JP3452409B2 - マイクロブリッジヒータ - Google Patents
マイクロブリッジヒータInfo
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- JP3452409B2 JP3452409B2 JP29558194A JP29558194A JP3452409B2 JP 3452409 B2 JP3452409 B2 JP 3452409B2 JP 29558194 A JP29558194 A JP 29558194A JP 29558194 A JP29558194 A JP 29558194A JP 3452409 B2 JP3452409 B2 JP 3452409B2
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- heater
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- material layer
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/14—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of an electrically-heated body in dependence upon change of temperature
- G01N27/18—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of an electrically-heated body in dependence upon change of temperature caused by changes in the thermal conductivity of a surrounding material to be tested
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は湿度センサを初め、赤外
線センサやガスセンサとしても利用されるマイクロブリ
ッジヒータに関するものである。
線センサやガスセンサとしても利用されるマイクロブリ
ッジヒータに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】特定のガス濃度や湿度が選定材料層の電
気的特性を変化させることを利用して湿度などを測定す
ることが行なわれている。例えば空気中の湿度の変化は
選定材料層の熱伝導率の変化となって現れるので、その
変化を、加熱した選定材料層にてなるヒータの温度変
化、すなわち抵抗値変化として検知することができる。
気的特性を変化させることを利用して湿度などを測定す
ることが行なわれている。例えば空気中の湿度の変化は
選定材料層の熱伝導率の変化となって現れるので、その
変化を、加熱した選定材料層にてなるヒータの温度変
化、すなわち抵抗値変化として検知することができる。
【０００３】このようなセンサでは、選定材料層により
ヒータを構成し、そのヒータに断続して又は継続して電
流を流すことによりジュール熱が発生するので、できる
だけ熱時定数を小さくして性能を安定させるための構造
として、ヒータ部分が基板から離れて空中に延在するよ
うにしたマイクロブリッジヒータが使用されている。そ
のようなマイクロブリッジヒータは、第１絶縁層上に選
定材料層が付着形成され、さらにその上に第２絶縁層が
付着形成された積層構造のヒータ部を有し、そのヒータ
部の両端又は一端が基板に固定され、中間部が基板に形
成された凹部により基板から離れて空中に延在する張出
し部となっている。
ヒータを構成し、そのヒータに断続して又は継続して電
流を流すことによりジュール熱が発生するので、できる
だけ熱時定数を小さくして性能を安定させるための構造
として、ヒータ部分が基板から離れて空中に延在するよ
うにしたマイクロブリッジヒータが使用されている。そ
のようなマイクロブリッジヒータは、第１絶縁層上に選
定材料層が付着形成され、さらにその上に第２絶縁層が
付着形成された積層構造のヒータ部を有し、そのヒータ
部の両端又は一端が基板に固定され、中間部が基板に形
成された凹部により基板から離れて空中に延在する張出
し部となっている。
【０００４】そのようなマイクロブリッジヒータの製造
方法の一例が特開昭５７−９４６４１号公報に記載され
ており、その製造方法により製造されるマイクロブリッ
ジヒータの構造を図１により説明する。ヒータ部７では
通電を行なう選定材料層４として膜厚が約５０００Åの
