KR970018169A - 웨이퍼의 처리 시스템 - Google Patents

웨이퍼의 처리 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR970018169A
KR970018169A KR1019960038628A KR19960038628A KR970018169A KR 970018169 A KR970018169 A KR 970018169A KR 1019960038628 A KR1019960038628 A KR 1019960038628A KR 19960038628 A KR19960038628 A KR 19960038628A KR 970018169 A KR970018169 A KR 970018169A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
cleaning
processing system
support
peeling
Prior art date
Application number
KR1019960038628A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100230625B1 (ko
Inventor
다케시로 미야자키
요시카쥬 츄바타
아키오 카와키타
노보루 가츄마타
아키히로 나카야마
토요가쥬 하라다
미쯔오 타카쿠
시운소 요시다
Original Assignee
타구마 시로
니페이 토야마 코포레이션
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP22947695A external-priority patent/JP3086639B2/ja
Priority claimed from JP23558195A external-priority patent/JP3254115B2/ja
Priority claimed from JP30952095A external-priority patent/JP3150888B2/ja
Priority claimed from JP4225196A external-priority patent/JP3230566B2/ja
Application filed by 타구마 시로, 니페이 토야마 코포레이션 filed Critical 타구마 시로
Publication of KR970018169A publication Critical patent/KR970018169A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100230625B1 publication Critical patent/KR100230625B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0076—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for removing dust, e.g. by spraying liquids; for lubricating, cooling or cleaning tool or work
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
    • B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
    • B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
    • B28D5/0058—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material
    • B28D5/0082—Accessories specially adapted for use with machines for fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material for supporting, holding, feeding, conveying or discharging work
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
    • Y10S134/902—Semiconductor wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Medicines Containing Material From Animals Or Micro-Organisms (AREA)
  • External Artificial Organs (AREA)

Abstract

웨이퍼(22a)는 지지판(23)에 접착제(23c)로 점착된 원주상의 작업물(22)을 슬라이스하는 것에 의해 형성된다. 처리 시스템은 이 웨이퍼(22a)를 처리하기 위해 세정장치(24), 박리수단(27), 분리수용장치(28) 및 반송 장치(32, 34, 35, 36, 38)를 구비한다. 세정장치(24)는 웨이퍼(22a)를 지지판(23)에 점착된 그대로의 상태로 세정한다. 박리장치(27)는 세정된 웨이퍼(22a)를 지지판(23)으로부터 박리시킨다. 지지판(23)에서 박리된 웨이퍼(22a)는 원주상으로 집합된 상태가 된다. 분리수용수단(28)은 원주상으로 집합된 상태의 웨이퍼(22a)를 한장씩 분리해서 용기(29;295)에 수용한다. 반송장치(32, 34, 35, 36, 38)는 슬라이스 후의 웨이퍼(22a)를 적어도 세정장치(24)로부터 박리장치(27) 및 분리수용장치(28)로 순차 반송한다.

Description

웨이퍼의 처리 시스템
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시형태에 있어서의 처리 시스템을 나타낸 개략 정면도이다.

Claims (51)

  1. 지지판(32)에 접착제(23c)로 점착된 원주상의 작업물(22)을 슬라이스함으로써 형성된 다수장의 웨이퍼(22a)를 처리하기 위한 시스템에 있어서, 상기 웨이퍼(22a)를 지지판(23)에 점착된 채의 상태로 세정하는 세정수단(24)과, 세정된 웨이퍼(22a)를 원주 형태로 집합된 상태 그대로 지지판(23)으로부터 박리시키는 박리 수단(27)과, 상기 웨이퍼(22a)를 적어도 상기 세정 수단(24)에서 박리 수단(27)으로 반송하는 반송 수단(32, 34, 35, 36, 38)을 구비한 처리 시스템.
