并有可能实现更高的记录数据密度。

特别是，当检测到RF信号时，执行使用部分响应PR(1.1)的检测并通过Viterbi(维持比)译码执行这种使用PR(1.1)的检测。这使得有可能有效地消除由高密度记录引起的再现期间的符号间干扰，并提高再现信号的S/N比率。

更进一步，根据RF信号的电平为中间电平以及推挽信号的电平不是“0”的事实进行记录图形之外的数据区ARd的确定，能否容易地确定数据区ARd，使得有可能实现对记录数据更高速存取。

<双凹坑型ROM和单数据型RAM>

下面，参考图34和35，将描述具有ROM区为双凹坑型ROM和可重写区为单数据型RAM的局部ROM盘的实例。

图34表示这种局部ROM盘的轨迹结构的说明。图35表示这种双凹坑型ROM盘内中的伺服区ARs和在伺服区ARs前及后的数据区ARd部分。

在该实例中，与上述的图30和31所描述的局部ROM盘类似，使位于盘的内区域侧的ROM区成为双凹坑型ROM，因此已略去对其的描述。

在该实例中，可重写区的结构与图31的上述实例的结构不同，也就是说，只有纹间表面LD或者纹道GB之一用作数据区ARd内的轨迹。在该实例的情况下，使纹道GB成为数据记录轨迹，并且从图34可以看出，以螺旋形状构成在其上通过纹道GB形成数据区ARd的轨迹。

并且，从图34和35能够看出，在该局部ROM盘的外区域侧，在圆周方向伺服凹坑轨迹的中心与数据轨迹(数据区ARd内的纹道GB)的中心不一致。因此，当通过数据区ARd内构成图形A，图形B，和图形C其中之一的两个相邻伺服凹坑执行跟踪伺服时，记录和再现扫描路径SSPR沿纹道GB的中心前进。

也就是说，相对于纹道GB达到正确的跟踪状态，并且激光光点LSP的扫描继续进行。

当以圆周位置TNCG作为开始点和结束点看每个圆形轨迹时，按顺序：图形C，图形B，图形A，图形C，图形B，图形A，……切换跟踪伺服控制，以螺旋形状执行纹道轨迹的扫描。这种图形切换与为双凹坑型的ROM区内的类似。

在这种局部ROM盘中，在可重写区不能实现特别明显的高密度。然而，因为使ROM区成为双凹坑型，有可能实现更大的只读数据尺寸。[刻纹装置]

<装置的结构>

现在将描述刻纹其中双凹坑型ROM和L/G交替型RAM组合的上述局部ROM盘的方法。

例如，将制造局部ROM盘的处理大致分为通常所称的母盘化处理和盘信息，处理(复制处理)。母盘化处理是直到盘信息处理中使用的金属母盘(模子)完成的处理，而盘信息处理是其中模子用于大量生产为其复制品的光盘的处理。

尤其是，在母盘化处理中，光阻材料用于磨光的玻璃衬底，并且通过使用激光束在其光敏薄膜上曝光形成凹坑Pt和纹道GB进行通常所称的刻纹。

被记录的凹坑信息为ROM区内的凹坑数据，地址区段内的地址数据，以及伺服区ARS内的伺服凹坑。

在称为预母盘化的预处理中准备ROM区内的凹坑数据。

接着，当刻纹结束时，在完成诸如显影之类的处理之后，通过例如电成型将信息传送到金属表面，并生产制造盘的复制品所需要的模子。

然后，使用该模子通过例如注塑或类似工艺将信息传送到树脂衬底上，在树脂衬底上形成反射薄膜，并且执行例如将树脂衬底形成为所需盘形的处理，从而完成最终的产品。

在该实例的各种盘中，被刻纹的纹道GB和凹坑Pt的深度设定为大约λ/5λ/6，其中λ为激光波长。

因此，有可能容许纹间表面/纹道记录期间的宽串轨和各种边缘，并且更进一步，有可能保证同时扫描双凹坑用于再现时的宽边缘。

例如，图36所示的刻纹装置包括通过将激光束辐射到其上已施加光阻材料的玻璃衬底41而执行刻纹的光学部分40，用于转动驱动玻璃衬底41的驱动部分50，以及用于将输入数据转换为记录数据并控制光学部分40及驱动部分50的信息处理部分60。

光学部分40设置了由例如一个He-Cd激光器构成的激光源42，用于根据记录数据调制(接通/断开)从激光源42照射的光的声光型光调制器43A(AOM)，用于根据记录数据偏转从激光源42照射的光的声光型光偏转器43B(AOD)，用于偏移来自光偏转器43B的调制光束的光轴的棱镜44，和用于聚集由棱镜44反射的调制光束并将该光束照射到玻璃衬底41的光阻材料表面的物镜45。

更进一步，驱动部分50由用于转动驱动玻璃衬底41的电机51，用于产生检测电机51转速的FG脉冲的FG52，用于沿其半径方向滑动玻璃衬底41的滑动电机53，以及用于控制电机51和滑动电机53的转速，和物镜45的跟踪或类似状态的伺服控制器54构成。

更进一步，信号处理部分60由用于通过将例如纠错码加到来自例如一计算机的源数据而形成输入数据的格式化电路61，用于通过对从格式化电路61输入的数据执行计算处理而形成记录数据的逻辑计算电路62，用于根据来自逻辑计算电路62的记录数据驱动光调制器43A和光偏转器43B的驱动电路63，用于向逻辑计算电路62和类似电路提供时钟的时钟发生器64，和用于根据所提供的时钟控制伺服控制器54和类似部件的系统控制器65构成。

并且，在该刻纹装置中，在刻纹期间伺服控制器54使得电机51以固定角速度转动驱动玻璃衬底41并且使得滑动电机53在玻璃衬底41被转动时滑动玻璃衬底41以便以预定的轨迹间距形成螺旋形状的轨迹。

与此同时，根据记录数据使得从激光源42照射的光经光编转器43B成为调制的光束并且将从激光源42照射的光经物镜45照射到玻璃衬底41的光阻材料表面。因此，光阻材料层根据记录数据感光。

同时，将由格式化电路61增加了纠错码和类似数据向输入数据提供给逻辑计算电路62，并且形成记录数据。

逻辑计算电路62产生例如被记录为上述双沟道双凹坑的数据或者记录为上述逻辑双凹坑的数据。

该记录数据提供给驱动电路63。驱动电路63控制光调制器使其在应根据记录数据形成凹坑Pt的定时和应形成纹道GB的间隔期间为接通状态，并且驱动地控制光调制器43A使其在记录数据未构成凹坑(也就是说，构成镜面M和纹间表面LD)的定时和间隔期间为断开状态。

更进一步，当伺服凹坑此时与跟踪中心不一致时，也就是说，当伺服凹坑轨迹与可重写区内圆周方向中的纹道轨迹/纹间表面轨迹不一致时，为形成从跟踪中心在半径方向偏离的位置上的伺服凹坑，驱动电路63执行驱动控制使得光偏转器43B的偏转方向在伺服凹坑的定时在+Δt或-Δt方向中。

当使用ROM区内的摆动凹坑进行如上所述的说明时，执行驱动控制使得光偏转器43B的偏转方向在对应于图24B中由“β”和“γ”表示的摆动凹坑的定时在+Δt或-Δt方向中。

通过这样的操作，根据格式在玻璃衬底41形成对应于纹道/伺服凹坑/地址信息的曝光部分和类似部分，并且形成对应于ROM区内的数据凹坑的曝光部分。

在此之后，执行显影，电成型和类似操作以便生产模子，并且通过使用该压模子生产其中组合上述双凹坑型ROM和L/G交替型RAM的局部ROM盘。

<刻纹操作>

参考图37到40将描述使用图36所示的刻纹装置刻纹其中双凹坑型ROM和L/G交替型RAM组合的局部ROM盘的操作。

图38，39A，39B和39C表示通过滑动电机53进行的玻璃衬底41的传送操作。图40表示用于这种局部ROM盘的刻纹操作的系统控制器65的处理程序。图37表示图30的示意图的可重写区和ROM区之间的边界部分，为描述该边界部分内的刻纹操作增加了代码及类似符号。

正面参图40所示的流程图将描述纹操作。在刻纹其外侧区域为由例如图30所示的纹间表面轨迹和纹道轨迹构成的可重写区的局部ROM盘中，首先，通过步骤F101到F106的处理执行产生可重写区的刻纹。也就是说，由激光执行形成纹道，伺服凹坑，地址区段的地址的数据凹坑(下文称之为地址凹坑)和类似部分的曝光。

为此目的，首先，在步骤F101，由滑动电机53开始玻璃衬底41的传送操作，并且更进一步，开始从激光源42输出激光，以及光调制器43A和光偏转器43B的操作。

此时由滑动电机53对玻璃衬底41的传送操作，由是针对由电机51转动玻璃衬底41的每圈操作使玻璃衬底41滑动一数据轨迹间距的量的操作。

在图30的局部ROM盘中，纹间表面轨迹LD和纹道轨迹GB每个中心之间的距离为数据轨迹间距，并且将该数据轨迹间距设定为上述的0.6μm。

将沿盘的半径方向上的距离设定为图38的水平轴，并将时间设定为垂直轴。然后假定轨迹#1，#2，#3……为在相互邻接的纹道轨迹，纹间表面轨迹，纹道轨迹，……的圆周位置TNCG上半径方向中的位置。如图中所示，以这样一种速度滑动的结果形成螺旋形状的轨迹，即使在T₀到T₁，T₁到T₂，T₂到T₃，……的每一个转动间隔完成轨迹间距的移动为0.6μm。

当执行这样的滑动时对于每个圆形轨迹为了交替地形成纹道轨迹和纹间表面轨迹，执行步骤F102到F106的处理

在步骤F102和F103的循环中，为刻纹第一个圆形轨迹，执行形成轨迹的每个区段SEG(X)的伺服区ARS内的伺服凹坑，地址区段ASEG(X)的数据区ARd内的地址凹坑，和数据区段DSEG(X)的数据区ARd内的纹道的刻纹。

尤其是，由驱动电路63控制光调制器43A以使激光在伺服凹坑，地址凹坑，和纹道的每个定时照射到玻璃衬底41上。更进一步，控制光偏转器43B以便在从跟踪中心偏离的位置形成伺服凹坑。因此，进行纹道轨迹的刻纹。

然后，当结束一个圆形轨迹的刻纹时，处理从步骤F104进入步骤F105和F106。接着，直到完成下一个圆形轨迹的时间期间，执行形成轨迹的每个区段SEG(X)的伺服区ARS内的伺服凹坑，和地址区段ASEG(X)的数据区Ard内的地址凹坑的刻纹。因为数据区段DSEG(X)的数据区ARd为该轨迹内的纹间表面，所以未执行纹道刻纹。

