JP3690902B2 - ウエッジボンディング用金合金線 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はウエッジボンディング用金合金線に係り、高温接合強度に優れてICチップの高密度配線用として好適な金合金線に向けられる。
【0002】
【従来の技術】
ICチップの電極と外部配線を接続する場合、ワイヤーを介して配線するワイヤーボンディング方法が知られている。この中でもICチップのAl電極とワイヤーを接合する方式により、超音波併用熱圧着接合及び超音波接合が主流を占めている。
【0003】
ここで超音波併用熱圧着接合は通常ネールヘッドボンディング方法により行われている。ネールヘッドボンディング方法による接合法を図1を用いて説明する。
図1(a)に示す様にワイヤー2をキャピラリー1に挿通しその先端に電気トーチ3を対向させ、ワイヤー2との間で放電させることにより、ワイヤー2の先端を加熱、溶融してボール4を形成する。
【0004】
次いで図1(b)に示すようにキャピラリー1を下降させて該ボール4をICチップ6上のAl電極5の上に押圧接合する。この時図示しないが超音波振動がキャピラリー1を通して付加されると共に、ICチップ6はヒーターブロックで加熱されるため上記ボール4は熱圧着され圧着ボール4′となる。
次いで図1(c)に示すようにキャピラリー1は所定の軌跡を描いて、外部配線8の上に移動し、下降する。この時図示しないが超音波振動がキャピラリー1を通して付加され、外部配線8はヒーターブロックで加熱されるためワイヤー2側面が熱圧着される。
【0005】
次いで図1(d)に示すようにクランパー7はワイヤー2をクランプしたまま上昇することにより、ワイヤー2が切断され配線が完了する。
一方超音波接合は通常振動を接合部へ伝えるのに最適なウエッジボンディング方法により行われている。これはウエッジ状ツールを用いる方法である。
ウエッジボンディング方式による接合法を図2を用いて説明する。
【0006】
図2(a)に示す様にワイヤー12をウエッジ11下端部に挿通し、この下方にICチップ16上のAl電極15を移動する。
次いで図2(b)に示すようにウエッジ11を下降させて常温のまま超音波振動を付加してワイヤー12をAl電極15に接合する。
次いで図2(c)に示すようにクランパー17が開放され、ウエッジ11は所定の軌跡を描いて、外部配線18の上に移動し、下降する。この時図示しないが常温のまま超音波振動がウエッジ11を通して付加され、ワイヤー12を外部配線18に接合する。
【0007】
次いで図2(d)に示すようにクランパー17はワイヤー2をクランプしたままウエッジ11が上昇することにより、ワイヤー12が切断され配線が完了する。
前記ネールヘッドボンディング方法は生産性に優れている為好ましい方法であるが、熱を用いる為ワイヤー材料として金合金線を用いて使用され、酸化し易いアルミ合金線には不適である。
【0008】
また図3(a)に示す様に圧着ボール径L1 がワイヤー外径Dの3〜4倍になることが微細な配線を行う際のネックになるという限界を有している。
次のウエッジボンディング方法は生産性は低下するものの室温で処理出来る為ワイヤー材料としてアルミ合金線を用いて使用されている。また図3(b)に示す様につぶれ幅L2 がワイヤー外径Dの1.5〜2.5倍に抑制出来るという特徴を有している。
【0009】
ここで前述のワイヤー材料として金合金線は他の材料と対比して耐蝕性に優れている為、半導体装置の耐蝕性に対する信頼性を確保する面で配線材料として最も好ましい材料である。
一方最近の半導体装置に対して高密度配線が要求されている。これの対応として金合金線とICチップ電極との接合部の配線方向と直角方向での拡がりを小さくすることが必要である。
【0010】
この為ワイヤー材料として金合金線を用いてネールヘッドボンディングを行うに当たって、圧着ボールの外径を小さくする事が試みられたがその大きさにも限度がある。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
前述の従来事情に鑑み従来からネールヘッドボンディング用として提案されている金合金線を用いてICチップ電極にウエッジボンディングを行ってみたところ、接合部の配線方向と直角方向での拡がりはネールヘッドボンディング方法と対比して小さくすることは出来るものの、ICチップの作動状態を考えて高温状態に晒した後の接合部での接合強度(以下高温接合強度という)が小さく半導体装置の信頼性が低下するという問題が生じてきた。
【0012】
