KR970024194A - 반도체 집적 회로 장치(Semiconductor Integrated Circuit Device) - Google Patents

반도체 집적 회로 장치(Semiconductor Integrated Circuit Device) Download PDF

Info

Publication number
KR970024194A
KR970024194A KR1019960048024A KR19960048024A KR970024194A KR 970024194 A KR970024194 A KR 970024194A KR 1019960048024 A KR1019960048024 A KR 1019960048024A KR 19960048024 A KR19960048024 A KR 19960048024A KR 970024194 A KR970024194 A KR 970024194A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
source voltage
voltage
external source
vee
signal
Prior art date
Application number
KR1019960048024A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100237119B1 (ko
Inventor
마사후미 미쯔이시
Original Assignee
가네꼬 히사시
닛본덴기 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가네꼬 히사시, 닛본덴기 가부시끼가이샤 filed Critical 가네꼬 히사시
Publication of KR970024194A publication Critical patent/KR970024194A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100237119B1 publication Critical patent/KR100237119B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10—Regulating voltage or current
    • G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/462—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc as a function of the requirements of the load, e.g. delay, temperature, specific voltage/current characteristic
    • G05F1/465—Internal voltage generators for integrated circuits, e.g. step down generators
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10—Regulating voltage or current
    • G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/56—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc using semiconductor devices in series with the load as final control devices
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)

Abstract

본 발명은 반도체 집적 회로 장치(1)에 관한 것이며, 일정한 내부 소스 전압을 발생시켜 이 전압을 반도체 집적 회로 장치(1)에 장치된 내부 회로(4)에 제공하는 내부 소스 전압 발생기(3)를 포함하며, 장치(1)의 외부에서 제공된 외부 소스 전압(VEE)의 절대값이 제1의 임계 전압을 초과한 것을 검출한 후에 계속해서 제1의신호(VCNT)를 전달하는 외부 소스 전압 검출기(2)를 구비하는 것을 특징으로 한다. 내부 소스 전압 발생기(3)는 외부 소스 전압(VEE)의 절대값이 소정의 범위 내에 있으면 외부 소스 전압(VEE)에 관계없이 일정한 내부 소스 전압을 발생하고 제1 신호(VCNT)가 계속해서 전달 중에 있으면 외부 소스 전압(VEE)을 그대로 내부 소스 전압(Vint)로서 제공한다. 반도체 집적 회로 장치는 광범위의 외부 소스 전압에 대하여 제어 단자를 추가하지 않고 IC 칩에 장치된 내부 회로로 인가될 내부 소스 전압을 외부에서 제어하는 것이 가능하다.

Description

반도체 집적 회로 장치(Semiconductor Integrated Circuit Device)
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
도 1은 종래 반도체 집적 회로 장치의 일례의 블록도,
도 4는 본 발명에 따른 제1 실시 형태의 블록도,
도 7은 제1 실시 형태에서 메모리의 회로도,
도 10은 도 8의 내부 소스 전압 발생기의 회로도,
도 11은 도 9의 내부 소스 전압 발생기의 회로도.

Claims (7)

  1. 일정한 내부 소스 전압을 발생시켜 이 전압을 반도체 집적 회로 장치(1)에 배치된 내부 회로(4)에 제공하는 내부 소스 전압 발생기(3)를 포함하는 반도체 집적 회로 장치(1)에 있어서, 상기 반도체 집적 회로 장치(1)의 외부에서 제공되는 외부 소스 전압(VEE)의 절대값이 제1의 임계 전압(VCN)을 초과한 것을 검출한 후에 계속해서 제1 신호(VCNT)를 전달하는 외부 소스 전압 검출기(2)를 구비하며, 상기 내부 소스 전압 발생기(3)는 상기 외부 소스 전압(VEE)의 상기 절대값이 소정의 범위 내에 있을 때는 상기 외부 소스 전압(VEE)에 관계없이 일정한 내부 소스 전압을 발생하고, 상기 제1 신호(VCNT)가 계속적으로 전달 중일 때는 상기 외부 소스 전압(VEE)를 그대로 내부 소스 전압(Vint)으로서 제공하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 내부 소스 전압 발생기(3)으로부터 전달된 출력을 외부에서 전달하기 위한 단자(40)를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 외부 소스 전압 검출기(2)는 상기 외부 소스 전압(VEE)의 상기 절대값이 상기 제1의 임계 전압(VCN)보다 작은 제2의 임계 전압(VRS)으로 강하될 때까지 계속해서 상기 제1 신호(VCNT)를 전달하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 외부 소스 전압 검출기(2)는 상기 제1 신호(VCNT)뿐만 아니라 제2 신호(VCNTB)를 전달하고, 상기 제2 신호(VCNTB)는 상기 제1 신호(VCNT)로 표시된 것의 부정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 외부 소스 전압 검출기(2)는, 상기 외부 소스 전압(VEE)의 최소 전압보다 큰 제1의 일정한 전압을 발생하는 제1 전압 발생기(22), 상기 외부 소스 전압(VEE)의 최대 전압보다 작은 제2의 일정한 전압을 발생하는 제2 전압 발생기(21), 상기 제1 및 제2의 일정한 전압을 서로 비교하기 위한 비교기(24), 및 상기 비교기(24)에 의해 행해진 비교의 결과를 저장하기 위한 메모리(25)를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로 장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 내부 소스 전압 발생기(3)는 상기 제1 신호(VCNT)가 전달되기 전에 상기 외부 소스 전압(VEE)을 상기 일정한 내부 소스 전압으로서 출력하기 위한 기준 전압 발생기(31)를 포함하며, 상기 기준 전압 발생기(31)는 상기 제1 신호(VCNT)가 전달된 후에 상기 외부 소스 전압(VEE)을 그대로 내부 소스 전압(Vint)으로서 제공하도록 역 활성화되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로 장치.
  7. 제5항에 있어서, 상기 제1 신호(VCNT)의 전달 회수를 카운팅하기 위한 카운터(41)를 더 포함하며, 상기 제1 신호(VCNT)는 상기 제1 신호(VCNT)의 전달 회수가 소정의 수에 도달할 때 상기 메모리(25)로 전달되는 것을 특징으로 하는 반도체 집적 회로 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960048024A 1995-10-25 1996-10-24 반도체 집적 회로 장치 KR100237119B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7276073A JP2830799B2 (ja) 1995-10-25 1995-10-25 半導体集積回路装置
JP95-276073 1995-10-25

