KR950021501A - 반도체 소자의 기판전위 발생기 - Google Patents

반도체 소자의 기판전위 발생기 Download PDF

Info

Publication number
KR950021501A
KR950021501A KR1019930031854A KR930031854A KR950021501A KR 950021501 A KR950021501 A KR 950021501A KR 1019930031854 A KR1019930031854 A KR 1019930031854A KR 930031854 A KR930031854 A KR 930031854A KR 950021501 A KR950021501 A KR 950021501A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate potential
substrate
potential
generator
detection unit
Prior art date
Application number
KR1019930031854A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0133828B1 (ko
Inventor
이재진
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019930031854A priority Critical patent/KR0133828B1/ko
Publication of KR950021501A publication Critical patent/KR950021501A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0133828B1 publication Critical patent/KR0133828B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F3/00—Non-retroactive systems for regulating electric variables by using an uncontrolled element, or an uncontrolled combination of elements, such element or such combination having self-regulating properties
    • G05F3/02—Regulating voltage or current
    • G05F3/08—Regulating voltage or current wherein the variable is dc
    • G05F3/10—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics
    • G05F3/16—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices
    • G05F3/20—Regulating voltage or current wherein the variable is dc using uncontrolled devices with non-linear characteristics being semiconductor devices using diode- transistor combinations
    • G05F3/205—Substrate bias-voltage generators

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)

Abstract

본 발명은 서로 다른 전위를 검출하는 두 개 이상의 전위 검출부와 전위 선택부로 구성된 기판전위 검출회로를 사용하여 필요에 따라 서로 레벨이 다른 기판전위를 발생시키도록 하는 기판전위 발생기에 관한 기술이다.

Description

반도체 소자의 기판전위 발생기
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 종래의 기관전위 검출회로의 다른예를 도시한 회로도,
제5도는 본 발명의 기관전위 검출회로의 실시예를 도시한 구성도,
제6도는 본 발명의 기판전위 검출회로 사용시의 기판전위 출력 파형도.

Claims (6)

  1. 링 발진기와 전하 펌핑회로와 기판전위 검출회로로 구성된 반도체 소자의 기판전위 발생기에 있어서, 상기 기판전위 검출회로가, 서로 다른 레벨의 기판전위를 감지하는 제1및 제2기판전위 검출부와, 입력되는 제어신호의 상태에 따라 상기 제1기판전위 검출부의 출력이나 상기 제2기판전위 검출부의 출력 중에서 하나를 선택하여 출력하는 전위 선택부로 구성되는 것을 특징으로 하는 기판전위 발생기.
  2. 제1항에 있어서, 상기 서로 다른 레벨의 기판전위를 검출하는 기판전위 검출부는 두개 이상인 것을 특징으로 하는 기판전위 발생기.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판전위 검출부는, 전하 펌핑회로가 펌핑 동작을 시작하는 전위와 펌핑 동작을 중지하는 전위를 감지하여 펌핑 동작을 실시하도록 하는 슈미트 트리거 (schmottriger) 구조로 구성되는 것을 특징으로 하는 기판전위 발생기.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 기판전위 검출부는. 기판전위에 대한 스위칭 전위는 동일하지만 스위칭 전위로부터 펌핑 동작이 시작되는 시간을 서로 다르게 조정하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 기판전위 발생기
  5. 제1항에 있어서, 상기 제어신호는 소자의 상태가 액티브 모드인지 스탠바이 모드인지를 구별하는 신호인 것을 특징으로 하는 기판전위 발생기.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제어신호는 소자의 상태가 정상모드인지 리프레쉬 모드인지를구별하는 신호인 것을 특징으로 하는 기판전위 발생기.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019930031854A 1993-12-31 1993-12-31 반도체 소자의 기판전위 발생기 KR0133828B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930031854A KR0133828B1 (ko) 1993-12-31 1993-12-31 반도체 소자의 기판전위 발생기

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019930031854A KR0133828B1 (ko) 1993-12-31 1993-12-31 반도체 소자의 기판전위 발생기

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950021501A true KR950021501A (ko) 1995-07-26
KR0133828B1 KR0133828B1 (ko) 1998-04-23

Family

ID=19374784

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019930031854A KR0133828B1 (ko) 1993-12-31 1993-12-31 반도체 소자의 기판전위 발생기

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR0133828B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100813551B1 (ko) * 2006-12-07 2008-03-17 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치의 전압 검출회로

Also Published As

Publication number Publication date
KR0133828B1 (ko) 1998-04-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960035634A (ko) 셀프 리프레쉬 주기 조절장치
KR920022671A (ko) 차단 선택 기능을 가진 항잡음 저전압 브라운아웃 감지기
KR960002354A (ko) 반도체 메모리 장치의 비트라인 센싱회로 및 그 방법
KR950001777A (ko) 반도체 기억 장치
KR920005173A (ko) 칩 동작상에 자동 테스트 모드의 이탈을 가진 반도체 메모리
KR940020413A (ko) 반도체 기억장치의 기판바이어스 발생회로(substrate bias generating circuit for a semiconductor memory device)
KR950001766A (ko) 반도체 기억회로
KR20000028397A (ko) 반도체 메모리의 초기 안정화 신호 발생 회로
KR890004496A (ko) 반도체 집적회로
KR950021501A (ko) 반도체 소자의 기판전위 발생기
KR950004271A (ko) 반도체 메모리 장치의 전원전압 감지회로
KR910001368A (ko) 차량의 운전상태 검출장치
KR840003159A (ko) 인버어터 제어회로
KR970063246A (ko) 기판 전압의 크기를 모드에 따라서 설정할 수 있는 반도체 기억 장치
KR930022173A (ko) 마이크로컴퓨터
KR890015285A (ko) 반도체집적회로의 오동작방지회로
KR940004797A (ko) 반도체 집적 회로
KR930024018A (ko) 반도체 장치
KR970017909A (ko) 외부 제어가능한 기판 바이어스 전압 발생회로
KR970028955A (ko) 반도체 장치
KR970012755A (ko) 반도체 메모리 장치
KR970024194A (ko) 반도체 집적 회로 장치(Semiconductor Integrated Circuit Device)
KR970071807A (ko) 주파수 검출회로
KR970051265A (ko) 반도체 메모리 장치의 초기화 회로
KR940010502A (ko) 온도 의존 특성을 가지는 내부전원전압 발생회로

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20091126

Year of fee payment: 13

LAPS Lapse due to unpaid annual fee