也就是说，由驱动电路63控制光调制器43A以便在伺服凹坑和地址凹坑的每个定时将激光照射到玻璃衬底41。更进一步，控制光偏转器43B以便在跟踪中心偏离的位置形成伺服凹坑。因此，进行纹间表面轨迹的刻纹，

当结束一个圆形轨迹的刻纹时，处理从步骤F106返回步骤F102，在这里执行与上述相同的处理。通过重复这样的处理，形成其中交替出现纹间表面轨迹和纹道轨迹的可重写区。

步骤F104内的轨迹#n涉及为可重写区和ROM区之间边界的轨迹号。也就是说，当刻纹操作进行到轨迹#n时，执行从步骤F102和F106的处理内的纹道轨迹和纹间表面轨迹的交替刻纹到由左轨迹LtR和右轨迹Rtk形成双螺旋形状内的ROM区的凹坑序列的处理的转换。

当刻纹到达轨迹#n时，首先，处理进入步骤F107，在步骤F107和F108，在玻璃衬底41的传送速度保持恒定的情况下仅执行只有一个圆形轨迹的伺服凹坑的刻纹。

然后，在刻纹一个圆形轨迹之后，处理进入步骤F109，在这里，由滑动电机53使得玻璃衬底41的传送速度为两倍快。更进一步，开始刻纹左轨迹Ltd和右轨迹Rtk内的ROM数据凹坑伺服凹坑，和地址凹坑。自然，执行光调制器43A的控制用于该凹坑刻纹操作，并且执行光偏转器43B的扫描控制以形成双螺旋轨迹。

参考图37，39A，39B和39C描述这种边界部分的刻纹操作和形成ROM区内的双螺旋轨迹的刻纹操作。

在图37，实线箭头SSC表示用于刻纹的激光照射路径(刻纹扫描)。假定该图中最外侧区域所示的纹道GB和伺服区ARS的轨迹的刻纹扫描SSC在可重写区的最后轨迹上。

当结束该可重写区的最后轨迹的刻纹扫描并到达轨迹#n时，首先，与步骤F107和F109相同执行针对一个圆形轨迹的伺服凹坑的刻纹。

图39B和39C表示光偏转器43B的控制和滑动电机53的传送控制。如图39C所示，在该间隔内，当从T₁₀到T₁₁的间隔为第一圆形轨迹时，与图38所示的可重新区的情况类似对于每个圆环滑动电机53的跟踪控制设定为0.6μm速度。

此外，在该间隔内，如图39B所示，未执行光偏转器43B的偏转控制。

接着，从结束第一圆环的时间T₁₁开始，在步骤F109的处理中，如图39B和39C所示在光偏转器43B执行由虚线表示的偏转控制(扫描控制)，并且使滑动电机53的传送速度为两倍快。

通过图39B和39C所示的这种操作，实际上，沿半径方向激光照射位置的偏离如图39A所示。也就是说，从时间T₁₁开始，对于每个圆形轨迹激光照射位置路径在半径方向偏离两个轨迹的量，并且对于每个圆环在半径方向返回一个轨迹的量。

通过这样的操作，正如进行图37中的刻纹扫描SSC时所能了解到的，当仅结束轨迹#n第一圆环的伺服凹坑的刻纹时，在半径方向的刻纹扫描SSC的位置再次返回到轨迹#n的开始位置，并且从此时起，形成轨迹#n的伺服凹坑，数据凹坑，和地址凹坑。此时，因为滑动电机53的传送速度为两倍大，螺旋形状内的刻纹扫描路径SSC逐渐与紧接前一个的圆形路径分开。通过伺服凹坑的曝光部分逐渐分开，如图37中的①到④部分，这样的事实可以了解这种情况。

然后，在此时一个圆环的刻纹扫描SSC中，因为传送速度为两倍大，结束该圆环时在半径方向的位置为对应于轨迹#(n+2)的位置。也就是说，该位置移动两个轨迹的量。

在该圆环之后，形成左轨迹Ltk的第一圆环。

在开始下一个圆环的时间T₁₂，因为光偏转器43B的偏转返回到扫描开始位置，在刻纹扫描SSC半径方向中的位置返回一个轨迹的量并成为轨迹#(n+1)的位置。

接着，执行轨迹#(n+1)，即，右轨迹Rtk的刻纹扫描SSC。

在此之后，重复类似的操作直到在步骤F110结束最后轨迹的刻纹为止，由左轨迹Ltk和右轨迹Rtk以双螺纹形状形成轨迹作为ROM区。

如上所示，为形成图30的局部ROM盘的可重写区，对于每个圆形轨迹交替执行用于进行每个区段内伺服区的凹坑刻纹和数据区的纹道刻纹的每个圆形轨迹的刻纹操作，以及用于进行伺服区的凹坑刻纹的一个圆形轨迹的刻纹操作。

更进一步，为形成ROM区内的双螺旋形状的轨迹，使沿盘的半径方向刻纹位置的移动速度为可重写区内的两倍，并且通过，例如，对光偏转器43B的控制，对于每个圆形轨迹在盘的半径方向执行一个圆形轨迹的刻纹位置的返回移动。

由于上面操作的结果，能够执行其中双凹坑型ROM和L/G交替型RAM组合的局部ROM盘的刻纹。

更进一步，当从可重写区的刻纹操作进入ROM区的刻纹操作时，对于ROM区的第一圆环的刻纹操作，以保持与可重写区内的移动速度相同的，沿盘的半径方向的刻纹位置的移动速度，也就是，滑动电机53的传送速度，执行每个区段内伺服凹坑的刻纹。对于第二个和后续圆环的刻纹操作，使传送速度为两倍大，并且对于每个圆形轨迹沿盘的半径方向执行一个圆形轨迹的刻纹位置的返回移动，这样甚至在边界部分也能令人满意地形成伺服凹坑。[RAM盘]

下面，将描述这种RAM盘的一个实例，其中根据前面描述的盘结构，轨迹/帧/区段格式，和扇区格式形成该盘，并且其上形成伺服凹坑以便执行上述的三相跟踪操作。

从物理上说，该RAM盘特点为以螺旋形状形成纹道GB，并且使纹道GB和与纹道GB相邻的部分(即，纹间表面LD)为数据记录轨迹。也就是说，从数据记录轨迹角度上看，轨迹形成双螺旋作为上述的双凹坑型ROM。将这样的RAM盘具体称为纹间表面/纹道双轨迹型(L/G双轨迹型)RAM盘。

作为这种L/G双轨迹型RAM盘，可能有两种类型，将其描述为类型1和类型2。

图41是作为类型1的L/G双轨迹型RAM盘的轨迹结构示意表示。图42表示该L/G双轨迹型RAM盘(类型1)内的伺服区ARs和在伺服区ARs前及后的数据区ARd部分。

在图41，在对应于伺服区ARs的区域内的黑色部分表示已经在前描述过的用于三相跟踪的伺服凹坑。

更进一步，沿圆周方向在两上伺服区ARs之间的数据区ARd内表示为黑色部分的曲线表示作为纹道GB的数据轨迹，并且在数据区ARd内未给出阴影的部分表示作为纹间表面LD的数据轨迹

更进一步，示出以激光光点LSP作为起点以螺旋形状前进的实线箭头SSP。该箭头表示这种L/G双轨迹型RAM盘内激光光点LSP的再现扫描路径。

虚线箭头SSR表示激光光点LSP的记录扫描路径。

图42表示L/G双轨迹型RAM盘内的伺服区ARs和伺服区ARs前及后的数据区Ard部分，表示方法与上述图18所示的类似。

仍在这种情况下，伺服区ARs是以伺服时钟SCK为基准的24个伺服的时钟周期的区域，并且根据伺服时钟SCK提取伺服册坑信息或类似信息，更进一步，由图8A到8D所述的位置125A上的伺服册坑位置表示区段类型。

同时，在数据区ARd，根据数据时钟DCK再现数据。数据区ARd形成为纹道GB或纹间表面LD而不是如上述双凹坑型ROM盘那样的凹坑序列。

位于数据区ARd结束处的后写区PO和位于数据区ARd开始的预写区PR主要用于防止记录操作期间的激光器的残余热量的未删除数据，如图5D所示。

正如从图28和29能够看到的，在这种L/G交替型RAM盘中，在圆周方向伺服凹坑轨迹的中心(伺服区ARs内的凹坑序列)与数据轨迹(数据区ARd内的纹道GB或纹间表面LD)的中心一致。

因此，当由形成图形A，图形B，和图形C其中之一的两个相邻伺服凹坑轨迹执行跟踪伺服，并且激光光点LSP的记录再现扫描SSRP以作为如该图所示的跟踪中心的两个相邻伺服凹坑的中间位置前进时，再现扫描路径SSP沿数据区ARd内的纹道GB和纹间表面LD之间的边界前进。

也就是说，相对于纹道GB和纹间表面LD的中间达到正确跟踪状态，并且针对纹道GB和纹间表面LD二者由激光光点LSP同时扫描前进。

同时，对于记录扫描路径SSR，因为必须如虚线所示执行沿纹道GB和纹间表面LD中心前进的扫描，所以执行沿伺服凹坑轨迹通过的偏离轨迹跟踪。

以及，如上所述，从物理上说，以螺旋形状形成纹道GB。因为使得纹道GB和纹间表面LD均为数据记录轨迹，从图41能够看出，当以圆周位置TNCG作为开始点和结束点看每个圆形轨迹时，当保持相邻成对状态时以螺旋形状形成在纹道GB形成数据区ARd的区段构成的轨迹(下文称之为纹道轨迹)，和使数据区ARd为纹间表面LD的区段构成的轨迹(下文称之为纹间表面轨迹)。

也就是说，纹道轨迹和纹间表面轨迹形成一双螺旋。

在此所称的区段涉及图4和5B所示的数据区段DSEG(X)。如上所述，地址区段ASEG(X)不是磁光记录和再现区的纹道或纹间表面，并且诸如地址这样的数据由凹坑序列作为只读数据记录在地址区段ASEG(X)内。

在图41的示意图中，为描述简单起见，略去地址区段ASEG(X)的描述，而表示仅考虑数据区段DSEG(X)的说明。这样的附图表示也适用于将在后面描述的图43，45和47。

图41的圆周位置TNCG设定为轨迹号的改变点，即，圆形轨迹的开始点和结束点。图42表示在该圆周位置TNCG之后的伺服区ARs前和后的部分。

从图41能够看出，沿圆周方向以顺序：图形A，图形B，图形C，图形A，图形B，图形C，……形成伺服区Ars内伺服凹坑的图形。

当沿半径方向观察时，在图7B和7C所示图形的情况下，也就是说，按顺序看每对相邻伺服凹坑轨迹图形的中部作为一个基准时以顺序：图形A，图形B和图形C改变图形。

在这种情况下，因为再现扫描路径SSP沿纹道轨迹和纹间表面轨迹之间的边界前进，当沿半径方向观察时再现扫描路径SSP以纹间表面LD和纹道GB作为每一个轨迹的两个轨迹间距单位前进。

