JPH10242192A - ボール押圧方法及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

ボール押圧方法及び半導体装置の製造方法

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JPH10242192A
JPH10242192A JP9042619A JP4261997A JPH10242192A JP H10242192 A JPH10242192 A JP H10242192A JP 9042619 A JP9042619 A JP 9042619A JP 4261997 A JP4261997 A JP 4261997A JP H10242192 A JPH10242192 A JP H10242192A
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JP
Japan
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ball
pressing
chip
capillary
wire
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JP9042619A
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English (en)
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Hideyuki Akimoto
英行 秋元
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Tanaka Denshi Kogyo KK
Original Assignee
Tanaka Denshi Kogyo KK
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】ＩＣチップ上のＡｌ電極部と外部端子を接続す
るべくＡｌ電極部へボールを押圧して押圧ボールを形成
する際、押圧ボール下方のＩＣチップ本体のクラックを
防止しながら、押圧ボールの押圧量を増大させることが
出来ると共にＡｌ電極部と押圧ボールの接合強度を高め
ることが出来るボール押圧方法及び該方法を用いた半導
体製造方法を提供する。 【解決手段】ＩＣチップ６上面のＡｌ電極部５以外の領
域９で一次押圧を行って一次押圧ボール３ａを形成し、
次いで目的領域であるＩＣチップ６上のＡｌ電極部５へ
二次押圧を行って、Ａｌ電極部５に対するボールの接合
を行う。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、ＩＣチップ上のＡ
ｌ電極部と外部端子を接続する際にＡｌ電極部へボール
を押圧する方法、及び該方法を用いた半導体装置の製造
方法に関し、詳しくは、ボールボンディング方法による
配線やワイヤバンプ接続する際に用いて好適な、Ａｌ電
極部へのボール押圧方法及び該方法を用いた半導体装置
の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の組立てにおいて、ＩＣチッ
プ上のＡｌ電極部と外部端子を接続する際、ワイヤで配
線するボールボンディング方法やバンプを介して接続す
るワイヤバンプ接続が用いられている。
【０００３】前記ボールボンディング方法の概要を図４
（Ａ）〜（Ｅ）を用いて説明する。図４において１はワ
イヤ、２はキャピラリ、３はワイヤの先端に形成された
ボール、４は放電用トーチ、５はＩＣチップ上のＡｌ電
極部、６はＩＣチップ、７は外部端子である。
【０００４】まず図４（Ａ）に示す様に、キャピラリ２
先端からワイヤ１先端を導出し、放電用トーチ４を用い
て前記ワイヤ１先端にボール３を形成する。次に（Ｂ）
に示す様に、キャピラリ２を下降させてＩＣチップ６上