白金層又は白金合金層が使用され、その下側には第１絶
縁層２としてＳｉＯ2層又はＳｉ3Ｎ4層が約１.４μｍの
厚さに形成され、第１絶縁層２と選定材料層４の間に密
BR>着力を増加させるための下地層３としてＭｏ、Ｔ
ｉ、Ｃｒなどが約４００Åの厚さに形成されている。選
定材料層４上にはＳｉＯ2又はＳｉ3Ｎ4にてなる第２絶
縁層５が約３０００Åの厚さに付着形成されている。ヒ
ータ部７の両端部は電極パッド部８となって基板１に固
定されている。基板１にはヒータ部７と基板１との間を
離すように凹部１０が形成されている。このようなマイ
クロブリッジヒータが湿度センサとして用いられるとき
は、このヒータ部に例えば１０ｍＷ程度が印加されて所
定のサイクルでパルス通電が行なわれてその出力電圧が
読み取られる。
方法の一例が特開昭５７−９４６４１号公報に記載され
ており、その製造方法により製造されるマイクロブリッ
ジヒータの構造を図１により説明する。ヒータ部７では
通電を行なう選定材料層４として膜厚が約５０００Åの
白金層又は白金合金層が使用され、その下側には第１絶
縁層２としてＳｉＯ2層又はＳｉ3Ｎ4層が約１.４μｍの
厚さに形成され、第１絶縁層２と選定材料層４の間に密
BR>着力を増加させるための下地層３としてＭｏ、Ｔ
ｉ、Ｃｒなどが約４００Åの厚さに形成されている。選
定材料層４上にはＳｉＯ2又はＳｉ3Ｎ4にてなる第２絶
縁層５が約３０００Åの厚さに付着形成されている。ヒ
ータ部７の両端部は電極パッド部８となって基板１に固
定されている。基板１にはヒータ部７と基板１との間を
離すように凹部１０が形成されている。このようなマイ
クロブリッジヒータが湿度センサとして用いられるとき
は、このヒータ部に例えば１０ｍＷ程度が印加されて所
定のサイクルでパルス通電が行なわれてその出力電圧が
読み取られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】湿度センサなどに用い
るマイクロブリッジヒータは、約４００℃の温度まで上
昇し、次に常温へ下がるという熱ストレスを繰り返し受
ける。この熱ストレスを継続的に受けると、ヒータ部の
段差部（ヒータ材である選定材料層と第１及び第２の絶
縁層の間）にクラックが発生し、断線に至ることがあ
る。特に、絶縁層としてシリコン窒化膜を用いる場合に
は、内部応力が高くステップカバレッジが悪いというシ
リコン窒化膜の特性により、よりクラックの発生が起こ
りやすくなる。また熱ストレスによるヒータ部の積層構
造の膨張と収縮の繰返しによる反りによってもクラック
が発生する。
るマイクロブリッジヒータは、約４００℃の温度まで上
昇し、次に常温へ下がるという熱ストレスを繰り返し受
ける。この熱ストレスを継続的に受けると、ヒータ部の
段差部（ヒータ材である選定材料層と第１及び第２の絶
縁層の間）にクラックが発生し、断線に至ることがあ
る。特に、絶縁層としてシリコン窒化膜を用いる場合に
は、内部応力が高くステップカバレッジが悪いというシ
リコン窒化膜の特性により、よりクラックの発生が起こ
りやすくなる。また熱ストレスによるヒータ部の積層構
造の膨張と収縮の繰返しによる反りによってもクラック
が発生する。
【０００６】これらの現象はマイクロブリッジヒータの
自己発熱による場合だけでなく、設置された環境の温度
変化が自己発熱に匹敵するような状態であれば、マイク
ロブリッジヒータに通電しなくてもクラックが発生する
おそれがある。本発明の目的は、そのようなマイクロブ
リッジヒータにおいて、絶縁層の内部応力を低減し、ス
テップカバレッジを改善し、熱ストレスに対する耐性を
高めることである。
自己発熱による場合だけでなく、設置された環境の温度
変化が自己発熱に匹敵するような状態であれば、マイク
ロブリッジヒータに通電しなくてもクラックが発生する
おそれがある。本発明の目的は、そのようなマイクロブ
リッジヒータにおいて、絶縁層の内部応力を低減し、ス
テップカバレッジを改善し、熱ストレスに対する耐性を
高めることである。
【０００７】さらに、図１に示されるマイクロブリッジ
ヒータでは、第２絶縁層５の膜厚が３０００Å程度と薄
く、そのため寿命的にも問題がある。すなわち、実使用
による通電パルスの繰返しにより、選定材料層４には熱
ストレスがかかり、そのために熱酸化などによる劣化が
進む。第２絶縁層８が薄いために、その通電パルスの繰
返しによる熱ストレスに対する耐性に劣る。そこで、本
発明はさらに第２絶縁層に酸化防止膜としての役割も付
加することも目的とするものである。
ヒータでは、第２絶縁層５の膜厚が３０００Å程度と薄
く、そのため寿命的にも問題がある。すなわち、実使用