在图42，对应于每个记录和再现扫描路径SSPR的伺服凹坑图形表示为每个记录和再现扫描SSP左侧的(A)，(B)和(C)。正如当在沿盘的半径方向按顺序看每个记录和再现扫描路径SSP时能够看到的，以顺序：图形A，图形B，图形C，图形A，图形B，图形C，……执行跟踪伺服操作，并且像在该实例一样执行沿纹道轨迹和纹间表面轨迹前进的扫描。

在这种情况下，即使数据轨迹间距dTP，即，从纹间表面LD的中心到纹道GB的中心的宽度，设定为0.6μm，并且激光光点LSP的尺寸设定为约两倍大的1.2μm，1.2μm的宽度分别形成图形A、B和C。因此，在记录和再现扫描路径SSPR内的跟踪损伤的情况下保证至少1.2μm以的轨迹间距，并且能够执行足够准确的跟踪伺服。

更进一步，因为沿半径方向以顺序：图形A，图形B，图形C排列伺服凹坑，所以此时不存在来自形成伺服图形的伺服凹坑之外的伺服凹坑的干扰。也就是说，这与激光光点LSP沿形成某一图形的伺服凹坑组的中心通过时的情况下差不大，不能看见与伺服凹坑的每一个相邻的伺服凹坑。

因此，跟踪伺服操作与为数据间距dTP三倍大的1.8μm的轨迹间距的伺服控制相差不大，使得准确和稳定的跟踪控制成为可能并且有可能处理较窄的轨迹间距。

并且在这种L/G双轨迹型RAM盘，因为纹间表面LD和纹道GB都用于记录轨迹，有可能实现较常规盘，即，其中使得或者纹间表面或者纹道成为记录轨迹的盘，高两的高密度记录。

更进一步，由于同时扫描纹间表面轨迹和纹道轨迹以读取数据，也有可能加速数据传送率。

由再现扫描路径SSP同时扫描纹间表面LD和纹道GB以读取磁光记录数据。在用于此目的读取方法中，最好向各自处于纹间表面LD和纹道GB的中心的两点引入激光光点LSP的光强度分布的峰值。下面将描述这样的读取方法。

对于记录扫描路径SSR，由沿半径方向以一个轨迹间距单位前进的扫描执行记录。

即，从图41能够看出，由于记录扫描路径SSR沿纹道轨迹和纹间表面轨迹的每个中心前进，所以对于每个圆环执行纹道轨迹的扫描和纹间表面轨迹的扫描。

由于纹道轨迹和纹间表面轨迹形成为双螺旋，在一个圆环之后半径方向纹道GB按两个数据轨迹间距(2dTP)前进。

因此，例如，当结束纹道轨迹一个圆环的扫描时，由偏离轨迹跟踪使用伺服凹坑将记录扫描路径SSR返回一个数据轨迹间距dTP，并且执行由偏离轨迹跟踪从这里进行的纹间表面轨迹扫描。更进一步，当结束纹间表面轨迹一个圆环的扫描时记录扫描路径SSR返回一个数据轨迹间距dTP，并且由偏离轨迹跟踪从这里执行纹道轨迹扫描。通过重复这样的操作进行记录扫描路径SSR。

当在半径方向看去时以顺序：图形A，图形B，图形C，图形A，图形B，图形C，……，改变对应于记录扫描路径SSR的伺服凹坑图形。

接着，下面将描述L/G双轨迹型RAM盘的类型2。图43是类型2的L/G双轨迹型RAM盘的轨迹结构的示意表示。图44表示在这种L/G双轨迹型RAM盘(类型2)内的伺服区ARs和在伺服区ARs前及后的数据区ARd部分。

对于类型2，由于与类型1类似地形成数据轨迹结构以便以双螺旋形状或纹道轨迹和纹间表面轨迹，所以能够实现稳定的伺服操作，通过同时扫描能实现更大容量和更高的传送率，与跟踪有关的轨迹间距tTP成为数据轨迹间距dTP的两倍，并且沿半径方向以顺序：图形A，图形B，和图形C排列伺服凹坑。

类型2与上述类型1的差别是在数据轨迹(数据区ARd内的纹间表面LD或纹道GB)和伺服凹坑轨迹(伺服区ARs内的凹坑序列)之间在圆周方向的位置关系。

从图43和44能够看出，在类型2中，伺服凹坑轨迹的中心在圆周方向与数据轨迹的中心不一致。

因此，与类型1类似，当由形成图形A，图形B，和图形C其中之一的两个相邻伺服凹坑执行跟踪伺服，并且激光光点LSP的再现扫描路径SSP以作为跟踪中心的两个相邻伺服凹坑轨迹的中间位置前进时，在数据区ARd中，再现扫描路径SSP沿纹道GB的中心或者纹间表面LD的中心前进。这样的扫描使得两个轨迹同时再现成为不可能。因此，在再现期间，通过使用伺服凹坑执行偏离轨迹跟踪，再现扫描SSP沿纹道GB和纹间表面LD之间的边界前进。

同时，当扫描从作为跟踪中心的两个相邻伺服凹坑轨迹的中间位置开始时，扫描沿数据区ARd内的纹道GB的中心或者纹间表面LD的中心进行的事实实现了适用于数据记录的扫描。也就是说，作为从成为跟踪中心的两个相邻伺服凹坑轨迹的中间位置开始的结果，如图43和44虚线所示，记录扫描路径SSR在纹道GB或纹间表面LD的正确跟踪状态中前进。

仍在这种情况下，当结束一个圆环的扫描时记录扫描路径SSR返回一个数据轨迹间距dTP，并且从这里开始下一个轨迹的扫描。[局部ROM盘]

<双凹坑型ROM和L/G双轨迹型RAM(类型1)>

下面，将描述这种局部ROM盘的一个实例，其中根据上述盘结构，轨迹/帧/区段格式，和扇区格式形成该盘并且其上形成伺服凹坑以便执行上述的三相跟踪操作。

如图3A到3D所示，局部ROM盘具有ROM区AE和可重写区ARW。将描述其中使盘的外区域侧成为可重写区ARW并且使盘的内区域侧成为ROM区AE的实例。

自然，将在下面描述的，图3C所示的其中使外区域侧成为ROM区AE的这种局部ROM盘的实例能使用类似的方式。

现在将描述局部ROM盘的几种类型。首先，将描述双凹坑型ROM和L/G双轨迹型RAM(类型1)组合的局部ROM盘。

也就是说，该局部ROM盘具有其中纹间表面轨迹和纹道轨迹形成图41和42所述的双螺纹的L/G以轨迹型可重写区，和其中左轨迹Ltk和右轨迹Rtk形成双螺旋形状的轨迹的双凹坑型ROM区，并且同时扫描这些轨迹。

图45是这种双凹坑型ROM和L/G双轨迹型RAM(类型1)的局部ROM盘的轨迹结构的示意表示。图46表示在该局部ROM盘内圆周位置TNCG的伺服区ARs和在伺服区ARs前及后的数据区ARd部分。

在图45，对应于伺服区ARs的位置上的黑色部分表示上述用于三相跟踪的伺服凹坑。

更进一步，在盘的外区域侧上两个伺服区ARs之间的数据区ARd内表示为阴影部分的曲线部分表示作为纹道GB的数据轨迹，而在数据区ARd内未给出阴影的部分表示作为纹间表面LD的数据轨迹。

更进一步，以螺旋形状前进的实线箭头SSPR表示作为盘的外区域侧的L/G双轨迹型RAM(类型1)的可重写区内的激光光点LSP的再现扫描路径。

尽管略去记录扫描路径的说明，该路径以类型于上述图41中虚线所示的记录扫描路径SSR的方式沿纹道轨迹和纹间表面轨迹的每个中心前进。

同时，在图45的盘的内区域侧上沿圆周方向两个伺服区ARs之间的数据区ARd内表示为黑色部分的曲线表示作为凹坑的数据轨迹。更进一步，以螺旋形状前进的实线箭头SSP表示在双凹坑型ROM的内区域侧上的激光光点LSP的再现扫描路径。

图46是作为具有与图42所示相同结构的L/G双轨迹型RAM(类型1)的可重写区内和作为具有与图18所示相同结构的双凹坑型ROM的ROM区内的伺服区ARs和在伺服区ARs前及后的数据区ARd部分的放大图。表示方法与上述图18和42的表示方法类似。

伺服区ARs是以伺服时钟SCK作为一个基准的24个伺服时钟周期的区域，并且根据伺服时钟SCK提取伺服凹坑信息或类似信息。更进一步，由在图8A到8D所述的位置PSA的伺服凹坑位置表示区段类型。

同时，在数据区ARd中，根据数据时钟DCK再现数据。与上述双凹坑型ROM盘类似由左轨迹Ltk和右轨迹Rtk将位于盘的内区域侧上的数据区ARd形成为双螺旋形状的凹坑序列。更进一步，位于盘的内区域侧上的数据区ARd形成在纹道GB或纹间表面LD上。

如图5D所述，位于数据区ARd的结束处的后写区PO和位于数据区ARd的开始处的预写区PR主要用于防止激光的残余热量和在记录操作期间已被记录并由重写被删除的未擦除数据。同时，在位于盘的内区域侧的ROM区中形成固位凹坑凹槽用于格式兼容性的目的并减少镜面部分。

从图45和46能够看出，在这种局部ROM盘的外区域侧，伺服凹坑轨迹(伺服区ARs内的凹坑序列)的中心沿圆周方向与数据轨迹(数据区ARd内的纹间表面LD或纹道GB)的中心一致。

因此，当由形成图形A，图形B，和图形C其中之一的两个相邻伺服凹坑轨迹执行跟踪伺服，并且激光光LSP的记录再现扫描SSPR从作为跟踪中心的两个相邻伺服凹坑轨迹的中心位置开始时，再现扫描路径SSP沿数据区ARd内的纹道GB和纹间表面LD之间的边界前进。

也就是说，就纹道GB和纹间表面LD的中间而言达到正确的跟踪状态，并且对于在半径方向互相邻接的纹道GB和纹间表面LD同时进行激光光点LSP的扫描。

同时，对于由图45中虚线表示的记录扫描路径SSR，因为与图41和42中的实例类似必须执行沿纹道GB和纹间表面LD前进的扫描，所以执行沿伺服凹坑轨迹通过的偏离轨迹跟踪。

在该可重写区，从物理上说，以螺旋形状形成纹道GB。由于使纹道GB和纹间表面LD均为数据记录轨迹，从图45能够看出，当将圆周位置TNCG作为开始点和结束点看每个圆形轨迹时，纹道轨迹和纹间表面轨迹形成一双螺旋。

