KR980011960A - 웨지 본딩용 금 합금 와이어 및 웨지 본딩에서 상기 와이어의 이용 - Google Patents

웨지 본딩용 금 합금 와이어 및 웨지 본딩에서 상기 와이어의 이용 Download PDF

Info

Publication number
KR980011960A
KR980011960A KR1019970035761A KR19970035761A KR980011960A KR 980011960 A KR980011960 A KR 980011960A KR 1019970035761 A KR1019970035761 A KR 1019970035761A KR 19970035761 A KR19970035761 A KR 19970035761A KR 980011960 A KR980011960 A KR 980011960A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
alloy wire
gold alloy
weight
gold
wire
Prior art date
Application number
KR1019970035761A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100294242B1 (ko
Inventor
데루오 기꾸찌
미쯔요시 이시이
Original Assignee
사또 게이찌
다나까 덴시 고교 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 사또 게이찌, 다나까 덴시 고교 가부시끼가이샤 filed Critical 사또 게이찌
Publication of KR980011960A publication Critical patent/KR980011960A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100294242B1 publication Critical patent/KR100294242B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C5/00—Alloys based on noble metals
    • C22C5/02—Alloys based on gold
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/43—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05617—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/05624—Aluminium [Al] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05599—Material
    • H01L2224/056—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/05638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/05644—Gold [Au] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/43—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45139—Silver (Ag) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/45164—Palladium (Pd) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48463—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond
    • H01L2224/48465—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a ball bond the other connecting portion not on the bonding area being a wedge bond, i.e. ball-to-wedge, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/4847—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond
    • H01L2224/48472—Connecting portions the connecting portion on the bonding area of the semiconductor or solid-state body being a wedge bond the other connecting portion not on the bonding area also being a wedge bond, i.e. wedge-to-wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
    • H01L2224/486—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48617—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
    • H01L2224/48624—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
    • H01L2224/486—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48638—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/48644—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48699—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
    • H01L2224/487—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48717—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
    • H01L2224/48724—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48699—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
    • H01L2224/487—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48738—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/48744—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78313—Wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78313—Wedge
    • H01L2224/78314—Shape
    • H01L2224/78317—Shape of other portions
    • H01L2224/78318—Shape of other portions inside the capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/8503—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector
    • H01L2224/85035—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball"
    • H01L2224/85045—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball" using a corona discharge, e.g. electronic flame off [EFO]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8512—Aligning
    • H01L2224/85148—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus
    • H01L2224/85169—Aligning involving movement of a part of the bonding apparatus being the upper part of the bonding apparatus, i.e. bonding head, e.g. capillary or wedge
    • H01L2224/8518—Translational movements
    • H01L2224/85181—Translational movements connecting first on the semiconductor or solid-state body, i.e. on-chip, regular stitch
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01012—Magnesium [Mg]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0102—Calcium [Ca]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01032—Germanium [Ge]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01046—Palladium [Pd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01063—Europium [Eu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/012—Semiconductor purity grades
    • H01L2924/01203—3N purity grades, i.e. 99.9%
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01327—Intermediate phases, i.e. intermetallics compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/207—Diameter ranges
    • H01L2924/20751—Diameter ranges larger or equal to 10 microns less than 20 microns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/207—Diameter ranges
    • H01L2924/20752—Diameter ranges larger or equal to 20 microns less than 30 microns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/207—Diameter ranges
    • H01L2924/20753—Diameter ranges larger or equal to 30 microns less than 40 microns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/207—Diameter ranges
    • H01L2924/20754—Diameter ranges larger or equal to 40 microns less than 50 microns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/207—Diameter ranges
    • H01L2924/20755—Diameter ranges larger or equal to 50 microns less than 60 microns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/207—Diameter ranges
    • H01L2924/20756—Diameter ranges larger or equal to 60 microns less than 70 microns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/207—Diameter ranges
    • H01L2924/20757—Diameter ranges larger or equal to 70 microns less than 80 microns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/207—Diameter ranges
    • H01L2924/20758—Diameter ranges larger or equal to 80 microns less than 90 microns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/207—Diameter ranges
    • H01L2924/20759—Diameter ranges larger or equal to 90 microns less than 100 microns
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/207—Diameter ranges
    • H01L2924/2076—Diameter ranges equal to or larger than 100 microns
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S228/00—Metal fusion bonding
    • Y10S228/904—Wire bonding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

Ca: 100만분의 1내지 100 중량부 및 금과 불가피한 불순물인 그 잔부로 이루어지는 금 합금 와이어로, 상기 금 합금 와이어가 33.0kg/mm2이상의 인장 강도 및 1내지 3%의 연신율을 가지는 웨지 본딩용 금 합금 와이어, 상기 금 합금 와이어는 99.9% 이상의 금 순도를 가지거나 0.2내지 5.0 중량%의 Pd,Ag 및 Pt로 구성되는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 원소를 추가적으로 포함한다.