  2. 제1항에 있어서, 상기 세정 수단은, 웨이퍼(22a)에 부착되어 있는 오염을 개략적으로 제거해야 하는 동웨이퍼(22a)를 조(粗)세정하는 제1세정 장치(24a)와, 조세정후의 웨이퍼(22a)에 부착되어 있는 오염을 거의 완전하게 제거해야 하는 동웨이퍼(22a)를 세정하는 제2세정 장치(24b)를 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  3. 제2항에 있어서, 상기 제1세정 장치는 웨이퍼(22a)에 대해 고압 온수를 분사하는 분사 수단(64)을 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  4. 제2항에 있어서, 상기 박리 수단은 제2세정 장치(24b)를 겸용하고 있는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  5. 제4항에 있어서, 상기 박리 수단은, 가열된 액체를 저장하는 세정조(71)와, 상기 웨이퍼(22a)는 지지판(23)과 함께 세정조(71)내의 액체중에 침지되는 것과, 상기 세정조(71)내에 배설된 초음파 발생 수단(78)과 그 초음파 발생 수단(78)이 발생하는 초음파는 웨이퍼 (22a)에 부착되어 있는 오염을 제거하고 웨이퍼(22a)를 지지판(23)으로부터 박리시키며 지지판(23)과 웨이퍼(22a) 사이의 접착제 (23c)를 팽윤 또는 용융하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  6. 제1항에 있어서, 상기 박리 수단은, 지지판(23)에 접착된 상태의 웨이퍼(22a)를 수납하는 상자(200)와, 그 상자(200)내에 증기를 공급하기 위한 증기 공급 수단(206, 206a, 208)과, 상자(200)내에 공급된 증기는 웨이퍼(22a)를 지지판(23)으로부터 박리시키고 지지판(23)과 웨이퍼(22a) 사이의 접착제(23c)를 연화시키는 것을 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  7. 제6항에 있어서, 상기 증기 공급 수단은 증기를 지지판과 웨이퍼 사이의 접착제를 향해 분사하는 분사 노즐(206a)을 가지는 것을 특징으로 하는 저리 시스템.
  8. 제6항에 있어서, 상기 박리 수단은 지지판 및 웨이퍼에 대해 진동을 부여하는 진동부여수단(202)를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  9. 제6항에 있어서, 상기 증기 공급 수단은 접착제의 연화를 촉진하기 위한 유기 용제를 증기중에 혼입하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  10. 제1∼9항의 어느 처리 시스템은 상기 세정 수단(24)에 의해 웨이퍼를 세정하는데 앞서 그 웨이퍼를 세정하는 예비 세정수단(21)과, 상기 반송수단은 상기 웨이퍼를 상기 예비세정수단(21)에서 세정수단(24)으로 반송하는 것을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  11. 제10항에 있어서, 상기 예비세정수단은 액체를 저장하는 세정조(42)를 구비하고, 상기 웨이퍼는 세정조(42)내의 액체중에 침지되는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  12. 제11항에 있어서, 상기 예비세정수단은 세정조(42)내의 액체중에 기포를 발생시키는 기포발생수단(47)을 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  13. 제1∼9항의 어느 처리 시스템은, 원주상으로 집합된 상태의 웨이퍼(22a)를 1장씩 분리해서 용기(29; 295)에 수용하는 분리수용수단(28)과, 상기 반송수단은 웨이퍼를 상기 박리수단(27)에서 상기 분리수용수단(28)으로 반송하는 것을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  14. 제13항의 처리 시스템은, 상기 분리수용수단(28)에 의해 용기(29; 295)에 수용된 웨이퍼(22a)를 용기에 수용된 그대로의 상태로 마지막 세정하는 최종세정수단(30)과, 상기 반송수단은 웨이퍼를 수용한 용기를 분리수용수단에서 최종세정수단으로 반송하는 것을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  15. 제14항에 있어서, 상기 최종세정수단은 웨이퍼 및 용기의 세정 공정을 복수회 행하고 복수의 세정 장치(30a, 30b, 30c)를 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  16. 제14항에 있어서, 상기 최종세정수단은 온수를 저장하는 세정조(113, 122)를 구비하고 상기 웨이퍼는 용기와 함께 세정조내의 온수 속에 침지된 상태로 세정되는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  17. 제16항에 있어서, 상기 최종세정수단은 세정조(113, 122)내에 배설된 초음파발생 수단(118, 127)을 구비하고 웨이퍼 및 용기는 초음파발생수단이 발생하는 초음파에 의해 세정되는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  18. 제16 또는 17항에 있어서, 상기 반송수단은 최종세정수단(30)에 의해 세정된 웨이퍼를 용기와 함께 온수에서 끌어올리는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  19. 제18항의 처리 시스템은 상기 최종세정수단에 의해 세정된 웨이퍼를 용기와 함께 건조시키는 건조수단(31)과, 상기 반송수단은 웨이퍼를 수용한 용기를 최종세정수단에서 끌어올린 후에 건조수단으로 반송하는 것을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  20. 제1∼9항의 어느 처리 시스템은, 지지판에 점착된 상태의 웨이퍼를 지지하기 위한 운반 가능한 지지구(26)와, 상기 세정수단(24)은 웨이퍼를 지지구에 지지한 상태로 세정하는 것과, 상기 박리수단(27)은 웨이퍼를 지지구에 지지한 상태로 지지판에서 박리시키는 것을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  21. 