JPH11340264A - ワイヤバンプ形成用金合金線及びワイヤバンプ形成方法 - Google Patents

ワイヤバンプ形成用金合金線及びワイヤバンプ形成方法

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JPH11340264A
JPH11340264A JP10139991A JP13999198A JPH11340264A JP H11340264 A JPH11340264 A JP H11340264A JP 10139991 A JP10139991 A JP 10139991A JP 13999198 A JP13999198 A JP 13999198A JP H11340264 A JPH11340264 A JP H11340264A
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JP
Japan
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wire
bump
weight
gold alloy
alloy wire
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JP10139991A
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English (en)
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Takesato Tokuyama
威吏 徳山
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Tanaka Denshi Kogyo KK
Original Assignee
Tanaka Denshi Kogyo KK
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＩＣチップの電極との接合強度が高く、バン
プ形成後に残るネック高さを低くすること。 【解決手段】 高純度金にＺｎ，Ｃｏ，Ｍｏ，Ｃｒのう
ち１種以上を０．００１〜３．０重量％、Ｌａ，Ｅｕ，
Ｂｅ，Ｙ，Ｃａ，Ｂｉ，Ｆｅのうち１種以上を５〜５０
０重量ppm 、任意にＰｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｓ
ｎ，Ｉｎ，Ｍｎのうち１種以上を１〜500 重量ppm 含有
するバンプ形成用金合金線、及びこれを用いるバンプ形
成方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＩＣチップのワイヤ
レスボンディングに用いるバンプ形成用金合金線及びバ
ンプ形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣチップの電極パッドと外部端子等を
接続する場合、ワイヤで配線するワイヤボンディング方
法が知られている。しかしながらワイヤボンディングの
場合、ワイヤの立ち上がり高さが必要となるため、半導
体装置の高さ寸法を十分小さくすることが出来ないとい
う欠点がある。この欠点を除去する為、ＩＣチップの電
極パッドと外部リードや基板上の電極の接続方法とし
て、上記電極パッドにバンプを形成し、このバンプに上
記外部リード等を接続する方法、いわゆるワイヤレスボ
ンディング方法が行われている。上部バンプを利用した
接続方法によればＩＣチップの電極パッドと外部リード
等をバンプを介して直接接合される為、ワイヤで配線す
る場合に比べて接合部分の高さを低くすることが出来、
薄型パッケージに適しているという利点を有している。
更にバンプを介して接合するとＩＣチップの面状に平面
的に多数の電極を配置することが出来る為、多ピン化に
伴う高密度パッケージに適している。
【０００３】ところで従来電極パッドにバンプを形成す
る方法として特開昭４８−７６７８号、特開昭５９−２
０８７５１号公報等に示される方法が知られている。本