Description

웨지 본딩용 금 합금 와이어 및 웨지 본딩에서 상기 와이어의 이용
제1a도 내지 제1d도는 네일 헤드 본딩의 전형적인 방법을 보여준다.
제2a도 내지 제2d도는 웨지 본딩의 전형적인 방법을 보여준다.
제3a도 및 제3b도는 와이어 본딩부 폭과 본딩 방법 사이의 관계를 보여준다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 모세관 2 : 와이어
3 : 토치(torch) 4 : 볼
4′: 본딩 볼 5 : Al 전극
6 : IC 칩 7 : 클램퍼(clamper)
8 : 외부 리드 11 : 웨지 본딩기
12 : 와이어 12 : 와이어
15 : Al 전극 16 : IC 칩
17 : 클램퍼 18 : 외부 리드
[발명의 목적]
[발명이속하는 기술분야 및 그 분야의 종래기술]
본 발명은, 웨지 본딩용 금 합금 와이어 및 웨지 본딩에서 상기 와이어의 이용에 관한 것이다.
와이어 본딩법은 IC칩의 전극과 외부 단자와 같은 것들을 와이어를 통해서 연결하는 것이다. 와이어 본딩법은 특히 IC 칩의 전극으로 와이어를 본딩하는 방법으로 분류되는 초음파 및 열적 가압 본딩과 초음파 본딩을 포함한다.
전형적인 초음파 및 열적 가압 본딩으로는 네일 헤드(nail head) 본딩법이 있다. 네일 헤드 본딩법이 도 1a내지 1d에 나와 있다.
도 1a에 있어서, 와이어 2는 모세관 1을 통과하도록 배치되고, 토치 3은 와이어 2의 선단부와 접하고, 전기방전이 상기 토치 3 및 와이어 2 사이에서 발생하여 와이어 2의 선단부를 가열 용융시키므로 볼 4를 형성한다.
도 1b에 있어서, 모세관 1은 하강하고 볼 4가 IC 칩 6의 Al 전극 5에 가압된다. 이 때, 초음파가 상기 모세관 1을 통해 상기 볼 4에 인가되고 IC 칩 6이 히터블록에 의해 가열되므로, 상기 볼 4는 열적으로 가압되어 상기 전극 5에 본딩되므로 본딩 4′가 된다.
도 1c에 있어서, 모세관 1은 특정 루트(와이어 2′)를 통하여 외부 리드 8위로 이동하고 그 후 외부 리드 8위로 하강한다. 이 때, 초음파가 모세관 1을 통하여 상기 와이어 2에 인가되고 외부 리드는 히터 블록에 의해 가열되므로 상기 와이어의 측면부가 열적으로 가압되어 상기 리드 8에 리드된다.
도 1d에 있어서, 클램프 7은 와이어 2를 쥔채로 상승하므로 와이어 2가 절단되고, 그에 따라 와이어 본딩이 마무리된다.
반면에, 대표적인 초음파 본딩법으로 웨지 본딩기를 이용한 웨지 본딩법이 있다.
도 2a에 있어서, 와이어 12는 웨지 본딩기 11의 하단을 통하도록 배치되고 IC 칩 16의 Al 전극 15가 웨지 본딩기 11밑으로 이동한다.
도 2b에 있어서, 웨지 본딩기 11이 그 후 하강하고 초음파가 상온에서, 즉 가열 없이 상기 웨지 본딩기 11에 인가되어 와이어 12를 가압하여 상기 와이어 12를 상기 IC 칩 16의 Al 전극 15에 본딩한다.
도 2c에 있어서, 클램퍼 17은 상기 와이어를 풀어주고 웨지 본딩기 11이 특정 루트(와이어 12′)를 통하여 외부 리드 18위로 이동해서 그 후 외부 리드 18위로 하강한다. 이 때, 초음파가 다시 상온에서 와이어 12로 인가되어 웨지 본딩기 11을 통하여 인가되어 상기 와이어 12를 외부 리드 18로 본딩한다.
도 2d에 있어서, 클램프 17은 와이어 12를 쥔채로 상승하므로 와이어 12가 절단되고, 그에 의해 와이어 본딩이 마무리된다.
상술한 네일 헤드 본딩법은 우수한 생산성 때문에 선호되나, 가열이 필요하고 가열시에 쉽게 산화하는 알루미늄 합금에는 적합하지 않기 때문에 금 합금 와이어와의 조합으로 사용된다.
또한, 도 3a에 나타난 것처럼, 상기 볼 4′은, 와이어 2′의 직경 D에 비해 세 배 내지 네 배 큰 직경을 L1을 가지므로 미세 와이어링을 곤란하게 한다.
웨지 본딩은, 비록 그 생산성이 낮지만 상온에서 행해질 수 있기 때문에 알루미늄 합금 와이어를 사용하여 행해질 수 있다. 그러나, 웨지 본딩은, 도 3b에 나타난 것처럼 변형 와이어 14′의 폭 L2가 와이어 12′직경의 단지 1.5 내지 2.5 배일 수 있다는 장점을 가진다.
그러나, 금 합금 와이어가 다른 와이어 재료에 비해 내식성 면에서 월등히 우수하기 때문에 반도체 소자에 내식성 면에서 월등히 우수하기 때문에 반도체 소자에 내식성을 안정적으로 제공하기 위해서는 와이어 재료로 금 합금 와이어가 가장 바람직한 재료이다.
반면에, 최근의 반도체 소자에는 치밀한 와이어링이 요구된다. 이를 성취하기 위하여, 금 합금 와이어와 IC칩 전극의 본딩부 폭이 작아질 것이 요구된다(여기에서의 폭은 와이어 길이에 수직한 방향으로의 길이를 의미한다).
이러한 면에서, 본딩 볼의 폭 및 직경 감소가 금 합금 와이어를 사용한 네일 헤드 본딩에서 시도되었으나 어떤 한계가 있었다.
본 발명자들은, 상기 문제점 및 요구를 고려하여, 네일 헤드 본딩에서 사용되어 왔거나 제안되어 왔던 금 합금 와이어를 사용하여 IC 칩 전극에 웨지 본딩을 시도하였다. 비록 와이어 본딩부 폭에 네일 헤드 본딩에 비해 작아질 수 있더라도, 조업 중 실제 반도체 소자에 요구되는 고온에서의 와이어 본딩부에서의 본딩 강도(이하에서 "고온 본딩 강도"라 함)가 낮고 반도체 소자에의 신뢰성이 떨어진다는 것이 밝혀졌다.
[발명이 이루고자 하는 기술적 과제]
따라서, 본 발명의 목적은, 와이어 본딩부의 폭이 감소하고 그에 따라 고밀도 와이어링에 적합한, IC 칩 전극에의 웨지 본딩에서 사용될 수 있는 금 합금 와이어를 제공하는 것으로, 그에 의해 고온 본딩 강도가 향상되므로 반도체 소자의 신뢰성을 향상시킬 수 있게 된다.
[발명의 구성 및 작용]
본 발명자들은, 활발한 연구 끝에, 소정량의 Ca를 고순도 금에 가하고 소정금 순도를 유지시키고 또는 추가적으로 Pd,Ag 및 Pt 중 적어도 하나를 소정량 가하고, 종래의 네일 헤드 본딩 금 합금 와이어의 것들에 비해 작은 연신율과 큰 인장 강도를 갖게 함으로써 얻어진 금 합금 와이어가 상기 조성 및 상기 와이어의 기계적 성질의 시너지 효과에 의하여 상기 목적을 달성할 수 있다는 것을 밝혀냈다.
더욱 상세하게는, 본 발명은, 100만분의 1 내지 100중량부의 칼슘(Ca)과 그 잔부가 금(Au)으로 이루어지고, 상기 금 합금이 33.0kg/mm2이상의 인장 강도 및 1 내지 3%의 연신율을 가지는 웨지 본딩용 금 합금 와이어를 광범위하게 제공한다.
바람직한 실시예에서, 다음 두 개의 실시예가 제공된다.
(1) 제1실시예는, 100만분의 1 내지 100중량부의 칼슘(Ca)과 그 잔부가 금(Au)으로 이루어지고, 상기 금 합금 와이어는 적어도 중량 퍼센트로, 99.9%의 금 순도를 가지고, 상기 금 합금 와이어는 33.0kg/mm2 이상의 인장 강도 및 1 내지 3%의 연신율을 가지는 웨지 본딩용 금 합금 와이어이다.
상기 금 합금 와이어는, 또한 마그네슘(Mg), 이트륨(Y), 란서늄(La), 유로퓸(Eu), 게르마늄(Ge), 은(Ag) 및 백금(Pt)으로 이루어지는 군 중에서 선택되는 적어도 하나의 원소 : 100만분의 1 내지 100중량부 및 또는 Be : 100만분의 1 내지 20중량부를 추가적으로 포함할 수 있다.