제20항에 있어서, 상기 지지구는 지지판에서 박리된 후의 웨이퍼의 자세를 홀딩하기 위한 홀딩수단(55, 57, 59, 60)을 가지는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  22. 제21항에 있어서, 상기 홀딩수단은 겹쳐진 상태의 웨이퍼의 쓰러짐을 방지하고 웨이퍼군을 그 양단면측에서 끼우는 한쌍의 규제부재(59)를 가지는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  23. 제22항에 있어서, 상기 홀딩수단을 웨이퍼군의 양단면간의 치수에 따라 양규제 부재(59)간의 간격을 조정하는 조정수단(57, 60)을 더 가지는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  24. 제23항의 처리 시스템은 웨이퍼군의 양단면간의 치수를 측정하는 측정수단(51)을 더 가지는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  25. 제24항에 있어서 상기 측정 수단은 초음파 센서(51)를 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  26. 제20항의 처리 시스템은, 원주상으로 집합된 상태의 웨이퍼(22a)를 한장씩 분리해서 용기(29;295)에 수용하는 분리수용수단(28)과, 상기 반송수단은 웨이퍼를 지지한 지지구(26)를 세정수단(24), 박리수단(27) 및 분리수용수단(28) 사이에서 반송하는 제1반송수단(34)을 가지는 것을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  27. 제26항에 있어서, 상기 분리수용수단은 축선이 거의 수직 방향으로 뻗은 상태가 되도록 겹쳐 쌓은 웨이퍼를 최상부의 것부터 한장씩 분리하는 것으로 상기 반송수단은 지지구내의 웨이퍼군 축선이 거의 수직 방향으로 뻗은 상태가 되도록 분리수용수단으로 반입하는 지지구의 자세를 변경하는 자세변경수단(35)을 가지는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  28. 제13항에 있어서, 상기 반송수단은 빈 용기를 분리수용수단에 반입함과 동시에 웨이퍼를 수용한 용기를 분리수용수단으로부터 반출하는 반입출수단(38)을 가지는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  29. 제1∼9항의 어느 처리 시스템은 지지판으로부터 박리된 후의 웨이퍼 중에서 깨짐이 있는 작업물을 검출하는 검출수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  30. 제29항에 있어서, 상기 검출수단은, 액체를 저장하는 조(221)와, 복수장의 웨이퍼를 겹친 상태에서 특정 위치로 홀딩하는 홀딩부재(216)와 웨이퍼를 홀딩한 홀딩부재는 조내의 액체 속에 침지되는 것과, 조내의 액체를 유동시키기 위한 수단(222)과 상기 홀딩부재상의 깨진 웨이퍼는 액체의 유동에 따라 특정 위치에서 벗어나는 것을 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  31. 제13항에 있어서, 상기 분리수용수단은 웨이퍼를 수류에 의해 한장씩 분리시키는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  32. 제31항에 있어서, 상기 분리수용수단은, 적층 상태로 지지한 복수장의 웨이퍼를 상승시키는 상승 수단(86;240,243,246)과 그 상승 수단은 최상부의 웨이퍼를 소정의 분리위치까지 상승시키는 것과, 상기 분리위치에 배치된 최상부의 웨이퍼를 다른 웨이퍼로부터 분리시키고 최상부의 웨이퍼의 상면에 대해 액체를 분사하는 분사 수단(99;285)과, 분리된 웨이퍼를 액체의 흐름에 의해 용기(29;295)로 향하는 제1방향(A)으로 반송하는 반송수단(99, 111;285,287)을 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  33. 제32항에 있어서, 상기 분리수단(99;285)은 최상부의 웨이퍼를 일방향으로 회전시키고 최상부의 웨이퍼의 상면에 대해 그 중심에서 벗어난 위치에 제1방향(A)의 경사진 상방으로 액체를 분사하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  34. 제32항에 있어서, 상기 분리수용수단은 분사수단(99;285)에 의한 액체의 분사에 앞서 최상부의 웨이퍼에 접촉해서 동웨이퍼를 제1방향(A)으로 밀어내는 압출수단(105;251)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  35. 제34항에 있어서, 상기 압출 수단은, 최상부의 웨이퍼 상면에 접촉 가능한 롤러 (109)와, 그 롤러를 최상부의 웨이퍼와 접촉하는 제1위치와 동웨이퍼로부터 이간하는 제2위치와의 사이에서 승강시키는 승강 수단(106, 107, 108)과, 최상부의 웨이퍼를 제1방향(A)으로 밀어내기 위해 제1위치에 있는 롤러를 회전시키는 회전 수단(110)를 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  36. 제34항에 있어서, 상기 압출 수단은, 최상부의 웨이퍼 상면에 접촉 가능한 탄성제(262)와, 그 탄성제를 제1방향(A) 및 제1방향과는 반대인 제2방향으로 이동시키는 이동 수단(257,260,268)과, 상기 탄성체를 최상부의 웨이퍼에 접촉시키는 제1위치와 동웨이퍼로부터 이간하는 제2위치와의 사이에서 승강시키는 승강 수단(256,257a)과 이 승강 수단은 탄성체가 제1방향으로 이동될 때 최상부의 웨이퍼를 제1방향으로 밀어내기 위해 탄성체를 제1위치로 하강시키고 탄성체가 제2방향으로 이동될 때 탄성체를 제2위치로 상승시키는 것을 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  37. 