この為本発明に於いては金合金線を用いてICチップ電極にウエッジボンディングを行うことにより、配線方向と直角方向での接合部の拡がりを小さくして高密度配線に対応するとともに高温接合強度を向上させて半導体装置の信頼性を向上させることの出来る金合金線を提供する事を目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明者等が鋭意研究を重ねた結果、高純度金に所定量のCa及び所定量のPd,Ag,Ptのうち少なくとも1種を共存し、通常のネールヘッドボンディング用金合金線より伸び率を小さくし且つ引張り強さを大きくした金合金線とすることにより、前記組成と材料特性の相乗効果によって前述の目的を達成し得ることを知見し、本発明を完成するに至った。
【0014】
具体的には、本発明により、下記が提供される。
(1)カルシウム(Ca)を1〜100重量 ppm 、さらに銀(Ag)又は白金(Pt)のうち少なくとも1種を0.2〜5.0重量%含有し、残部が金及び不可避不純物からなる組成を有する金合金線であって該金合金線の引張強さが33.0 kg / mm 2 以上、伸び率が1〜3%であることを特徴とするウエッジボンディング用金合金線。
(2)カルシウム(Ca)を1〜100重量 ppm 、さらに銀(Ag)又は白金(Pt)のうち少なくとも1種及びパラジウム(Pd)を0.2〜5.0重量%含有し、残部が金及び不可避不純物からなる組成を有する金合金線であって該金合金線の引張強さが33.0 kg / mm 2 以上、伸び率が1〜3%であることを特徴とするウエッジボンディング用金合金線。
【0015】
(3)上記(1)(2)において、さらにMg,Y,La,Eu,Ge,Beのうち少なくとも1種を1〜100重量 ppm 添加したウエッジボンディング用金合金線。
(4)カルシウム(Ca)を1〜100重量 ppm 、パラジウム(Pd)を0.2〜5.0重量%、さらにMg又はLaのうち少なくとも1種を1〜100重量 ppm 含有し、残部が金及び不可避不純物からなる組成を有する金合金線であって該金合金線の引張強さが33.0 kg / mm 2 以上、伸び率が1〜3%であることを特徴とするウエッジボンディング用金合金線。
【0016】
【発明の実施の形態】
本発明のウエッジボンディング用金合金線は高純度金に所定量のCaとPd,Ag,Ptのうち少なくとも1種を含有した組成を有し、伸び率を小さくし、引張り強さを大きくすることを特徴とする。
(1)組成
▲1▼ 原料高純度金としては少なくとも99.99重量%以上、好ましくは99.995重量%以上、最も好ましくは99.999重量%以上に精製した高純度金が用いられる。
【0017】
▲2▼ 〔Ca〕
(a)この様な高純度金に上記所定量のCaとPd,Ag,Ptのうち少なくとも1種を共存した組成にするとともに所定の伸び率及び引張り強さとすることにより、その相乗効果によって高温接合強度を向上させる事ができる。
(b)Ca含有量が1重量ppm 未満になると1重量ppm 以上と対比して高温接合強度は小さくなる。Ca含有量が100重量ppm を超えるとICチップに割れが生じる為、これを避けるため不十分な接合しか出来なくなり高温接合強度は小さくなる。
【0018】
この為Ca含有量は伸び率及び引張り強さの条件のもとに1〜100重量ppm と定めた。好ましくは1〜50重量ppm である。
(c)この効果は上記所定量のCaとPd,Ag,Ptのうち少なくとも1種の共存に加えて、Mg,Y,La,Eu,Ge,Beのうち少なくとも1種の成分を1〜100重量ppm の範囲内で添加しても所定の伸び率及び引張り強さを有する金合金線であれば所定量のCa及びPd,Ag,Ptのうち少なくとも1種を共存した効果が維持され高温接合強度を向上させる事ができる。
【0019】
(d)この場合Pd,Ag,Ptのうち少なくとも1種を所定量添加し、所定量のCaを添加しない場合、所定の伸び率及び引張り強さを有しても高温接合強度は小さくなる。
▲3▼ 〔Pd,Ag,Pt〕
(a)前記高純度金に上記所定量のCaとPd,Ag,Ptのうち少なくとも1種を共存して所定量の金純度を有する組成にするとともに所定の伸び率及び引張り強さとすることにより、その相乗効果によって高温接合強度を向上させる事ができる。
【0020】
(b)Pd,Ag,Ptのうち少なくとも1種が0.2重量%未満になると0.2重量%以上と対比して高温接合強度は小さくなる。5.0重量ppm を超えるとICチップに割れが生じる為、これを避けるため不十分な接合しか出来なくなり高温接合強度は小さくなる。
この為Pd,Ag,Ptのうち少なくとも1種の含有量は所定の伸び率及び引張り強さの条件のもとに0.2〜5.0重量%と定めた。
本発明の金合金線は、出発高純度金にやはり高純度の添加元素を添加することにより、得られる金合金線の不純物量を制御することができる。添加元素も99.99重量%以上、さらには99.995重量%以上、99.999重量%以上にすることができるので、得られる金合金線の不純物を100重量ppm 以下、さらには20重量ppm 以下にすることができる。
(2)伸び率
