KR980006169A - 리드프레임 및 그를 이용한 버텀 리드 반도체 패키지 - Google Patents

리드프레임 및 그를 이용한 버텀 리드 반도체 패키지 Download PDF

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Abstract

본 발명은 센터패드용 리드프레임 및 그를 이용한 버텀 리드 반도체 패키지에 관한 것으로, 그 리드프레임의 구조는 일정한 간격을 가지고서 평행하게 형성되어 있는 한쌍의 가이드레일(10a)(10b)과; 그 한쌍의 가이드레일(10a)(10b)사이에 수직으로 연결 형성되어 있는 다수의 댐바(11)와; 상기 가이드레일(10a)(10b)과 평행하게 상기 각 댐바(11)의 양측으로 부터 일정 길이만큼 연장형성되어 있는 다수의 제1 리드(12)와; 상기 각 제1 리드(12)의 상면 중앙부에 형성되어 있는 전도성 접착부재(14)와; 그리고 상기 각 전도성 접착부재(14)의 상면에 부착 형성되어 있는 제2 리드(15)를 구비하여 구성되어 있고, 또한, 상기 제1 리드(12)의 상면 중앙부에 형성되어 있는 접착부재(14) 및 버텀리드(15)를 대신하여 그 제1 리드(12)의 상면 중앙으로 부터 상방향으로 연장형성된 돌출부(15-1)를 가진 리드(12')로 형성할 수도 있으며, 이와 같은 리드프레임을 이용하여 패키지를 제작하면 종래의 버텀리드 반도체 패키지가 가지는 장점을 모두 구현할 수 있음은 물론 센터패드를 형성하고 있는 반도체 칩을 패키징할 수 있는 효과가 있다.

Description

리드프레임 및 그를 이용한 버텀 리드 반도체 패키지
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도의 (a) 내지 (d)는 제2도에 도시된 본 발명의 리드프레임을 이용하여 버텀리드 패키지를 제조하는 공정도 및 그의 구조를 나타내는 종단면도.

Claims (12)

  1. 일정한 간격을 가지고서 평행하게 형성되어 있는 한쌍의 가이드레일 (10a) (10b)과; 그 한쌍의 가이드레일(10a)(10b) 사이에 수직으로 연결 형성되어 있는 다수의 댐바(11)와; 사이 가이드레일(10a)(10b)과 평행하게 상기 각 댐바(11)의 양측으로 일정 길이만큼 연장형성되어 있는 다수의 제1 리드(12)와; 상기 각 제1 리드(12)의 상면 중앙부에 형성되어 있는 전도성 접착부재(14)와; 그리고 상기 각 전도성 접착부재(14)의 상면에 부착 형성되어 있는 제2 리드(15)를 구비하여 구성되어 있는 리프레임.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전도성 접착부재(14)는 전도성의 양면 테이프로 형성된 것을 특징으로 하는 리드프레임.
  3. 제1항에 있어서, 상기 댐바(11)와 이웃하는 댐바 사이의 중간위치에는 상기 제1 리드(12)들의 단부에 의해 만들어 지는 일정크기의 공간(space)(13)이 형성된 것을 특징으로 하는 리드프레임.
  4. 일정한 간격을 가지고서 평행하게 형성되어 있는 한쌍의 가이드레일 (10a) (10b)과; 그 한쌍의 가이드레일(10a)(10b)사이에 수직으로 연결 형성되어 있는 다수의 댐바(11)와; 그리고 상기 기이드레일(10a)(10b)과 평행하게 상기 각 댐바(11)의 양측으로 부터 일정 길이만큼 연장형성되고, 상면 중앙부에는 상방향으로 돌출 형성된 돌출부(15-1)를 가진 다수개의 리드(12')를 구비하여 구성되어 있는 리드프레임.
  5. 제4항에 있어서, 상기 댐바와 이웃하는 댐바 사이의 중간위치에 상기 내부리드(12)들의 단부에 의해 만들어 지는 일정크기의 공간(space)(13)이 형성된 것을 특징으로 하는 센터패드용 리드프레임.
  6. 다수의 센터패드를 형성하고 있는 반도체 칩(20)과; 그 반도체 칩(20)의 상면 양측으로 부착되어 있는 다수의 제1 리드(12)와; 상기 반도체 칩(20)에 형성되어 있는 각 칩패드와 상기 각 제1 리드(12)들을 연결하는 다수의 와이어(21)와; 상기 각 제1 리드(12)의 상면 중앙부에 형성되어 있는 다수의 전도성 접착부재(14)와; 상기 각 전도성 접착부재(14) 위에 형성되어 있는 다수의 제2 리드(15)와; 그리고 각 제2 리드(15)의 상면이 드러나도록 상기 구조 전체를 둘러싸고 있는 몰딩수지(30)를 포함하여 구성되어 있는 버텀리드 반도체 패키지.
  7. 제6항에 있어서, 상기 전도성 접착부재(14)는 전도성의 양면 테이프로 형성된 것을 특징으로 하는 버텀리드 반도체 패키지.
  8. 제6항에 있어서, 상기 반도체 칩(20)과 다수의 내부리드(12)는 절연성 접착제(16)를 매개로 상호 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 버텀리드 반도체 패키지.
  9. 제8항에 있어서, 상기 절연성 접착제(16)는 절연성의 양면테이프인 것을 특징으로 하는 버텀리드 반도체 패키지.
  10. 다수의 센터패드를 형성하고 있는 반도체 칩(20)과; 상기 반도체 칩(20)의 상면 양측으로 부착되고, 그의 상면 중앙부에는 돌출부(15-1)를 형성하고 있는 다수의 리드(12')와; 상기 반도체 칩(20)에 형성되어 있는 각 칩 패드와 상기 각 리드(12')들을 연결하는 다수의 와이어(21)와; 그 리고 상기 돌출부(15-1)의 상면이 드러나도록 상기 구조 전체를 둘러싸고 있는 몰딩수지(30)를 포함하여 구성되어 있는 버텀리드 반도체 패키지.
  11. 제10항에 있어서, 상기 반도체 칩(20)과 다수의 내부리드(12)는 절연성 접착제(16)를 매개로 상호 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 버텀리드 반도체 패키지.
  12. 제11항에 있어서, 상기 절연성 접착제(16)는 절연성의 양면테이프인 것을 특징으로 하는 버텀리드 반도체 패키지.
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CN96120809A CN1169032A (zh) 1996-06-14 1996-11-27 引线框架和半导体封装
DE19651549A DE19651549B4 (de) 1996-06-14 1996-12-11 Anschlußrahmen und Chipgehäuse
US08/785,592 US5898212A (en) 1996-06-14 1997-01-17 Lead frame and semiconductor package
JP9156388A JPH1056124A (ja) 1996-06-14 1997-06-13 リードフレーム及びボトムリード型半導体パッケージ