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970024194A true KR970024194A (ko) 1997-05-30
KR100237119B1 KR100237119B1 (ko) 2000-01-15

Family

ID=17564429

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960048024A KR100237119B1 (ko) 1995-10-25 1996-10-24 반도체 집적 회로 장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5886569A (ko)
JP (1) JP2830799B2 (ko)
KR (1) KR100237119B1 (ko)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3457209B2 (ja) * 1999-03-23 2003-10-14 富士通株式会社 電圧検出回路
US6535084B1 (en) 2000-01-15 2003-03-18 Ge Medical Systems Global Technology Company, Llc Method and apparatus for designing an RF coil assembly
JP2003022697A (ja) * 2001-07-06 2003-01-24 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路装置
JP4287678B2 (ja) * 2003-03-14 2009-07-01 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 内部電源回路
WO2009098738A1 (ja) * 2008-02-06 2009-08-13 Panasonic Corporation 半導体装置及びそのリセット方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03149876A (ja) * 1989-11-07 1991-06-26 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
JP2778199B2 (ja) * 1990-04-27 1998-07-23 日本電気株式会社 内部降圧回路
KR930008886B1 (ko) * 1991-08-19 1993-09-16 삼성전자 주식회사 전기적으로 프로그램 할 수 있는 내부전원 발생회로
KR940008286B1 (ko) * 1991-08-19 1994-09-09 삼성전자 주식회사 내부전원발생회로
KR950008453B1 (ko) * 1992-03-31 1995-07-31 삼성전자주식회사 내부전원전압 발생회로
JPH06103782A (ja) * 1992-09-17 1994-04-15 Fujitsu Ltd Ｍｏｓ型スタティックｒａｍ
JPH06103765A (ja) * 1992-09-22 1994-04-15 Sanyo Electric Co Ltd Ｄｒａｍの基板電圧発生装置
JP3071600B2 (ja) * 1993-02-26 2000-07-31 日本電気株式会社 半導体記憶装置
JP3248030B2 (ja) * 1993-06-15 2002-01-21 日立マクセル株式会社 テープカートリッジ
KR970008141B1 (ko) * 1994-11-15 1997-05-21 엘지반도체 주식회사 반도체장치의 번인회로

Also Published As

Publication number Publication date
JPH09120319A (ja) 1997-05-06
US5886569A (en) 1999-03-23
JP2830799B2 (ja) 1998-12-02
KR100237119B1 (ko) 2000-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930005027A (ko) 내부 전원 발생 회로
KR840006092A (ko) 기억보호 검사방법 및 그 수행회로
KR950001777A (ko) 반도체 기억 장치
TW376580B (en) Negative voltage detector and nonvolatile semiconductor memory
KR920022293A (ko) 비정기적인 리프레쉬 동작을 실행하는 반도체 메모리 장치
KR940027318A (ko) 단열의 동적 예비충전 부스터 회로
KR970024194A (ko) 반도체 집적 회로 장치(Semiconductor Integrated Circuit Device)
KR940020413A (ko) 반도체 기억장치의 기판바이어스 발생회로(substrate bias generating circuit for a semiconductor memory device)
KR950015368A (ko) 반도체 메모리 소자의 데이타 출력장치
KR970701397A (ko) Ic 카드 제어 회로 및 ic 카드 제어 시스템(ic card control circuit and ic card control system)
KR970051265A (ko) 반도체 메모리 장치의 초기화 회로
KR890015285A (ko) 반도체집적회로의 오동작방지회로
US5742197A (en) Boosting voltage level detector for a semiconductor memory device
KR930024018A (ko) 반도체 장치
KR940019073A (ko) 플로우팅 감지 회로
KR880006880A (ko) 주택정보 송신장치
KR970053974A (ko) 전압 발생 회로 및 반도체 장치
KR940010502A (ko) 온도 의존 특성을 가지는 내부전원전압 발생회로
KR960019694A (ko) 반도체 소자의 신호 입력장치
KR970002614A (ko) 프로그램 카운터 데이타를 이용한 오동작 방지회로
KR940022580A (ko) 반도체기억장치
KR960024965A (ko) 인터럽트에 의한 보드실탈장 감지회로
KR930007005B1 (ko) 마이콤의 리세트 회로
KR910005128A (ko) 중앙처리장치의 오동작 방지회로 및 방법
KR950021501A (ko) 반도체 소자의 기판전위 발생기

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20020918

Year of fee payment: 4

LAPS Lapse due to unpaid annual fee