제32항에 있어서, 상기 분리수용수단은, 최상부의 웨이퍼의 제1방향(A)으로의 이동만을 허용하고 다른 웨이퍼의 제1방향으로의 이동을 저지하는 스토퍼(111;302)와, 최상부의 웨이퍼가 스토퍼에 간섭하지 않도록 그리고 다른 웨이퍼의 제1방향으로의 이동이 스토퍼에 의해 저지질 수 있도록 적층 웨이퍼의 경사를 조정하는 경사조정수단(246,247∼250,283,301;247∼250,310)을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  38. 제37항에 있어서, 상기 스토퍼는 최상부의 웨이퍼의 제1방향으로의 이동을 허용하기 위한 상연(111a, 287a)를 가지고 상기 경사조정수단은 최상부의 웨이퍼가 스토퍼의 상연에 대해 대략 평행이 되도록 적층 웨이퍼의 경사를 조정하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  39. 제38항에 있어서, 상기 스토퍼의 상연(111a,287a)은 수평면에 대해 거의 평행하게 설치되고, 상기 경사조정수단은 최상부의 웨이퍼가 수평면에 대해 거의 평행이 되도록 적층 웨이퍼의 경사를 조정하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  40. 제38항에 있어서, 상기 경사조정수단은, 적층 웨이퍼를 지지하는 지지면(246a)과, 그 지지면의 수평면에 대한 경사 각도를 조정하기 위해 동 지지면을 기울어져 움직이게 하는 경동 기구(301)와, 최상부의 웨이퍼 상면에 대향 배치되고 그 웨이퍼 상면의 경사를 검출하는 검출 수단(247∼250)과, 그 검출 수단에 의한 검출 결과에 의해 최상부의 웨이퍼가 스토퍼의 상연(111a;287a)에 대해 대략 평행이 되도록 상기 경동 기구(301)를 제어하는 제어 수단(283)을 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  41. 제38항에 있어서, 상기 경사조정수단은, 적층 웨이퍼를 경동 가능하게 지지하는 지지체 (310)와, 최상부의 웨이퍼 상면에 대향 배치되고 그 웨이퍼 상면에 접촉하고 동 웨이퍼가 스토퍼 상연(111a;237a)에 대해 대략 평행이 되도록 규제하는 규제 수단(247∼250)을 포함하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  42. 제32∼41항의 어느 항에 있어서 상기 분리수용수단은, 액체를 저장하기 위한 조(83;230)와 상기 상승수단(86;240,243,246)은 적층 웨이퍼를 조내의 액체중에서 지지하고 있는 것과, 상기 상승수단에 의해 적층 웨이퍼가 상승될 때 적층 웨이퍼의 부상을 방지하고 액체의 분사에 의해 최상부의 웨이퍼 상면을 누르는 누름 수단(284)을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  43. 제32∼41항의 어느 항에 있어서 상기 분리수용수단은 상기 반송수단(99, 111;285,287)은 분리된 최상부의 웨이퍼를 용기(29;275)를 향해 안내하기 위해 상기 상승수단(86;247,243,246)과 용기 사이에 배치된 슈터(111;287)를 포함하는 것과, 상기 용기는 슈터로부터 반송되어 온 웨이퍼를 한장씩 구분해서 수납하기 위한 복수의 수납선반(29a;297)을 가지는 것과, 수납선반에 웨이퍼가 수납될 때마다 용기를 수납선반의 배열 간격에 상당하는 피치씩 상승 또는 하강시키는 승강수단(92;297)을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  44. 제32∼41항의 어느 항에 있어서, 상기 분리수용수단은, 상기 용기를 지지하기 위한 회동 가능한 지지대(96)와 그 지지대를 승강시키는 승강수단(92)과, 상기 지지대와 대향 배치된 가이드플레이트(371)와, 지지대와 가이드플제이트 사이에 설치된 캠 기구(370,372,377∼382;370,390,395∼397)와, 그 캠 기구는 지지대외 승강에 따라 동 지지대를 소정 각도의 범위에서 회동시키는 것을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  45. 제44항에 있어서, 상기 캠 기구는, 가이드플레이트에 형성된 안내홈(372;390)과, 그 안내홈에 고정되도록 지지대에 설치된 돌기(370)와 그 돌기는 지지대의 승강에 의해 안내홈을 따라 이동하는 것과, 안내홈내에서의 돌기의 이동 경로를 바꾸기 위해 가이드플레이트에 회동 가능하게 지지된 복수의 레버(377∼382;395-379)를 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  46. 제32∼41항의 어느 항에 있어서, 상기 분리수용수단은 분리된 최상부의 웨이퍼 하면을 향해 액체를 분사함으로써 동웨이퍼를 들어올리는 수단(196)을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  47. 제1∼9항의 어느 처리 시스템은 미리 정해진 제어 프로그램에 따라 상기 세정수단(24), 박리수단(27) 및 반송수단(32,34,35,36,38)의 동작을 제어하는 제어수단(40)을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  48. 제13항의 처리 시스템은 미리 정해진 제어 프로그램에 따라 상기 세정수단(24), 박리수단(27), 분리수용수단(28) 및 반송수단(32,34,35,37,38)의 동작을 제어하는 제어수단(40)을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  49. 제14항의 처리 시스템은 미리 정해진 제어 프로그램에 따라 상기 세정수단(24), 박리수단(27), 분리수용수단(28), 최종세정수단(30), 및 반송수단(32,34,35,36,38)의 동작을 제어하는 제어수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  50. 제19항의 처리 시스템은 미리 정해진 제어 프로그램에 따라 상기 세정수단(24), 박리수단(27), 분리수용수단(28), 최종세정수단(30), 건조수단(31) 및 반송수단(32, 34, 35, 36, 38)의 동작을 제어하는 제어수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 처리 시스템.