発明ではこれらの方法を「ワイヤバンプ形成方法」とい
い、その特徴は次のとおりである。即ちワイヤ先端を加
熱、溶融してボールを形成し、該ボールを圧着具を用い
て下方から加熱された上記ＩＣチップの電極パッド上に
圧着した後、圧着具と共にワイヤを上方に引っ張ってワ
イヤをボール直上付近で切断することにより上記パッド
上にバンプを形成する方法である。また本発明ではワイ
ヤバンプ形成方法で形成されたバンプを「ワイヤバン
プ」という。該ワイヤバンプ形成方法は従来のワイヤボ
ンディング方法に用いる装置がそのまま使用出来てしか
も生産性に優れているという長所を持つ反面、ボール直
上部で切断されたワイヤ残存長さ、いわゆるテール長さ
の短いものが安定して得られないという欠点を有してい
る。該テール長さが長い時テール部分が横にはみ出しシ
ョートを引き起こす原因となる。
【０００４】この為特開昭６２−１５２１４３号公報に
は上記ボールを電極パッド上に圧着した後、圧着ボール
直上のワイヤ部に治具を用いて切欠状凹部を形成した後
ワイヤを上方に引っ張ってテール長さの短いものを安定
して得る方法が開示されている。該方法は安定した任意
長さのテール長さが得られる反面、工程が増える為、生
産性の点で問題がある。
【０００５】一方バンプを形成する材料として耐酸化性
の点で金線が好ましく用いられている。しかしながらボ
ールを電極パッド上に熱圧着した際、該接合部に金ボー
ル中のＡｕと電極パッド中のＡｌによりＡｕ−Ａｌ金属
間化合物が形成されることが知られている。該金属間化
合物は接合強度を低下させるため、これの改善が求めら
れている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は次の通
りである。 （１）ワイヤバンプ形成用材料として金合金線を用い
て、加熱されたＡｌを主成分とするＩＣチップの電極パ
ッド上に熱圧着してワイヤバンプを形成した時、その接
合強度を高く保つことが出来るバンプ形成用金合金線及
びバンプ形成方法を提供すること。
【０００７】（２）ワイヤバンプ形成用材料として金合
金線を用いて、Ａｌを主成分とするＩＣチップの電極パ
ッド上に熱圧着した後、ワイヤに切り欠き状凹部を形成
することなくワイヤを上方に引っ張って切断した際、ボ
ール直上部分に残るワイヤ部を短くして、ネック高さを
低くすることが出来るバンプ形成用金合金線及びバンプ
形成方法を提供すること。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者は鋭意研究を重
ねた結果、金合金線を引張って切断することにより、電
極上面にバンプを形成するバンプ形成に於いて、前記金
合金線が高純度金にＺｎ，Ｃｏ，Ｍｏ，Ｃｒのうち少な
くとも１種とＬａ，Ｅｕ，Ｂｅ，Ｙ，Ｃａ，Ｂｉ，Ｆｅ
のうち少なくとも１種を各々所定量含有せしめた組成と
することにより、前記元素の相乗効果によって前述の目
的を達成し得ることを知見し、本発明を完成するに至っ
た。
【０００９】本発明の特徴は下記にある。 （１）高純度金にＺｎ，Ｃｏ，Ｍｏ，Ｃｒのうち少なく
とも１種を０．００１〜３．０重量％及びＬａ，Ｅｕ，
Ｂｅ，Ｙ，Ｃａ，Ｂｉ，Ｆｅのうち少なくとも１種を５
〜５００重量ppm 含有させたことを特徴とするバンプ形
成用金合金線。 （２）高純度金にＺｎ，Ｃｏ，Ｍｏ，Ｃｒのうち少なく
とも１種を０．００１〜３．０重量％及びＬａ，Ｅｕ，
Ｂｅ，Ｙ，Ｂｉ，Ｆｅのうち少なくとも１種を５〜５０
０重量ppm 含有させたことを特徴とするバンプ形成用金
合金線。
【００１０】（３）高純度金にＺｎ，Ｃｏ，Ｍｏ，Ｃｒ
のうち少なくとも１種を０．００１〜３．０重量％及び
ＣａとＬａ，Ｅｕ，Ｂｅ，Ｙ，Ｂｉ，Ｆｅのうち少なく
とも１種をそれぞれ５重量ppm 以上且つその合計で１０
〜５００重量ppm 含有させたことを特徴とするバンプ形
成用金合金線。 （４）更にＰｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｍ
ｎ，Ｍｇのうち少なくとも１種を１〜５００重量ppm 含