のＡｌ電極部５の上にボール３を押圧し、押圧ボール
３’を形成する。次に（Ｃ）に示す様に、キャピラリ２
を上昇させると共に、水平方向（図においては右方向）
へ移動させてワイヤを繰り出す。次に（Ｄ）に示す様
に、キャピラリ２を外部端子７の上に下降させて繰り出
したワイヤの端部を接合し、ループ８を形成する。最後
に（Ｅ）に示す様に、キャピラリ２の上方にあるクラン
プ（図示省略）でワイヤ１を掴んだ状態でキャピラリ２
を上昇させることにより、ワイヤ１は外部端子７から引
き切られ、配線が完了する。この後パッケージを封止し
て半導体装置を製造している。前記のように、ＩＣチッ
プ上のＡｌ電極部と外部端子を配線する方法として、ボ
ールボンディング方法が現在主流になっている。
【０００５】またワイヤバンプ接続方法は図示を省略す
るが、図４に示す（Ａ）、（Ｂ）の工程を経た後、押圧
ボール３’真上部分でワイヤ１を切断し、該押圧ボール
３’をバンプとして使用して、ＩＣチップ上のＡｌ電極
部と外部端子を接続する方法である。
【０００６】ここで、ボールボンディング方法、バンプ
接続方法の何れにおいても、図４（Ｂ）に示す様に、Ｉ
Ｃチップ６上のＡｌ電極部５の上にボール３を押圧し、
押圧ボール３’を形成する時、大きな接合強度を得よう
とする場合やその押圧量を大きくしようとした場合等
に、押圧ボール３’の下方のＩＣチップ６にクラックが
発生するという不良が生じることがある。
【０００７】前記クラックの発生を抑制する為の対応と
して、ＩＣチップ６とＡｌ電極部５の間に、Ｔｉ膜等の
ような緩衝材を介在させたボンディング方法が知られて
いる。しかし乍らこのような方法は、緩衝膜の形成とい
う別工程を要することに加えて、前記クラックの発生を
抑制しながら押圧ボールの押圧量を増大させると共に、
Ａｌ電極部と押圧ボールの大きな接合強度を得ることに
限界があるという状況にある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前述したよう
な従来事情に鑑みてなされたものであり、ＩＣチップ上
のＡｌ電極部と外部端子を接続する方法において、前記
Ａｌ電極部へボールを押圧して押圧ボールを形成する
際、押圧ボール下方のＩＣチップ本体のクラックを防止
しながら押圧ボールの押圧量を増大させることが出来る
と共にＡｌ電極部と押圧ボールの接合強度を高めること
が出来る、ＩＣチップＡｌ電極部へのボール押圧方法及
び該方法を用いる半導体製造方法を提供することを目的
とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明者は鋭意検討を行
った結果、ＩＣチップ上のＡｌ電極部へボールを押圧し
て押圧ボールを形成する際、ＩＣチップ上面のＡｌ電極
部以外の領域で一次押圧を行い、次いで目的領域である
ＩＣチップ上のＡｌ電極部へ二次押圧を行うことが、前
記課題に対して効果的であることを見出し、本発明に至
った。その要旨とするところは次の通りである。
【００１０】即ち本発明は請求項１記載のように、ＩＣ
チップ上のＡｌ電極部と外部端子を接続するに際して前
記Ａｌ電極部にボールを押圧する方法において、キャピ
ラリに挿通されたワイヤの先端にボールを形成する工程
と、ＩＣチップ上面のＡｌ電極部以外の領域に前記キャ
ピラリを下降させる前記ボールの一次押圧工程と、該一
次押圧されたボールとキャピラリを上昇させる工程と、
ＩＣチップ上のＡｌ電極部に前記キャピラリを下降させ
て前記押圧ボールを接合する二次押圧工程と、を具備し
たことを特徴とする。
【００１１】また本発明は請求項３記載のように、ＩＣ
チップ上のＡｌ電極部と外部端子をボールボンディング
方法で配線した後に封止処理を行う半導体装置の製造方
法において、前記ボールボンディング方法が、キャピラ
リに挿通されたワイヤの先端にボールを形成する工程
と、ＩＣチップ上面のＡｌ電極部以外の領域に前記キャ
ピラリを下降させる前記ボールの一次押圧工程と、該一