  51. 지지판(23)에 접착제 (23c)로 점착된 원주상의 작업물(22)을 슬라이스함으로써 형성된 다수장의 웨이퍼(22a)를 처리하기 위한 시스템에 있어서, 상기 웨이퍼(22a)를 지지판(23)에 점착된 채의 상태로 세정하기 위한 세정 스테이션과, 세정된 웨이퍼(22a)를 원주상으로 집합된 상태 그대로 지지판(23)으로부터 박리시키기 위한 박리 스테이션과, 원주상으로 집합된 상태의 웨이퍼(22a)를 한장씩 분리해서 용기(29;295)에 수용하기 위한 분리수용스테이션을 구비한 처리 시스템.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960038628A 1995-09-06 1996-09-06 웨이퍼처리 시스템 KR100230625B1 (ko)

Applications Claiming Priority (10)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22947695A JP3086639B2 (ja) 1995-09-06 1995-09-06 ワイヤソー装置により切断されたワークの剥離装置及び剥離方法
JP7-229476 1995-09-06
JP7-235581 1995-09-13
JP23558195A JP3254115B2 (ja) 1995-09-13 1995-09-13 割れワーク検出装置及び割れワーク検出方法
JP30952095A JP3150888B2 (ja) 1995-11-28 1995-11-28 ウエハの分離搬送装置及び分離搬送方法
JP7-309520 1995-11-28
JP7-337346 1995-12-25
JP33734695 1995-12-25
JP8-42251 1996-02-29
JP4225196A JP3230566B2 (ja) 1996-02-29 1996-02-29 ウエハの分離搬送装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR970018169A true KR970018169A (ko) 1997-04-30
KR100230625B1 KR100230625B1 (ko) 1999-11-15

Family

ID=27522242

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019960038628A KR100230625B1 (ko) 1995-09-06 1996-09-06 웨이퍼처리 시스템

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5950643A (ko)
EP (1) EP0762483B1 (ko)
KR (1) KR100230625B1 (ko)
AT (1) ATE175520T1 (ko)
DE (1) DE69601292T2 (ko)

Families Citing this family (92)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0936080A (ja) * 1995-07-13 1997-02-07 Toray Eng Co Ltd 加工済シリコンインゴットの洗浄方法
WO2004075285A1 (ja) * 1997-03-07 2004-09-02 Takuya Shibao 基板処理装置
US6240933B1 (en) * 1997-05-09 2001-06-05 Semitool, Inc. Methods for cleaning semiconductor surfaces
US6869487B1 (en) 1997-05-09 2005-03-22 Semitool, Inc. Process and apparatus for treating a workpiece such as a semiconductor wafer
US7264680B2 (en) * 1997-05-09 2007-09-04 Semitool, Inc. Process and apparatus for treating a workpiece using ozone
US7163588B2 (en) * 1997-05-09 2007-01-16 Semitool, Inc. Processing a workpiece using water, a base, and ozone
US7416611B2 (en) * 1997-05-09 2008-08-26 Semitool, Inc. Process and apparatus for treating a workpiece with gases
US20050215063A1 (en) * 1997-05-09 2005-09-29 Bergman Eric J System and methods for etching a silicon wafer using HF and ozone
US7378355B2 (en) * 1997-05-09 2008-05-27 Semitool, Inc. System and methods for polishing a wafer
US7404863B2 (en) * 1997-05-09 2008-07-29 Semitool, Inc. Methods of thinning a silicon wafer using HF and ozone
US6701941B1 (en) * 1997-05-09 2004-03-09 Semitool, Inc. Method for treating the surface of a workpiece
US20020157686A1 (en) * 1997-05-09 2002-10-31 Semitool, Inc. Process and apparatus for treating a workpiece such as a semiconductor wafer
US20050034745A1 (en) * 1997-05-09 2005-02-17 Semitool, Inc. Processing a workpiece with ozone and a halogenated additive
US6138694A (en) * 1998-03-06 2000-10-31 Scp Global Technologies Multiple stage wet processing platform and method of use
US6264404B1 (en) * 1998-07-13 2001-07-24 Seagate Technology, Inc. System and method for hydrodynamic loading and unloading of objects into and out of substantially touchless hydrodynamic transport systems
