KR940010502A - 온도 의존 특성을 가지는 내부전원전압 발생회로 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 메모리 장치에서 특히 온도 의존성을 가지는 내부전원전압 발생회로를 실현하기 위한 것으로, 칩의 초기불량을 검출하는 번-인 모드를 가지는 반도체 메모리 장치의 내부전원전압 발생회로에 있어서, 모오스 트랜지스터의 드레쉬 홀드 전압을 이용한 온도보상동작을 수행하는 적어도 4개의 직렬 연결된 전압강하소자를 가지는 번-인용 레벨 시프터를 구비하는 내부전원전압 발생회로를 실현하므로서, 안정한 내부전원전압을 공급하고 특히 칩의 액티브 동작시 번-인 모드로의 동작변환이 방지되고, 또한 번-인 트리거전압이 온도에 따라 변하는 특성을 가지므로서 동작영역의 폭이 넓어지는 내부전원전압 발생회로를 제공하여 동작 특성을 향상시킬 뿐만 아니라 결과적으로 칩의 신뢰성을 향상시키는데 기여한다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 의한 번-인용 레벨시프터를 가지는 내부전원전압 발생회로,
제4도는 제3도의 등가회로도,
제5도는 제3도의 전압 파형도.
Claims (5)
- 칩의 초기불량을 검출하는 번-인 모드를 가지는 반도체 메모리 장치의 내부전원전압 발생회로에 있어서, 모오스 트랜지스터의 드레쉬 홀드전압을 이용한 온도보상동작을 수행하는 적어도 4개의 직렬 연결된 전압강하소자를 가지는 번-인용 레벨 시프터를 구비함을 특징으로 하는 내부전원전압 발생회로.
- 제1항에 있어서, 상기 전압강하소자가 피모오스 트랜지스터로 이루어짐을 특징으로 하는 내부전원전압 발생회로.
- 제1항에 있어서, 상기 번-인용 레벨 시프터는 상기 전압강하소자의 드레쉬 홀드전압의 특성에 의해 온도가 고온으로 될수록 낮은 전압에서 트리거되고, 온도가 저온으로 될수록 높은 전압에서 트리거됨을 특징으로 하는 내부전원전압 발생회로.
- 칩의 초기불량을 검출하는 번-인 모드를 수행하기 위하여 번-인 전압감지부를 가지는 반도체 메모리장치의 내부전원전압 발생회로에 있어서, 상기 번-인 전압 감지부가, 외부전원전압에 연결되고 모오스 트랜지스터의 드레쉬 홀드전압을 이용한 온도보상동작을 수행하는 적어도 4개의 직렬 연결된 전압강하소자부와, 상기전압강하소자부 및 소정의 기준신호를 입력하로 이를 차동증폭하여 출력하는 비교기를 구비하고, 상기 번-인 전압 감지부가 상기 전압강하소자의 드레쉬 홀드전압의 특성에 의해 온도가 고온으로 될수록 낮은 전압에서 트리거되고, 온도가 저온으로 될수록 높은 전압에서 트리거됨을 특징으로 하는 내주전원전압 발생회로.
- 제4항에 있어서, 상기 전압강하소자가 피모오스 트랜지스터로 이루어짐을 특징으로 하는 내주전원전압 발생회로.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920018436A KR950010563B1 (ko) | 1992-10-08 | 1992-10-08 | 온도 의존 특성을 가지는 내부전원전압 발생회로 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019920018436A KR950010563B1 (ko) | 1992-10-08 | 1992-10-08 | 온도 의존 특성을 가지는 내부전원전압 발생회로 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940010502A true KR940010502A (ko) | 1994-05-26 |
| KR950010563B1 KR950010563B1 (ko) | 1995-09-19 |
Family
ID=19340796
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019920018436A KR950010563B1 (ko) | 1992-10-08 | 1992-10-08 | 온도 의존 특성을 가지는 내부전원전압 발생회로 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR950010563B1 (ko) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6635589B2 (en) | 1994-08-11 | 2003-10-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Methods of heat treatment and heat treatment apparatus for silicon oxide films |
| KR100464113B1 (ko) * | 2001-01-24 | 2005-01-03 | 엔이씨 일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 반도체 회로 |
| KR100549938B1 (ko) * | 1999-01-12 | 2006-02-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치의 내부 전압 변환회로 |
| KR100871111B1 (ko) * | 2004-01-14 | 2008-11-28 | 인피니언 테크놀로지스 아게 | 온도 보상 트랜지스터 장치 및 온도 보상 방법 |
-
1992
- 1992-10-08 KR KR1019920018436A patent/KR950010563B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6635589B2 (en) | 1994-08-11 | 2003-10-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Methods of heat treatment and heat treatment apparatus for silicon oxide films |
| KR100549938B1 (ko) * | 1999-01-12 | 2006-02-07 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치의 내부 전압 변환회로 |
| KR100464113B1 (ko) * | 2001-01-24 | 2005-01-03 | 엔이씨 일렉트로닉스 가부시키가이샤 | 반도체 회로 |
| KR100871111B1 (ko) * | 2004-01-14 | 2008-11-28 | 인피니언 테크놀로지스 아게 | 온도 보상 트랜지스터 장치 및 온도 보상 방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR950010563B1 (ko) | 1995-09-19 |
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