更进一步，从图45和46能够看出，在该局部ROM盘的内区域侧上，伺服凹坑轨迹和数据轨迹(数据区内的凹坑序列)在周围方向一致。

因此，当由形成图形A，图形B，和图形C其中之一的两个相邻伺服凹坑轨迹执行跟踪伺服，并且从作为跟踪中心的两个相邻伺服凹坑轨迹的中间位置开始激光光点LSP的再现扫描路径SSP时，再现扫描路径SSP沿同样在数据区ARd内的两个相邻数据轨迹的中间位置前进。也就是说，由激光光点LSP同时扫描两个相邻的数据轨迹，即，左轨迹Ltk和右轨迹Rtk。

接着，从图32能够看出，左轨迹Ltk和右轨迹Rtk形成处于成对状态的螺旋型轨迹。

在这种局部ROM盘，从图45能够看出，从外侧区域到内侧区域沿圆周方向以顺序：图形A，图形B，图形C，图形A，图形B，图形C，……，形成数据区ARd内伺服凹坑的图形。

更进一步，沿半径方向看去时，在图7B和7C所示图形的情况下，也就是说，当按顺序看去每对相邻伺服凹坑轨迹的中间作为一个基准时以顺序：图形A，图形B，图形C，……，改变图形。

在这种局部ROM盘的情况下，由于处于盘的外区域侧的再现扫描路径SSP沿纹道轨迹和纹间表面轨迹之间的边界前进，所以当在半径方向看去时再现扫描路径SSP以将纹间表面LD和纹道GB作为每一个轨迹的两个轨迹间距单位前进。

在图42，对应于每个记录和再现扫描SSP的伺服凹坑图形表示为每个记录和再现扫描路径SSP左侧的(A)，(B)和(C)。正如沿盘的半径方向按顺序看每个记录和再现扫描路径SSP时能够看到的，以顺序：图形A，图形B，图形C，图形A，图形B，图形C，……，执行跟踪伺服操作，并与该实例一样执行沿纹道轨迹和纹间表面轨迹前进的扫描。

同时，由于在内区域侧的再现扫描路径SSP沿双螺旋的中心前进以便同时扫描双螺旋形状的左轨迹Ltk和右轨迹Rtk，当在半径方向看去时再现扫描路径SSP以两个轨迹间距单位前进。

在图46，正如沿盘的半径方向按顺序看每个再现扫描路径SSP时能够看到的同样在位于盘的内区域侧的ROM区，沿半径方向以顺序：图形A，图形B，图形C，图形A，图形B，图形C，……，执行跟踪伺服控制，这样就执行轨迹(左轨迹Ltk和右轨迹Rtk)的同时扫描。

在这种局部ROM盘的情况下，即使将数据轨迹间距dTP，即，从纹间表面LD的中心到纹道GB的中心的宽度，设定为0.6μm，并且将激光光点LSP的尺寸设定为约两倍大的1.2μm，在1.2μm的宽度分别形成伺服凹坑的图形A，B和C。因为，在再现扫描路径SSP进行跟踪操作的情况下保证至少1.2μm的轨迹间距tTP，并且能够执行足够准确度的跟踪伺服。

更进一步，由于沿半径方向以顺序：图形A，图形B，图形C排列伺服凹坑，所以不存在来自形成此时的伺服图形的伺服凹坑之外的伺服凹坑的干扰。也就是说，这与激光光点LSP沿形成某图形的伺服凹坑组的中心通过时的情况相差不大，不能看见与伺服凹坑的每一个相邻的伺服凹坑。

因此，跟踪伺服操作与在为数据轨迹间距dTP三倍大的1.8μm轨迹间距的伺服控制相差不大，使得准确和稳定的跟踪控制成为可能并有可能处理较窄的轨迹间距。

以及在该局部ROM盘的可重写区，由于纹间表面LD和纹道GB用于记录轨迹，有可能实现较常规盘，即，使或者纹间表面或者纹道成为记录轨迹的盘，高两倍的高密度记录。

更进一步，因为同时扫描纹间表面轨迹和纹道轨迹以读取数据，也有可能加快数据传送率。

与上述L/G双轨迹型RAM类似，由再现扫描路径SSP同时扫描纹间表面LD和纹道GB以读磁光记录数据。为此目的，使用使激光光点LSP的光强度分布峰值引入仅为纹间表面LD和纹道GB的每个中心的两点的读取方法。

更进一步，在该局部ROM盘的ROM区，由于使用具有0.6μm轨迹间距的双凹坑型ROM，由上述的两沟道双凹坑方法和逻辑双凹坑方法执行两轨迹同时扫描，并且进一步，由两沟道双凹坑方法和逻辑双凹坑方法能够记录诸如三值或四值这样的多值数据，有可能实现两倍的高密度记录或更高并加快传送率。

对于可重写区内的记录扫描路径SSR，采用与上述图41中的RAM盘的实例类似的方式通过以沿半径方向的一个轨迹间距单位前进的扫描执行记录。

也就是说，由于记录扫描路径SSR沿纹道轨迹和纹间表面轨迹的每个中心前进，对于每个圆环执行纹道轨迹扫描和纹间表面轨迹扫描。

因此，如图45所示，例如，当结束纹道轨迹一个圆环的扫描时由使用伺服凹坑的偏离轨迹跟踪记录扫描路径SSR返回一个数据轨迹间距dTP，并且通过偏离轨迹跟踪从这里执行纹间表面轨迹的扫描。更进一步，当结束纹间表面轨迹一个圆环的扫描时记录扫描路径SSR返回一个数据轨迹间距dTP，并且通过偏离轨迹跟踪从这里执行纹道轨迹的扫描。记录扫描路径SSR通过重复这样的操作进行。

当沿半径方向看去时，以顺序：图形A，图形B，图形C，图形A，图形B，图形C，……，改变对应于记录扫描路径SSR的伺服凹坑的图形。

<双凹坑型ROM和L/G双轨迹型RAM盘(类型2)>

下面，将描述由双凹坑型ROM和L/G双轨迹型RAM盘(类型2)构成的局部ROM盘。图47是该局部ROM盘的盘结构的示意表示。图48表示该L/G双轨迹型RAM盘内的伺服区ARs和在伺服区ARs前和后的数据区ARd部分。

该局部ROM盘与图45和46所述的局部ROM盘类似。更进一步，在这些方面是类似的，由于在可重写区以双螺旋形状形成纹道轨迹和纹间表面轨迹作为数据轨迹结构，所以能够实现稳定的伺服操作，并且通过同时扫描能实现更大的容量及更高的传送率，以及与跟踪有关的轨迹间距tTP为数据轨迹间距dTP的两倍，并且沿半径方向以顺序：图形A，图形B和图形C排列伺服凹坑。

然而，在该局部ROM盘。在可重写区，在数据轨迹(数据区ARd内的纹间表面LD或纹道GB)和伺服凹坑轨迹(伺服区ARs内的凹坑序列)之间沿圆周方向的位置关系与上述图45和46的局部ROM盘的不同。也就是说，从图47和48能够看出，在该局部ROM盘的情况下，沿圆周方向伺服凹坑轨迹的中心与数据轨迹的中心不一致。

因此，当由形成图形A，图形B，和图形C其中之一的两个相邻伺服凹坑轨迹执行跟踪伺服，并且激光光点LSP的再现扫描路径SSP从作为跟踪中心的两个相邻伺服凹坑轨迹的中间位置开始时，在数据区ARd，再现扫描路径SSP沿纹道GB的中心0或沿纹间表面LD的中心前进。这样的扫描使得两个轨迹同时再现成为不可能。因此，在再现期间，通过使用伺服凹坑执行偏离轨迹跟踪，再现扫描路径SSP沿纹道GB和纹间表面LD之间的边界前进。

同时，当扫描从作为跟踪中心的两个相邻伺服凹坑轨迹的中间位置开始时，在数据区ARd扫描沿纹道GB的中心或者沿纹间表面LD的中心前进的事实实现适用于记录数据的扫描。也就是说，由于从作为跟踪中心的两个相邻伺服凹坑轨迹的中间位置开始的结果，如图47虚线所示，记录扫描路径SSR在纹道GB或纹间表面LD的正确跟踪状态内进行。

仍在这种情况下，当结束轨迹的一个圆环扫描时记录扫描路径SSR返回一个数据轨迹间距dTP，并且从这里开始下一个轨迹的扫描。

<双凹坑单数据型ROM和L/G双轨迹型RAM(类型1)>

下面，参考图49和51，将描述具有成为双凹坑单数据型ROM的ROM区和成为L/G双轨迹型RAM的可重写区的局部ROM盘(类型1)的实例。

由于该盘的轨迹结构的表示与上述图45的表示类似，所以已略去对其的说明和描述。图49表示该局部ROM盘内的伺服区ARs和伺服区ARs前及后的数据区ARd部分。

在该实施例中，与图45和46所述的局部ROM盘类似，使得位于盘的外区域侧的可重写区为L/G双轨迹型RAM(类型1)，因此，已略去对其的描述。

在该实施例中，ROM区的结构与上述图46的实例的结构不同。也就是说，在同时扫描左轨迹Ltk和右轨迹Rtk方面二者是类似的。然而，未形成诸如上述双沟道双凹坑或逻辑双凹坑这样形式的凹坑序列，并且在左轨迹Ltk和右轨迹Rtk未互相物理相邻地形成凹坑或镜面。

在这种情况下，如图49所示，ROM区与伺服区ARs内图46的局部ROM类似，并且形成用于三相跟踪的伺服凹坑。

同时，在数据区ARd，在从再现扫描路径SSP的跟踪中心看去时两侧上的轨迹上，即，左轨迹Ltk和右轨迹Rtk，在右轨迹Rtk形成倒置凹坑序列内的凹坑Pt和镜面M这样的凹坑序列。

尤其是，将左轨迹Ltk和右轨迹Rtk每个都作为一凹坑序列和倒置的凹坑序列，形成一个轨迹数据。就数据而论，左轨迹Ltk和右轨迹Rtk的两个轨迹形成一个轨迹。

接着，仍在这种情况下，左轨迹Ltk和右轨迹Rtk的轨迹间距设定为，例如，0.6μm，并且同时扫描形成一双螺旋的左轨迹Ltk和右轨迹Rtk。当针对再现扫描路径SSP的每个数据时钟DCK定时观察时，在凹坑Pt出现在左轨迹Ltk时，右轨迹Rtk成为镜面M。进一步，当左轨迹Ltk成为镜面M时，凹坑Pt形成在右轨迹Rtk。

因此，只要由激光光点LSP扫描该ROM区的数据区ARd，任何一个凹坑Pt总是出现在激光光点LSP内。

数据区ARd内的预写区PR和后写区PO不必一直为图中所示的凹坑序列和倒置凹坑序列。仅在除去数据区ARd的预写区PR和后写区PO的真正数据部分，左轨迹Ltk和右轨迹Rtk必须为凹坑序列和倒置凹坑序列的关系。然而，在预写区PR或后写区PO，当记录某些数据时，这些区最好也处于凹坑序列和倒置凹坑序列的关系。

