KR970067765A - 반도체 화학 센서 디바이스 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
반도체 디바이스(50)는, 반도체 베이스(base)와, 상기 반도체 베이스 위에 이를테면 폴리실리콘과 같은 전도성 재료로 형성된 히터(20)와, 이 히터에 의해 가열되는 층(22)을 포함한다. 히터(20)는 히터부(28)로부터 상기 반도체 베이스 위에서 연장되는 제1(24) 및 제2암(26) (arm)과 상기 히터부(28)를 통하여 수직으로 연장되는 개구부(34)를 포함한다, 상기 제1암(24)의 한 끝부에는 제1히터 접촉부(30)가 연결되고, 상기 제2암(26)의 한 끝부에는 제2히터 접촉부(32)가 연결된다, 상기 층(22)은 상기 개구부(34)의 중앙(36)을 지나는 수직축이 상기 층(22)의 중앙(36)을 통하여 연장되도록 상기 개구부(34) 및 히터부(28) 위에 형성된다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명을 따르는 반도체 화학 센서 디바이스의 일부분의 상면도를 단순화시켜 확대한 도면
Claims (9)
- 반도체 베이스(base)와 , 히터부로부터 상기 반도체 베이스 위에서 연장되는 제1 및 제2암(arm)과 상기 히터부를 통하여 수직으로 연장되는 개구부를 포함하고 상기 반도체 베이스 위에 전도성 재료로 형성된 히터와, 상기 제1암의 끝부에 연결된 제1히터 접촉부와, 상기 제2암의 한 끝부에 연결된 제2히터 접촉부와, 상기 개구부 및 히터부 위에 형성되어 상기 히터에 의해 가열되는 층을 포함하고, 상기 개구부의 중앙을 지나는 수직축은 상기 층의 중앙을 통하여 연장되는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 제1항에 있어서, 상기 개구부는 상기 수직축에 대해 대칭인 모양을 갖는 수평 횡단면을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 히터부의 중앙은 상기 개구부의 중앙 및 상기 수직축 방향을 따르는 상기 층의 중앙과 일직선으로 되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 제1항 내지 제3항중 어느 한 항에 있어서, 상기 히터부는 정사각형 모양의 수평 횡단면을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 제1항 내지 제4항중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1암 및 제2암중 적어도 하나는 사변형 모양의 수평횡단면을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 제1항 내지 제5항중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1암은 상기 히터부로부터 상기 제1히터 접촉부까지 한쪽 방향으로 제1길이를 연장하고 상기 제2암은 상기 히트부로부터 상기 제2히터 접촉부까지 상기 방향과는 거의 반대 방향으로 제2길이를 연장하며, 상기 제 1 및 제2 길이 각각은 100 마이크론보다 큰 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 제1항 내지 제6항중 어느 한 항에 있어서, 상기 반도체 디바이스는 반도체 화학 센서 디바이스를 포함하고, 상기 히터에 의해 가열되는 상기 층은 특정 화학물질을 검출하기 위한 감지층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
- 반도체 디바이스를 제조하는 방법에 있어서, 반도체 베이스를 제공하는 단계와, 상기 반도체 베이스 위에 전도성 재료로된 층을 형성하는 단계와, 상기 전도성 재료로된 층을 패터닝하고 에칭하여 히터를 형성하고, 이 히터는 히터부로부터 상기 반도체 베이스 위에서 연장되는 제 1 및 제2암과 상기 히터부를 통하여 수직으로 연장되는 개구부를 포함하는 단계와,상기 히터 위에 절연층을 형성하는 단계와, 상기 히터부 및 개구부 위에서 연장되도록 상기 절연층 위에 상기 히터로 가열되는 층을 형성하고, 상기 개구부의 중앙을 지나는 수직축은 상기 층의 중앙을 통하여 연장되는 단계와, 제1개구부는 상기 제1암의 한 끝부에 연장되고 상기 제2개구부는 제2암의 한 끝부로 연장되도록 상기 절연층에 상기 제1 및 제2개구부를 형성하는 단계와, 상기 제1 및 제2개구부에 금속을 증착시켜 제1 및 제2히터 접촉부를 각각 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조방법.
- 제8항에 있어서, 상기 반도체 디바이스는 반도체 화학 센서 디바이스를 포함하고, 상기 히터에 의해 가열 되는 상기 층은 특정 화학물질을 검출하기 위한 감지층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스 제조방법.
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