KR970067923A - 반도체 화학 센서 디바이스 및 반도체 화학 센서 디바이스를 위 한 열전쌍 형성 방법 - Google Patents

반도체 화학 센서 디바이스 및 반도체 화학 센서 디바이스를 위 한 열전쌍 형성 방법 Download PDF

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Abstract

반도체 화학 센서 디바이스(2)는 특정 화학물질을 검출하기 위한 감지층(4)과 이 감지층을 가열하기 위한 히터를 포함하고, 이 히터는 반도체 화학센서 디바이스(2)에서 전도층(8)의 히터부(6)에 의해 형성된다. 반도체 화학센서 디바이스(2)는 감지층(4)의 온도를 검출하기 위한 열전쌍(12)을 더 포함하고, 이 열전쌍은 전도층(8)의 히터부(6)의 일부로서 형성되거나 상기 히터부 부근에서 형성되는 P/N 접합부(14)를 포함하여 이 P/N접합부(14) 양단에서 나타난 신호가 감지층(4)의 온도를 나타낸다.

Description

반도체 화학 센서 디바이스 및 반도체 화학 센서 디바이스를 위한 열전쌍 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예를 따르는 반도체 화학 센서 디바이스에 대한 단순화된 개략적 횡단면도

Claims (8)

  1. 화학물질을 검출하기 위한 감지층및 상기 감지층을 가열하기 위한 히터를 포함하는 반도체 화학 센서 디바이스에 있어서 상기 히터는 상기 반도체 화학 센서 대바이스에서 전도층의 히터부에 의해 형성되고, 상기 반도체 화학센서 디바이스는 상기 감지층의 온도를 검출하기 위한 제1열전쌍을 더 포함하고, 상기 제1열전쌍은 상기 전도층의 부분의 일부로서 구성되어 형성되거나 상기 전도층의 상기 히터부 부근에서 형성되는 P/N 접합부를 포함하여 상기 P/N 접합부 양단에서 나타난 신호가 상기 감지층의 온도를 나타내는 것을 특징으로 하는 반도체 화학 센서 디바이스.
  2. 제1항에 있어서 상기 전도층은 제1전도성 재료로 형성되고, 상기 열전쌍은 상기 전도층에서 형성된 제2전도성 재료로 되어 있고, 제1접촉이 연장되어 있는 전도 영역을 포함하고, 상기 제2전도성 재료는 상기 제1전도성 재료와는 상이한 종류의 전도성을 갖고, 상기 제1열전쌍의 상기 P/N 접합부는 상기 전도 영역 및 상기 전도층간에 접합부를 포함하고 상기 제1접촉에서 나타난 전압 신호는 상기 감지층의 온도를 나타내는 것을 특징으로 하는 반도체 화학 센서 디바이스.
  3. 제2항에 있어서 상기 전도 영역은 상기 전도층의 상기 히터부에서 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 화학 센서 디바이스.
  4. 제1항에 있어서 상기 전도층은 제1전도성 재료로 형성되고, 상기 열전쌍은 상기 제1전도성 재료와는 상이한 종류인 제2전도성 재료로 상기 전도층에서 형성되고 제1접촉이 연장되어 있는 전도 영역과 상기 히터부 부근에 있고 제2접촉이 연장되어 있는 상기 전도층의 부분을 포함하고, 상기 제1열전쌍의 상기 P/N 접합부는 상기 전도 영역 및 상기 전도층의 상기 부분 간의 접합부를 포함하고, 상기 제1 및 제2접촉 간에 나타난 전압신호는 상기 감지층의 온도를 나타내는 것을 특징으로 하는 반도체 화학 센서 디바이스.
  5. 제3항에 있어서 상기 감지층의 온도를 검출하기 위한 제2열전쌍을 더 포함하고, 상기 제2열전쌍은 상기 전도층의 상기 히터부 부근에서 형성된 P/N접합부를 포함하며 상기 P/N접합부 양단에서 나타난 신호가 상기 감지층의 온도를 나타내는 것을 특징으로 하는 반도체 화학 센서 디바이스.
  6. 제5항에 있어서 상기 제2열전쌍은 상기 제2전도성 재료로 상기 전도층에서 형성되어 있고 제1접촉이 연장되어 있는 전도 영역과 상기 전도층의 상기 히터부 부근에 있고 제2접촉이 연장되어 있는 상기 전도층의 부분을 포함하고, 상기 제2열전쌍의 상기 P/N 접합부는 상기 전도 영역 및 상기 전도층의 상기 부분 간에 접합부를 포함하고 상기 제1 및 제2접촉간에 나타난 전압 신호는 상기 감지층의 온도를 나타내는 것을 특징으로 하는 반도체 화학 센서 디바이스.
  7. 화학물질을 검출하기 위한 감지층및 상기 감지층을 가열하기 위한 히터를 포함하는 반도체 화학 센서디바이스에 있어서 상기 히터는 상기 반도체 화학 센서 디바이스에서 전도층의 히터부에 의해 형성되고, 상기 반도체 화학센서 디바이스는 상기 감지층의 온도를 검출하기 위한 것으로 상기 전도층의 상기 히터부의 일부로서 형성되거나 상기 히터부 부근에서 형성된 P/N 접합부를 포함하여 상기 P/N 접합부 양단에서 나타난 신호가 상기 감지층의 온도를 나타내는 제1열전쌍과 상기 히터에서 떨어져 있는 상기 반도체 화학 센서 디바이스의 한 영역의 온도를 검출하기 위한 것으로 전도층에서 형성된 P/N접합부를 포함하여 상기 P/N접합부 양단에서 나타난 신호가 상기 반도체 화학 센서 디바이스의 상기 영역의 온도를 나타내는 것을 특징으로 하는 반도체 화학 센서 디바이스.
  8. 제1항 내지 제7항중 어느 한항에서 청구된 반도체 화학 센서 디바이스를 위한 열전쌍을 형성시키는 방법에 있어서 반도체층을 제공하는 단계와 상기 반도체층 위에 제1전도성을 갖는 전도층을 형성하는 단계와, 상기 전도층 위에 마스크를 형성하는 단계와 상기 마스크를 패터닝하고 에칭하여 개구를 형성하는 단계와, 상기 개구를 통해 상기 전도층내로 상기 제1전도성과는 상이한 전도성을 갖는 도펀트를 주입하여 상기 전도층에 전도 영역을 형성하고, 상기 열전쌍의 P/N접합부는 상기 전도 영역 및 상기 전도층 간의 접합부를 포함하는 단계와 상기 전도 영역 및 전도층 위에 절연층을 형성하는 단계와 상기 절연층을 패터닝하고 에칭하여 상기 전도 영역과의 적어도 하나의 접촉 개구를 형성하는 단계와 상기 개구를 금속으로 메워서 상기 전도 영역과의 접촉을 제공하고 상기 전도 영역과의 상기 접촉에서 나타난 전압 신호는 상기 P/N접합부에서 온도로서 작용하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전쌍 형성 방법.
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