DE19900671C2 (de) * 1999-01-11 2002-04-25 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren und Vorrichtung zum Vereinzeln von scheibenförmigen Substraten, insbesondere zur Waferherstellung
DE19904834A1 (de) * 1999-02-07 2000-08-10 Acr Automation In Cleanroom Vorrichtung zum Ablösen, Vereinzeln und Einlagern von dünnen, bruchempfindlichen scheibenförmigen Substraten
JP2000301082A (ja) * 1999-04-20 2000-10-31 Tokyo Electron Ltd 処理装置
US6575177B1 (en) * 1999-04-27 2003-06-10 Applied Materials Inc. Semiconductor substrate cleaning system
DE19950068B4 (de) * 1999-10-16 2006-03-02 Schmid Technology Systems Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Vereinzeln und Ablösen von Substratscheiben
DE10108369A1 (de) * 2001-02-21 2002-08-29 B L E Lab Equipment Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Ablösen eines Halbleiterwafers von einem Träger
JP4149166B2 (ja) * 2002-01-08 2008-09-10 東京エレクトロン株式会社 処理システム及び処理方法
US6881020B2 (en) * 2002-04-26 2005-04-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Pod transfer system having retractable mast and rotatable and vertically movable hoist
JP3916148B2 (ja) * 2002-11-15 2007-05-16 Ｔｄｋ株式会社 ウェハーマッピング機能を備えるウェハー処理装置
KR100582202B1 (ko) 2003-10-13 2006-05-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조장치 및 방법
US7409263B2 (en) * 2004-07-14 2008-08-05 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for repositioning support for a substrate carrier
US7720558B2 (en) 2004-09-04 2010-05-18 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for mapping carrier contents
DE102005023618B3 (de) * 2005-05-21 2006-12-07 Aci-Ecotec Gmbh & Co.Kg Einrichtung zum Vereinzeln von Silizium-Wafern von einem Stapel
DE102005028112A1 (de) * 2005-06-13 2006-12-21 Schmid Technology Systems Gmbh Verfahren zur Positionierung und Lageerhaltung von Substraten, insbesondere von dünnen Siliziumwafern nach dem Drahtsägen zu deren Vereinzelung
DE102005033859B3 (de) * 2005-07-12 2006-12-14 Q-Cells Ag Wafermagazin für Halbleiterwafer oder waferartige Gegenstände
DE102005058269B4 (de) * 2005-12-06 2011-12-01 Stangl Semiconductor Equipment Ag Vorrichtung zum Reinigen eines gesägten Waferblocks
TWI262827B (en) * 2005-12-13 2006-10-01 Ind Tech Res Inst Cleaning device and method of bubble reaction
RU2380305C2 (ru) * 2006-07-06 2010-01-27 Рена Зондермашинен Гмбх Устройство и способ разъединения и транспортировки подложек
DE202006020339U1 (de) * 2006-12-15 2008-04-10 Rena Sondermaschinen Gmbh Vorrichtung zum Reinigen von Gegenständen, insbesondere von dünnen Scheiben
DE502006001352D1 (de) * 2006-12-15 2008-09-25 Rena Sondermaschinen Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Vereinzeln und Transportieren von Substraten
JP5388862B2 (ja) * 2006-12-19 2014-01-15 アールイーシー・ウェーハ・ピーティーイー・リミテッド シリコンウェハを分離させるための方法および装置
KR100831263B1 (ko) 2006-12-29 2008-05-22 동부일렉트로닉스 주식회사 웨이퍼 간격 조절 장치 및 이를 포함하는 기판 세정 장치
KR100929817B1 (ko) * 2007-10-23 2009-12-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 제조 방법
