JP3969671B2 - Au合金ボンディング・ワイヤ - Google Patents
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Description
最近は、半導体装置の小型化、薄型化、高機能化および高信頼性化の要求が高まる中で、金ボンディング・ワイヤに必要とされる特性も多様化しており、半導体チップの多ピン化及びこれに伴う狭ピッチ化に対応するため、金ボンディング・ワイヤをより細線化しても、なおかつ、所要の強度、あるいは第一ボンドにおけるボールの真円度や第二ボンドにおける接合信頼性等、更には接合の長期信頼性が要求されている。
ところが、ボンディング・ワイヤの線径が細くなると、ワイヤ自身の絶対的な剛性が低下するため、25μmの線径では問題にならなかったような不具合が発生するようになった。
また、高密度化に伴って、接合点での発熱量が増し、高温環境で長時間使用されるようになると、第一ボンドにおけるAuワイヤとAlパッド間の界面における金属間化合物の成長が急速に進むようになった結果、生成した金属間化合物によりボール接合性を低下させる不具合が発生することが目立つようになる。
これらの問題を解決するために、いろいろな元素をいろいろな割合で添加することが試みられてきた。純Au線から、Pd等の貴金属元素をAuに含有させるなどしてAu合金線が導入されて剛性を高めたり、単数または複数の微量元素を添加することによって各種の性能の向上が図られてきた。ボンディング・ワイヤ(ボール)と接合相手であるAl合金との界面におけるAu−Alの相互拡散を遅延させ金属間化合物の成長を抑制したりするのも、その一例である。
結局、極細線に要請される線材の性能を満足させるべく、合金元素の種類と添加量を調整して、バランスをとってきていたのが実情であり、極細線に要請される線材の性能が高度化するにつれて、組み合わせの探求に終わりはないといえる。
特許文献1には、「高純度Auに、高純度のPdを1wt%含有せしめると共に、Fe,Si,Be,Ca,Ge,Y,Sc,希土類元素の中から少なくとも1種を、総添加量0.0001〜0.005wt%含有せしめてなる半導体素子用ボンディング線」が記載されている。ここでは、「線径25μmのボンディング線」が実施例として示されている。
特許文献2には、「Caを0.0003〜0.003重量%含み、Mgを0.0005〜0.01重重%含み、更にPt、Pd、Cuのうちの1種以上を合計で0.01〜2.0重量%含み、残部がAu及び不可避不純物からなることを特徴とするボンディングワイヤ」が記載されている。、ここでは、「直径0.025mmの合金線」が実施例として示されている。
即ち、本発明によれば、以下に示すAu合金ボンディング・ワイヤが提供される。
(1) 99.99質量%以上の高純度Auに99.9質量%以上の高純度のPd、Ptのうち少なくとも1種を合計で0.05〜2質量%含有させたAu合金マトリックス中に微量元素を含有させた合金であって、該微量元素が10〜100質量ppmのMgと、5〜100質量ppmのCeと、Be、Y、Gd、La、EuおよびSiのうちの少なくとも1種を、おのおのが5〜100質量ppmでかつBe、Y、Gd、La、EuおよびSiの合計で5〜100質量ppmとからなることを特徴とするAu合金ボンディング・ワイヤ。
(4) 99.99質量%以上の高純度Auに99.9質量%以上の高純度のPd、Ptのうち少なくとも1種を合計で0.05〜2質量%含有させたAu合金マトリックス中に微量元素を含有させた合金であって、該微量元素が10〜100質量ppmのMgと、5〜30質量ppmのSiと、5〜30質量ppmのBeと、Ca、CeおよびSnのうちの2種を、おのおのが5〜30質量ppmでかつ2種の合計で10〜60質量ppmとからなることを特徴とするAu合金ボンディング・ワイヤ。
(6) 全微量元素の合計が100質量ppm以下である(1)〜(5)の何れかに記載のAu合金ボンディング・ワイヤ。
(7) 線径が23μm以下である(1)〜(5)のいずれかに記載のAu合金ボンディング・ワイヤ。
その第1のグループは、第1ボンド・第2ボンドの接合性・経時安定性(長期信頼性)を主に図るもので、第1発明と第2発明に規定される。
その第2グループは、圧着ボールの真円度とそれに大きく影響を及ぼす溶融ボールの真球度の向上を主に図るもので、第3から第5の発明に規定される。
第1のグループに属する第1発明(請求項1)では、マトリックス合金中に含有させる微量添加元素は、(iii)MgとCeとを必須の微量添加元素とするほか、(iv)Be、Y、Gd、La、Eu及びSiの中から選ばれる少なくとも1種の元素を組み合わせたものであり、第1のグループに属する第2発明(請求項2)では、マトリックス合金中に含有させる微量添加元素は、(v)MgとBeとを必須の微量添加元素とするほか、(vi)Y、La、Eu及びSiの中から選ばれる少なくとも1種類の元素を組み合わせたものであってCeを含まないものである。
Pd、Ptを多く含有するとボールが硬くなり、チップ割れを起こし易くなるので、マトリックス合金中のPd及び/又はPtの含有量は、合計でマトリックス合金中に2質量%以内、好ましくは1.5質量%までが良い。また、安定した効果を発揮するためには、その下限は0.08質量%以上、より好ましくは0.2質量%以上である。