次押圧されたボールとキャピラリを上昇させる工程と、
ＩＣチップ上のＡｌ電極部に前記キャピラリを下降させ
て前記押圧ボールを接合する二次押圧工程と、前記キャ
ピラリを上昇させると共に水平方向へ移動させてワイヤ
を繰り出す工程と、該繰り出されたワイヤの端部を外部
端子に接合した後ワイヤを切り離す工程とを具備したこ
とを特徴とする。
【００１２】さらに本発明は請求項４記載のように、Ｉ
Ｃチップ上のＡｌ電極部と外部端子をワイヤバンプ接続
した後に封止処理を行う半導体装置の製造方法におい
て、前記ワイヤバンプ接続方法が、キャピラリに挿通さ
れたワイヤの先端にボールを形成する工程と、ＩＣチッ
プ上面のＡｌ電極部以外の領域に前記キャピラリを下降
させる前記ボールの一次押圧工程と、該一次押圧された
ボールとキャピラリを上昇させる工程と、ＩＣチップ上
のＡｌ電極部に前記キャピラリを下降させて前記押圧ボ
ールを接合する二次押圧工程と、該押圧ボール真上部分
でワイヤを切断する工程とを具備したことを特徴とす
る。
【００１３】また本発明は請求項２、５記載のように、
上記ワイヤが引張り強さ２０Kg／mm 2 以上であることを
特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、実施の形態に基づき本発明
について説明する。本発明のボール押圧方法は、ＩＣチ
ップ上のＡｌ電極部と外部端子を接続するべく、ボール
ボンディング方法による配線やワイヤバンプ接続を行う
に際し、ワイヤ先端に形成したボールと、ＩＣチップ上
のＡｌ電極部との接合を、上述した一次押圧と二次押圧
により行うようにしたことを特徴とするものである。こ
こで一次押圧とは、Ａｌ電極部に前記ボールを接合させ
るに先立って、該ボールを押圧により変形させることを
いい、その変形の程度は、前記ボールの底面に平坦部が
出来る程度で良い。また二次押圧とは、前記一次押圧さ
れたボールを、ＩＣチップ上のＡｌ電極部に押圧して二
次押圧ボールを形成し該ボールをＡｌ電極部に接合させ
ることをいう。
【００１５】本発明に用いるワイヤ、即ち前記ボールを
形成するためのワイヤは、半導体装置のＩＣチップ上の
Ａｌ電極部と外部端子をワイヤによって配線する為に用
いるボンディングワイヤ、又はバンプによって接続する
ためバンプ形成用ワイヤとして通常使用する、直径１０
〜１００μｍのものが用いられる。材質としてはＡｕ，
Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ及びそれらの合金が用いられる。
【００１６】上記ワイヤの中で、引張り強さ２０Kg／mm
2 未満のものを用いる場合、本発明方法を採用すること
により、従来の方法を採用した場合と比較して、押圧ボ
ール下方のＩＣチップ本体のクラックを防止しながら、
押圧ボールの押圧量を増大させることが出来ると共にＡ
ｌ電極部と押圧ボールの接合強度を高めることが出来
る。
【００１７】上記ワイヤの中で、引張り強さ２０Kg／mm
2 以上のものを用いる場合、本発明方法を採用すること
により、従来の方法を採用した場合と比較して、押圧ボ
ール下方のＩＣチップ本体のクラックを防止しながら、
押圧ボールの押圧量を増大させることが出来ると共にＡ
ｌ電極部と押圧ボールの接合強度を高める効果が、とり
わけ顕著になる。
【００１８】この為、本発明方法においては、引張り強
さ２０Kg／mm2 以上のワイヤが好ましく用いられる。こ
こでワイヤの引張り強さの大きいものは硬さも大きいた
め、本発明方法は、硬いワイヤによってＩＣチップ上の
Ａｌ電極部と外部端子を接続する際により好ましく用い
られる。
【００１９】上記引張り強さ２０Kg／mm2 以上のワイヤ
としては、Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕをベースメタルとし
て、合計添加量が０．１〜１５％になるようにＰｄ，Ｐ