▲1▼ 上記所定量のCaとPd,Ag,Ptのうち少なくとも1種を含有し残部が金及び不可避不純物からなる組成にし、所定の引張り強さにするとともに伸び率を1〜3%とすることにより、その相乗効果によって高温接合強度を向上させる事ができる。
本発明に於いて伸び率は、室温で、金合金線を標点距離を100mmとして引張速度10mm/分で引張試験機で引っ張り、破断した時の伸び量を測定して次式の値を伸び率とする。
【数1】
ここで破断した時の伸び量はチャート紙の図形から測定することが好ましい。
【0021】
▲2▼ 伸び率が3%を超えると高温接合強度は小さくなる。この為伸び率は1〜3%と定めた。好ましくは2〜3%である。
(3)引張り強さ
▲1▼ 上記所定量のCaとPd,Ag,Ptのうち少なくとも1種を含有し残部が金及び不可避不純物からなる組成にし、所定の伸び率にするとともに引張り強さを33.0kg/mm2 以上とすることにより、その相乗効果によって高温接合強度を向上させる事ができる。
【0022】
▲2▼ 引張り強さが33.0kg/mm2 未満になると33.0kg/mm2 以上と対比して、高温接合強度は小さくなる。
この為引張り強さは33.0kg/mm2 以上と定めた。好ましくは33.0〜70.0kg/mm2 であり、さらに好ましくは33.0〜63.0kg/mm2 である。(4)金合金線の製造方法
本発明になる金合金線の好ましい製造方法を説明する。
【0023】
高純度金に所定量の元素を添加し真空溶解炉で溶解した後インゴットに鋳造する。該当インゴットに溝ロール、伸線機を用いた冷間加工と中間アニールを施し、最終冷間加工により直径10〜100μmの細線とした後最終アニールを施すものである。
ここで本発明になる合金組成の場合、最終アニールの温度が上昇するにつれて伸び率は1〜3%を維持したまま、引張り強さが徐々に低下する温度領域がある。また同一組成であっても最終冷間加工率の大きさによって引張り強さは変わってくる。この為最終冷間加工率と最終アニール温度を制御して伸び率と引張り強さを調整する。このようにして伸び率は1〜3%を維持し、引張り強さが33.0kg/mm2 以上、好ましくは33.0〜70.0kg/mm2 となる温度領域でアニールする事が必要である。更にアニール温度が上昇すると伸び率が4%以上となり引張り強さは更に低下してくる。従来から使用されているネールヘッドボンディング用の金合金線は伸び率が4%以上のものが使用されているが本発明になる金合金線では所定の引張り強さと1〜3%伸び率を与えるために、合金組成に対応した最終冷間加工率を調整し更に低い温度領域でアニールする。
(5)用途
本発明になるウエッジボンディング用金合金線はICチップをリードに接続する方法及びICチップを直接基板に接続するリードレスで接続する方法の何れに用いても好適である。
なお、ここでいうウエッジボンディングとは、ICチップの電極、例えばAl電極と外部リードや他の電極をワイヤーで配線する際、ワイヤーと電極部の接合がファーストボンド、セカンドボンド共にボールを形成することなく、ウエッジ状ツールを用いてワイヤー側面を圧着して接合するボンディングであり、必要に応じてウエッジ状ツールを介して超音波を印加したり電極部を加熱する。
【0024】
【作用】
本発明になる金合金線がウエッジボンディングを行った後高温接合強度に優れている理由は明らかではないが、有効元素としてのCaが添加されていること、有害元素がその含有量を規制されていること、又伸び率が小さく、引張り強さが大きいことがウエッジボンディングによる超音波接合を行う際、材料の不必要な変形を阻止することと相まって生成されるAu−Al金属間化合物が熱的に安定なものが得られているためではないかと考えられる。
【0025】
【実施例】
表1〜3に示す実施例、参考例及び比較例について説明する。
(参考例1)
純度99.999重量%の高純度金に所定量のCa及びPdを添加し真空溶解炉で溶解した後鋳造して表1に示す組成の金合金、即ち1重量ppm Ca、1.0重量%Pd、残部が金及び不可避不純物からなる組成の金インゴットを得、これに溝ロール、伸線機を用いた冷間加工と中間アニールを施し、最終線径25μmとし、最終アニールにより引張り強さが39.8kg/mm2 、伸び率2〜3%になるように仕上げた。
【0026】
この金合金線をウエッジボンディング装置(新川株式会社製 SWB−FA−US30)を用いて前述の図2に示す方法でICチップのAl電極上及び外部配線上に超音波ボンディングを行った。この時ICチップ側のボンディングはボンディング荷重を45g、ボンディング時間を30ms、ボンディングパワーを0.64wの条件で行った。
【0027】
次に試料10個を200℃に設定した高温炉で100時間保持した。次いで試料を炉から取り出し、外部配線側でワイヤーを切断し次の方法でICチップ側の高温接合強度を測定した。即ちICチップ側を治具で固定し、ワイヤーを上方に引っ張り破断荷重を測定した。10個の平均値を測定値とし、測定結果を表1に示す。