有させたことを特徴とする上記（１）〜（３）記載のバ
ンプ形成用金合金線。
【００１１】（５）金合金線の先端を加熱してボールを
形成し、該ボールを電極上面に熱圧着させた状態で金合
金線を引張って切断することにより、前記電極上面にバ
ンプを形成するワイヤバンプ形成方法に於いて、前記金
合金線が高純度金にＺｎ，Ｃｏ，Ｍｏ，Ｃｒのうち少な
くとも１種を０．００１〜３．０重量％、Ｌａ，Ｅｕ，
Ｂｅ，Ｙ，Ｃａ，Ｂｉ，Ｆｅのうち少なくとも１種を５
〜５００重量ppm 含有させたことを特徴とするワイヤバ
ンプ形成方法。
【００１２】（６）前記金合金線が高純度金にＺｎ，Ｃ
ｏ，Ｍｏ，Ｃｒのうち少なくとも１種を０．００１〜
３．０重量％、Ｌａ，Ｅｕ，Ｂｅ，Ｙ，Ｂｉ，Ｆｅのう
ち少なくとも１種を５〜５００重量ppm 含有させたこと
を特徴とする上記（５）記載のワイヤバンプ形成方法。 （７）前記金合金線が高純度金にＺｎ，Ｃｏ，Ｍｏ，Ｃ
ｒのうち少なくとも１種を０．００１〜３．０重量％、
ＣａとＬａ，Ｅｕ，Ｂｅ，Ｙ，Ｂｉ，Ｆｅのうち少なく
とも１種をそれぞれ５重量ppm 以上且つその合計で１０
〜５００重量ppm 含有させたことを特徴とする上記
（５）記載のワイヤバンプ形成方法。
【００１３】（８）金合金線が更にＰｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，
Ａｇ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｍｎ，Ｍｇのうち少なくとも１種を
１〜５００重量ppm 含有させたことを特徴とする上記
（５）〜（７）記載のワイヤバンプ形成方法。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明のバンプ形成方法に用いる
金合金線は高純度金に所定量のＺｎ，Ｃｏ，Ｍｏ，Ｃｒ
のうち少なくとも１種と所定量のＬａ，Ｅｕ，Ｂｅ，
Ｙ，Ｃａ，Ｂｉ，Ｆｅのうち少なくとも１種を含有させ
た組成を有することを特徴とする。高純度金としては、
少なくとも９９．９９重量％以上、好ましくは９９．９
９５重量％以上、更に好ましくは９９．９９９重量％以
上に精製した高純度金が用いられる。 （添加成分について） （１）Ｚｎ，Ｃｏ，Ｍｏ，Ｃｒ（以下「第１群元素」と
いう）のうち少なくとも１種は所定量のＬａ，Ｅｕ，Ｂ
ｅ，Ｙ，Ｃａ，Ｂｉ，Ｆｅ（以下「第２群元素」とい
う）のうち少なくとも１種との共存において接合強度を
高く保つ事が出来ると共にネック高さを低くする事が出
来るという優れた効果を示す。
【００１５】第１群元素のうち少なくとも１種の含有量
が０．００１重量％以上になると０．００１重量％未満
と対比して接合強度を高く保つ事が出来ると共にネック
高さを低くする事が出来る。又第１群元素のうち少なく
とも１種の含有量が３．０重量％を越えると、ＩＣチッ
プの電極に割れが生じやすくなる。この為、第１群元素
のうち少なくとも１種の含有量を０．００１〜３．０重
量％とした。第１群元素のうち少なくとも１種の含有量
が０．１重量％以上になると０．１重量％未満と対比し
て接合強度を更に高く保つ事が出来ると共にネック高さ
を更に低くする事が出来る。この為、第１群元素のうち
少なくとも１種の含有量を０．１〜３．０重量％とする
事が好ましい。
【００１６】（２）Ｌａ，Ｅｕ，Ｂｅ，Ｙ，Ｃａ，Ｂ
ｉ，Ｆｅ（以下「第２群元素」という。）のうち少なく
とも１種は所定量の第１群元素のうち少なくとも１種と
の共存において接合強度を高く保つ事が出来ると共にネ
ック高さを低くする事が出来るという優れた効果を示
す。第２群元素のうち少なくとも１種の含有量が５重量
ppm 以上になると５重量ppm 未満と対比して接合強度を
高く保つ事が出来ると共にネック高さを低くする事が出
来る。又第２群元素のうち少なくとも１種の含有量が５
００重量ppm を越えると、ＩＣチップの電極に割れが生
じやすくなる。この為、第２群元素のうち少なくとも１
種の含有量を５〜５００重量ppm とした。
【００１７】第２群元素のうち少なくとも１種がＬａ，
Ｅｕ，Ｂｅ，Ｙ，Ｂｉ，Ｆｅのうち少なくとも１種とし