在该局部ROM盘的ROM区，在对其再现期间，根据数据时钟DCK再现凹坑序列和倒置凹坑序列。

由图51A，51B和51C中虚线表示的纵线指示数据时钟DCK的定时。

从图51A能够清楚看出，与数据时钟DCK的定时同步地形成凹坑序列和倒置凹坑序列内凹坑Pt的起点和结束点。更进一步，以这样的方式构成关于凹坑序列的再现逻辑数据，即，将凹坑Pt和镜面M之间的边界(即，上述的起点和结束点)逻辑设定为“1”，而将边界之外的凹坑Pt部分(和镜面部分)逻辑设定为“0”。

图51B和51C分别表的扫描这样的凹坑序列和倒置凹坑序列时所获得的推挽信号和RF信号的信号波形。

图51B和51C所示的推挽信号和RF信号为再现图46A所示的数据区ARd内斩凹坑序列和倒置凹坑序列所产生的波形。

如图51C所示，在数据区ARd，以再现扫描路径SSP的跟踪中心为一准当凹坑Pt出现在左轨迹Ltk时，镜面M总是出现在右轨迹Rtk。相反，当左轨迹Ltk为镜面M时，凹坑Pt总是出现在右轨迹Rtk。由于这种关系，RF倍号的信号电平达到中间电平(M)。

另一方面，推挽信号是在凹坑序列(或倒置凹坑序列)的镜面M和凹坑Pt之间的边界达到“0”。例如，当凹坑Pt出现在左轨迹Ltk时，该信号成为向(一)方向波动的信号波形；当凹坑Pt出现在右轨迹Rtk时，该信号成为向(+)方向波动的信号波形。

在凹坑序列和倒置凹坑序列形成在上述的左轨迹Ltk和右轨迹的情况下，通过根据推挽信号再现数据，能得到满意的，直流平衡，也就是说，使数字和值(DSV)的值为零。在未执行调制，例如用于稳定直流平衡的EFM(八到十四调制)，的情况下能够自然实现，在未对记录数据执行调制，例如EFM，即，使数据长度增加的调制，的情况下有可能记录与记录数据一样的凹坑信息的数据。这样，有可能实现记录数据的更高密度。

尤其是，当检测RF信号时，执行使用部分响应PR(1.1)的检测，并且通过维特比(Viterbi)解码执行使用PR(1.1)的这种检测。这使得有可能有效地除去由高密度记录引起的再现期间的符号间干扰，并提高再现信号的S/N比率。

更进一步，通过根据RF信号的电平处于中间电平和推挽信号的电平不是“0”的事实进行记录图形之外的数据区ARd的确定，是否能够容易地确定数据区ARd，使得有可能实现更高速度存取记录数据。

<双凹坑单数据型ROM和L/G双轨迹型RAM盘(类型2)>

下面，参考图50，将描述使其成为双凹坑单数据型ROM和L/G双轨迹型RAM盘(类型2)的局部ROM盘。

由于该盘的轨迹结构的表示与上述图47的表示类似，已略去对其的说明和描述。图50表示该局部ROM盘内的伺服区ARs和伺服区ARs前及后的数据区ARd部分。

也就是说，在该局部ROM盘内，与图47和48所述的局部ROM盘类似使位于盘的外区域侧的可重写区为L/G双轨迹型RAM盘(类型2)。在ROM区的结构上与上述图48的实例不同。在该盘ROM区，与图49的实例类似，由左轨迹Ltk和右轨迹Rtk形成凹坑序列和倒置凹坑序列，使得有可能实现如上所述的稳定的再现操作。[记录和再现装置]

<装置的结构和操作>

参考图52的方框图，将描述到和从具有上述格式的ROM盘，RAM盘和局部ROM盘执行记录和再现操作的记录和再现装置。

光盘1为前面描述过的ROM盘，RAM盘或局部ROM盘光盘1由主轴电机2转动驱动。由主轴控制部分3执行主轴电机2的转速伺服控制。例如，主轴控制部分3根据来自主轴电机2的FG脉冲(与转速同步的频率信号)检测主轴电机2的转速，并通过比较由控制器6提供的基准速度信息SK和主轴电机2的转速以及根据它们之间的差值信息执行主轴电机2的加速和减速以预定转束的实现盘转动操作。

来自光拾取器4的激光照射到正转动的光盘1上。光拾取器4设置了由，例如，激光二极管或激光耦合器构成的激光源4C；由各种透镜和一个光束分离器构成的光学系统；成为激光的输出端的物镜4a；用于检测从盘反射的光的检测器4d；用于在跟踪方向和聚焦方向可移动地支持物镜4a的双轴机构4b；和其他部分。

由激光控制部分5控制来自光拾取器4内的激光源4c的激光输出和输出电平的接通/断开。

该记录和再现装置通过该装置的接口部分19连接到主计算机90。在控制器6接收来自主计算机90的记录请求或再现请求时执行数据记录和再现操作。

当记录时，由主计算机90提供与记录请求一起的要记录的数据。将记录数据D_REC从接口部分19提供到编码器25，在这里执行所要求的编码处理。

当盘1为RAM盘或局部ROM盘时，数据能够被磁光记录到其可重写区。记录方法大致分为光调制方法和磁场调制方法。

光调制方法是通过在沿固定的垂直方向将外部磁场施加到盘记录表面的状态下记录数据来调制激光的方法。

也就是说，当采用该方法时，在记录期间，控制器6使得磁头驱动器26将来自磁头27的外部磁场N或S施加到盘记录表面。由编码器25编码的记录数据提供到激光控制部分5，在这里根据记录数据接通或断开从激光源46输出的激光。因此，激光照射的部分处于外部磁场的极性上，这样记录数据作为磁场信息记录到盘1上。

另一方面，作为磁场调制方法，存在一种简单的磁场调制方法，其中根据记录数据调制的磁场施加到盘记录表面并且以一固定量的光连续照射激光，和激光选通磁场调制方法，其中，类似地，根据记录数据调制的磁场施加到盘记录表面并且发射脉冲激光。

当采用这些磁场调制方法时，控制器6在记录期间控制激光控制部分5以便连续发射从激光源4C输出的激光或者从激光源4C发射脉中激光。由编码器25编码的记录数据提供到磁头驱动器26，在这里根据记录数据从磁头27施加磁场N或S。因此，将记录数据作为磁场信息记录到盘1。

光拾取器4的数据读取位置沿半径方向是可移动的。尽管图中未具体表示，提供沿盘的半径方向移动整个光拾取器4的螺纹构，允许读取位置和物镜4a的大移动以沿盘的半径方向移动到双轴机构4b，也就是说，由跟踪伺服操作执行读取位置的小移动。

代替移动光拾取器4的螺纹机构，可以提供与主轴电机2一起的滑动盘1的机构。

更进一步，由于物镜4a沿其接触或离开光盘1的方向移动到双轴机构4b的结果，执行激光光点LSP的聚焦控制。

当由加载机构(未示出)加载光盘1时，启动主轴电机2的转动驱动。当盘1达到预定转速时，控制读取位置以便光拾取器4读取形成在盘1的内侧或外侧区域的GCP区域内的数据。

在该GCP区域，执行诸如聚焦的收缩之类的所要求的起动处理。在此之后，开始响应来自主计算机90的请求的记录或再现操作。

作为光拾取器4的检测器4d，提供具有例如图21所示的4分光接收区KA到KD的四部分检测器，通过克耳效应检测可重写区内的磁场数据(MO数据)的每个偏振光分量并包含一个RF信息作为MO数据的检测器，或其他检测器。

如上所述，在可重写区，形成由纹间表面轨迹和纹道轨迹构成的双轨迹，并且对于纹间表面轨迹和纹道轨迹同时执行由激光光点LSP进行的再现扫描。下面将描述在这样的同时扫描中从每个纹间表面轨迹和纹道轨迹提取数据的结构。

从该检测器4d的每个光接收区输出与接收光量成比例的电流信号S1。这些信号提供给对于接收光信号S1的量执行电流到电压转换并通过来自每个光接收区的信号的计算处理产生诸如RF信号，推挽信号或聚焦误差信号FE之类的必要信号的I/V转换矩阵放大器7。

成为聚焦状态的误差信息的聚焦误差信号FE提供给伺服控制器8。安装聚焦相位补偿电路(未示出)，聚焦驱动器(未示出)和类似部分作为伺服控制器8内的聚焦系统的处理部分，产生根据聚焦误差信号FE的聚焦驱动信号并将其输入双轴机构4b的聚焦线圈。由于这样处理的结果，构成使物镜4a聚焦到一点的聚焦伺服系统。

输出用产生伺服时钟SCK和数据时钟DCK的RF信号作为来自I/V转换矩阵放大器7的信号S2。在由箝位电路9移去RF信号的低频变量之后，该信号S2由A/D转换器10转换为数字信号S3。

该信号S3提供给控制器6，PLL电路11，和跟踪误差产生部分16。

PLL电路11通过根据信号S3和振荡输出之间的相位差值控制振荡器(未示出)的振荡频率并通过执行时钟频分处理产生与RF信号同步的伺服时钟SCK。该伺服时钟SCK用作AD转换器10内的采样时钟并提供给定时控制器17。

更进一步，为产生数据时钟DGK，PLL电路11频分伺服时钟SCK。该数据时钟DCK提供给定时控制器17，数据检测部分14和激光控制部分5。

定时控制器17根据伺服时钟SCK和数据时钟DCK产生每部分所要求的定时信号。

例如，产生提取用于三相跟踪操作的伺服凹坑的采样定时，由数据检测部分14执行解码操作的同步定时DSY和其他定时。

由PLL电路11，定时控制器17和跟踪误差产生部分16产生通常称为三相跟踪控制的跟踪误差信号TE，并将其提供给伺服控制器8。

已参考图12到16详细描述过这种跟踪伺服操作，因此，这里已略去对其的描述。

然而，控制器6执行与跟踪误差信号TE有关的极性转换控制，伺服凹坑图形的转换控制，和相对跟踪误差产生部分16及伺服控制器8的类似控制，并实现在上述盘的每个实例中所述要求的扫描。

更进一步，也有可能通过向，例如，跟踪误差信号TE提供偏移的方法执行偏离轨迹跟踪。例如，可以执行沿一个伺服凹坑轨迹经过的扫描。

在从ROM区再现期间，从I/V转换矩阵放大器7输出用于提取凹坑数据的RF信号和推挽信号。更进一步，在从可重写区再现期间，输出通过同时扫描纹间表面轨迹和纹道轨迹而获得的纹间表面轨迹MO信号和纹道轨迹MO信号作为信号S4。

在由箝位电路12除去RF信号的低频变化之后，信号S4由A/D转换器13转换为数字化信号S5。

信号S5提供给数据检测部分(即，解码器)14。在数据检测部分14中，为获得再现数据D_PB定时控制器17根据按照数据时钟DCK产生的同时定时DSY解码数据。例如，为解码数据作为再现数据，执行波形均衡处理，对记录格式内采用的调制处理的调调处理，纠错处理，和类似的处理。

