KR970003812A - 반도체 소자의 분리방법 - Google Patents

반도체 소자의 분리방법 Download PDF

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KR970003812A
KR970003812A KR1019950018038A KR19950018038A KR970003812A KR 970003812 A KR970003812 A KR 970003812A KR 1019950018038 A KR1019950018038 A KR 1019950018038A KR 19950018038 A KR19950018038 A KR 19950018038A KR 970003812 A KR970003812 A KR 970003812A
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polycrystalline silicon
silicon layer
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KR1019950018038A
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이종곤
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
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Abstract

본 발명은 이중으로 분리층을 형성하여 버어즈빅이 매우 작고, 깊은 분리층을 형성할 수 있는 반도체 소자의 분리방법에 관한 것이다.
이와같은 본 발명은 반도체 소자 분리 방법은 소자 분리용 필드산화물이 형성될 지역의 반도체 기판을 소정깊이로 식각하는 공정과, 식각된 부분을 포함한 기판 전면에 소정 두께의 산화막을 형성하는 공정과, 산화막상에 소정 두께의 다결정 실리콘층을 형성하는 공정과, 형성된 산화막 및 다결정 실리콘층을 화학적 및 기계적 연마를 통하여 식각되지 않은 기판의 부분이 드러날때까지 평탄화시키는 공정과, 식각된 부분의 다결정 실리콘층만을 소정 두께만큼 선택적으로 산화시키는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 소자의 분리방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명의 제1실시예에 따른 반도체 소자 분리 방법을 설명하기 위한 공정 흐름도.

Claims (6)

  1. 소자 분리용 필드 산화물이 형성될 지역의 반도체 기판을 소정 깊이로 식각하는 공정과, 식각된 부분을 포함한 기판 전면에 소정 두께의 다결정 실리콘층을 형성하는 공정과, 형성된 산화막 및 다결정 실리콘층을 화학적 및 기계적 연마를 통하여 식각되지 않은 기판의 부분이 드러날 때까지 평탄화시키는 공정과, 식각된 부분의 다결정 실리콘층만을 소정 두께만큼 선택적으로 산화시키는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 식각공정의 식각 깊이는 0.8~1.2㎛ 범위인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 식각된 부분에 형성하는 산화막의 두께는 150~250Å 범위인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 다결정 실리콘 상의 산화된 층은 800~1000Å 범위인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리방법.
  5. 소자 분리용 필드 산화물이 형성될 지역의 반도체 기판을 소정 깊이로 식각하는 공정과, 식각된 부분을 포함한 기판 전면에 소정 두께의 산화막을 형성하는 공정과, 산화막 상에 소정 두께의 도핑된 다결정 실리콘층을 형성하는 공정과, 형성된 산화막 및 다결정 실리콘층을 화학적 및 기계적 연마를 통하여 식각되지 않은 기판의 부분이 드러날때까지 평탄화시키는 공정과, 식각된 부분의 다결정 실리콘층만을 소정 두께만큼 선택적으로 산화시키는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 식각된 부분에 형성하는 산화막의 두께는 150~250Å 범위인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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