KR970003809A - 소자분리막 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체소자의 소자분리막 제조방법에 관한 것으로, 소자분리 마스크인 질화막 패턴을 이용하여 실리콘기판의 일정깊이가 식각된 제1홈을 형성하고, 홈의 측벽에 질화막 스페이서를 형성한 다음, 다시 상기 제1홈 저부의 실리콘기판을 일정깊이 식각하여 제2홈을 형성하고, 상기 제2홈의 폴리실리콘을 매립한 다음, 산화공정으로 폴리실리콘을 충분히 산화시켜 상기 제1홈까지 산화막이 채워지고, 버즈빅이 감소되고, 단차가 적은 소자분리산화막을 형성하는 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도 내지 제6도는 본 발명의 실시예에 의해 소자분리막을 형성하는 단계를 도시한 단면도.
Claims (4)
- 소자분리막 제조방법에 있어서, 실리콘기판상부에 패드산화막과 제1질화막을 적층하고, 소자분리마스크를 이용한 식각공정으로 상기 제1질화막과 패드산화막을 국부적으로 식각하는 단계와, 노출되는 실리콘기판의 일정 깊이 식각하여 제1홈을 형성하는 단계와, 상기 제1홈 표면의 실리콘기판을 산화시켜 산화막을 형성하는 단계와, 상기 제1홈의 측벽에 제2질화막 스페이서를 형성한 다음, 제1홈 저부의 노출딘 산화막을 식각하는 단계와, 노출된 제1홈 저부의 실리콘기판을 일정깊이 식각하여 더 깊은 제2홈을 형성하고, 제2홈에 폴리실리콘을 채우는 단계와, 상기 제2홈에 채워진 폴리실리콘과 상기 제2질화막 스페이서를 충분히 산화시켜 상기 제1홈의 상부면까지 매립되는 소자분리산화막을 형성하는 단계를 포함하는 소자분리막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2질화막 스페이서의 두께는 30~70으로 증착하는 것을 특징으로 하는 소자분리막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제1홈은 300~1000의 깊이로 형성하는 것을 특징으로 하는 소자분리막 제조방법.
- 제1항에 있어서, 상기 제2홈은 300~1000의 깊이로 형성하는 것을 특징으로 하는 소자분리막 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950017685A KR970003809A (ko) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | 소자분리막 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950017685A KR970003809A (ko) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | 소자분리막 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR970003809A true KR970003809A (ko) | 1997-01-29 |
Family
ID=66524661
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019950017685A KR970003809A (ko) | 1995-06-28 | 1995-06-28 | 소자분리막 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR970003809A (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100835472B1 (ko) * | 2002-06-29 | 2008-06-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 소자분리막 형성방법 |
-
1995
- 1995-06-28 KR KR1019950017685A patent/KR970003809A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100835472B1 (ko) * | 2002-06-29 | 2008-06-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 소자분리막 형성방법 |
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