再现数据D_PB经接口部分19提供给主计算机90。

在再现期间，在双轨迹型可重写区执行双轨迹同时扫描，但在记录期间，执行用于每个轨迹的扫描。为此，在记录时间和再现时间之间改变激光光点LSP的亮度分配状态。正如后面将描述的，为此目的，在光学系统4e内提供一个液晶旋光板72。该液晶旋光板72是通常所称的根据电压施加状态改变液晶方向性的液晶控制板，从而执行旋光处理。由旋光板控制部分20在控制器6的控制下执行该液晶旋光板72的接通/断开。也就是说，根据来自旋光板控制部分20的控制信号S_R/P改变液晶旋光板72的旋光功能。

由上述构成的记录和再现装置执行上述各种盘的记录和再现。

为执行记录和再现扫描根据各种盘内的各种区执行上面所述要求的跟踪伺服。

也就是说，在为L/G交替型RAM的可重写区，将纹间表面LD和纹道GB均作为记录轨迹，根据伺服区ARs内的伺服凹坑通过对于每个圆形轨迹上的纹道轨迹的中心进行激光光点的跟踪控制以及纹间表面轨迹的中心进行激光光点的跟踪控制执行记录扫描。

此外，在为L/G交替型RAM的可重写区的再现期间，对于均为记录轨迹的纹间表面轨迹LD和纹道轨迹GB，根据伺服区ARs内的伺服凹坑通过对于每个圆形轨迹上的纹道的中心进行激光光点的跟踪控制以及纹间表面的中心进行激光光点的跟踪控制执行再现扫描。

对于在记录和再现期间的跟踪控制操作，通过进行三相跟踪控制执行每个圆形轨迹的纹道轨迹中心的跟踪控制以及纹间表面轨迹中心的跟踪控制，以便确定伺服区ARs内在伺服凹坑定时采样RF信号所获得的每对三相信号的差值信号，并且切换及选择这些差值信号。

更进一步，在从双凹坑型或双凹坑单数据型ROM区再现期间，通过根据伺服区ARs内的伺服凹坑对于形成双螺旋的左轨迹Ltk和右轨迹Rtk的中间位置进行跟踪控制执行两轨迹同时再现扫描。

同样对于再现期间的这种跟踪控制操作，通过进行三相跟踪控制执行对于形成双螺旋的两个轨迹的中间位置的跟踪控制，以便确定伺服区ARs内在伺服凹坑定时采样RF信号所获得的每对三相信号的差值信号，并且切换及选择这些差值信号。

更进一步，在为L/G双轨迹型RAM的可重写区，将纹间表面LD和纹道GB作为记录轨迹，通过根据伺服区ARS内的伺服凹坑对于跟踪(或偏离轨迹跟踪)中的每个圆形轨迹的纹道中心进行激光光点的跟踪控制以及纹间表面轨迹的中心进行激光光点的跟踪控制以及纹间表面轨迹的中心进行激光光点的跟踪控制执行记录扫描。

更进一步，在从为L/G双轨迹型RAM的可重写区再现期间，根据伺服区ARs内的伺服凹坑通过对于纹道轨迹和纹间表面轨迹之间的边界进行激光光点的跟踪控制确定作为记录轨迹的纹间表面LD和纹道GB的同时再现扫描。

通过三相跟踪控制执行记录和再现期间的跟踪控制操作，以便确定伺服区ARs内在伺服凹坑定时时通过采样RF信号所获得的每对三相信号的差值信号并切换及选择这些差值信号。

更进一步，在从双凹坑型或者双凹坑单数据型ROM区再现期间，根据伺服区ARs内的伺服凹坑通过对于形成双螺旋的左轨迹Ltk和右轨迹Rtk的中间位置进行跟踪控制执行双轨迹同时再现扫描。

同样对于再现期间的跟踪控制操作，通过进行三相跟踪控制执行对于形成双螺旋的两个轨迹的中间位置的跟踪控制，以便确定伺服区ARs内在伺服凹坑定时通过采样RF信号所获得的每对三相信号的差值信号并且切换及选择这些差值信号。

记录和再现装置的结构不限于图52的实例，不用说，各种结构都是可能的。

<纹道/纹间表面同时扫描方法>

参考图53到59，下面将描述用于实现同时再现扫描双轨迹型盘的纹道轨迹和纹间表面轨迹的光拾取器4的结构和操作。

图53表示光拾取器4的内部结构。

在该光拾取器4中，提供准直透镜70，光束分离器71，和液晶旋光板72作为引导激光束从激光源4C到作为输出端的物镜4a的光学系统4e内的部件。进一步，从盘1反射的光从物镜4a传播到液晶旋光板72和光束分离器71。由光束分离器71反射的分量被引导到半波长板73和偏振光束分离器74，由透镜75会聚通过偏振光束分离器74的P波分量并将其照射到检测器4d1。同时，由透镜76会聚偏振光束分离器74反射的S波分量并将其照射到检测器4d2。

通过准直透镜70使得从激光源4C输出的激光束平行并将其引导到射束分离器71。

例如，在光束分离器71，到P波的透射率设定为80％(反射率：20％)，而到S波的透射率设定为0％(反射率：100％)。因此，P波分量通过光束分离器71并被引导到液晶旋光板72。

通过使用液晶控制板构成液晶旋光板72，也就是说，通过根据电压施加状态变化液晶分子的取向状态液晶旋光板72改变旋光状态。

液晶旋光板72通过轨迹切向的分隔线沿半径方向分为两个区。为了描述方便，将这些区称为旋光部分72a和旋光部分72b。已转让给本申请受让人的美国专利NO.51577,018公开这种分为两个区的旋光板。

当根据来自旋光板控制部分20的上述控制信号S_R/P达到电压施加状态时，旋光部分72a和旋光部分72b每个都执行0°旋光，也就是说，不执行旋光。

另一方面，当根据控制信号S_R/P达到电压断开状态时，旋光部分72a执行90°旋光，而旋光部分72b执行-90°旋光。

通过液晶旋光板72的激光束作为激光光点LSP经物镜4a照射到盘1的记录表面(纹间表面轨迹LD和纹道轨迹GB)上。

此时，如图53所示的激光光点LSP的强度分布说明中，出现两个峰值，对应于纹间表面轨迹LD的中心位置的峰值LSP_L1和对应于纹道轨迹GB的中心位置的峰值LSP_L2。

来自盘1的反射光分量经物镜4a被引导到液晶旋光板72并接受对应于控制信号S_R/P的当前状态的旋光处理。在光束分离器71，通过半波长板73将反射P波分量的振动方向转过22.5°。这是执行45°检测的处理。

从半波长板73传播到偏振光束分离器74的沿光的45°检测的P波分量经透镜75进入检测器4d1。检测器4d1构成为具有光接收区dA和dB的两区检测器。进一步，从半波长板73传播到偏振光束分离器74的光的45°检测中的S波分量经透镜76进入检测器4d2。检测器4d2也构成为具有光接收区dC和dD的两区检测器。

这里，将描述使激光光点LSP形成两个峰值LSP_L1和LSP_L2的方法，也就是说，液晶旋光板72的功能。

现在将考虑具有能够向激光束给出要求的旋光角度α的两个区的组合旋光板。然后，将考虑由物镜会聚通过旋光板被旋过旋光角度α的光的光束光点状态。

图58A到58E分别表示在将旋光板的旋光角度α设定为5°，10°，22.5°，30°和45°的情况下，通过模拟所确定的激光光点LSP的强度分布结果。可以看出旋光角度α越大，光束光点的范围就变得越宽。

在这里，在恰好进入物镜4a之前的激光束的偏振光状态中，如果组合旋光板的两个区的旋光角度分别是α和-α，通过组合旋光板的每个区的每束光的相同偏振光分量互相干涉。

这时，图57示出模拟结果，沿组合旋光板100的分隔线101的方向表示为X方向而与分隔线101相交成直角的方向表示为Y方向，图59A和59B示出光束光点变成各个方向中每个分量的状态。

这使得有可能确定通常所称的具有相同相位分量和Y分量的光束光点的光束光点，它们各自的偏振光分量是相同的，但其相位相反。因为具有Y方向分量的光束光点的相位在光束中心反转180°，所以光量恒定为零。

从上面能够了解到，当组合旋光板100的旋光角度α较大时，反相的偏振光分量增加。如图58A到58E所示，沿组合旋光板100分隔方向的光束光点的范围变得较宽。

当旋光角度α＝±90°时，激光光点LSP成为Y分量E_Y的光束形状本身。

也就是说，激光光点LSP达到图59B所示的状态。

这样的组合旋光板100对应于图53所示的液晶旋光板。由于旋光部分72a的旋光角度α设定为90°，旋光部分72b的旋光角度设定为-90°，以及旋光部分72a和72b形成为由沿轨迹的切线方向的分隔线在盘1的半径方向分隔的区，所以激光光点LSP达到图59B所示的状态，并且一个峰值LSP_L1位于纹间表面轨迹LD而另一个峰值位于纹道轨迹GB。

参考图55和56将描述利用这样的液晶旋光板72的功能再现纹间表面/纹道双轨迹的反射光检测操作。

图55在该图左侧表示从激光光源4C输出的激光束的光轴J1前进的光束的说明。

激光束I11从准直透镜70传播到光束分离器71并作为激光束I12由P波分量引导到旋光部分72a。

在再现期间电压未旋加到液晶旋光板72。因此，旋光部分72a具有90°旋光的功能，而旋光部分72b具有-90°旋光功能。

激光束I12由旋光部分72a旋光90°并作为激光束I13以S波通过物镜4a。接着，该光束通过上述效应作为峰值LSP_L2的分量照射到纹道GB。

将为从纹道轨迹GB反射的分量的激光束I14引导到旋光部分72b。尽管旋光部分72b的旋光角度α为-90°，由于使得激光束I14进入盘上的镜面反射状态，当从激光束I14看去时由旋光部分72b执行90°旋光。因此，使激光束I15作为P波在180 °旋光状态从激光束I12进入光束分离器71。

由光束分离器71反射并由半波长板73转过22.5°的激光束I16由偏振光分离器74分为S波分量I16S和P波分量I16P。S波分量I16S进入检测器4d2的光接收区dC，而P波分量I16P进入检测器4d1的光接收区dB。当考虑通常称为克尔效应的偏振光时，有可能根据响应光接收区dB内接收光量的信号和响应光接收区dC内接收光量的信号之间的差值(dC-dB)从纹道轨迹获得再现信号(MO信号)。

图56表示在该图右侧从激光源4C输出的激光束的光轴J1前进的光束的说明。

激光束I21从准直透镜70传播到光束分离71并作为激光束I12以P波分量引导到旋光部分72。

激光束I22被旋光部分72b转过-90°并作为S波旁的激光束I23通过物镜4a。然后，光束作为形成峰值LSP_L1的分量通过上述效果照射到纹间表面轨迹LD上。

将作为从纹间表面轨迹LD反射的分量的激光束I24引入旋光部分72a。虽然旋光部分72a具有90°的旋光角α，由于使激光束I24以镜面反射状态进入到盘上，当从激光束I14看去时由旋光部分72a进行-90°旋光。因此，激光束I25以-180°的旋光状态作为P波从激光束I22进入光束分离器71。