(2) 제2실시예는, 칼슘(Ca) : 100만분의 1 내지 100중량부 및 팔라듐(Pd), 은(Ag), 백금(Pt)으로 이루어지는 군 중에서 선택되는 적어도 하나의 원소 : 0.2 내지 5.0%, 그 잔부는 금(Au) 및 불가피한 불순물로 이루어지고, 상기 금 합금 와이어는 33.0kg/mm2 이상의 인장 강도를 가지고 1 내지 3%의 연신율을 가진다.
상기 금 합금 와이어는, 마그네슘(Mg), 이트륨(Y), 란서늄(La), 유로퓸(Eu), 게르마늄(Ge) 및 베릴륨(Be)으로 구성되는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 원소 : 100백만분의 1 내지 100중량부를 추가적으로 포함할 수 있다.
본 발명의 금 합금 와이어는 웨지 본딩에 사용되므로 본 발명을 다르게 보면 상기 금 합금 와이어가 웨지 본딩에 이용될 수도 있다.
웨지 본딩은, 웨지 본딩기로 상기 금 합금 와이어 선단을 반도체 칩의 전극으로 가압 본딩하는 단계 : 및 웨지 본딩기로 상기 금 합금 와이어 타 선단을 리드 내지 다른 전극으로 가압 본딩하는 단계;로 이루어지고, 더욱 상세하게, 상기 단계는, 웨지 본딩기하에 금 합금 와이어를 배치시키고, 상기 웨지 본딩기로 상기 금 합금 와이어의 상기 부분을 반도체 칩 전극으로 가압하여 상기 금 합금 와이어의 상기 부분을 상기 전극으로 본딩하고, 상기 금 합금 와이어와 함께 상기 웨지 본딩기를 상기 반도체 칩의 상기 전극 위의 위치를 거쳐 리드 내지 다른 전극 위의 위치로 상대 이동시켜서, 상기 전극으로부터 상기 리드 내지 타 전극으로의 특정 협상 금 합금 와이어를 형성하여, 상기 금 합금 와이어의 타 부분이 상기 웨지 본딩기 밑에 존재하고, 상기 웨지 본딩기로 상기 금 합금 와이어의 상기 타 부분을 상기 리드 내지 다른 전극으로 가압하여 상기 금 합금 와이어의 상기 타 부분을 상기 리드 내지 타 전극으로 본딩하는 것으로 이루어진다.
따라서, 반도체 칩의 전극 및 외부 리드 또는 타 전극이, 전극으로 및 타 리드로 또는 타 전극으로 본딩된 금 와이어를 통하여 연결되는 반도체 소자가 역시 제공된다.
바람직한 실시예의 설명
본 발명에 따르면, 소정량의 Ca가 고순도 금에 가해지고, 연신율이 감소하고 인장 강도가 증가한다. 또한, 와이어의 금 순도는 99.9%이상(제1실시예)으로 유지되거나 Pd, Ag, 및 Pt 중 적어도 소정량이 추가적으로 첨가(제2실시예)된다.
본 발명에서, 고온 본딩 강도는 상술한 기계적 성질 뿐만 아니라 소정량의 Ca 및 특정 금 순도 또는 Pd, Ag 및 Pt 중 적어도 하나의 소정량의 상기 조성에 의한 시너지 효과에 의해 향상될 수 있다.
본 발명에서 사용되는 고 순도 금은 바람직하게는 중량%로 적어도 99.99%의 순도를 가지는 정련 금이 되는 것이 좋고, 바람직하게는 적어도 99.995%, 더욱 바람직하게는 적어도 99.999%를 가지는 것이다.
Ca 함량이 중량 기준으로 1ppm 미만인 경우, 고온 본딩 강도가 Ca이 중량 기준으로 1ppm 이상인 경우에 비하여 저하한다. Ca 함량이 중량 기준으로 100ppm을 초과하는 경우, IC 칩에 균열(crack)이 생기고, 상기 균열을 막기 위하여 불충분한 본딩이 행해지므로 상기 고온 본딩 강도가 다시금 저하한다. 따라서, Ca 함량은 중량기준으로 1 내지 100ppm이어야 하고, 소정 금 순도 또는 소정량의 Pd, Ag 및 Pt 중 적어도 하나와 함께 소정연신율 및 인장 강도가 주어지는 조건하에서는 중량 기준으로 1 내지 50ppm이 바람직하다.
본 발명의 제1실실예에서, Ca의 소정량 및 금 순도는 소정 레벨로 유지되고, 연신율이 저하하고 인장 강도가 커진다.
상기 실시예에서, 상기 고온 본딩 강도는, 소정량의 Ca를 첨가하고 와이어를 소정 금 순도로 유지하는 것 뿐만 아니라 연신율 및 인장 강도를 소정 범위로 정하는 것의 시너지 효과에 의해 향상된다. 물로, 제1실시예에서 금 합금 와이어가 소정량의 Ca, 단지 금 및 불가피한 불순물인 잔부로 구성되는 조성을 가지는 것도 가능하다. 여기서, 예를 들어 1 내지 2중량%의 Cu가, 소중량의 Ca가 첨가되고 소정 연신율 및 인장 강도가 정해지면서 상기 와이어에 첨가되는 경우, 고온 본딩 강도가 저하하고, 만약 고 본딩 강도를 얻으려 한다면 와이어로 본딩된 칩에서 균열이 발생한다. 이러한 문제점을 피하려면 와이어의 금 순도가 99.9% 이상으로 정해져야 한다. 물론 99.97% 이상이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 99.979% 이상이다.
이러한 것은 고순도 금 시발 재료 및 첨가제를 사용하므로써 성취될 수 있다. 사용되는 첨가제는 99.999% 이상의 순도를 가질 수 있고, 99.999% 이상의 순도를 가지는 것이 바람직하다. 따라서, 와이어의 전체 불순물 농도는 0.1% 미만까지 저하될 수 있고, 바람직하게는 0.03%, 더욱 바람직하게는 0.021%, 가장 바람직하게는 0.005%까지 저하된다. 그러나, 본 발명의 상술한 효과, 더욱 상세하게는 제1실시예의 상술한 효과는 Ca 이외의 다른 첨가제가 추가적으로 가해지더라도, 소정량의 Ca가 첨가되고 상기 와이어가 소정 연신율 및 인장 강도를 가지면서 와이어의 금 순도가 99.9% 이상으로 유지되는 한, 역시 얻어질 수 있다.
특히, 중량 기준으로 1 내지 100ppm인 Mg, Y, Eu, Ge, Ag 및 Pt 중의 하나 및 또는 중량 기준으로 1 내지 20ppm 인 Be이, 중량 기준으로 1 내지 100ppm인 Ca에 부가하여 첨가되는 경우, 고온 본딩 강도가 더욱 향상된다.
Mg, Y, Eu, Ge, Ag 및 Pt중 적어도 하나의 소정량이 첨가되지만 소정량의 Ca가 첨가되지 않는 경우, 고온 본딩 강도는, 금 순도가 소정 순도로 유지되고 소정 연신율과 인장 강도가 정해지더라도 저하한다.
본 발명자들의 제2실시예에서, 소정량의 Ca 및 소정량인 Pd, Ag 및 Pt 중 적어도 하나가 고순도 금에 첨가되고, 연신율은 저하하고 인장 강도는 커진다.
상기 실시예에서, 고온 본딩 강도는 소정량의 Ca 및 소정량의 Pd, Ag 및 Pt 및 적어도 하나늘 첨가할 뿐만 아니라 연신율 및 인장 강도를 소정 범위로 정하는 것의 시너지 효과에 의해 향상될 수 있다.
Pd, Ag 및 Pt 중 적어도 하나의 조성이 0.2중량%를 미만인 경우, 고온 본딩 강도가, Pd, Ag 및 Pt 중 적어도 하나가 0.2중량% 이상으로 첨가되는 경우에 비해서 저하한다.
Pd, Ag 및 Pt 중 적어도 하나의 조성이 5.0중량%를 초과하는 경우, IC 칩은 균열을 가지고, 그러한 균열을 막기 위해서 불충분한 본딩이 행해지므로 고온 본딩 강도가 다시금 저하한다. 따라서, Pd, Ag 및 Pt 중 적어도 하나의 조성은, 소정 연신율 및 인장 강도 조건하에 0.2 내지 0.5중량%의 범위내에, 바람직하게는 1.0 내지 3.0중량%의 범위내에 있어야 한다.