また、Pd、Ptは、第一ボンドの長期信頼性においても効果があり、175℃高温放置試験において、
・0.2質量%以上含有では2000時間以上、
・0.08質量%以上含有では1500時間以上、
・0.05質量%以上含有では1000時間以上、
不良が発生しないことが確認されている。
マトリックス合金中にPdとPtの両方を添加するときには、両者の添加割合の比には、特に制限はない。PdもPtもAuに対して同等のマトリックス効果を発揮するからである。
Mgは、Au合金マトリックス中において、第一ボンドにおける真円度および超音波圧着による第二ボンドのウェッジ接合性を向上させることができる元素であることがわかった。Mgは10〜100質量ppm含有していると、上記の真円度およびウェッジ接合性の向上効果を示す。10質量ppm未満では、真円度およびウェッジ接合性を向上させることができず、100質量ppmを超えるとボール表面にMgが析出して酸化するため、第一ボンドにおける接合性が悪化する。Mgは40質量ppm以上で第二ボンドのウェッジ接合性をより向上させるが、80質量ppm以下では溶融ボールの真球度がより安定する。
前記マトリックス合金(Au合金)中に含有させる微量元素において、そのCeの純度は、99.9質量%以上、好ましくは99.99質量%以上である。
その含有量は、マトリックス合金に対して、第1のグループにおいては5〜100質量ppm、第2のグループにおいては5〜30質量ppmである。
Au合金マトリックスにおけるBeは、第一ボンドにおける真円度を向上させる。Beは5質量ppm未満では上記の真円度向上効果をもたらすことができず、30質量ppmを超えると溶融ボール表面に酸化物が多数生成するため、第一ボンドにおける接合性が悪くなる。
Siの含有量は、マトリックス合金に対して、第1のグループにおいては5〜100質量ppm、第2のグループにおいては5〜30質量ppmである。
Au合金マトリックスにおけるSiは、ループ形成性と圧着ボールの真円度を維持する元素である。Siは5質量ppm未満では上記のループ形成性を維持することができず、30質量ppmを超えると真円度が得にくくなる。
Gdの含有量は、マトリックス合金に対して、第1のグループにおいては5〜100質量ppmである。
Au合金マトリックスにおけるGdは、ループ形成性と圧着ボールの真円度を維持する元素である。Gdは、5質量ppm未満では上記のループ形成性を維持することができず、30質量ppmを超えると真円度が得にくくなる。
Au合金マトリックスにおけるCaは、ワイヤの強度を向上させる。Caは、線径が23μm以下の細いワイヤであっても、極細線自身の剛性を増すことにより、ループ形成性を維持するとともに、第一ボンディングにおける圧着ボールの真円度を維持することができる元素であることがわかった。Caは、5質量ppm未満では上記の真円度向上効果をもたらすことができない。Caは30質量ppmを超えると溶融ボールの底部にくぼみができやすくなるので、溶融ボールを形成してから半導体装置の電極に接続してボールボンドするボンディング・ワイヤにあっては、マトリックス合金に対し5〜30質量ppmの範囲が好ましい。
また、Caを所定量添加すると、ループ形成性および真円度を同時に満足させるワイヤが得られる。
前記マトリックス合金(Au合金)中に含有させる微量元素において、CeとY、Eu、La、Snの各々の元素の純度は、99.9質量%以上、好ましくは99.99質量%以上である。
それぞれの含有量は、マトリックス合金に対して、5〜100質量ppm、好ましくは、Laにおいては5〜80質量ppm、それ以外の元素においては5〜30質量ppmである。
CeとY、Gd、Be、La、Si、Euは、1元素あたりの量が5質量ppm未満では、Au−Pd等合金ワイヤのループ形成性を維持することができず、また、第一ボンディングにおける圧着ボールの真円度を維持することができ難い。また、1元素あたりの含有量が100質量ppmか、もしくはこれらの元素の合計が100質量ppmを超えると、溶融ボールがいびつに変形したり、極細線自身の剛性が大きくなりすぎて半導体チップを割ってしまいやすくなったりする。1元素あたりの含有量が30質量ppm以下であれば、圧着ボールの真円度がより安定する。
本発明で用いる微量元素である、Mg、Ce、Y、Gd、Be、Ca、Eu、LaおよびSiは、すべて、高純度のAu−Pd等合金に対して適度な組み合わせで希薄な含有量だけ添加されるので、Au合金中で偏析することなく均一に含有することができ、Znや多量のCaの単独添加のように、Au合金の表面に意図しない状態で析出して酸化膜を形成することがない。したがって、上述のように適切な量範囲でMg、Ce、Y、Gd、Be、Ca、Eu、LaおよびSiを組み合わせることによって、Au合金ボンディング・ワイヤにおける相互拡散の遅延効果に加え、ウェッジ接合性の向上効果、並びに溶融ボールの真球度向上効果、極細線におけるループ形成効果、圧着ボールの真円度向上効果を併せ持たせることができる。
[実施例1〜81]
