KR970063766A - 반도체기판의 제조방법 - Google Patents

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Abstract

충분한 품질과 우수한 재현성으로 SOI기판을 제조하는 것이며, 동시에, 웨이퍼 등의 재사용을 통해 자원절약과 비용절감을 실현하는 방법으로 비다공성박막의 적어도 한층이 다공성 Si층을 통해 형성되어 있는 제1기판(11)의 주표면을 제2기판(15)의 주표면에 결합하는 공정, 제1기판(11)과 제2기판(15)으로 이루어진 결합기판의 양면에서 다공성 Si층을 노출시키는 공정, 결합기판을 산화시켜 다공성 Si층을 분할하는 공정 및 다공성 Si층의 분할로 분리된 제2기판(15)위의 다공성 Si(12)와 산화다공성 Si층(16)을 제거하는 공정으로 이루어진다.

Description

반도체기판의 제조방법.
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 원리를 설명하는 개략단면도.

Claims (25)

  1. 다공성Si층을 통해 비다공성박막의 적어도 1층이 형성되어 있는 Si기판인 제1기판의 주요면을 제2기판의 주요면에 결합하는 공정 : 상기 제1기판과 상기 제2기판으로 이루어진 결합기판의 측면에 상기 다공성 Si층을 노출하는 공정; 상기 다공성Si층내의 상기 결합기판을 상기 결합기판을 산화시켜서 분할하는 공정; 및 상기 다공성Si층내 상기 결합기판의 분할로 분리된 상기 제2기판위의 다공성Si와 산화다공성Si층을 제거하는 공정으로 이루어진 반도체기판의 제조방법.
  2. 다공성Si층을 통해 비다공성박막의 적어도 1층이 형성되어 있고, 상기 다공성Si층이 이들의 측면에서 노출되어 있는 Si기판인 제1기판의 주요면을 제2기판의 주요면에 결합하는 공정; 상기 제1기판과 상기 제2판으로 이루어진 결합기판을 산화시켜 상기 다공정Si층내 상기 결합기판을 분할하는 공정; 및 상기 다공성Si층내 상기 결합기판의 분할로 분리된 상기 제2기판위의 다공성Si와 산화다공성Si층을 제거하는 공정으로 이루어진 반도체기판의 제조방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 다공성Si층의 상기 분할로 분리된 제1기판상의 다공성Si와 산화다공성Si층을제거한 후, 상기 제1기판용 원료로서 제1기판을 결합전에 다시 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체기판의 제조방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 다공성Si층의 상기 분할로 분리된 제1기판상의 다공성Si와 산화다공성Si층을 제거한 후, 상기 제2기판용 원료로서 제1기판을 결합전에 다시 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체기판의 제조방법.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 적어도 하나의 비다공성박막층을, 다공성Si층을 통해, 상기 2개의 주표면의 각각에 상기 제1기판과 상기 제2기판의 결합해 있는 2개의 주표면 각각에 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체기판의 제조방법.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 비다공성박막은 단결정Si층인 것을 특징으로 하는 반도체기판의 제조방법.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 비다공성박막은 산화된 Si층과 단결정Si층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체기판의 제조방법.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 비다공성박막은 단결정화합물반도체층인 것을 특징으로 하는 반도체기판의 제조방법.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2기판은 Si기판인 것을 특징으로 하는 반도체기판의 제조방법.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2기판은, 산화된 Si막이 결합되는 주표면상에 적어도 형성되어 있는 Si기판인 것을 특징으로 하는 반도체기판의 제조방법.
  11. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2기판은 광투명기판인 것을 특징으로 하는 반도체기판의 제조방법.
  12. 제5항에 있어서, 상기 제1기판의 2개의 주표면에 각각 결합된 상기 제2기판은, Si기판, 결합되는 주표면에 적어도 산화된 Si막이 형성되어 있는 Si기판 및 광투명기판에서 선택된 것인 것을 특징으로 하는 반도체기판의 제조방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제1기판의 한쪽주면에 결합된 제2기판과 이들의 다른 주표면에 결합된 제2기판은 각각 서로 다른 재료로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체기판의 제조방법.
  14. 제1항 또는 제2항에 있어서, 제2기판의 주표면이 덮여있는 방향으로의 플래트닝공정을 상기 다공성Si와 산화다공성Si층을 제거한 후에 행하는 것을 특징으로 하는 반도체기판의 제조방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 표면플래트닝공정은 수소를 함유하는 분위기에서의 에닐링인 것을 특징으로 하는 반도체기판의 제조방법.
  16. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 다공성Si와 산화다공성Si층의 제거는, 불산, 불산, 완층된 불산에 적어도 하나의 알콜 및 과산화수소용액을 첨가한 혼합용액, 및 완층된 불산에 적어도 하나의 알콜 및 과산화수소용액을 첨가한 혼합용액중의 하나에 담금으로서 선택적으로 행하는 것을 특징으로 하는 반도체기판의 제조방법.
  17. 제8항에 있어서, 상기 다공성Si와 산화다공성Si층의 제거는, 화합물반도체에 대해 다공성Si의 에칭율이 빠른 에칭제로 다공성Si를 선택적으로 화학에칭함으로서 행하는 것을 특징으로 하는 반도체기판의 제조방법.
  18. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 다공성Si와 산화다공성Si층의 제거는 스톱퍼로서 상기 비다공성박막을 사용하여 층을 연마함으로서 행하는 것을 특징으로 하는 반도체기판의 제조방법.
  19. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1기판과 상기 제2기판의 결합은 기판을 서로 밀착시키는 것으르 특징을 하는 반도체기판의 제조방법.
  20. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1기판과 상기 제2기판의 결합은 양극결합프레스, 애닐링, 이들의 조합에서 선택된 방법으로 행하는 것을 특징으로 하는 반도체기판의 제조방법.
  21. 제1항 또는 제2항에 있어서, 다공성Si층위의 비다공성박막의 형성은, Si기판을 양극처리하여 다공성Si를 형성하고, 그후, 상기 다공성Si상에 비다공성박막을 형성하여 행하는 것을 특징으로 하는 반도체기판의 제조방법.
  22. 제1항 또는 제2항에 있어서, 다공성Si층위의 비다공성박막의 형성은, 회가스, 수소 및 질소의 적어도 하나의 원소의 이온을 Si기판에 주입하여 이들 표면에서 일정깊이로 다공성층을 형성하는 것에 의해 행하는 것을 특징으로 하는 반도체기판의 제조방법.
  23. 제1항 또는 제2항에 있어서, 다공성Si층위의 비다공성박막의 형성은, Si기판을 양극처리하여 다공성Si층을 형성하고, 그후, 상기 다공성Si층위에 비다공성박막을 형성한 다음, 비다공성박막을 통하여 회가스, 수소, 질소의 적어도 하나의 원소의 이온을 상기 다공성Si층에 주입하여 상기 다공성Si층에서 이들의 투사범위를 지니도록 행하는 것을 특징으로 하는 반도체기판의 제조방법.
  24. 제21항에 있어서, 상기 양극처리는 HF용액에서 행하는 것을 특징으로 하는 반도체기판의 제조방법.
  25. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 결합기판의 산화전에, Si보다 열팽창계수가 적은 재료의 층을 상기 결합기판의 외부표면의 적어도 하나에 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체기판의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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