ｔ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｃａ，Ｂｉ，Ｂｅ，希土類元素を添加
したものが例示出来る。
【００２０】以下、本発明になるＩＣチップＡｌ電極部
へのボール押圧方法を具備したボールボンディング方法
について、図１及び図２を用いて説明する。まず図１
（Ａ）に示す様に、キャピラリ２先端からワイヤ１先端
を導出し、放電トーチ４を用いて前記ワイヤ１先端にボ
ール３を形成する。
【００２１】次に図１（Ｂ）に示す様に、キャピラリ２
を下降させてＩＣチップ６上面の、Ａｌ電極部５以外の
領域９にボール３を一次押圧して、一次押圧ボール３ａ
を形成する。ここで領域９としては、一次押圧ボール３
ａが接合しないように、Ａｌ電極部５以外の領域である
ことが必要である。具体的には、ＩＣチップ６のパター
ン部内の非配線個所や非パターン部を利用することが例
示出来る。
【００２２】また前記一次押圧における押圧量は、ボー
ル３の底面に平坦部が出来る程度で良い。従って、一次
押圧ボール３ａの外径が、初期ボール３の外径の１．０
５〜１．１５倍程度になるような押圧量が好ましく用い
られる。
【００２３】次に図１（Ｃ）に示す様に、キャピラリ２
を上昇させた後、Ａｌ電極部５の上方まで水平方向（図
において矢印で示す左方向）に移動させ、前記一次押圧
ボール３ａをＡｌ電極部５上方に位置させる。
【００２４】次に図１（Ｄ）に示す様に、キャピラリ２
を下降させて、ＩＣチップ６上のＡｌ電極部５の上に一
次押圧ボール３ａを押圧し、二次押圧ボール３ｂを形成
して該押圧ボール３ｂをＡｌ電極部５に接合する。ここ
で二次押圧の押圧量は、二次押圧ボール３ｂの外径が、
初期ボール３の外径の１．１０〜１．４０倍程度になる
ような押圧量が好ましく用いられる。
【００２５】次に図２（Ａ）に示す様に、キャピラリ２
を上昇させると共に水平方向（図においては右方向）に
移動させて、ワイヤを繰り出す。
【００２６】次に図２（Ｂ）に示す様に、キャピラリ２
を外部端子７の上に下降させて繰り出したワイヤの端部
を接合し、ループ８を形成する。
【００２７】最後に図２（Ｃ）に示す様に、キャピラリ
２の上方にあるクランプ（図示省略）でワイヤ１を掴ん
だ状態でキャピラリ２を上昇させることにより、ワイヤ
１は外部端子７から引き切られて切り離され、配線が完
了する。
【００２８】尚、ＩＣチップ６上のＡｌ電極部５と外部
端子７をワイヤ１で前記のように配線した後、用途に応
じて樹脂やセラミックス等で封止して半導体装置に仕上
げる。
【００２９】次に、本発明になるＩＣチップＡｌ電極部
へのボール押圧方法を具備したワイヤバンプ接続方法に
ついて、図１（Ａ）〜（Ｄ）及び図３（Ａ）〜（Ｂ）を
用いて説明する。
【００３０】まず図１（Ａ）〜（Ｄ）までの工程は、上
述したボールボンディング方法と同様にして行う。即
ち、本発明の特徴である一次押圧工程（図１（Ｂ））と
二次押圧工程（図１（Ｄ））を具備して、ＩＣチップ６
のＡｌ電極部５へ二次押圧ボール３ｂを押圧して接合す
る。
【００３１】次に図３（Ａ）に示す様に、前記二次押圧
ボール３ｂの真上部分でワイヤ１を切断して、バンプ１
０を形成する。切断方法としては、ワイヤ１を上方に引
張って二次押圧ボール真上部分で切断する方法、切断具
を用いて二次押圧ボール真上部分で切断する方法が例示
出来る。図３（Ａ）においては、ワイヤ１の一端をクラ
ンパ１１で挟持し上方に引張って二次押圧ボール３ｂ真
上部分で切断する方法が示してある。
【００３２】次に図３（Ｂ）に示す様に、基板１２から
延出された外部端子１３を接続する。
【００３３】この後、用途に応じて樹脂やセラミックス
等で封止して半導体装置に仕上げる。
【００３４】上述したように、ボールボンディング方
法、ワイヤバンプ接続方法の何れにおいても、初期ボー
ル３をＩＣチップ６上のＡｌ電極部５の上に押圧して接
合するに際して、前記Ａｌ電極部５以外の領域で一次押