表1に第1のグループの実施例(1〜57)、表2に第2のグループの実施例(58〜81)の各試料の成分組成を示す。純度99.999質量%の高純度Auと純度99.99質量%の高純度Pd、Ptとの合金に、微量元素として表1および表2に記載の数値(質量ppm)になるように配合し、真空溶解炉で溶解鋳造した。これを伸線加工して、線径が25μm、20μmまたは15μmのところで最終熱処理し、伸び率を4%に調整した。なお、各ボンディング・ワイヤの伸びと引張り強さは、10cm長に切り出したワイヤを各10本引張り試験し、その平均値を求めることで評価した。
表3に実施例と微量元素の成分組成が異なる比較例の各試料の組成を示す。なお、比較例1〜17は第1のグループに対応する比較例であり、比較例18〜23は第2のグループに対応する比較例である。
Au合金極細線は実施例と同様に、線径が25μm、20μmまたは15μmのところで最終熱処理し、伸び率を4%に調整し、実施例1と同様に評価した。その評価結果を表6に示す。
実施例および比較例の各ボンディング・ワイヤの特性は、以下のようにしてそれぞれ評価した。
第一ボンドおよび第二ボンドの「ボンドの良否」の評価は、5000本のループを形成したときに、剥離等の不良がでなかったものを良好であるとして◎印で、1本発生した場合は○印で、2本以上の場合は△印で示した。
「溶融ボールの真球度」の評価は、溶融ボールの下面(ワイヤ側が上面)の縦横の直径を測定し、その比が、0.995〜1.005の範囲にあるものを◎印で、左記を除き、0.99〜1.01の範囲にあるものを○印で示した。これらの範囲を外れた場合は△印で示した。測定は、各10試料を選定して行い、その平均値を示した。但し、実施例58、62、72については、試料数を50に増加して、第2のグループにおけるばらつきの程度を精度を上げて確認した。
「プルテスト」の評価は、ループ・スパンの中央付近をフックで上方に持ち上げ、破断したときの荷重で判断した。線径が25μmのときは6×10mN以上を◎印で、4×10〜6×10mNの範囲にあるものを○印で、4×10mN未満を△印で示した。
「総合評価」は、上記6つの評価のうち、◎が3つ以上かつ、△がないものを特に良好として◎印で、◎が2つ以下で△がないものを良好として○印で、△が1つでもあるものは普通として△印でそれぞれ示した。
それに対して、比較例においては、以下に述べるとおりの理由により、いずれも所期の性能が得られていない。
第1のグループに対する比較例において、
比較例1は本発明で対象としない微量元素Caを含むため。
比較例2は本発明で対象としない微量元素Znを含むため。
比較例3は微量元素Ceが規定量を超えて含むため。
比較例4は本発明で対象としない微量元素Znを含み、かつ、本発明で対象とする微量元素Mgを含まないため。
比較例5は本発明で対象としない微量元素Caを含むため。
比較例6は本発明で対象としない微量元素Znを含むため。
比較例7は本発明で対象とする微量元素MgとCe以外の微量元素を含まないため。
比較例8は本発明で対象とする微量元素Mgを含まないため。
比較例9は本発明で対象とする微量元素のCeとBeとの組み合わせを含まないため。
比較例10は本発明で対象とするMgとBe以外の微量元素を含まないため。
比較例11は微量元素Beが規定量を超えて含むため。
比較例12は微量元素Siが規定量を超えて含むため。
比較例13は微量元素Ceが規定量を超えて含むため。
比較例14は微量元素Mgが規定量を超えて含むため。
比較例15は微量元素の合計値が規定量を超えて含むため。
比較例16は微量元素の合計値が規定量を超えて含むため。
比較例17は合金元素Ptが規定量に達しないため。
比較例18は微量元素Ceが規定量に達しないため。
比較例19は微量元素Caが規定量を超えて含むため。
比較例20は微量元素Mgが規定量を超えて含むため。
比較例21は微量元素の合計値が規定量を超えて含み、かつ、微量元素Caが上限を超えるとともに本発明で対象とする微量元素のBeとSiの組み合わせを含まないため。
比較例22は合金元素Pdが規定量に達しないため。
比較例23は合金元素PdとPtの合計が規定量を超えて含むため。
Claims (7)
- 99.99質量%以上の高純度Auに99.9質量%以上の高純度のPd、Ptのうち少なくとも1種を合計で、0.05〜2質量%含有させたAu合金マトリックス中に微量元素を含有させた合金であって、該微量元素が10〜100質量ppmのMgと、5〜100質量ppmのCeと、Be、Y、Gd、La、EuおよびSiのうちの少なくとも1種を、おのおのが5〜100質量ppmでかつBe、Y、Gd、La、EuおよびSiの合計で5〜100質量ppmとからなることを特徴とするAu合金ボンディング・ワイヤ。
- 99.99質量%以上の高純度Auに99.9質量%以上の高純度のPd、Ptのうち少なくとも1種を合計で、0.05〜2質量%含有させたAu合金マトリックス中に微量元素を含有させた合金であって、該微量元素が10〜100質量ppmのMgと、5〜100質量ppmのBeと、Y、La、EuおよびSiのうちの少なくとも1種とからなり、微量元素の内のY、La、EuおよびSiの、おのおのが5〜100質量ppmでかつY、La、EuおよびSiの合計で100質量ppm以下であるAu合金からなることを特徴とするAu合金ボンディング・ワイヤ。