て、その含有量を５〜５００重量ppm とする事が好まし
い。この時更に接合強度を高く保つ事が出来ると共にネ
ック高さを低くする事が出来るようになる。第２群元素
のうち少なくとも１種がＣａとＬａ，Ｅｕ，Ｂｅ，Ｙ，
Ｂｉ，Ｆｅのうち少なくとも１種をそれぞれ５重量ppm
以上で且つその合計で１０〜５００重量ppm 含有させる
事が好ましい。この時更に接合強度を高く保つ事が出来
ると共にネック高さを低くする事が出来るようになる。
【００１８】なお、第２群元素のうち、例えば、Ｅｕ，
Ｂｅ，Ｙ，Ｃａ，Ｂｉのうち少なくとも１種の元素でも
よいことは勿論である。 （３）金合金線に所定量の第１群元素と所定量の第２群
元素が高純度金に含有されている限り、この効果は他の
元素を含有させても基本的に維持される。一般的には他
の元素の含有量が５００重量ppm 以下であれば上記所定
量の第１群元素と所定量の第２群元素を含有した相乗効
果が維持される。
【００１９】他の元素を含有させた例としてＰｄ，Ｐ
ｔ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｍｎ，Ｍｇ（以下「第３
群元素」という）のうち少なくとも１種が更に１〜５０
０重量ppm 含有された場合において、同様の効果が維持
出来ることが例示出来る。 （金合金線の製造方法）本発明になる金合金線の好まし
い製造方法を説明すると、高純度金に所定量の元素を添
加して真空溶解炉で溶解した後インゴットに鋳造する。
そのインゴットに溝ロール、伸線機を用いた冷間加工と
中間アニールを施し、最終冷間加工により直径１０〜１
００μｍとした後最終アニールを施し伸び率を１〜３％
に調整して、表面に潤滑剤を塗布して金合金線に仕上げ
る。 （ワイヤバンプ形成方法）ワイヤバンプ形成方法による
ワイヤバンプの形成方法を図１を用いて説明する。
【００２０】図１に示す方法を単純引張り方法という。
図１（Ａ）に示すように本発明になる金合金線２をキャ
ピラリー１に挿通しその先端を加熱溶融してボール４を
形成する。次いで図１（Ｂ）に示すようにキャピラリ１
を下降させて該ボール４をＩＣチップ６上の電極５の上
に押圧接合する。この時図示しない超音波振動がキャピ
ラリー１を通して付加されると共に、ＩＣチップ６は図
示しない下方のヒーターブロックで加熱される為上記ボ
ール４は熱圧着され２段扁平状４′となる。
【００２１】次いで図１（Ｃ）に示すようにキャピラリ
１を上昇させて、クランパ７が金合金線２を挟持しその
まま上昇させる。これによって上記押圧されたボール
４′と金合金線２を引っ張って切り離すことにより、Ｉ
Ｃチップ６上の電極５の上に押圧されたボール即ちワイ
ヤバンプ４′が形成される。後工程で、図示しないがワ
イヤバンプ４′の上部を外部端子と接続する。
【００２２】ここで図１（Ｃ）で形成されたワイヤバン
プ４′の上部にはワイヤ片８が残存する事になる。この
拡大図を図３に示す。本発明でいう「ネック高さ」とは
押圧ボール（高さｈ）を含む残存ワイヤ片８の長さをい
い、Ｈで表示する高さである。前述の方法でワイヤバン
プを形成した時のネック高さは本発明になる金合金線を
用いた場合、低い高さにすることが出来ると共に熱圧着
された接合面の接合強度が大きいという優れた効果を有
している。
【００２３】又ワイヤバンプ形成方法の別の態様である
切欠状凹部付き引張り方法を図２を用いて説明する。図
２（Ａ），（Ｂ）に示すように図１（Ａ），（Ｂ）と同
様にしてＩＣチップ６上の電極５の上にボール４が２段
扁平状４′として熱圧着されて形成される。次いで図２
（Ｂ′）に示すように先端が鋭利な切欠状凹部形成治具
１０が横から前進してきて２段扁平状４′の直上の金合
金線の任意の箇所に切欠状凹部を形成する。切欠状凹部
９が形成された状況を拡大して図４に示す。
【００２４】次いで図２（Ｃ）に示すように図１（Ｃ）
と同様にして金合金線２を上方に引張って押圧されたボ
ールと金合金線を切り離すことによりＩＣチップ６上の
電極５の上に押圧されたボール即ちワイヤバンプ４′が
形成される。この場合も図１（Ｃ）で形成されたワイヤ