Pd, Ag 및 Pt 중 적어도 하나의 소정량이 첨가되지만 소정량의 Ca이 첨가되지 않는 경우, 고온 본딩 강도는, 연신율 및 인장 강도가 소정 값으로 정해지더라도 고온 본딩 강도는 저하한다.
물론 제2실시예에서, 금 합금 와이어가 소정량의 Ca 및 소정량인 Pd, Ag 및 Pt 중 적어도 하나, 단지 금 및 불가피한 불순물인 그 잔부로 구성되는 조성을 가지는 것도 가능하다.
그러나, Mg, Y, La, Eu, Ge 및 Be 중 적어도 하나가 중량 기준으로 1 내지 100ppm으로 추가적으로 첨가되는 경우, 소정량의 Ca 및 소정량의 Pd, Ag 및 Pt 중 적어도 하나가 첨가되고 와이어가 소정 연신율 및 인장 강도를 가지는 한, 상술한 효과가 또한 얻어질 수 있고 그 효과가 더욱 향상된다.
여기서, 제2실시예에서는 와이어의 전체 불순물 농도가, 0.2 내지 0.5중량%의 금이 Pd, Ag 및 Pt 중 적어도 하나로 대체되는 것을 제외하고는, 제1실시예와 같은 방법으로 제어된다. 와이어의 전체 불순물 농도는, 시발재료의 순도(99.99% 이상, 더욱 바람직하게는 99.999% 이상)를 제어함으로써 바람직하게는 100ppm 미만, 더욱 바람직하게는 20ppm 미만이 된다. 제1 및 제2실시예를 포함하는 본 발명에서, 고온 본딩 강도는, 소정량의 Ca를 첨가하고 금 순도를 소정 값으로 유지하거나 Pd, Ag 및 Pt 중 적어도 하나를 소정량으로 추가적으로 첨가하는 것 뿐만 아니라 연신율 및 인장 강도를 소정 범위로 정하는 것의 시너지 효과에 의해 향상된다.
연신율이 3%를 초과하는 경우, 고온 본딩 강도는, 인장 강동가 소정 범위내로 정해질 뿐만 아니라 소정량의 Ca가 첨가되고 소정 금 순도가 유지되거나 소정량의 Pd, Ag 및 Pt 중 적어도 하나가 역시 첨가되더라도 저하한다. 연신율이 1% 미만인 경우, 고온 본딩 강도의 바람직한 개선이 얻어지지 않는다. 따라서, 연신율의 범위는 1 내지 3%, 바람직하게는 2 내지 3%의 범위이다.
여기에서, 연신율(%)은, 금 합금 와이어가 100mm의 전장을 가지고 물려져서 100mm/min의 속도로 인발되는 인장 시험기를 사용하여 상온에서 측정된다. 파단에서의 연신율 양(길이)이 결정되고 다음 식에 따라 연신율(%)이 계산된다.
[수학식 1]
연신율 양(길이)은 상기 시험에서 얻어진 차트의 연신율 대 인가 하중 곡선을 사용하여 결정되는 것이 바람직하다. 인장 강도는 33.0kg/mm2미만인 경우, 고온 본딩 강도는, 심지어 연신율이 소정 범위내로 정해질 뿐만 아니라 소정량의 Ca가 첨가되고 소정 금 순도가 유지되거나 소정량의 Pd, Ag 및 Pt 중 적어도 하나가 첨가되더라도 33.0kg/mm2이상인 경우에 비하여 저하한다. 따라서, 인장 강도는 33.Okg/mm2이상인 경우에 비하여, 저하한다. 따라서, 인장 강도는 33.Okg/mm2이상, 바람직하게는 33.0 내지 70.Okg/mm2, 더욱 바람직하게는 33.0내지 63.9kg/mm2, 가장 바람직하게는 39.1 내지 63.Okg/mm2의 범위로 정해진다.
본 발명의 금 합금 와이어를 제조하는 방법은 다음과 같다.
고 순도 금이 소정량의 원소와 함께 진공로에 첨가되어 응용되고 주조되어 잉고트를 얻는다. 상기 잉고트는 그르부 롤 및 와이어 인발기를 사용하여 냉간 가공되고 중간 어닐링되어 날(raw) 와이어를 얻고; 그 후 최종 냉간 가공하여 10 내지 100㎛의 직경을 가지는 세선(fine wire)를 얻고; 그 후 최종 어닐링한다.
본 발명 합금 조성의 경우, 최종 어닐링의 온도는 높고, 인장 강도는, 연신율이 1 내지 3%로 일정한 동안 점차적으로 저하하는 온도범위가 있다. 또한, 와이어의 인장 강도는 최종냉간 가동 정도에 따라 변화할 수 있다.
따라서, 연신율 및 인장 강도가 최종 냉간 가공 정도를 제어하고 최종 어닐링 온도를 제어함으로써 조절될 수 있다. 따라서, 최종 어닐링은 연신율 1 내지 3%로 유지되고 인장 강도가 33.Okg/mm2이상, 바람직하게는 33.0 내지 70.Okg/mm2로 되는 온도 범위에서 행해진다. 어닐링 온도가 높아지는 경우, 연신율이 3%를 초과하게되고 인장 강도가 떨어진다.
네일 헤드 본딩에서 사용되어 왔던 금 합금 와이어는 4% 이상의 연신율을 가진다. 반면에, 본 발명에서는 소정 인장 강도 및 1 내지 3%의 연신율을 얻기 위해서, 합금 조성을 고려하여 최종 냉간 가공 정도가 조절되고 최종 어닐링 온도가 역시 저하된다.
본 발명의 금 합금 와이어가 IC 칩의 전극에 웨지 본딩되는 경우 고온 본딩 강도가 우수한 이유는 명확하지않다. 그러나, Ca의 첨가, 불순물 함량의 제어 또는 Pd, Ag 및 Pt 중 적어도 하나의 첨가 및 초음파로 웨지 본딩하는 동안 저 연신율과 고 인장 강도에 기인하는 재료의 불필요한 변형 억제 때문에 열적으로 안정한 Au-Al 금속간 화합물이 형성되는 것으로 여겨진다.
본 발명의 금 합금 와이어는 웨지 본딩에 적합하다. 웨지 본딩 수단이 IC 칩의 Al 전극과 외부 리드 내지 다른 전극 사이를 와이어 본딩하고, 제1 및 제2 본딩에서 볼을 형성하지 않고 웨지 본딩기에 의해 외부 리드 또는 다른 전극으로 와이어의 측면을 가압-본딩하므로써, 전극으로 및 리드로 또는 다른 전극으로 와이어 본딩이 행해진다. 선택적으로, 초음파가 웨지 본딩기를 거쳐 와이어의 본딩부로 인가된다.
실시예 1
99.999중량%의 순도를 가지는 고 순도 금에, 소정량의 Ca가 첨가되고 그 혼합물이 진공로에서 응용되고 주조되어 표 1에 나타난 조성, 즉 중량 퍼센트로, 금 순도가 99.998% 또는 여기에 Ca이 1ppm인 잉고트가 얻어졌다. 상기 금 잉고트가 그루브 롤 및 와이어 인발을 사용하여 냉간 가공되고 그 후 중간 어닐링되어 25㎛의 직경을 가지는 와이어가 얻어졌다. 상기 와이어는 그 후 최종 어닐링되어 인장 강도가 40.8g/mm2및 연신율 2 내지 35를 가지는 금 합금 와이어가 얻어졌다.
웨지 본딩기(시까와 SWA-FA-US30)를 사용하여, 상기 금 합금 와이어가, 초음파가 인가되는 도 2a 내지 2d에 나와 있는 방법과 같이, IC 칩의 Al 전극 위에 및 외부 리드위로 본딩되었다. IC 칩 측에서의 본딩 조건은 본딩 하중 45kg, 본딩 시간 30ms 및 본딩력 0.64W였다.
이렇게 얻어진 10개의 시편이 오븐 속에 넣어져 200℃에서 100시간 동안 유지되었다. 상기 시편이 오븐에서 제거되어 와이어의 외부 리드 측에서 절단되어 IC 칩 측의 고온 본딩 강도를 결정하였다. 즉, IC 칩이 지그로 고정되고 와이어가 상승되어 파단시 하중이 결정되었다. 표 1에 나타난 고온 본딩 강도 값은 10개 시편 측정값의 평균 값이다.
실시예 2 내지 71 및 비교예 1 내지 11
실시예 1이 반복되었으나 금 및 금 합금 와이어의 조성, 연신율 및 인장 강도가 표 1 내지 4와 같이 바뀌었다. 얻어진 와이어에 대해 측정된 고온 본딩 강도가 표 1 내지 5에 나와 있다.