- 99.99質量%以上の高純度Auに99.9質量%以上の高純度のPd、Ptのうち少なくとも1種を合計で、0.05〜2質量%含有させたAu合金マトリックス中に微量元素を含有させた合金であって、該微量元素が10〜100質量ppmのMgと、5〜30質量ppmのSiと、5〜30質量ppmのBeと、CaおよびSnのいずれかを5〜30質量ppmとからなることを特徴とするAu合金ボンディング・ワイヤ。
- 99.99質量%以上の高純度Auに99.9質量%以上の高純度のPd、Ptのうち少なくとも1種を合計で、0.05〜2質量%含有させたAu合金マトリックス中に微量元素を含有させた合金であって、該微量元素が10〜100質量ppmのMgと、5〜30質量ppmのSiと、5〜30質量ppmのBeと、Ca、CeおよびSnのうちの2種を、おのおのが5〜30質量ppmでかつ2種の合計で10〜60質量ppmとからなることを特徴とするAu合金ボンディング・ワイヤ。
- 99.99質量%以上の高純度Auに99.9質量%以上の高純度のPd、Ptのうち少なくとも1種を合計で、0.05〜2質量%含有させたAu合金マトリックス中に微量元素を含有させた合金であって、該微量元素が10〜100質量ppmのMgと、5〜30質量ppmのSiと、5〜30質量ppmのBeと、Ca、CeおよびSnを、おのおのが5〜30質量ppmでかつ3種の合計で15〜90質量ppmとからなることを特徴とするAu合金ボンディング・ワイヤ。
- 全微量元素の合計が100質量ppm以下である請求項1〜5の何れかに記載のAu合金ボンディング・ワイヤ。
- 線径が23μm以下である請求項1〜5のいずれかに記載のAu合金ボンディング・ワイヤ。
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Family Cites Families (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3130917A (en) * | 1961-08-14 | 1964-04-28 | Elie P Aghnides | Water aerator having improved pre-aerating disc |
JPS5282183A (en) * | 1975-12-29 | 1977-07-09 | Nec Corp | Connecting wires for semiconductor devices |
US4330329A (en) * | 1979-11-28 | 1982-05-18 | Tanaka Denshi Kogyo Kabushiki Kaisha | Gold bonding wire for semiconductor elements and the semiconductor element |
EP0503207B1 (en) * | 1991-03-13 | 1997-06-18 | International Business Machines Corporation | Adaptation device and method for efficient interconnection of data processing devices and networks |
JP2780611B2 (ja) * | 1993-09-06 | 1998-07-30 | 三菱マテリアル株式会社 | 少量成分の合金化で硬質化した金装飾品材 |
JP3337049B2 (ja) * | 1995-05-17 | 2002-10-21 | 田中電子工業株式会社 | ボンディング用金線 |
KR100273702B1 (ko) * | 1995-08-23 | 2000-11-15 | 사토 케이지 | 본딩용 금합금 세선의 제조방법 |
JPH09107400A (ja) * | 1995-10-12 | 1997-04-22 | Fujitsu Ltd | 通信属性変換装置の自動捕捉方法及びその装置とそれを有する通信システム |
JPH09321075A (ja) * | 1996-05-28 | 1997-12-12 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | ボンディングワイヤ |
JP3328135B2 (ja) * | 1996-05-28 | 2002-09-24 | 田中電子工業株式会社 | バンプ形成用金合金線及びバンプ形成方法 |
EP0922780B1 (en) * | 1996-06-12 | 2002-09-25 | Kazuo Ogasa | Method of manufacturing a high purity hard gold alloy |
JP3690902B2 (ja) * | 1996-07-31 | 2005-08-31 | 田中電子工業株式会社 | ウエッジボンディング用金合金線 |
US5945065A (en) * | 1996-07-31 | 1999-08-31 | Tanaka Denshi Kogyo | Method for wedge bonding using a gold alloy wire |
JP3729302B2 (ja) * | 1997-04-17 | 2005-12-21 | 住友金属鉱山株式会社 | ボンディング用金合金細線 |