バンプ４′の上部にはワイヤ片８が残存することにな
る。該切欠状凹部付き引張り方法でワイヤバンプを形成
した時のネック高さは切欠状凹部の位置を任意に設定出
来ると共に、本発明になる金合金線を用いた場合、熱圧
着された接合面の接合強度が大きいという優れた効果を
有している。
【００２５】尚前述の何れの方法においてもワイヤバン
プ４′と外部端子を接続する際、導電性接着剤を用いて
も良い。
【００２６】
【実施例】表１〜６に示す実施例及び比較例について説
明する。 （実施例１）純度９９．９９９重量％の高純度金に所定
量のＺｎ，Ｌａを添加し、真空溶解炉で溶解して後鋳造
して表１に示す組成の金合金、即ち０．００１重量％Ｚ
ｎ，１００重量ppm Ｌａを含有する組成の金合金インゴ
ットを得て、これに溝ロール、伸線機を用いて冷間加工
と中間熱処理を施し、最終直径２５μｍとした後最終ア
ニールを施し伸び率を１〜３％に調整して、表面に潤滑
剤を塗布して金合金線に仕上げた。
【００２７】該金合金線と自動ボンダー（新川（株）製
ＳＷＢ−ＳＢＢ−１）を用いて、基板加熱温度２００
℃として図１に示すワイヤバンプ形成方法（単純引張り
方法）でＩＣチップ電極（１％Ｓｉ−Ａｌ合金）上に超
音波熱圧着ボンディングを行った後、ワイヤバンプを形
成した。図３に示すワイヤバンプ４′においてボール圧
着部高さｈを２０μｍになるようにした。
【００２８】測定方法は下記の通りであった。 ネック高さ 測長顕微鏡を用いてネック高さ（Ｈ）を測定した。５０
個の試料について測定し、その平均値を表１に示す。 シェア強度 シェアテスタ（デージ（株）製 ＢＴ−２４００）を用
いて接合強度としてシェア強度を測定した。２０個の試
料について測定し、その平均値を表１に示す。
【００２９】 チップ割れ ＩＣチップ電極上にワイヤバンプを形成した試料をＫＯ
Ｈ１wt％水溶液中に３０分浸漬し、ＩＣチップ上の電極
膜を除去した後、ＩＣチップ表面を金属顕微鏡で観察
し、チップ割れの有無を観察した。１０個の試料につい
て測定し、そのチップ割れ個数を表Ｉに示す。
【００３０】（実施例２〜１０２）（比較例１〜１９） 金合金線の組成を表１〜６に示すようにしたこと以外は
実施例１と同様にして金合金線に仕上げ、前記した各試
験を行った。測定結果を表１〜６に示す。
【００３１】
【表１】
【００３２】
【表２】
【００３３】
【表３】
【００３４】
【表４】
【００３５】
【表５】
【００３６】
【表６】
【００３７】
【表７】
【００３８】（試験結果）本発明になる金合金線を用い
ると加熱されたＡｌを主成分とするＩＣチップの電極パ
ッド上に熱圧着してワイヤバンプを形成した時、その接
合強度を高く保つことが出来ると共にワイヤに切り欠き
状凹部を形成することなくワイヤを上方に引っ張って切
断した際、ボール直上部分に残るワイヤ部を短くして、
ネック高さを低くすることが出来るという効果を奏す
る。
【００３９】（１）所定量の第１群元素のうち少なくと
も１種と所定量の第２群元素のうち少なくとも１種を含
有する実施例１〜９１のものはバンプ形成用金合金線と
して次のような優れた効果を示した。 ネック高さの平均値は８４．７μｍ以下であり、低
い高さにすることが出来る。
【００４０】 熱圧着した後のシェアー強度は５６．
１ｇｆ以上と高く保つ事が出来る。 チップ割れは何れも生じていない良好なものであっ
た。 （２）実施例１〜９１の中で第１群元素のうち少なくと
も１種の含有量が０．１〜３．０重量％のものはバンプ
形成用金合金線として次のような更に優れた効果を示し
好ましく用いられる。
【００４１】 ネック高さの平均値は７９．５μｍ以
下であり、更に低い高さに出来る。 熱圧着した後のシェアー強度は６１．８ｇｆ以上と
高く保つ事が出来る。 （３）実施例１〜９１の中で第１群元素のうち少なくと
も１種の含有量が０．１〜３．０重量％であって、第２
群元素がＣａ省いたＬａ，Ｅｕ，Ｂｅ，Ｙ，Ｂｉ，Ｆｅ
のうち少なくとも１種を含有するものはバンプ形成用金
合金線として次のような更に優れた効果を示し好ましく
用いられる。
【００４２】 ネック高さの平均値は７６．６μｍ以