실시예 1 내지 71 및 비교예 1 내지 11의 분석
(1) 고 순도 금에 1 내지 100ppm의 Ca 만이 첨가되고, 얻어진 금 합금 와이어가 99.9중량%를 초과하는 금 순도를 가지고, 연신율이 2 내지 3%이고 인장 강도가 39.9 내지 41.4kg/mm2인 실시예 1 내지 4에서, 와이어의 고온 본딩 강도는 3.0 내지 3.3g으로 우수하였다.
그것들 중, Ca이 1 내지 50ppm으로 첨가되는 것이 와이어의 고온 본딩 강도가 3.2 내지 3.3g이므로 바람직하다.
(2) 고 순도 금에 Mg, Y, La, Eu, Ge, Ag, Pt 및 Be 중 적어도 하나가 중량 기준으로 1 내지 100ppm 첨가될 뿐만 아니라 Ca도 중량 기준으로 1 내지 100ppm이 첨가되고, 얻어진 금 합금 와이어는 99.9중량%를 초과하는 금 순도, 1 내지 3%의 연신율 및 39.9 내지 41.6kg/mm2의 인장 강도를 가지는 실시예 5 내지 55에서, 와이어의 고온 본딩 강도가 4.2 내지 5.1g으로 우수하여 Ca 만이 첨가되는 경우에 비해 훨씬 우수하였다.
(3) 조성 및 연신율이 실시예 2, 11, 22, 26, 36, 42, 43 및 45의 것과 같고 그 인장 강도는 33.0 내지 60.0kg/mm2인 실시예 56 내지 71에서, 와이어의 고온 본딩 강도는 3.2 내지 5.1g으로 우수하였다.
(4) 실시예 중에서 가장 우수한 고온 본딩 강도인 4.2 내지 5.1g은 Ca와 함께 Mg, Y, La, Eu, Ge, Ag, Pt 및 Be 중 적어도 하나가 첨가되고 와이어가 1 내지 3%의 연신율을 가지고 39.1 내지 63.0kg/mm2인장 강도를 가지는 경우에 얻어졌다.
(5) Ca 및 Mg, Y, La, Eu, Ge, Ag, Pt 및 Be 중 적어도 하나 모두가 첨가되지 않은 비교예 1에서, 와이어의 고온 본딩 강도는 0.6g으로 낮았다.
(6) Ca을 함유하지 않고 Mg 또는 Y가 중량 기준으로 50ppm으로 함유되는 비교예 2 및 3에서, 고온 본딩 강도는 2.5 내지 2.7로 낮았다.
(7) Ca이 중량 기준으로 10ppm 첨가되고 연신율 및 인장 강도가 소정 값으로 정해지지만 Cu를 2.0중량% 함유하는 비교예 4 내지 10에서, 와이어의 고온 본딩 강도는 0.5g으로 낮았다.
(8) Ca를 중량 기준으로 200ppm 함유하는 비교예 5에서, 와이어의 고온 본딩 강도는 1.2g으로 낮았다.
(9) 소정량의 Mg, Ge 또는 Ag와 함께 소정량의 Ca 또는 소정량의 Ca를 함유하고 와이어가 소정 금 순도 및 소정 연신율을 가지나 그 인장 강도가 33.4kg/mm2미만인 비교예 6 내지 8에서, 와이어의 고온 본딩 강도는 2.5 내지 2.8g으로 낮았다.
(10) 소정량의 Mg, Ge 또는 Ag와 함께 소정량의 Ca 또는 소정량의 Ca를 함유하고 와이어가 소정 금 순도를 가지나 그 연신율이 3%를 초과하는 비교예 9 내지 11에서, 와이어의 고온 본딩 강도는 2.2 내지 2.4kg으로 낮았다.
실시예 101
중량 기준으로 Ca 1ppm 뿐만 아니라 Pd 1.0%가 99.999% 순도를 가지는 시발고 순도 금에 첨가되고 최종 어닐링 후에 얻어진 와이어가 39.8kg/mm2의 인장 강도 및 2 내지 3%의 연신율을 가지는 것을 제외하고 실시예 1이 반복되었다. 얻어진 금 합금 와이어의 조성 및 기계적 성질이 표 6에 나와 있다. 와이어의 고온 본딩 강도는 실시예 1과 같은 방법으로 측정되었고 표 6에 나와있다.
실시예 102 내지 150 및 비교예 101 내지 126
금 및 금 합금 와이어의 조성, 연신율 및 인장 강도가 표 5 내지 9에 나오는 것처럼 변화하는 것을 제외하고는 실시예 101이 반복되었다. 그렇게 얻어진 와이어에 대해 측정된 고온 본딩 강도가 표 6 내지 10에 나와 있다.
실시예 101내지 150 및 비교예 101 내지 126의 분석
(1) 중량 기준으로, 1 내지 100ppm의 Ca 및 0.2 내지 0.5%의 Pd, Ag 및 Pt 중 적어도 하나가 고순도 금에 첨가되고, 그렇게 얻어진 금 합금 와이어가 2 내지 3%의 연신율을 가지고 39.1 내지 41.5kg/mm2의 인장 강도를 가지는 실시예 101 내지 123에서, 와이어의 고온 본딩 강도는 3.5 내지 5.1로 우수하였다.
그것들 중 Ca이 중량 기준으로 1 내지 50ppm 첨가되는 것이 와이어의 고온 본딩 강도가 4.1 내지 5.1g이므로 바람직하다.
(2) Ca이 소정량 첨가되고 Pd, Ag 및 Pt 중 적어도 하나가 소정량 첨가되는 것에 부가하여, 중량 기준으로 1 내지 100ppm의 Mg, Y, La, Eu, Ge 및 Be이 고 순도 금에 추가적으로 첨가되고 그렇게 얻어진 금 합금이 2 내지 3%의 연신율을 가지고 39.2 내지 41.5kg/mm2의 인장 강도를 가지는 실시예 124 내지 142에서, 와이어의 고온 본딩 강도는 4.3 내지 5.1g으로 유사하게 우수하였다.
(3) 조성 및 연신율이 실시예 103, 109, 115 및 125의 것과 같고 그 인장 강도가 33.0 내지 60.0kg/mm2인 실시예 143 내지 150에서, 와이어의 본딩 강도가 3.8 내지 4.4g으로 우수하였다.
(4) Ca 첨가 및 Pd, Ag 및 Pt 중 적어도 하나의 첨가 모두가 행해지지 않은 비교예 1과 같은 비교예 101에서, 와이어의 고온 본딩 강도는 0.6g으로 낮았다.
(5) Ca을 함유하지 않고 Pd, Ag 및 Pt 중 적어도 하나를 소정량 함유하는 비교예 102 내지 105에서, 와이어의 고온 본딩 강도는 2.5 내지 2.8g으로 낮았다.
(6) 중량 기준으로 50ppm의 Ca를 함유하나 Pd, Ag 및 Pt 중 적어도 하나 대신에 Cu를 2.0중량% 함유하는 비교예 106에서, 와이어의 고온 본딩 강도는 0.5g으로 낮았다.
(7) Pd, Ag 및 Pt 중 적어도 하나를 소정량 함유하나 Ca를 중량 기준으로 200ppm 함유하는 비교예 107 내지 110에서, 와이어의 고온 본딩 강도는 1.0 내지 1.4g으로 낮았다.
(8) 소정량의 Ca를 함유하나 Pd, Ag 및 Pt 중 적어도 하나를 0.11중량% 함유하는 비교예 111 내지 114에서, 와이어의 고온 본딩 강도는 3.2 내지 3.3으로 낮았다
(9) 소정량의 Ca를 함유하나 Pd, Ag 및 Pt 중 적어도 하나ㅡㄹ 6.0중량% 함유하는 비교예 115 내지 118에서, 와이어의 고온 본딩 강도는 1.2 내지 1.6g으로 낮았다.
(10) 소정량의 Ca를 함유하나 Pd, Ag 및 Pt 중 적어도 하나를 함유하고 와이어는 소정 연신율을 가지나 인장 강도가 33.0kg/mm2미만인 비교예 119 내지 122에서, 와이어의 고온 본딩 강도는 2.6 내지 2.9g으로 낮았다.
(11) 소정량의 Ca를 함유하나 Pd, Ag 및 Pt 중 적어도 하나를 함유하고 와이어는 소정 인장 강도를 가지나 그 연신율이 3%를 초과하는 비교에 123 내지 126에서, 와이어의 고온 본딩 강도는 2.0 내지 2.4g으로 낮았다.