由光束分离器71反射并由半波长板73转过22.5°的激光束I26被极化的光束分离器74分离成S波分量I26S和P波分量I26P。S波分量I26S进入检测器4d1的光接收区dD，P波分量进入检测器4d1的光接收区dA。当考虑通常被称为克尔效应的极化光时，可根据与光接收区dA中接收的光量对应的信号和与光接收区dD中接收的光量对应的信号之间的差值(dD-dA)从纹道轨迹获得再现信号(MO信号)。

就是说，由于图55和56所示的操作同时进行，即使同时扫描纹间表面轨迹LD和纹道轨迹GB，它能够独立地从作为dD-dA的纹间表面轨迹提取MO信号和从作为dC-dB的纹道轨迹提取MO信号。

结果是，能够正确地从上述盘中的L/G双轨迹型可重写区再现数据。

记录期间，独立地扫描纹道轨迹和纹间表面轨迹；因此，激光光点轮廓的形状可以如正常情况具有一个峰值。为此，可根据来自旋光板控制部分20的控制信号S_R/P将液晶旋光板72放置在电压导通状态，使旋光部分72a和72b每一个的旋光角为0°。图54示出该状态。就是说，旋光部分72a和72b的每一个不进行旋光，因此光束点形成具有一个峰值LSP_L的正常光点形状并照射到盘1上。另外，由于强度分布以中心为基础，激光光点的值径与再现期间的相同。

如上所述，在本发明中，作为可记录和可再现区(可重写区)，由其中有用于获得伺服信号的凹坑的伺服区和可记录和再现数据的数据区构成一个单元区(区段)，多个一系列的这种单元区形成一个圆形轨迹，更进一步，以双螺旋形状形成由其中数据区被形成在纹间表面轨迹上的多个单元区形成的圆形轨迹和由其中数据区被形成在纹道轨迹上的多个单元区形成的圆形轨迹。

就是说，本发明具有纹道轨迹和纹间表面轨迹都可用作数据记录轨迹，使更高密度的记录成为可能的优点。

另外，借助如上所述向一条轨迹分别分配纹间表面轨迹和纹道轨迹，通过使相邻圆形轨迹的轨迹间距，即从纹间表面轨迹中心到纹道轨迹中心的宽度近似为用于记录或再现操作照射的激光光点直径大小的1/2，在不改变激光光点尺寸的情况下两倍的或更高的高密度记录变为可能，并能达到更高的容量。

此外，由于同时扫描形成双螺旋的纹间表面轨迹和纹道轨迹以读取数据，能够实现读出数据的更高传送率。

用于获得进行至少是针对纹道轨迹中心的激光光点的跟踪控制和针对纹间表面轨迹中心的激光光点跟踪控制的三相跟踪伺服信号的凹坑形成在伺服区中。就是说，通过进行三相跟踪操作，能够实现可防止故障和具有宽回复范围的稳定跟踪伺服。

另外，由于由形成伺服凹坑的位置表示单元区(区段)的类型，使有效的信息表示变为可能。

另外，在本发明中，作为只读区(ROM区)，排列凹坑，以便在数据区中形成双螺旋形轨迹，并使形成双螺旋的每条轨迹的轨迹间距近似用于再现操作照射的激光光点直径尺寸的1/2。在以双螺旋形成的并且同时向其上照射激光光点的两条轨迹上，形成构成相互无关的两个系统的数据系列凹坑，或形成构成同时读取两条轨迹的一个系统的数据系列的凹坑。

结果是，根据诸如双沟道双凹坑或逻辑双凹坑之类产生记录数据的方法能够实现两倍高密度记录或更高并实现明显增大的容量。

此外，通过两条轨迹同时扫描使更高的传送率变为可能。

在只读区的伺服区中形成为操作针对双螺旋形两相邻轨迹的中间位置的激光光点跟踪控制而获得三相跟踪伺服信号的凹坑。就是说，通过进行三相跟踪操作，可进行能防止故障并具有宽回复范围的稳定跟踪伺服。另外，由于由形成伺服凹坑的位置表示单元区(区段)的类型，有效的信息表示变为可能。

根据上述结果，本发明提供一种记录介质，例如ROM盘，RAM盘或局部ROM盘，该记录介质在保持满意的实际应用情况下实现更窄的轨迹间距，并实现更大容量和更高的传送率，并具有适合于在只读区中凹坑集成的格式和在可记录和可再现区中形成的纹间表面/纹道轨迹，本发明还提供一种驱动装置。

另外，在本发明中，针对每条圆形轨迹交替形成由多个其中数据区在纹间表面轨迹上的单元区形成的一个圆形轨迹和由多个其中数据区在纹道轨迹上的单元区形成的一个圆形轨迹。

就是说，构成纹间表面/纹道交替轨迹结构，以使纹道轨迹变成紧邻其中纹间表面轨迹变为数据记录轨迹的圆形轨迹的圆形轨迹中的数据记录轨迹，和纹间表面轨迹变成一个圆形轨迹中的数据记录轨迹。结果是，纹间表面/纹道轨迹都可用作记录轨迹以使更高密度的记录成为可能。

另外，借助如上所述向一条轨迹分别分配纹间表面轨迹和纹道轨迹，通过使相邻圆形轨迹的轨迹间距，即从纹间表面轨迹中心到纹道轨迹中心的宽度近似为用于记录或再现操作照射的激光光点直径大小的1/2，在不改变激光光点尺寸的情况下使两倍的或更高的高密度记录变为可能，并能达到更高的容量。

另外，在本发明中，就可记录和可再现区的形成来说，针对每个圆形轨迹交替进行用于进行每个单元区中伺服区的凹坑刻纹和数据区的纹道刻纹的一条圆形轨迹的刻纹操作和用于进行每个单元区中伺服区的凹坑刻纹的一条圆形轨迹的刻纹操作。

另外，为在只读区中形成双螺旋形轨迹，使在盘的半径方向中刻纹位置的运动速度是在可记录和可再现区运动速度的两倍快，针对每条圆形轨迹在盘的半径方向移动一条圆形轨迹的刻纹位置。

根据本发明，通过简单的装置构造和操作控制结构可满意地进行诸如其中例如双凹坑型ROM和L/G交替型RAM组合的局部ROM盘之类的盘的刻纹。

另外，当从可记录和可再现区的刻纹操作移到只读区的刻纹操作时，对于只读区第一圆周的刻纹操作，以在盘的半径方向中的刻纹位置的运动速度保持在可记录和可再现区中的运动速度来进行每个单元区中伺服区的凹坑刻纹。对于只读区的第二和后续圆周的刻纹操作，在盘的半径方向中刻纹位置的运动速度是可记录和可再现区中运动速度的两倍快，针对每条圆周轨迹在盘的半径方向移动一条圆周轨迹的刻纹位置。

结果是，当从可记录和可再现区的刻纹操作移动只读区的刻纹操作时，可形成一个伺服区以使两个区域之间边界部分所需的伺服操作变为可能，更进一步，可平滑地形成记录和再现期间扫描间距不同的两个区域的轨迹，不停止刻纹操作并且自然不会对刻纹操作设定花费过多时间和努力。

由于本发明可简化制造工艺，可以低成本大批量地提供诸如局部ROM盘之类其中以保持满意的实际应用实现的更窄轨迹间距，实现更大容量和更高传送率，并且具有适合于在只读区中凹坑集成的格式和在可记录和可再现区中形成纹间表面/纹道轨迹的记录介质。

在不脱离本发明精神和范围的情况下可构成本发明许多不同的实施例。应该理解，本发明不限于在该说明书中描述的具体实施例。相反，本发明意在覆盖包括在如下面权利要求所述的本发明精神和范围内的各种改进和等同方案。下面权利要求的范围符合最广泛的说明，以包含所有这类改进，等效结构和功能。

Claims

1.一种盘型记录介质，包括：

一个盘形基底；

一个伺服区，设置在所述基底上，并且其中形成用于获得伺服信号的多个凹坑；和

一个数据区，设置在所述基底上，并且能够向其记录信息或从其再现信息，

其中由一个所述伺服区和一个所述数据区形成一个单元区，由多个所述单元区形成一个轨迹，并且对于每一个轨迹交替形成在其上所述数据区形成在纹间表面上的第一轨迹和在其上所述数据区形成在纹道上的第二轨迹。

2.根据权要求1所述的盘型记录介质，其中在所述伺服区中形成用于三相跟踪的多个凹坑。

3.根据权利要求2所述的盘型记录介质，其中所述用于三相跟踪的多个凹坑由形成在所述第一轨迹的第一角位置的第一凹坑，形成在所述第一轨迹的第二角位置的第二凹坑，形成在所述第二轨迹的所述第一角位置的第三凹坑，以及形成在所述第二轨迹的第三角位置的第四凹坑组成。

4.根据权利要求1所述的盘型记录介质，其中使所述轨迹的间距大约为用于再现操作的激光光点的1/2。

5.根据权利要求1所述的盘型记录介质，其中由用于获得所述伺服区内伺服信号的多个凹坑位置表示跟在所述伺服区后面的数据区的类型。

6.一种盘型记录介质，包括：

一个盘形基底；

一个伺服区，设置在所述基底上，并且其中形成用于获得伺服信号的多个凹坑：

一个数据区，设置在所述基底上，并且能够向其记录信息或从其再现信息；

一个可记录区，包含所述伺服区和所述数据区并具有多个轨迹；和

一个只读区，包含所述伺服区和所述数据区并具有多个轨迹，

其中一个单元区由一个所述伺服区和一个所述数据区组成，一个轨迹由多个所述单元区组成，并且对于每个轨迹在所述可记录区交替形成其上所述数据区形成在纹间表面上的轨迹和其上所述数据区形成在纹道上的轨迹。

7.根据权利要求6所述的盘型记录介质，其中在所述伺服区形成用于三相跟踪的多个凹坑。

8.根据权利要求6所述的盘型记录介质，其中使所述轨迹的间距大约为用于再现操作的激光光点的1/2。

9.根据权利要求6所述的盘型记录介质，其中所述只读区内的所述多个轨迹由互相不相交的双螺旋组成。

10.根据权利要求6所述的盘型记录介质，其中由用于获得所述伺服区内伺服信号的多个凹坑位置表示跟在所述伺服区后面的数据区的类型。

11.一种盘型记录介质，包括：

一个盘形基底，具有多个纹间表面和多个纹道；和

多个轨迹，形成在所述基底上并由互不相交的双螺旋组成，

其中在所述基底的角位置的纹间表面和纹道上交替形成所述多个轨迹的每对相邻轨迹。

12.根据权利要求11所述的盘型记录介质，其中所述基底上的区分为用于获得伺服信号的伺服区和所述基底的每个角位置的可记录或可再现数据区，和

在所述数据区内在所述基底的角位置的纹间表面和纹道上交替形成所述多个轨迹的每对相邻轨迹。

13.根据权利要求11所述的盘型记录介质，其中在所述伺服区形成用于三相跟踪的多个凹坑。

14.根据权利要求13所述的盘型记录介质，其中所述用于三相跟踪的多个凹坑由形成在一个螺旋的第一角位置的第一凹坑，形成在所述一个螺旋的第二角位置的第二凹坑，形成在另一个螺旋的所述第一角位置的第三凹坑，和形成在所述另一个螺旋的第三角位置的第四凹坑组成。