による通電パルスの繰返しにより、選定材料層４には熱
ストレスがかかり、そのために熱酸化などによる劣化が
進む。第２絶縁層８が薄いために、その通電パルスの繰
返しによる熱ストレスに対する耐性に劣る。そこで、本
発明はさらに第２絶縁層に酸化防止膜としての役割も付
加することも目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明のマイクロブリッ
ジヒータでは、第１絶縁層と選定材料層の間の接着層と
しての下地層を設けず、かつ第１絶縁層と第２絶縁層の
材質を同一にする。さらにヒータ部の選定材料層の側面
を第３絶縁層で被覆するのが好ましい。また、さらに第
１絶縁層と第２絶縁層の膜厚も同一にするのが好まし
い。材質の好ましい例は、第１及び第２の絶縁層の材質
がＳｉ系又はＴａ系の酸化膜、選定材料層の材質がＰｔ
又はＰｔ合金、基板がＳｉ基板である。
ジヒータでは、第１絶縁層と選定材料層の間の接着層と
しての下地層を設けず、かつ第１絶縁層と第２絶縁層の
材質を同一にする。さらにヒータ部の選定材料層の側面
を第３絶縁層で被覆するのが好ましい。また、さらに第
１絶縁層と第２絶縁層の膜厚も同一にするのが好まし
い。材質の好ましい例は、第１及び第２の絶縁層の材質
がＳｉ系又はＴａ系の酸化膜、選定材料層の材質がＰｔ
又はＰｔ合金、基板がＳｉ基板である。
【０００９】
【作用】第１絶縁層と選定材料層の間の接着層としての
下地層を設けないことにより、またさらに第１絶縁層と
第２絶縁層の材質を同一にすることにより、選定材料層
を挾む上下の層の熱抵抗及び熱膨張率を同一にすること
ができ、選定材料層の上下での伸び縮みを相殺すること
ができる。これにより選定材料層にかかる熱ストレスが
小さくなる。このことは、第１絶縁層と第２絶縁層の膜
厚まで同一にすることによりさらに有効になる。
下地層を設けないことにより、またさらに第１絶縁層と
第２絶縁層の材質を同一にすることにより、選定材料層
を挾む上下の層の熱抵抗及び熱膨張率を同一にすること
ができ、選定材料層の上下での伸び縮みを相殺すること
ができる。これにより選定材料層にかかる熱ストレスが
小さくなる。このことは、第１絶縁層と第２絶縁層の膜
厚まで同一にすることによりさらに有効になる。
【００１０】また、第２絶縁層の厚さを第１絶縁層と同
じ厚さにまで厚くすることにより第２絶縁層が酸化防止
膜の役割を果たす。第１絶縁層と第２絶縁層をともにＳ
ｉ系又はＴａ系金属の酸化膜とすることにより内部応力
が低減され、ステップカバレッジが改善されて選定材料
層にかかる熱ストレスがより小さくなる。選定材料層の
側面も絶縁層で被覆すれば、選定材料層の酸化がさらに
防止される。
じ厚さにまで厚くすることにより第２絶縁層が酸化防止
膜の役割を果たす。第１絶縁層と第２絶縁層をともにＳ
ｉ系又はＴａ系金属の酸化膜とすることにより内部応力
が低減され、ステップカバレッジが改善されて選定材料
層にかかる熱ストレスがより小さくなる。選定材料層の
側面も絶縁層で被覆すれば、選定材料層の酸化がさらに
防止される。
【００１１】
【実施例】図２は第１の実施例を表わす。（Ａ）は平面
図、（Ｂ）はそのＵ−Ｕ’線位置での断面図、（Ｃ）は
（Ａ）のＶ−Ｖ’線位置での断面図である。ヒータ部２
７は最下層が第１絶縁層２２で、その上に選定材料層２
４が付着形成され、その上にさらに第２絶縁層２５が付
着形成されている。選定材料層２４は通電されてヒータ
となる部分であり、一例として厚さが約５０００ÅのＰ
ｔ層を用いた。第１絶縁層２２と第２絶縁層２５は材質
をともにＴａ2Ｏ5で同一とし、厚さも約１.２５μｍで
同一とした。第１絶縁層２２には架橋構造の担持体とし
ての役割上、ある一定以上の機械的強度が求められるこ
と、第２絶縁層２５には選定材料層２４のカバレッジと
酸化防止という役割が求められることを考慮して、厚さ
の範囲としては１.０〜１.５μｍが適当である。またＴ
ａ2Ｏ5という材料のもつ特性として、粘りがあり、内部
応力が低く、かつ耐クラック性に富むという点以外に、
それぞれの接合層であるＰｔやＳｉとの密着性も優れて
いるという点を挙げることができる。そのため、ヒータ
部においては第１絶縁層２２と選定材料層２４の間に接
着層を設けなくても膜の剥離などの問題は起こらない。
図、（Ｂ）はそのＵ−Ｕ’線位置での断面図、（Ｃ）は
（Ａ）のＶ−Ｖ’線位置での断面図である。ヒータ部２
７は最下層が第１絶縁層２２で、その上に選定材料層２
４が付着形成され、その上にさらに第２絶縁層２５が付
着形成されている。選定材料層２４は通電されてヒータ
となる部分であり、一例として厚さが約５０００ÅのＰ