Claims (22)

  1. Ca: 100만분의 1내지 100중량부 및 금인 그 잔부로 이루어지는 금 합금 와이어로, 상기 금 합금 와이어가 33.0kg/mm2이상의 인장 강도 및 1내지 3%의 연신율을 가지는 것을 특징으로 하는 웨지 본딩용 금 합금 와이어.
  2. 제1항에 있어서, 상기 금 합금 와이어는 적어도 99.9중량%의 금 순도를 가지는 것을 특징으로 하는 웨지 본딩용 금 합금 와이어.
  3. 제2항에 있어서, 상기 금 합금 와이어에 기초한 중량 기준으로, 100만분의 1내지 100중량부의 Mg, Y, La, Eu, Ge, Ag 및 Pt로 구성되는 군 중에서 선택되는 적어도 한 원소가 추가적으로 포함되는 것을 특징으로 하는 웨지 본딩용 금 합금 와이어.
  4. 제2항에 있어서, 상기 금 합금 와이어에 기초한 중량 기준으로, 100만분의 1내지 20중량부의 Be이 추가적으로 포함되는 것을 특징으로 하는 웨지 본딩용 금 합금 와이어.
  5. 제3항에 있어서, 상기 금 합금 와이어에 기초한 중량 기준으로, 100만분의 1내지 20중량부의 Be이 추가적으로 포함되는 것을 특징으로 하는 웨지 본딩용 금 합금 와이어.
  6. 제1항에 있어서, Ca: 100만분의 1내지 100중량부 및 Pd, Ag 및 Pt로 구성되는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 원소: 0.2내지 5.0중량%, 금 및 불가피한 불순물인 잔부로 구성되는 것을 특징으로 하는 웨지 본딩용 금 합금 와이어.
  7. 제6항에 있어서, 상기 금 합금 와이어에 기초한 중량 기준으로, 100만분의 1내지 100중량부의 Mg, Y, La, Eu, Ge 및 Be로 구성되는 군 중에서 선택되는 적어도 한 원소가 추가적으로 포함되는 것을 특징으로 하는 웨지 본딩용 금 합금 와이어.
  8. 제1항에 있어서, 상기 연신율은 2내지 3%의 범위내에 있는 것을 특징으로 하는 웨지 본딩용 금 합금 와이어.
  9. 제1항에 있어서, 상기 칼슘은 중량 기준으로 100만분의 1내지 50중량부인 것을 특징으로 하는 웨지 본딩용 금 합금 와이어.
  10. 제1항에 있어서, 상기 금 합금 와이어는 33.0내지 70.0kg/mm2의 인장 강도를 가지는 것을 특징으로 하는 웨지 본딩용 금 합금 와이어.
  11. 제2항에 있어서, 상기 금 합금 와이어의 금 순도가 99.979중량% 이상인 것을 특징으로 하는 웨지 본딩용 금 합금 와이어.
  12. Ca: 100만분의 1내지 100중량부 및 금인 그 잔부로 이루어지는 금 합금 와이어로, 상기 금 합금이 33.0kg/mm2이상의 인장 강도 및 1내지 3%의 연신율을 가지는 것을 특징으로 하는 웨지 본딩용 금 합금 와이어의 이용.
  13. 제12항에 있어서, 상기 웨지 본딩은, 상기 금 합금 와이어의 일단부를 웨지 본딩기에 의해 반도체 칩의 전극에 가압 본딩하는 단계; 및 상기 금 합금 와이어의 타단부를 웨지 본딩기에 의해 리드 또는 타 전극에 가압 본딩하는 단계;로 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨지 본딩용 금 합금 와이어의 이용.
  14. 제12항에 있어서, 상기 웨지 본딩은, 웨지 본딩기 밑에 있는 금 합금 와이어의 부분을 배열하는 단계; 상기 금 합금 와이어의 상기 부분을 상기 웨지 본딩기에 의해 반도체 칩의 전극으로 가압하여 상기 금 합금 와이어의 상기 부분을 상기 전극으로 본딩하는 단계; 상기 웨지 본딩기를 상기 금 합금 와이어와 함께 상기 반도체 칩의 상기 전극위의 부분을 통해 리드 또는 타 전극 위의 부분으로 상대 이동시켜, 상기 전극으로부터 상기 리드 또는 타 전극으로의 특정 형상 금 합금 와이어를 형성하여, 상기 금 합금 와이어의 타 부분이 상기 웨지형상 밑에 역시 존재하는 단계; 및 상기 금 합금 와이어의 상기 타 부분을 상기 리드 또는 타 전극으로 본딩하는 단계로;로 이루어지는 것을 특징으로 하는 웨지 본딩용 금 합금 와이어의 이용.
  15. 제12항에 있어서, 상기 전극은 알루미늄인 것을 특징으로 하는 웨지 본딩용 금 합금 와이어의 이용.
  16. 제14항에 있어서, 초음파가 상기 가압 단계에서 인가되는 것을 특징으로 하는 웨지 본딩용 금 합금 와이어의 이용.
  17. 제12항에 있어서, 상기 금 합금 와이어는, Ca: 100만분의 1내지 100중량부 및 금인 그 잔부로 이루어지고, 상기 금 합금 와이어는 적어도 99.99중량%의 금 순도를 가지고, 상기 금 합금 와이어가 33.0kg/mm2 이상의 인장 강도 및 1내지 3%의 연신율을 가지는 특징으로 하는 웨지 본딩용 금 합금 와이어의 이용.
  18. 제17항에 있어서, 상기 금 합금 와이어는, 중량 기준으로, 100만분의 1내지 100중량부의 Mg, Y, La, Eu, Ge, Ag 및 Pt로 구성되는 군 중에서 선택되는 적어도 한 원소를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 웨지 본딩용 금 합금 와이어의 이용.
  19. 제17항에 있어서, 상기 금 합금 와이어는, 100만분의 1내지 20중량부의 Be을 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 웨지 본딩용 금 합금 와이어의 이용.
  20. 제18항에 있어서, 상기 금 합금 와이어는, 100만분의 1내지 20중량부의 Be을 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 웨지 본딩용 금 합금 와이어의 이용.
  21. 제12항에 있어서, 상기 금 합금 와이어는, Ca: 100만분의 1내지는 100중량부 및 Pd, Ag와 Pt로 구성되는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 원소: 0.2내지 5.0중량%, 금 및 불가피한 불순물인 그 잔부로 이루어지고, 상기 금 합금 와이어가 33kg/mm2 이상의 인장 강도 및 1내지 3%의 연신율을 가지는 것을 특징으로 하는 웨지 본딩용 금 합금 와이어의 이용.
  22. 제21항에 있어서, 상기 금 합금 와이어는, 100만분의 1내지 100중량부의 Mg, Y, La, Eu, Ge 및 Be로 구성되는 군으로부터 선택되는 적어도 하나의 원소를 추가적으로 포함하는 것을 특징으로 하는 웨지 본딩용 금 합금 와이어의 이용.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
KR1019970035761A 1996-07-31 1997-07-29 웨지본딩용금합금와이어및웨지본딩에서상기와이어의이용 KR100294242B1 (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP202413/1996 1996-07-31
JP20241396 1996-07-31
JP202274/1996 1996-07-31
JP20227496 1996-07-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR980011960A true KR980011960A (ko) 1998-04-30
KR100294242B1 KR100294242B1 (ko) 2001-11-14

