KR970077583A - 리드 프레임과, 이 리드 프레임을 이용한 반도체 팩키지 - Google Patents

리드 프레임과, 이 리드 프레임을 이용한 반도체 팩키지 Download PDF

Info

Publication number
KR970077583A
KR970077583A KR1019960018749A KR19960018749A KR970077583A KR 970077583 A KR970077583 A KR 970077583A KR 1019960018749 A KR1019960018749 A KR 1019960018749A KR 19960018749 A KR19960018749 A KR 19960018749A KR 970077583 A KR970077583 A KR 970077583A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thin film
film layer
lead frame
copper
semiconductor package
Prior art date
Application number
KR1019960018749A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100225778B1 (ko
Inventor
박세철
이규한
Original Assignee
이대원
삼성항공산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이대원, 삼성항공산업 주식회사 filed Critical 이대원
Priority to KR1019960018749A priority Critical patent/KR100225778B1/ko
Publication of KR970077583A publication Critical patent/KR970077583A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100225778B1 publication Critical patent/KR100225778B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49579Lead-frames or other flat leads characterised by the materials of the lead frames or layers thereon
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49575Assemblies of semiconductor devices on lead frames

Abstract

본 발명은 리드 프레임과 이 리드 프레임을 이용한 반도체 팩키지를 개시한다. 반도체 팩키지는 금속 소재의 기판, 상기 기판상에 형성된 구리 스트라이크 도금층 또는/ 및 구리박막층과, 상기 구리박막층 위에 형성된 니켈박막층과, 상기 니켈박막층 위에 형성된 팔라듐박막층을 포함하여 된 리드 프레임과, 이 리드 프레임에 의해 지지되는 반도체칩을 포함하여 된 것에 특징이 있다.

Description

리드 프레임과, 이 리드 프레임을 이용한 반도체 팩키지
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명에 따른 리드 프레임을 도시한 단면도, 제6도는 본 발명에 따른 리드 프레임의 다른 실시예를 도시한 단면도.

Claims (9)

  1. 금속 소재의 기판과; 상기 기판상에 형성된 중간 박막층과, 상기 중간박막층 위에 형성된 니켈박막층과; 상기 니켈층 위에 형성된 팔라듐 막박층을; 포함하여 된 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  2. 제1항에 있어서, 상기 중간 박막층이 구리 스트라이크 도금층 또는/ 및 구리 박막층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기판의 금속소재는 구리 또는 구리 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  4. 제1항에 있어서, 상기 팔라듐 박막층의 상면에 Pd-X 조성 합금층이 더 형성된 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  5. 제4항에 있어서, 상기 Pd-X 조성 합금은 팔라듐과 금의 금속으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 리드 프레임.
  6. 금속 소재의 기판, 상기 기판상에 형성된 구리 스트라이크 도금층 또는/ 및 구리박막층과, 상기 구리박막층 위에 형성된 니켈박막층과, 상기 니켈박막층 위에 형성된 팔라듐박막층을 포함하여 된 리드 프레임과, 이 리드 프레임에 의해 지지되는 반도체칩을 포함하여 된 것을 특징으로 하는 반도체 팩키지.
  7. 제6항에 있어서, 상기 기판의 금속소재는 구리 또는 구리 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 팩키지.
  8. 제6항에 있어서, 상기 팔라듐 박막층의 상면에 상기 팔라듐 도금층 상부에 Pd-X 조성 합금층이 더 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 팩키지.
  9. 제8항에 있어서, 상기 Pd-X 조성 합금은 팔라듐과 금의 금속으로 이루어져 있는 것을 특징으로 하는 반도체 팩키지.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960018749A 1996-05-30 1996-05-30 리드 프레임을 이용한 반도체 팩키지 KR100225778B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960018749A KR100225778B1 (ko) 1996-05-30 1996-05-30 리드 프레임을 이용한 반도체 팩키지

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960018749A KR100225778B1 (ko) 1996-05-30 1996-05-30 리드 프레임을 이용한 반도체 팩키지

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970077583A true KR970077583A (ko) 1997-12-12
KR100225778B1 KR100225778B1 (ko) 1999-10-15

Family

ID=19460178

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960018749A KR100225778B1 (ko) 1996-05-30 1996-05-30 리드 프레임을 이용한 반도체 팩키지

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100225778B1 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100450091B1 (ko) * 1999-10-01 2004-09-30 삼성테크윈 주식회사 반도체 장치용 다층 도금 리드 프레임
KR100450090B1 (ko) * 1999-10-01 2004-09-30 삼성테크윈 주식회사 반도체 팩키지의 리드프레임과 이 리드 프레임의 도금방법

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100450091B1 (ko) * 1999-10-01 2004-09-30 삼성테크윈 주식회사 반도체 장치용 다층 도금 리드 프레임
KR100450090B1 (ko) * 1999-10-01 2004-09-30 삼성테크윈 주식회사 반도체 팩키지의 리드프레임과 이 리드 프레임의 도금방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR100225778B1 (ko) 1999-10-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR920007135A (ko) 반도체 장치용 리드프레임
KR870008381A (ko) 반도체 장치
KR920020658A (ko) 반도체 장치의 칩 본딩 방법
KR970067815A (ko) 다층 구조의 도금층을 구비한 반도체 리드 프레임
KR890017802A (ko) 반도체 장치용 리드프레임
EP0935286A4 (en) COPPER CIRCUIT JUNCTION SUBSTRATE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME
KR920001701A (ko) 반도체 장치 및 그 제조방법
KR950004464A (ko) 칩 범프의 제조방법
KR930009047A (ko) 개량된 리드를 갖는 반도체장치
KR910007118A (ko) 핀과 반도체 칩사이에 개선된 연결을 갖는 집적 장치 및 그의 제조 방법
KR890016193A (ko) 반도체 장치용 Cu합금제 리이드프레임재
KR890005845A (ko) 배리어층을 가지고 있는 알루미늄 합금 반도체 장치 및 그 제조방법
KR970077583A (ko) 리드 프레임과, 이 리드 프레임을 이용한 반도체 팩키지
KR970067816A (ko) 집적회로용 리드프레임 및 그 제조방법
KR930009046A (ko) 리드프레임
ES2171088T3 (es) Procedimiento para producir un sustrato exento de plomo.
KR880005680A (ko) 반도체 장치용 점퍼칩
KR910003775A (ko) 반도체장치의 땜납 도포방법
KR910019189A (ko) 플라스틱 패키지용 리이드 프레임 재료
KR920010803A (ko) 와이어본딩방식 반도체장치
KR950021441A (ko) 반도체 bga(ball grid array) 패키지
KR940022818A (ko) 리드프레임 처리 방법
KR940005200A (ko) 배선기판상의 배선표면 처리방법
WO2001086715A3 (de) Verfahren zum verlöten einer ersten metallschicht, die eine dicke von weniger als 5 $g(m)m aufweist, mit einer zweiten metallschicht, löteinrichtung und halbleiterchip-montagevorrichtung
JPS57154844A (en) Semiconductor element

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
J201 Request for trial against refusal decision
AMND Amendment
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130703

Year of fee payment: 15

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140709

Year of fee payment: 16

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150701

Year of fee payment: 17