DE102007061410A1 (de) * 2007-12-11 2009-06-18 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren und Vorrichtung zum Vereinzeln von Wafern von einem Waferstapel
DE102008004548A1 (de) * 2008-01-15 2009-07-16 Rec Scan Wafer As Waferstapelreinigung
WO2009114043A1 (en) * 2008-03-07 2009-09-17 Automation Technology, Inc. Solar wafer cleaning systems, apparatus and methods
DE102008060014A1 (de) * 2008-11-24 2010-05-27 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren und Vorrichtung zur Handhabung eines zersägten Waferblocks
DE102008060012A1 (de) * 2008-11-24 2010-05-27 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren zum Drehen eines zersägten Waferblocks und Vorrichtung dafür
US8261730B2 (en) * 2008-11-25 2012-09-11 Cambridge Energy Resources Inc In-situ wafer processing system and method
US8065995B2 (en) * 2008-11-25 2011-11-29 Cambridge Energy Resources Inc Method and apparatus for cutting and cleaning wafers in a wire saw
US8863957B2 (en) 2009-01-13 2014-10-21 Kabushiki Kaisha Watanabe Shoko Wafer separation apparatus, wafer separation and transfer apparatus, wafer separation method, wafer separation and transfer method, and solar cell wafer separation and transfer method
US8562748B1 (en) 2009-01-30 2013-10-22 WD Media, LLC Multiple cleaning processes in a single tank
US8163093B1 (en) 2009-02-11 2012-04-24 Wd Media, Inc. Cleaning operations with dwell time
FR2943848B1 (fr) * 2009-03-27 2012-02-03 Jean Pierre Medina Procede et machine de fabrication d'un semi-conducteur, du type cellule photovoltaique ou composant electronique similaire
EP2415070A4 (en) * 2009-04-01 2012-09-26 Cabot Microelectronics Corp SELF-CLEANING WIRE SAW TYPE APPARATUS AND METHOD
KR101342546B1 (ko) * 2009-04-07 2013-12-17 스미토모 긴조쿠 파인테크 가부시키가이샤 웨이퍼 반송방법 및 웨이퍼 반송장치
DE102009040503A1 (de) * 2009-08-31 2011-03-03 Gebr. Schmid Gmbh & Co. Verfahren zur Herstellung von Wafern
GB0919379D0 (en) * 2009-11-04 2009-12-23 Edwards Chemical Man Europ Ltd Wafer prcessing
EP2517237A2 (en) * 2009-12-23 2012-10-31 Süss Microtec Lithography GmbH Automated thermal slide debonder
DE102010005202B4 (de) 2010-01-21 2020-04-09 Q-Cells Se Magazin für einen photovoltaischen Wafer- und/oder Zellstapel mit einem Magazineinsatz zur Aufnahme desselben
US9180505B2 (en) * 2010-01-29 2015-11-10 Toshiba Mitsubishi-Electric Industral Systems Corporation Water injection controller, water injection control method, and water injection control program for rolling lines
KR101104187B1 (ko) * 2010-03-12 2012-01-09 주식회사 프로텍 Ｌｅｄ 웨이퍼 디본더 및 ｌｅｄ 웨이퍼 디본딩 방법
DE102010045098A1 (de) 2010-09-13 2012-03-15 Rena Gmbh Vorrichtung und Verfahren zum Vereinzeln und Transportieren von Substraten
KR101150206B1 (ko) 2010-11-30 2012-06-12 주식회사 케이씨텍 기판 분리장치
US8677929B2 (en) * 2010-12-29 2014-03-25 Intevac, Inc. Method and apparatus for masking solar cell substrates for deposition
US8960657B2 (en) 2011-10-05 2015-02-24 Sunedison, Inc. Systems and methods for connecting an ingot to a wire saw
US20130144421A1 (en) * 2011-12-01 2013-06-06 Memc Electronic Materials, Spa Systems For Controlling Temperature Of Bearings In A Wire Saw