Family

ID=26513279

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019970035761A KR100294242B1 (ko) 1996-07-31 1997-07-29 웨지본딩용금합금와이어및웨지본딩에서상기와이어의이용

Country Status (8)

Country Link
US (1) US5945065A (ko)
EP (1) EP0822264B1 (ko)
KR (1) KR100294242B1 (ko)
CN (1) CN1154181C (ko)
DE (1) DE69708545T2 (ko)
MY (1) MY119444A (ko)
SG (1) SG77142A1 (ko)
TW (1) TW398048B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100485032B1 (ko) * 2002-04-09 2005-04-22 김선호 천연안토시아닌 염료의 제조방법

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3126926B2 (ja) * 1996-09-09 2001-01-22 新日本製鐵株式会社 半導体素子用金合金細線および半導体装置
EP1010768B1 (fr) 1998-12-14 2003-03-26 Metalor Technologies International S.A. Alliage d'or gris sans nickel
JP3382918B2 (ja) * 2000-05-31 2003-03-04 田中電子工業株式会社 半導体素子接続用金線
JP3323185B2 (ja) * 2000-06-19 2002-09-09 田中電子工業株式会社 半導体素子接続用金線
US20030006267A1 (en) * 2001-06-14 2003-01-09 Chen Kim H. Room temperature gold wire bonding
US6500760B1 (en) 2001-08-02 2002-12-31 Sandia Corporation Gold-based electrical interconnections for microelectronic devices
JP2004257950A (ja) * 2003-02-27 2004-09-16 Denso Corp 半導体圧力センサ
US6858943B1 (en) 2003-03-25 2005-02-22 Sandia Corporation Release resistant electrical interconnections for MEMS devices
KR100618052B1 (ko) * 2003-04-14 2006-08-30 엠케이전자 주식회사 반도체 소자 본딩용 금 합금세선
US20080050267A1 (en) * 2004-09-30 2008-02-28 Hiroshi Murai Au Alloy Bonding Wire
CN100501956C (zh) * 2004-11-26 2009-06-17 田中电子工业株式会社 半导体组件用金焊接线
DE102006006728A1 (de) * 2006-02-13 2007-08-23 W.C. Heraeus Gmbh Bonddraht
JP4130843B1 (ja) * 2007-04-17 2008-08-06 田中電子工業株式会社 高信頼性金合金ボンディングワイヤ及び半導体装置
JP4134261B1 (ja) * 2007-10-24 2008-08-20 田中電子工業株式会社 ボールボンディング用金合金線
JP4195495B1 (ja) * 2007-11-06 2008-12-10 田中電子工業株式会社 ボールボンディング用金合金線
WO2009096950A1 (en) * 2008-01-30 2009-08-06 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Wire loop and method of forming the wire loop
US9440272B1 (en) 2011-02-07 2016-09-13 Southwire Company, Llc Method for producing aluminum rod and aluminum wire
WO2012117512A1 (ja) * 2011-03-01 2012-09-07 田中電子工業株式会社 金（Ａｕ）合金ボンディングワイヤ
US9351436B2 (en) * 2013-03-08 2016-05-24 Cochlear Limited Stud bump bonding in implantable medical devices
CN111485131B (zh) * 2020-04-17 2021-12-24 烟台招金励福贵金属股份有限公司 一种键合金丝及其制备方法