15.根据权利要求11所述的盘型记录介质，其中使所述轨迹的间距大约为用于再现操作的激光光点的1/2。

16.根据权利要求11所述的盘型记录介质，其中所述数据区为可记录区。

17.一种盘型记录介质，包括：

一个盘形基底，具有多个纹间表面和多个纹道；

一个可记录区，形成在所述基底上并具有多个轨迹；和

一个只读区，形成在所述基底上并具有多个轨迹，

其中所述可记录区的多个轨迹由互不相交的两个螺旋组成，并且在所述基底的角位置的所述纹间表面和所述纹道上交替形成每对相邻轨迹。

18.根据权利要求17所述的盘型记录介质，其中所述基底上的区分为用于获得伺服信号的伺服区和所述基底的每个角位置的可记录或可再现数据区，和

19.根据权利要求17所述的盘型记录介质，其中在所述伺服区形成用于三相跟踪的多个凹坑。

20.根据权利要求17所述的盘型记录介质，其中使所述轨迹的间距大约为用于再现操作的激光光点的1/2。

21.一种盘型记录介质，包括：

一个盘形基底；

一个可记录区，形成在所述基底上并具有多个轨迹；和

一个只读区，形成在所述基底上并具有多个轨迹；

其中所述多个轨迹由所述只读区内互不相交的两个螺旋组成，以及由所述可记录区内一个单独的螺旋旋组成。

22.根据权利要求21所述的盘型记录介质，其中纹间表面和纹道形成在所述基底上，和

在所述基底的角位置的纹间表面和纹道上交替形成所述多个轨迹的每对相邻轨迹。

23.根据权利要求21所述的盘型记录介质，其中在所述伺服区中形成用于三相跟踪的多个凹坑。

24.根据权利要求21所述的盘型记录介质，其中使所述轨迹的间距大约为用于再现操作的激光光点的1/2。

25.一种用于驱动盘型记录介质的驱动装置，包括：

一个光拾取器，用于将激光束照射到盘型记录介质并接收从所述盘型记录介质反射的激光，盘型记录介质具有其中形成用于获得伺服信号的凹坑的伺服区，和能将信息记录到其中或从其中再现信息的可记录区，一个单元区1由所述一个伺服区和所述一个数据区组成，一个轨迹由多个所述单元区组成，以及对于每个轨迹交替形成其上的所述数据区形成在纹间表面的轨迹和其上的所述数据区形成在纹道的轨迹：

转动驱动装置，用于转动所述盘型记录介质；

跟踪装置，用于控制激光的照射位置以便所述激光照射到所述盘型记录介质的轨迹上；

伺服信息产生装置，用于幔曙陕用所述光拾取器从所述伺服区再现的伺服信号产生伺服信息；和

控制装置，用于根据所述伺服信息控制所述跟踪装置，以便每次转动所述盘型记录介质一次时所述激光光点沿所述纹道的中心和所述纹间表面的中心扫描。

26.根据权利要求25所述的驱动装置，

其中在所述伺服区形成用于三相跟踪的多个凹坑，和

所述伺服信息产生装置包括电平差信息产生装置，用于产生指示通过在三个定时采样所述伺服信号所得到的三个值每对之间的电平差的三个电平差信息，和伺服信息输出装置，用于通过有选择地切换所述三个信号输出电平差作为所述伺服信息。

27. 一种用于驱动盘型记录介质的驱动装置，包括：

—个光拾取器，用于将激光照射到盘型记录介质并接收从所述盘型记录介质反射的激光，该盘型记录介质具有包含多个纹间表面和多个纹道的盘形基底，和形成在所述基底上并由互不相交的两个螺旋组成的多个轨迹，所述基底上的区分为用于获得伺服信号的伺服区和所述基底的每个角位置的可记录数据区，在所述数据区内在所述基底的角位置的纹间表面和纹道上交替形成所述多个轨迹的每对相邻轨迹；

转动驱动装置，用于转动所述盘型记录介质；

跟踪装置，用于控制激光的照射位置，以便所述激光照射到所述盘型记录介质的轨迹；

伺服信息产生装置，用于根据使用所述光拾取器从所述伺服区再现的伺服信号产生伺服信息；

记录装置，用于将信息记录到所述数据区；和

控制装置，用于根据所述伺服信息控制所述跟踪装置，以便在每次转动所述盘型记录介质一次时所述激光光点沿所述纹道的中心和所述纹间表面的中心扫描。

28.根据权利要求27所述的驱动装置，

其中在所述伺服区形成用于三相跟踪的多个凹坑，和

所述伺服信息产生装置包括电平差信息产生装置，用于产生指示通过在三个定时采样所述伺服信息所得到的三个值每对之间的电平差的三个电平差信息，和伺服信息输出装置，用于通过有选择地切换所述三个信号输出电平差作为所述伺服信息。

29.一种用于驱动盘型记录介质的驱动装置，包括：

一个光拾取器，用于将激光照射到盘型记录介质并接收从所述盘型记录介质反射的激光，该盘型记录介质具有包含多个纹间表面和多个纹道的盘形基底，和在所述基底上形成的并由互不相交的两个螺旋组成的多个轨迹，在所述基底上的区分为用于获得伺服信号的伺服区和所述基底的每个角位置的可再现区，在所述数据区内在所述基底的角位置的纹间表面和纹道交替形成所述多个轨迹的每对相邻轨迹；

转动驱动装置，用于转动所述盘型记录介质；

信息再现装置，用于从所述数据区再现信息；和

控制装置，用于根据所述伺服信息控制所述跟踪装置，以便所述激光光点沿所述盘型记录介质的所述两个螺旋的中心扫描。

30.根据权利要求29所述的驱动装置，

其中在所述伺服区中形成用于三相跟踪的多个凹坑，和

所述伺服信息产生装置包括电平差信息产生装置，用于产生指示在三个定时通过采样所述伺服信号所得到的三个值每对之间的电平差的三个电平差信息，和伺服信息输出装置，用于通过有选择地切换所述三个信号输出电平差作为所述伺服信息。

31.根据权利要求29所述的驱动装置，

其中所述光拾取器包括强度分布控制装置，用于执行控制以出现包含所述光点的强度分布峰值的两个区，以使包含所述光点的强度分布峰值的所述两个区的每一个在所述光点沿所述两个螺旋的中心扫描的状态下沿每个螺旋的中心扫描。

32.根据权利要求29所述的驱动装置，

其中，所述盘型记录介质的所述数据区为可记录区，和

所述控制装置根据所述伺服信息控制所述跟踪装置以便在从所述盘型记录介质的所述数据区再现信息时所述激光光点沿所述盘型记录介质的所述两个螺旋的中心扫描，以及根据所述伺服信息控制所述跟踪装置以便在将信息记录到所述盘型记录介质的所述数据区时所述激光光点沿所述盘型记录介质的所述两个螺旋的每个中心按顺序扫描。

33.根据权利要求32所述的驱动装置，

其中所述光拾取器包括强度分布控制装置，用于有选择地执行控制以便出现包含所述光点的强度分布峰值的一个或两个区，和

所述控制装置控制所述强度分布控制装置以便在将信息记录到所述盘型记录介质的所述数据区时出现包含所述光点的强度分布峰值的一个区并且控制所述强度分布控制装置以便在从所述盘型记录介质的所述数据区再现信息时出现包含所述光点的强度分布峰值的两个区。

34.一种用于制造具有由一个螺旋轨迹组成的第一区和由互不相交的两个螺旋轨迹组成的第二区的盘型记录介质的制造装置，所述制造装置包括：

转动装置，用于转动驱动所述盘型记录介质；

激光装置，用于将激光照射到所述盘型记录介质上；

移动装置，用于在所述盘型记录介质的半径方向移动所述激光的照射位置；和

控制装置，用于在第一模式和第二模式之间切换，其中，在第一模式中，通过当所述转动装置转动所述盘型记录介质并且使用所述移动装置以第一速度在沿所述盘型记录介质的半径方向的第一方向中移动所述激光装置时使所述激光装置照射激光在所述第一区形成凹坑，在第二模式中，通过当所述转动装置转动所述盘型记录介质并且使用所述移动装置以为所述第一速度两倍快的第二速度在所述第一方向移动所述激光装置时使所述激光装置照射激光，以及通过使所述激光装置在与所述第一方向相反的第二方向移动等于所述激光器装置以第一速度在所述盘型记录介质转动到所述盘型记录介质到达由所述转动装置确定的角位置时的一半的时间内移动的距离，在所述第二区形成凹坑。

35.根据权利要求34所述的制造装置，

其中所述控制装置为在所述第一区的第一圈的凹坑形成期间形成凹坑使所述激光装置以所述第一速度移动，以及当从凹坑形成在所述第一区的第一模式转换到凹坑形成在所述第二区的第二模式时为在第二和后续圈的凹坑形成期间形成凹坑使所述激光装置以所述第二速度移动。

36.一种制造具有由一个螺旋轨迹组成的第一区和由互不相交的两个螺旋轨迹组成的第二区的盘型记录介质的方法，所述方法包括步骤：

转动地驱动所述盘记录介质；

使激光装置将激光照射到所述盘型记录介质上；

在所述盘型记录介质被转动的状态下当所述激光装置以第一速度在沿所述盘型记录介质半径方向的第一方向移动时通过使所述激光装置照射激光形成所述第一区中的凹坑；

在所述盘型记录介质被转动的状态下当所述激光装置在所述第一方向以为所述第一速度两倍快的第二速度移动时通过使所述激光装置照射激光形成所述第二区中的凹坑；和

使所述激光装置移动的距离等于所述激光装置以第一速度在与所述第一方向相反的第二方向在所述盘型记录介质转动到在所述第二区中形成凹坑时所述盘型记录介质到达预定角位置的一半时所移动的距离。

37.根据权利要求36所述的制造盘型记录介质的方法，

其中当从凹坑形成在所述第一区的第一模式转换到凹坑形成在所述第二区的第二模式时，在第二区的第一圈的凹坑形成期间使所述激光装置以所述第一速度移动形成凹坑，而在第二和后续圈的凹坑形成期间使所述激光装置以所述第二速度移动形成凹坑。