圧を行った後、Ａｌ電極部５に二次押圧を行うことによ
り、前述した本発明の課題を達成することが出来る。
【００３５】とりわけ引張り強さ２０Kg／mm2 以上のワ
イヤを用いる場合、本発明方法を採用することにより、
押圧ボール３ａ，３ｂ下方のＩＣチップ６のクラックを
防止しながら、押圧ボール３ｂの押圧量を増大させるこ
とが出来ると共に、Ａｌ電極部５と押圧ボール３ｂの接
合強度を高める効果が、従来方法を採用する場合と比較
して、より顕著になる。このため、本発明方法において
引張り強さ２０Kg／mm2 以上のワイヤが好ましく用いら
れる。即ち、硬いワイヤに対して好ましく用いられる。
【００３６】以上説明したように、本発明方法を採用す
ることにより前述の課題を達成することが出来る理由は
明らかではないが、次のように考えられる。従来方法に
よる初期ボールを押圧する時の押圧時間と押圧荷重は図
５（Ａ）のグラフに示すようになるのに対し、本発明方
法のように、ボール下端を一次押圧で平坦にした後二次
押圧する時の押圧時間と押圧荷重は、図５（Ｂ）のグラ
フに示すようになると考えられる。このため、従来法の
ように初期ボールをそのまま押圧してＡｌ電極部に接合
しようとする時、図３（ａ）のように押圧時間の初期段
階で押圧荷重が激しく増減し、所定の押圧量を得るため
に必要以上の押圧荷重を要する。一方、本発明方法によ
れば、一次押圧は初期ボールの底面に平坦部が出来る程
度の小さな荷重で行うことにより、ＩＣチップのクラッ
クを防止しつつボール下端を平坦にし、次いで二次押圧
をして押圧ボールをＡｌ電極部に接合するので、押圧時
間と押圧荷重は図５（Ｂ）のように異常荷重が発生する
ことが少ないため、クラックを防止しつつ、ボール押圧
量を増大させることが出来ると共に接合強度を高めるこ
とが出来るようになると考えられる。
【００３７】
【実施例】以下、実施例に基づいて本発明をより詳細に
説明する。 （実施例１）９９．９９９重量％以上の高純度金にＡｇ
を５０重量％含有させた金合金を、高周波溶解炉で溶
解、鋳造し、その鋳塊を圧延した後、伸線加工を行い、
直径２５μｍの金合金細線とし、最終焼鈍により引張り
強さ及び伸び率を夫々２４．０（Kg／mm2 ）、９（％）
とした。次に該金合金線をワイヤとして、図１（Ａ）〜
（Ｄ）及び図２（Ａ）〜（Ｃ）に示すボールボンディン
グ方法で、ＩＣチップ６上のＡｌ電極部５と外部端子７
を配線した。
【００３８】即ち、 （１）キャピラリ２先端からワイヤ１先端を導出し、放
電トーチ４を用いて前記ワイヤ１先端にボール３を形成
する。 （２）キャピラリ２を下降させＩＣチップ５上面のＡｌ
電極部５以外の領域９にボール３を一次押圧して、一次
押圧ボール３ａを形成する。ここで領域９としてはＩＣ
チップ６のパターン部内の非配線箇所とした。また前記
一次押圧の際の押圧量は、一次押圧ボール３ａの外径が
初期ボール３の外径の１．１０倍となるものとした。 （３）キャピラリ２を上昇させた後、Ａｌ電極部５の上
方まで水平方向（図において左方向）に移動させる。 （４）キャピラリ２を下降させてＩＣチップ６上のＡｌ
電極部５の上面に一次押圧ボール３ａを押圧し、二次押
圧ボール３ｂを形成して該ボール３ｂをＡｌ電極部５に
接合する。ここで二次押圧の際の押圧量は、二次押圧ボ
ール３ｂの外径が初期ボール３の外径の１．３０倍とな
るものとした。 （５）キャピラリ２を上昇させると共に水平方向（図に
おいて右方向）、外部端子７の上まで移動させて、ワイ
ヤを繰り出す。 （６）キャピラリ２を外部端子７の上に下降させてワイ
ヤの端部を接合し、ループ８を形成する。 （７）キャピラリ２の上方にあるクランプ（図示省略）
でワイヤ１を掴んだ状態でキャピラリ２を上昇させるこ
とにより、ワイヤ１は外部端子７から引き切られ、配線
を完了する。
【００３９】この様にして、１個のＩＣチップに対して
１００ピン、即ち１００本のワイヤ配線を行った。この
試料を用いて、次の方法でＩＣチップのクラックの有無