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3747198A (en) * 1971-08-19 1973-07-24 Gen Electric Tailless wedge bonding of gold wire to palladium-silver cermets
JPS53105968A (en) * 1977-02-26 1978-09-14 Tanaka Electronics Ind Gold wire for bonding semiconductor
JPS53112060A (en) * 1977-03-11 1978-09-30 Tanaka Electronics Ind Gold wire for bonding semiconductor
JPS59181040A (ja) * 1983-03-30 1984-10-15 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JPS61189652A (ja) * 1985-02-19 1986-08-23 Toshiba Corp 半導体装置
JP2536546B2 (ja) * 1987-09-21 1996-09-18 三菱マテリアル株式会社 経時的硬さ低下のない半導体装置のろう付け用Ａｕ合金リボン箔材
JP2621288B2 (ja) * 1988-02-02 1997-06-18 三菱マテリアル株式会社 半導体素子ボンディング用Ａｕ合金極細線
JPH02205641A (ja) * 1989-01-31 1990-08-15 Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd ボンディング用金合金細線
JPH0719789B2 (ja) * 1989-02-20 1995-03-06 タツタ電線株式会社 ボンディング用金合金細線
JPH0719787B2 (ja) * 1989-02-20 1995-03-06 タツタ電線株式会社 ボンディング用金合金細線
JPH0719788B2 (ja) * 1989-02-20 1995-03-06 タツタ電線株式会社 ボンディング用金合金細線
JP2773202B2 (ja) * 1989-03-24 1998-07-09 三菱マテリアル株式会社 半導体素子ボンディング用Ａｕ合金極細線
JP2782082B2 (ja) * 1989-03-31 1998-07-30 タツタ電線株式会社 ボンディング用金合金細線
JPH03130337A (ja) * 1989-10-16 1991-06-04 Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd ボンディング用金合金細線
JP2779683B2 (ja) * 1990-03-13 1998-07-23 新日本製鐵株式会社 半導体素子用ボンディングワイヤ
US5298219A (en) * 1990-06-04 1994-03-29 Tanaka Denshi Kogyo Kabushiki Kaisha High purity gold bonding wire for semiconductor device
JP2852134B2 (ja) * 1991-02-20 1999-01-27 日本電気株式会社 バンプ形成方法
JP2689773B2 (ja) * 1991-07-02 1997-12-10 住友金属鉱山株式会社 ボンデイングワイヤー
JP2641000B2 (ja) * 1991-12-26 1997-08-13 新日本製鐵株式会社 ボンディング用金合金細線
JP3235198B2 (ja) * 1992-07-15 2001-12-04 住友金属鉱山株式会社 ボンディングワイヤ
JPH06108181A (ja) * 1992-09-29 1994-04-19 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk 電気接点材料
JP3074626B2 (ja) * 1992-09-30 2000-08-07 田中電子工業株式会社 半導体素子用Ｐｔ合金極細線
JP3064692B2 (ja) * 1992-09-30 2000-07-12 田中電子工業株式会社 半導体素子用ボンディング線
JP3090548B2 (ja) * 1992-09-30 2000-09-25 田中電子工業株式会社 半導体素子用ボンディング線
JPH06112259A (ja) * 1992-09-30 1994-04-22 Tanaka Denshi Kogyo Kk 半導体素子用ボンディング線
JP3090549B2 (ja) * 1992-09-30 2000-09-25 田中電子工業株式会社 半導体素子用ボンディング線
JP3204335B2 (ja) * 1992-09-30 2001-09-04 田中電子工業株式会社 半導体素子用Ｐｔ合金極細線
JP3204336B2 (ja) * 1992-09-30 2001-09-04 田中電子工業株式会社 半導体素子用ボンディング線
JP3185994B2 (ja) * 1992-09-30 2001-07-11 田中電子工業株式会社 半導体素子用ボンディング線
JPH06112251A (ja) * 1992-09-30 1994-04-22 Tanaka Denshi Kogyo Kk 半導体素子用ボンディング線
JPH06145842A (ja) * 1992-10-30 1994-05-27 Nippon Steel Corp ボンディング用金合金細線
TW284791B (ko) * 1993-03-31 1996-09-01 Daijita Densen Kk
US5658664A (en) * 1993-04-08 1997-08-19 Nippon Steel Corporation Thin gold-alloy wire for semiconductor device
JPH0745657A (ja) * 1993-07-28 1995-02-14 Sumitomo Metal Mining Co Ltd ウェッジボンディング用ワイヤ
JP3312348B2 (ja) * 1994-05-10 2002-08-05 田中電子工業株式会社 ボンディング用金合金線

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100485032B1 (ko) * 2002-04-09 2005-04-22 김선호 천연안토시아닌 염료의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
DE69708545D1 (de) 2002-01-10
MY119444A (en) 2005-05-31
TW398048B (en) 2000-07-11
US5945065A (en) 1999-08-31
CN1172349A (zh) 1998-02-04
DE69708545T2 (de) 2002-05-23
KR100294242B1 (ko) 2001-11-14
EP0822264A1 (en) 1998-02-04
SG77142A1 (en) 2000-12-19
EP0822264B1 (en) 2001-11-28
CN1154181C (zh) 2004-06-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100294242B1 (ko) 웨지본딩용금합금와이어및웨지본딩에서상기와이어의이용
EP1160344B1 (en) Gold wire for semiconductor element connection and semiconductor element connection method
EP0810293B1 (en) Gold alloy wire and method for making a bump
JPS62228440A (ja) 半導体素子ボンデイング用金線
KR100514312B1 (ko) 반도체 소자용 본딩 와이어
JP3690902B2 (ja) ウエッジボンディング用金合金線
JP3657087B2 (ja) ウエッジボンディング用金合金線
US5989364A (en) Gold-alloy bonding wire
KR100695925B1 (ko) 반도체 소자 접속용 금 와이어
JP3628139B2 (ja) 半導体素子ボンディング用金合金線
JPH0555580B2 (ko)
JPH03257129A (ja) 半導体装置のボンディング用金合金線
KR930001265B1 (ko) 반도체 소자용 접합 와이어
JP2003059964A (ja) ボンディングワイヤ及びその製造方法
JP3235198B2 (ja) ボンディングワイヤ
JPH0888242A (ja) ボンディングワイヤー
EP2204846A1 (en) Gold alloy wire for ball bonding
KR19990088305A (ko) 결합금합금와이어및그의적용
JP2661247B2 (ja) 半導体素子ボンディング用金合金細線
JP3615901B2 (ja) 半導体素子ボンディング用金合金線
JP2766701B2 (ja) ボンデイングワイヤー
KR20030096985A (ko) 본딩용 금합금 세선
JPH06196519A (ja) ボンディングワイヤ
JPH0448734A (ja) バンプ用Ａｌ合金
JP2007013023A (ja) バンプ電極形成用金線およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20080411

Year of fee payment: 8

LAPS Lapse due to unpaid annual fee