下であり、更に低い高さに出来る。 熱圧着した後のシェアー強度は６４．１ｇｆ以上と
更に高く保つ事が出来る。 （４）所定量の第１群元素のうち少なくとも１種、及び
ＣａとＬａ，Ｅｕ，Ｂｅ，Ｙ，Ｂｉのうち少なくとも１
種をそれぞれ５重量ppm 以上且つその合計で１０〜５０
０重量ppm 含有する実施例８７，８９〜９２のものはバ
ンプ形成用金合金線として次のような更に優れた効果を
示した。
【００４３】 ネック高さの平均値は６８．５μｍ以
下であり、更に低い高さにすることが出来る。 熱圧着した後のシェアー強度は６５．８ｇｆ以上と
高く保つ事が出来る。 （５）所定量の第１群元素のうち少なくとも１種と所定
量の第２群元素のうち少なくとも１種を含有し、更に所
定量の第３群元素のうち少なくとも１種を含有する実施
例９２〜１０２のものはバンプ形成用金合金線として次
のように同様の効果を維持出来た。
【００４４】 ネック高さの平均値は第３群元素を含
有しない実施例３が６６．８μｍであることに対して、
実施例３の組成に加えて第３群元素を含有するものは６
６．５〜６７．４μｍと実施例２と同様に低い高さにす
ることが出来る。実施例８４，８５も同様に低い高さに
することが出来る。 熱圧着した後のシェアー強度は第３群元素を含有し
ない実施例３が６９．２μｍであることに対して、実施
例３の組成に加えて第３群元素を含有するものは６９．
２〜７０．１ｇｆと実施例３と同様に高く保つことが出
来る。
【００４５】実施例８４，８５も同様に高く保つことが
出来る。 （６）所定量の第１群元素のうち少なくとも１種を含有
しているものの、所定量の第２群元素のうち少なくとも
１種を含有していない比較例２，４，６，７のものを本
発明品と対比してみる。 ０．３％Ｚｎを含有し、所定量の第２群元素の含有
の有無
【００４６】
【表８】
【００４７】所定量の第２群元素を含有するとネック高
さは低くなり、シェア強度は高くなることが判る。 ０．３％Ｃｏを含有し、所定量の第２群元素の含有
の有無
【００４８】
【表９】
【００４９】所定量の第２群元素を含有するとネック高
さは低くなり、シェア強度は高くなることが判る。 ０．３％Ｍｏを含有し、所定量の第２群元素の含有
の有無
【００５０】
【表１０】
【００５１】所定量の第２群元素を含有するとネック高
さは低くなり、シェア強度は高くなることが判る。 ０．３％Ｃｒを含有し、所定量の第２群元素の含有
の有無
【００５２】
【表１１】
【００５３】所定量の第２群元素を含有するとネック高
さは低くなり、シェア強度は高くなることが判る。 （６）所定量の第２群元素のうち少なくとも１種を含有
しているものの、所定量の第１群元素を含有していない
比較例８〜１１のものを所定量の第１群元素を含有して
いる本発明品と対比してみる。
【００５４】
【表１２】
【００５５】所定量の第１群元素を含有するとネック高
さは低くなり、シェア強度は高くなることが判る。 （７）所定量の第２群元素のうち少なくとも１種を含有
しているものの、第１群元素のうち少なくとも１種の含
有量が３．０重量％を越える比較例１２〜１５のものは
チップ割れが生じるものであった。
【００５６】（８）所定量の第１群元素のうち少なくと
も１種を含有しているものの、第２群元素のうち少なく
とも１種の含有量が５００重量ppm を越える比較例１６
〜１９のものはチップ割れが生じるものであった。
【００５７】
【発明の効果】本発明による高純度金に第１群の元素と
第２群の元素を所定量添加した金合金線によれば、単純
引張り方法によるワイヤバンプの形成においてネック高
さを低い高さにすることが出来た。これにより生産性に
すぐれていると共にショートを引き起こす度合いを小さ
くできて半導体装置の信頼性向上に効果的であり、また
接合強度を高く出来て半導体装置の信頼性向上にも効果
的である。
【００５８】さらに、第３群の元祖を所定量追加して添
加することにより、上記と比べて更にネック高さを低い
高さに出来て、しかも接合強度を高く出来る為、半導体
装置の信頼性向上にさらに効果的である。
【図面の簡単な説明】