ｔ層を用いた。第１絶縁層２２と第２絶縁層２５は材質
をともにＴａ2Ｏ5で同一とし、厚さも約１.２５μｍで
同一とした。第１絶縁層２２には架橋構造の担持体とし
ての役割上、ある一定以上の機械的強度が求められるこ
と、第２絶縁層２５には選定材料層２４のカバレッジと
酸化防止という役割が求められることを考慮して、厚さ
の範囲としては１.０〜１.５μｍが適当である。またＴ
ａ2Ｏ5という材料のもつ特性として、粘りがあり、内部
応力が低く、かつ耐クラック性に富むという点以外に、
それぞれの接合層であるＰｔやＳｉとの密着性も優れて
いるという点を挙げることができる。そのため、ヒータ
部においては第１絶縁層２２と選定材料層２４の間に接
着層を設けなくても膜の剥離などの問題は起こらない。
【００１２】ヒータ部２７の両端部はシリコン基板２１
に固定されている。両端部は電極パッド部２８となり、
電極パッド部２８では第２絶縁層２５が選択的に除去さ
れ、選定材料層２４が露出してリード線との接続が可能
になっている。基板２１には凹部３０が形成され、ヒー
タ部２７の下部と基板２１の間が直接接触することな
く、ヒータ部２７が空中に延在する張出し部となり、ヒ
ータ部２７の熱時定数が小さくなっている。
に固定されている。両端部は電極パッド部２８となり、
電極パッド部２８では第２絶縁層２５が選択的に除去さ
れ、選定材料層２４が露出してリード線との接続が可能
になっている。基板２１には凹部３０が形成され、ヒー
タ部２７の下部と基板２１の間が直接接触することな
く、ヒータ部２７が空中に延在する張出し部となり、ヒ
ータ部２７の熱時定数が小さくなっている。
【００１３】この実施例を製造する方法は前述した特開
昭５７−９４６４１号公報に記載されている方法と同様
である。ヒータ部２７の積層構造に相違があるが、本発
明の積層構造は、シリコンウエハ上にＴａ2Ｏ5、Ｐｔ、
Ｔａ2Ｏ5をその順に連続してスパッタリングすることに
より形成することができる。
昭５７−９４６４１号公報に記載されている方法と同様
である。ヒータ部２７の積層構造に相違があるが、本発
明の積層構造は、シリコンウエハ上にＴａ2Ｏ5、Ｐｔ、
Ｔａ2Ｏ5をその順に連続してスパッタリングすることに
より形成することができる。
【００１４】図３は第２の実施例を表わしたものであ
る。図２の実施例と比較すると、選定材料層２４の側部
も絶縁層３１で被うように、第３の絶縁層３１が形成さ
れている点で異なっている。絶縁層３１も第１及び第２
の絶縁層と同じＴａ2Ｏ5により形成するのが好ましい。
図３の実施例の製造方法も前述の引用例に記載されてい
るものと同様である。絶縁層２２，２５，３１の材質と
してはＳｉＯ2を用いることもできる。
る。図２の実施例と比較すると、選定材料層２４の側部
も絶縁層３１で被うように、第３の絶縁層３１が形成さ
れている点で異なっている。絶縁層３１も第１及び第２
の絶縁層と同じＴａ2Ｏ5により形成するのが好ましい。
図３の実施例の製造方法も前述の引用例に記載されてい
るものと同様である。絶縁層２２，２５，３１の材質と
してはＳｉＯ2を用いることもできる。
【００１５】
【発明の効果】本発明では、第１絶縁層と選定材料層の
間に接着層としての下地層を設けず、また第１絶縁層と
第２絶縁層の材質を同一にしたことにより、選定材料層
にかかる熱ストレスが小さくなる。このことは、第１絶
縁層と第２絶縁層の膜厚まで同一にすることによりさら
に有効になる。また、第２絶縁層の厚さを第１絶縁層と
同じ厚さにまで厚くすることにより第２絶縁層が酸化防
止膜の役割を果たす。第１絶縁層と第２絶縁層をともに
Ｓｉ系又はＴａ系金属の酸化膜とすることにより内部応
力が低減され、ステップカバレッジが改善されて選定材
料層にかかる熱ストレスがより小さくなる。選定材料層
の側面も絶縁層で被覆すれば、選定材料層の酸化がさら
に防止される。このように、本発明では結果としてマイ
クロブリッジヒータの寿命が伸びる。
間に接着層としての下地層を設けず、また第１絶縁層と
第２絶縁層の材質を同一にしたことにより、選定材料層
にかかる熱ストレスが小さくなる。このことは、第１絶
縁層と第２絶縁層の膜厚まで同一にすることによりさら
に有効になる。また、第２絶縁層の厚さを第１絶縁層と
同じ厚さにまで厚くすることにより第２絶縁層が酸化防
止膜の役割を果たす。第１絶縁層と第２絶縁層をともに
Ｓｉ系又はＴａ系金属の酸化膜とすることにより内部応
力が低減され、ステップカバレッジが改善されて選定材
料層にかかる熱ストレスがより小さくなる。選定材料層
の側面も絶縁層で被覆すれば、選定材料層の酸化がさら