EP0890987B1 (de) * | 1997-07-07 | 2003-03-05 | W.C. Heraeus GmbH & Co. KG | Feinstdraht aus einer Goldlegierung, Verfahren zu seiner Herstellung und seine Verwendung |
US6167449A (en) * | 1997-11-19 | 2000-12-26 | Apple Computer, Inc. | System and method for identifying and locating services on multiple heterogeneous networks using a query by type |
US6426947B1 (en) * | 1998-10-21 | 2002-07-30 | Kim K. Banker | Apparatus and method for unilateral topology discovery in network management |
KR19990088305A (ko) * | 1998-05-15 | 1999-12-27 | 사토오 케이지 | 결합금합금와이어및그의적용 |
US6594700B1 (en) * | 1999-06-14 | 2003-07-15 | International Business Machines Corporation | System and method for implementing a universal service broker interchange mechanism |
JP3382918B2 (ja) * | 2000-05-31 | 2003-03-04 | 田中電子工業株式会社 | 半導体素子接続用金線 |
JP3323185B2 (ja) * | 2000-06-19 | 2002-09-09 | 田中電子工業株式会社 | 半導体素子接続用金線 |
US7158515B1 (en) * | 2000-07-06 | 2007-01-02 | Nortel Networks Limited | Method of optical network bandwidth representation for optical label switching networks |
KR100717667B1 (ko) * | 2000-09-18 | 2007-05-11 | 신닛뽄세이테쯔 카부시키카이샤 | 반도체용 본딩 와이어 및 그 제조 방법 |
US20020099814A1 (en) * | 2001-01-24 | 2002-07-25 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for providing automatic discovery of network protocols, configurations and resources |
US6785542B1 (en) * | 2001-02-28 | 2004-08-31 | Palm Source, Inc. | Resource proxy for mobile wireless electronic devices |
EP1292084A3 (de) * | 2001-09-07 | 2005-10-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zur Übertragung von Daten in einem paketorientierten Datennetz |
KR100427749B1 (ko) * | 2002-05-07 | 2004-04-28 | 엠케이전자 주식회사 | 반도체 소자 본딩용 금-은 합금 와이어 |
US7685288B2 (en) * | 2003-06-30 | 2010-03-23 | Microsoft Corporation | Ad-hoc service discovery protocol |
US20050060411A1 (en) * | 2003-09-16 | 2005-03-17 | Stephane Coulombe | System and method for adaptation of peer-to-peer multimedia sessions |
US7403512B2 (en) * | 2003-10-14 | 2008-07-22 | Intel Corporation | Service discovery architecture and method for wireless networks |
US7933290B2 (en) * | 2004-03-30 | 2011-04-26 | Nokia Corporation | System and method for comprehensive service translation |
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