【図１】ワイヤバンプの単純引張りによる形成方法を示
す。
【図２】ワイヤバンプの切欠状凹部付き引張りによる形
成方法を示す。
【図３】ワイヤバンプの拡大図である。
【符号の説明】 ４’…ワイヤバンプ ５…電柱 ８…ワイヤ片

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 高純度金にＺｎ，Ｃｏ，Ｍｏ，Ｃｒのう
    ち少なくとも１種を０．００１〜３．０重量％及びＬ
    ａ，Ｅｕ，Ｂｅ，Ｙ，Ｃａ，Ｂｉ，Ｆｅのうち少なくと
    も１種を５〜５００重量ppm 含有させたことを特徴とす
    るバンプ形成用金合金線。
  2. 【請求項２】 高純度金にＺｎ，Ｃｏ，Ｍｏ，Ｃｒのう
    ち少なくとも１種を０．００１〜３．０重量％及びＬ
    ａ，Ｅｕ，Ｂｅ，Ｙ，Ｂｉ，Ｆｅのうち少なくとも１種
    を５〜５００重量ppm 含有させたことを特徴とするバン
    プ形成用金合金線。
  3. 【請求項３】 高純度金にＺｎ，Ｃｏ，Ｍｏ，Ｃｒのう
    ち少なくとも１種を０．００１〜３．０重量％及びＣａ
    とＬａ，Ｅｕ，Ｂｅ，Ｙ，Ｂｉ，Ｆｅのうち少なくとも
    １種をそれぞれ５重量ppm 以上且つその合計で１０〜５
    ００重量ppm含有させたことを特徴とするバンプ形成用
    金合金線。
  4. 【請求項４】 更にＰｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｓｎ，Ｉ
    ｎ，Ｍｎ，Ｍｇのうち少なくとも１種を１〜５００重量
    ppm 含有させたことを特徴とする請求項１，２又は３記
    載のバンプ形成用金合金線。
  5. 【請求項５】 金合金線の先端を加熱してボールを形成
    し、該ボールを電極上面に熱圧着させた状態で金合金線
    を引張って切断することにより、前記電極上面にバンプ
    を形成するワイヤバンプ形成方法に於いて、前記金合金
    線が高純度金にＺｎ，Ｃｏ，Ｍｏ，Ｃｒのうち少なくと
    も１種を０．００１〜３．０重量％、Ｌａ，Ｅｕ，Ｂ
    ｅ，Ｙ，Ｃａ，Ｂｉ，Ｆｅのうち少なくとも１種を５〜
    ５００重量ppm 含有させたことを特徴とするワイヤバン
    プ形成方法。
  6. 【請求項６】 前記金合金線が高純度金にＺｎ，Ｃｏ，
    Ｍｏ，Ｃｒのうち少なくとも１種を０．００１〜３．０
    重量％、Ｌａ，Ｅｕ，Ｂｅ，Ｙ，Ｂｉ，Ｆｅのうち少な
    くとも１種を５〜５００重量ppm 含有させたことを特徴
    とする請求項５記載のワイヤバンプ形成方法。
  7. 【請求項７】 前記金合金線が高純度金にＺｎ，Ｃｏ，
    Ｍｏ，Ｃｒのうち少なくとも１種を０．００１〜３．０
    重量％、ＣａとＬａ，Ｅｕ，Ｂｅ，Ｙ，Ｂｉ，Ｆｅのう
    ち少なくとも１種をそれぞれ５重量ppm 以上且つその合
    計で１０〜５００重量ppm 含有させたことを特徴とする
    請求項５記載のワイヤバンプ形成方法。
  8. 【請求項８】 金合金線が更にＰｄ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ａ
    ｇ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｍｎ，Ｍｇのうち少なくとも１種を１
    〜５００重量ppm 含有させたことを特徴とする請求項
    ５，６又は７記載のワイヤバンプ形成方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008140857A (ja) * 2006-11-30 2008-06-19 National Institute Of Advanced Industrial & Technology 半導体装置及びその製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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