に防止される。このように、本発明では結果としてマイ
クロブリッジヒータの寿命が伸びる。
【図１】従来のマイクロブリッジヒータを示す図であ
り、（Ａ）は平面図、（Ｂ）はそのＸ−Ｘ’線位置での
断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＹ−Ｙ’線位置での断面図で
ある。
り、（Ａ）は平面図、（Ｂ）はそのＸ−Ｘ’線位置での
断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＹ−Ｙ’線位置での断面図で
ある。
【図２】一実施例のマイクロブリッジヒータを示す図で
あり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）はそのＵ−Ｕ’線位置で
の断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＶ−Ｖ’線位置での断面図
である。
あり、（Ａ）は平面図、（Ｂ）はそのＵ−Ｕ’線位置で
の断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＶ−Ｖ’線位置での断面図
である。
【図３】他の実施例のマイクロブリッジヒータを、図２
（Ｂ）に対応した状態で示す断面図である。
（Ｂ）に対応した状態で示す断面図である。
２１ シリコン基板
２２ 第１絶縁層のＴａ2Ｏ5層
２４ 選定材料層のＰｔ層
２５ 第２絶縁層のＴａ2Ｏ5層
２７ ヒータ部
２８ 電極パッド部
３０ 凹部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 35/14
G01J 1/02
G01N 27/18
G01W 1/11
H05B 3/00
Claims (4)
- 【請求項１】 第１絶縁層上に選定材料層が付着形成さ
れ、さらにその上に第２絶縁層が付着形成された積層構
造のヒータ部を有し、そのヒータ部の両端又は一端が基
板に固定され、中間部が基板に形成された凹部により基
板から離れて空中に延在する張出し部となっているマイ
クロブリッジヒータにおいて、 前記第１絶縁層と第２絶縁層の材質が同一であることを
特徴とするマイクロブリッジヒータ。 - 【請求項２】 前記中間部では前記選定材料層の側面が
第３絶縁層で被覆されている請求項１に記載のマイクロ
ブリッジヒータ。 - 【請求項３】 前記第１絶縁層と第２絶縁層の膜厚も同
一である請求項１又は２に記載のマイクロブリッジヒー
タ。 - 【請求項４】 前記第１絶縁層と第２絶縁層の材質がＳ
ｉ系又はＴａ系の酸化膜、前記選定材料層の材質がＰｔ
又はＰｔ合金、前記基板がＳｉ基板である請求項１〜３
に記載のマイクロブリッジヒータ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29558194A JP3452409B2 (ja) | 1994-08-10 | 1994-11-04 | マイクロブリッジヒータ |
| US08/513,594 US5652443A (en) | 1994-08-10 | 1995-08-10 | Sensor having a micro-bridge heater |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-210369 | 1994-08-10 | ||
| JP21036994 | 1994-08-10 | ||
| JP29558194A JP3452409B2 (ja) | 1994-08-10 | 1994-11-04 | マイクロブリッジヒータ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08107236A JPH08107236A (ja) | 1996-04-23 |
| JP3452409B2 true JP3452409B2 (ja) | 2003-09-29 |
Family
ID=26518012
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29558194A Expired - Fee Related JP3452409B2 (ja) | 1994-08-10 | 1994-11-04 | マイクロブリッジヒータ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5652443A (ja) |