(参考例2〜14、実施例1〜37、比較例1〜26)
金及び金合金線の組成、伸び率及び引張り強さを表1に示すようにしたこと以外は参考例1と同様にして細線に仕上げ、超音波ボンディングを行った後高温接合強度を測定した。
【0028】
測定結果を表1〜5に示す。
(試験結果)
(1)高純度金に1〜100重量ppm のCa及び0.2〜5.0重量%のPd,Ag,Ptのうち少なくとも1種を添加した組成であって、伸び率2〜3%、引張強さ39.1〜41.5kg/mm2 である実施例1〜16及び参考例1〜7は高温接合強度が3.5〜5.1gと優れた効果を示した。
【0029】
この中でもCa添加量が1〜50重量ppm のとき高温接合強度が4.1〜5.1gである為好ましく用いられる。
(2)前記組成にMg,Y,La,Eu,Ge,Beのうち少なくとも1種を所定量添加して、伸び率1〜3%(2〜3%)、引張強さ39.2〜41.5kg/mm2 である実施例17〜28及び参考例8〜14は高温接合強度が4.3〜5.1gであり、同様に優れた効果を示していることが判る。
【0030】
(3)参考例3及び実施例3,9,18に示す組成及び伸び率を有し、引張強さが33.0〜60.6kg/mm2 である参考例14,15及び実施例29〜35は高温接合強度が3.8〜4.4gであり優れた効果を示した。
(4)本発明に係わるCa及びPd,Ag,Ptのいずれも含有しない比較例1は高温接合強度が0.6gと悪い事が判る。
【0031】
(5)本発明の必須成分であるCaを含有せず、Pd,Ag,Ptのうち少なくとも1種を含有する比較例2〜5は高温接合強度が2.5〜2.8gと悪い事が判る。
(6)50重量ppm のCaを含有するものの、Pd,Ag,Ptのうち少なくとも1種にかえて2.0重量%のCuを含有し所定の伸び率及び引張強さを有する比較例6は高温接合強度が0.5gと悪い事が判る。
【0032】
(7)所定量のPd,Ag,Ptのうち少なくとも1種を含有するものの、Caの含有量が200重量ppm である比較例7〜10は高温接合強度が1.0〜1.4gと悪い事が判る。
(8)所定量のCaを含有するものの、Pd,Ag,Ptのうち少なくとも1種の含有量が0.11重量%である比較例11〜14は高温接合強度が3.2〜3.3gと悪い事が判る。
【0033】
(9)所定量のCaを含有するものの、Pd,Ag,Ptのうち少なくとも1種の含有量が6.0重量%である比較例15〜18は高温接合強度が1.2〜1.6gと悪い事が判る。
(10)所定量のCa及びPd,Ag,Ptのうち少なくとも1種を含有し、所定の伸び率を有するものの引張り強さが33.0kg/mm2 未満である比較例19〜22は高温接合強度が2.6〜2.9gと悪い事が判る。
【0034】
(11)所定量のCa及びPd,Ag,Ptのうち少なくとも1種を含有し、所定の引張り強さを有するものの伸び率が2〜3%を超える比較例23〜26は高温接合強度が2.0〜2.4gと悪い事が判る。
【0035】
【表1】
【0036】
【表2】
【0037】
【表3】
【0038】
【表4】
【0039】
【表5】
【0040】
【発明の効果】
本発明により、請求項に記載の如く、所定量のCa及びPd,Ag,Ptのうち少なくとも1種を含有し残部が金及び不可避不純物からなる組成を有し且つ所定の伸び率と引張り強さを有するウエッジボンディング用金合金線によれば高温接合強度を向上させることが出来半導体装置の信頼性向上に効果的である。前記含有成分に加えて所定量のMg,Y,La,Eu,Ge,Beのうち少なくとも1種を含有した場合においても同様の効果を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】ネールボンディング方法による接合法の説明。
【図2】ウエッジボンディング方法による接合法の説明。
【図3】ネールボンディング方法とウエッジボンディング方法による接合部の形状、寸法を示す。
【符号の説明】
11…ウエッジ
12…ワイヤー
12′…ボンディングワイヤー
14′…ワイヤー接合部
15…Al配線
16…ICチップ
17…クランパー
18…外部配線
D…ワイヤ径
L1 …圧着ボール径
L2 …つぶれ幅
Claims (4)
- カルシウム(Ca)を1〜100重量ppm 、さらに銀(Ag)又は白金(Pt)のうち少なくとも1種を0.2〜5.0重量%含有し、残部が金及び不可避不純物からなる組成を有する金合金線であって該金合金線の引張強さが33.0kg/mm2 以上、伸び率が1〜3%であることを特徴とするウエッジボンディング用金合金線。
- カルシウム(Ca)を1〜100重量 ppm 、さらに銀(Ag)又は白金(Pt)のうち少なくとも1種及びパラジウム(Pd)を0.2〜5.0重量%含有し、残部が金及び不可避不純物からなる組成を有する金合金線であって該金合金線の引張強さが33.0 kg / mm 2 以上、伸び率が1〜3%であることを特徴とするウエッジボンディング用金合金線。