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100387171B1 (ko) * 1998-05-12 2003-06-11 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 반도체 장치의 제조방법 및 그 구조

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3026426B2 (ja) * 1996-08-29 2000-03-27 沖電気工業株式会社 樹脂封止型半導体装置とその製造方法及びその金型構造
KR100214544B1 (ko) * 1996-12-28 1999-08-02 구본준 볼 그리드 어레이 반도체 패키지
CA2232843C (en) * 1997-03-25 2002-03-12 Koichi Haruta Plastic package, semiconductor device, and method of manufacturing plastic package
DE19745648A1 (de) 1997-10-15 1998-11-26 Siemens Ag Trägerelement für einen Halbleiterchip zum Einbau in Chipkarten
JP3420057B2 (ja) * 1998-04-28 2003-06-23 株式会社東芝 樹脂封止型半導体装置
KR100293815B1 (ko) * 1998-06-30 2001-07-12 박종섭 스택형 패키지
US6469399B2 (en) * 1999-02-08 2002-10-22 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor package
TW404030B (en) * 1999-04-12 2000-09-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd Dual-chip semiconductor package device having malposition and the manufacture method thereof
US6420779B1 (en) 1999-09-14 2002-07-16 St Assembly Test Services Ltd. Leadframe based chip scale package and method of producing the same
US6949824B1 (en) * 2000-04-12 2005-09-27 Micron Technology, Inc. Internal package heat dissipator
US6576496B1 (en) * 2000-08-21 2003-06-10 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for encapsulating a multi-chip substrate array
JP2002093831A (ja) * 2000-09-14 2002-03-29 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
CN100454503C (zh) * 2007-03-21 2009-01-21 宁波康强电子股份有限公司 三极管引线框架的制造方法
US20130249387A1 (en) * 2012-03-20 2013-09-26 Chia-Fen Hsin Light-emitting diodes, packages, and methods of making

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3902148A (en) * 1970-11-27 1975-08-26 Signetics Corp Semiconductor lead structure and assembly and method for fabricating same
KR940007757Y1 (ko) * 1991-11-14 1994-10-24 금성일렉트론 주식회사 반도체 패키지
KR0157857B1 (ko) * 1992-01-14 1998-12-01 문정환 반도체 패키지
KR0128251Y1 (ko) * 1992-08-21 1998-10-15 문정환 리드 노출형 반도체 조립장치
JPH077121A (ja) * 1992-09-18 1995-01-10 Texas Instr Inc <Ti> 多層リードフレームアセンブリを有する半導体デバイスおよびそのパッケージ方法
KR960005042B1 (ko) * 1992-11-07 1996-04-18 금성일렉트론주식회사 반도체 펙케지
KR0152901B1 (ko) * 1993-06-23 1998-10-01 문정환 플라스틱 반도체 패키지 및 그 제조방법
JP3243116B2 (ja) * 1994-05-17 2002-01-07 株式会社日立製作所 半導体装置
JP3279841B2 (ja) * 1994-10-18 2002-04-30 三菱電機株式会社 樹脂封止型半導体装置、その製造方法およびその実施に用いる金型

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100387171B1 (ko) * 1998-05-12 2003-06-11 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 반도체 장치의 제조방법 및 그 구조

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