| JP (1) | JP3452409B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5821402A (en) * | 1996-03-11 | 1998-10-13 | Tokyo Gas Co., Ltd. | Thin film deposition method and gas sensor made by the method |
| FR2746183B1 (fr) * | 1996-03-14 | 1998-06-05 | Dispositif capteur chimique a semiconducteur et procede de formation d'un dispositif capteur chimique a semiconducteur | |
| DE69731604D1 (de) * | 1997-01-31 | 2004-12-23 | St Microelectronics Srl | Herstellungsverfahren für integrierte Halbleitervorrichtung mit einem chemoresistiven Gasmikrosensor |
| US6079873A (en) * | 1997-10-20 | 2000-06-27 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Micron-scale differential scanning calorimeter on a chip |
| JP3867393B2 (ja) | 1998-03-20 | 2007-01-10 | 株式会社デンソー | マイクロヒータおよびその製造方法ならびにエアフローセンサ |
| TW385366B (en) * | 1998-06-05 | 2000-03-21 | Nat Science Council | Hydrogen-sensitive palladium (Pd) membrane/semiconductor Schottky diode sensor |
| US6114943A (en) * | 1999-05-26 | 2000-09-05 | Ut-Battelle, L.L.C. | Resistive hydrogen sensing element |
| EP1236037B1 (de) * | 1999-11-30 | 2007-10-10 | Sensirion AG | Sensor in einem gehäuse |
| DE10243013B4 (de) * | 2002-09-17 | 2013-08-22 | Robert Bosch Gmbh | Sensor und Verfahren |
| JP5108234B2 (ja) * | 2005-02-07 | 2012-12-26 | 日本特殊陶業株式会社 | マイクロヒータ及びセンサ |
| JP6441643B2 (ja) * | 2013-11-29 | 2018-12-19 | 日本特殊陶業株式会社 | ガス検出器 |
| CN111157573B (zh) * | 2020-01-14 | 2022-08-05 | 深圳大学 | 薄膜热导率的测量装置及测量方法 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5618750A (en) * | 1979-07-25 | 1981-02-21 | Ricoh Co Ltd | Gas detector |
| JPS5794641A (en) * | 1980-12-04 | 1982-06-12 | Ricoh Co Ltd | Manufacture of electric heater |
| CA1251514A (en) * | 1985-02-20 | 1989-03-21 | Tadashi Sakai | Ion selective field effect transistor sensor |
| US4967589A (en) * | 1987-12-23 | 1990-11-06 | Ricoh Company, Ltd. | Gas detecting device |
-
1994
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1995
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| US5652443A (en) | 1997-07-29 |
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