- さらにMg,Y,La,Eu,Ge,Beのうち少なくとも1種を1〜100重量ppm 添加したことを特徴とする請求項1又は2記載のウエッジボンディング用金合金線。
- カルシウム(Ca)を1〜100重量 ppm 、パラジウム(Pd)を0.2〜5.0重量%、さらにMg又はLaのうち少なくとも1種を1〜100重量 ppm 含有し、残部が金及び不可避不純物からなる組成を有する金合金線であって該金合金線の引張強さが33.0 kg / mm 2 以上、伸び率が1〜3%であることを特徴とするウエッジボンディング用金合金線。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20616197A JP3690902B2 (ja) | 1996-07-31 | 1997-07-31 | ウエッジボンディング用金合金線 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP20241396 | 1996-07-31 | ||
JP8-202413 | 1996-07-31 | ||
JP20616197A JP3690902B2 (ja) | 1996-07-31 | 1997-07-31 | ウエッジボンディング用金合金線 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1098062A JPH1098062A (ja) | 1998-04-14 |
JP3690902B2 true JP3690902B2 (ja) | 2005-08-31 |
Family
ID=26513361
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP20616197A Expired - Fee Related JP3690902B2 (ja) | 1996-07-31 | 1997-07-31 | ウエッジボンディング用金合金線 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3690902B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080050267A1 (en) * | 2004-09-30 | 2008-02-28 | Hiroshi Murai | Au Alloy Bonding Wire |
JP4641248B2 (ja) * | 2004-12-21 | 2011-03-02 | 田中電子工業株式会社 | 接合性、直進性および耐樹脂流れ性に優れたボンディングワイヤ用金合金線 |
JP4195495B1 (ja) * | 2007-11-06 | 2008-12-10 | 田中電子工業株式会社 | ボールボンディング用金合金線 |
JP5024907B2 (ja) * | 2010-01-06 | 2012-09-12 | 田中電子工業株式会社 | 金(Au)合金ボンディングワイヤ |
JP5403436B2 (ja) * | 2010-10-08 | 2014-01-29 | タツタ電線株式会社 | ボールボンディング用ワイヤ |
SG190370A1 (en) * | 2011-03-01 | 2013-06-28 | Tanaka Electronics Ind | Gold alloy bonding wire |
-
1997
- 1997-07-31 JP JP20616197A patent/JP3690902B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH1098062A (ja) | 1998-04-14 |
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A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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S531 | Written request for registration of change of domicile |
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R350 | Written notification of registration of transfer |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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