及び押圧ボールの接合強度の測定を行った。
【００４０】クラックの有無の測定は、ボールボンディ
ングした前記試料を１０％ＮａＯＨ水溶液に浸せきし
て、Ａｌ膜を除去した。Ａｌ膜は、図１，図２中に示さ
れるＩＣチップ６上のＡｌ電極部５である。ＩＣチップ
１０個について合計１０００箇所、４００倍の金属顕微
鏡を用いて前記Ａｌ膜を除去したＩＣチップ面の電極部
を観察し、１ケ以上クラックがあるものをクラックあ
り、クラックが０のものをクラックなしと評価し、クラ
ックなしのものを○、クラックありのものを×で表示し
た。結果を表２に示す。
【００４１】接合強度の測定は、上記試料における押圧
ボールとＡｌ電極部の接合部１０箇所について、シアテ
スタを用いて剪断荷重を測定し、接続面積から接合強度
を求め、その平均値を接合強度とした。基準接合強度を
８Kg／mm2 とし、８Kg／mm2以上と８Kg／mm2 未満で表
示した。結果を表２に示す。
【００４２】（実施例２〜９／比較例１〜９）ワイヤ組
成、最終焼鈍を調整して得られた引張り強さと伸びを表
１のようにしたワイヤを用い、ボールボンディング方法
としての押圧方法を、本発明方法、図４に示す従来方法
のうち、表１に示す方法を採用したこと以外は、実施例
１と同様にして試料を作製し、クラックの有無及び接合
強度の測定を行った。結果を表２に示す。
【００４３】
【表１】
【００４４】
【表２】
【００４５】以上の測定結果によれば、実施例と比較例
の同じ番号の試料を対比させて、次のことが判る。
【００４６】押圧量、即ち初期ボールの外径に対する接
合ボール（Ａｌ電極部に接合したボール）の外径が１．
１０においては、押圧方法が従来方法；比較例１，３，
７と本発明方法；実施例１，３，７との間に、クラック
の有無について差異はなく何れもクラックの発生はみら
れない。しかし、接合強度は本発明方法；実施例１、
３、７による接合のほうが大きいことが判る。このこと
から、押圧量が小さいときは押圧方法が何れの場合も、
クラックの発生はみられないものの、接合強度は本発明
方法による接合の方が大きいことが判る。
【００４７】押圧量、即ち初期ボールの外径に対する接
合ボールの外径が１．３０〜１．４０においては、押圧
方法が従来方法；比較例２，３，５，６，８，９の場合
クラックの発生が生じているが、本発明方法；実施例
２，３，５，６，８，９の場合クラックの発生がないも
のであった。また接合強度も本発明方法による接合のほ
うが大きいことが判る。このことから、押圧量が大きい
ときはクラックの発生及び接合強度の何れの点において
も、本発明方法が優れていることが判る。
【００４８】以上、ワイヤの引張り強さが２０Kg／mm2
以上である場合を例示したが、２０Kg／mm2 未満の場合
にも、これに準ずる結果が得られ、本発明の課題を達成
し得ることは確認済みである。また、ＩＣチップ上のＡ
ｌ電極部と外部端子をボールボンディング方法により接
続する場合を例示したが、ワイヤバンプ接続方法により
接続する場合もボール押圧に係る工程は上記（１）〜
（４）と同様であって、表１，表２に示すものと同様の
結果が得られことは確認済みである。
【００４９】
【発明の効果】以上説明したように本発明の方法は、Ｉ
Ｃチップ上のＡｌ電極部へボールを押圧して押圧ボール
を形成する際、ＩＣチップ上面のＡｌ電極部以外の領域
で一次押圧を行い、次いで目的領域であるＩＣチップ上
のＡｌ電極部へ二次押圧を行って、Ａｌ電極部に対する
ボールの接合を行うようにしたので、ＩＣチップ本体の
クラックを防止しながら押圧ボールの押圧量を増大させ
ることが出来ると共にＡｌ電極部と押圧ボールの接合強
度を高めることが出来るという効果を奏する。従って、
ボールボンディング法、ワイヤバンプ接続法によりＩＣ
チップ上のＡｌ電極部と外部端子を接続して製造する半
導体装置の信頼性向上に好適に用いることが出来る、Ｉ
ＣチップＡｌ電極部へのボール押圧方法及び半導体装置
製造方法を提供することが出来た。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る方法の実施形態の一例を示す工程
図。
【図２】本発明に係る方法の実施形態の一例を示す工程
図。
【図３】本発明に係る方法の実施形態の一例を示す工程
図。
【図４】従来の方法を示す工程図。
【図５】ボール押圧時の押圧荷重と押圧時間の関係を示
すグラフで、（Ａ）は従来の方法の場合、（Ｂ）は本発
明方法の場合を表す。
【符号の説明】
１：ワイヤ ２：キャピラリ ３：ボール（初期ボール） ３ａ：一次押圧ボール ３ｂ：二次押圧ボール ４：放電用トーチ ５：Ａｌ電極部 ６：ＩＣチップ ７，１３：外部端子 ８：ループ ９：ＩＣチップ上面のＡｌ電極部以外の領域 １０：バンプ

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ＩＣチップ上のＡｌ電極部と外部端子を
    接続するに際して前記Ａｌ電極部にボールを押圧する方
    法において、キャピラリに挿通されたワイヤの先端にボ
    ールを形成する工程と、ＩＣチップ上面のＡｌ電極部以
    外の領域に前記キャピラリを下降させる前記ボールの一
    次押圧工程と、該一次押圧されたボールとキャピラリを
    上昇させる工程と、ＩＣチップ上のＡｌ電極部に前記キ
    ャピラリを下降させて前記押圧ボールを接合する二次押
    圧工程と、を具備したことを特徴とするＩＣチップＡｌ
    電極部へのボール押圧方法。
  2. 【請求項２】 上記ワイヤが引張り強さ２０Kg／mm2 以
    上であることを特徴とする請求項１記載のボール押圧方
    法。
  3. 【請求項３】 ＩＣチップ上のＡｌ電極部と外部端子を
    ボールボンディング方法で配線した後に封止処理を行う
    半導体装置の製造方法において、前記ボールボンディン
    グ方法が、キャピラリに挿通されたワイヤの先端にボー
    ルを形成する工程と、ＩＣチップ上面のＡｌ電極部以外
    の領域に前記キャピラリを下降させる前記ボールの一次
    押圧工程と、該一次押圧されたボールとキャピラリを上
    昇させる工程と、ＩＣチップ上のＡｌ電極部に前記キャ
    ピラリを下降させて前記押圧ボールを接合する二次押圧
    工程と、前記キャピラリを上昇させると共に水平方向へ
    移動させてワイヤを繰り出す工程と、該繰り出されたワ
    イヤの端部を外部端子に接合した後ワイヤを切り離す工
    程と、を具備したことを特徴とする半導体装置の製造方
    法。
  4. 【請求項４】 ＩＣチップ上のＡｌ電極部と外部端子を
    ワイヤバンプ接続した後に封止処理を行う半導体装置の
    製造方法において、前記ワイヤバンプ接続方法が、キャ
    ピラリに挿通されたワイヤの先端にボールを形成する工
    程と、ＩＣチップ上面のＡｌ電極部以外の領域に前記キ
    ャピラリを下降させる前記ボールの一次押圧工程と、該
    一次押圧されたボールとキャピラリを上昇させる工程
    と、ＩＣチップ上のＡｌ電極部に前記キャピラリを下降
    させて前記押圧ボールを接合する二次押圧工程と、該押
    圧ボール真上部分でワイヤを切断する工程と、を具備し
    たことを特徴とする半導体装置の製造方法。
  5. 【請求項５】 上記ワイヤが引張り強さ２０Kg／mm2 以
    上であることを特徴とする請求項３又は請求項４記載の
    半導体装置の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114797668A (zh) * 2022-03-23 2022-07-29 北京蓝布息科技有限公司 一种电石渣烧制的氧化钙压球系统及其工艺

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