KR101370053B1 (ko) 2012-05-16 2014-03-06 (주) 시큐에스 반도체웨이퍼용 왕복세척장치
JP5996308B2 (ja) * 2012-07-10 2016-09-21 コマツＮｔｃ株式会社 ワイヤソー
DE102012221452A1 (de) * 2012-07-20 2014-01-23 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung zum Separieren von Wafern
US9499921B2 (en) * 2012-07-30 2016-11-22 Rayton Solar Inc. Float zone silicon wafer manufacturing system and related process
JP5849201B2 (ja) * 2013-05-28 2016-01-27 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 切り残し部除去装置
US10112221B1 (en) * 2014-07-08 2018-10-30 Michael P. Pedziwiatr Ultrasonic processing apparatus and method
CN105983552B (zh) * 2015-02-15 2019-12-24 盛美半导体设备（上海）有限公司 一种防掉落的半导体清洗装置
JP6324917B2 (ja) * 2015-03-03 2018-05-16 富士フイルム株式会社 液体供給装置及び画像形成装置
US9786536B2 (en) * 2015-12-07 2017-10-10 Microchip Technology Incorporated Reticle rack system
CN105396855B (zh) * 2015-12-08 2017-08-25 天津中环半导体股份有限公司 用于硅片清洗机的上料装置
CN105946127B (zh) * 2016-05-23 2019-03-08 天通日进精密技术有限公司 单段式硅棒截断机及其截断方法
JP6568838B2 (ja) * 2016-10-18 2019-08-28 上村工業株式会社 乾燥装置
CN107993963B (zh) * 2017-11-21 2020-07-10 长江存储科技有限责任公司 用于晶圆检测的机械手臂
CN109382351B (zh) * 2018-05-03 2021-06-04 徐州工程学院 一种工件清洗设备
CN108637871A (zh) * 2018-06-28 2018-10-12 黄洪飞 一种高效除锈装置
KR101964567B1 (ko) * 2018-11-29 2019-04-01 손귀욱 반도체 웨이퍼의 낱장분리장치
KR101964568B1 (ko) * 2018-11-29 2019-04-01 손귀욱 반도체 웨이퍼의 낱장분리방법 및 반도체 웨이퍼를 낱장으로 분리하는 자동화 장치
JP7355618B2 (ja) * 2018-12-04 2023-10-03 株式会社ディスコ ウエーハ分割装置
CN109841554B (zh) * 2019-03-25 2024-04-12 常州华数锦明智能装备技术研究院有限公司 一种硅片百片整形上料设备
CN110201962A (zh) * 2019-06-28 2019-09-06 阜宁协鑫光伏科技有限公司 插片机用水系统
CN110173016A (zh) * 2019-06-28 2019-08-27 阜宁协鑫光伏科技有限公司 插片机用水系统
CN110394708B (zh) * 2019-07-30 2021-05-28 马鞍山市金韩防水保温工程有限责任公司 一种五金建筑装饰件加工用表面处理锁合装置
JP7353711B2 (ja) * 2019-08-14 2023-10-02 株式会社ディスコ ウェーハ搬送装置
KR102089225B1 (ko) * 2019-10-22 2020-05-26 손귀욱 웨이퍼 낱장 분리장치 및 이를 이용한 웨이퍼 낱장 분리방법
KR102379163B1 (ko) * 2020-01-31 2022-03-25 에스케이실트론 주식회사 제1 세정 장치, 이를 포함하는 세정 장비 및 방법
KR102368658B1 (ko) * 2020-06-01 2022-02-28 에스케이실트론 주식회사 Asc 공정 자동화 장치
CN113263403A (zh) * 2021-06-01 2021-08-17 贡觉县康巴石锅开发有限责任公司 一种基于人工智能的石锅生产工艺及设备
CN113695308B (zh) * 2021-07-20 2023-01-13 山东力冠微电子装备有限公司 一种半导体晶圆前处理系统
KR102507049B1 (ko) * 2022-10-28 2023-03-07 손귀욱 듀얼 박리 시스템을 기반으로 한 웨이퍼 낱장 분리장치
CN118553667A (zh) * 2024-07-25 2024-08-27 迈为技术(珠海)有限公司 用于晶圆键合设备的调平装置和键合调平方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IT939391B (it) * 1970-09-08 1973-02-10 Pasticca semiconduttrice nonche metodo e dispositivo per la sua produzione
US4466852A (en) * 1983-10-27 1984-08-21 At&T Technologies, Inc. Method and apparatus for demounting wafers
JPH0699051B2 (ja) * 1990-04-19 1994-12-07 ダイトロンテクノロジー株式会社 極薄板状体移載装置
JPH04164324A (ja) * 1990-10-29 1992-06-10 Nec Corp 半導体製造装置
DE4100526A1 (de) * 1991-01-10 1992-07-16 Wacker Chemitronic Vorrichtung und verfahren zum automatischen vereinzeln von gestapelten scheiben
US5246528A (en) * 1991-05-31 1993-09-21 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Automatic wafer etching method and apparatus
JPH06232141A (ja) * 1992-12-07 1994-08-19 Sony Corp 半導体基板の作成方法及び固体撮像装置の製造方法
JP2917262B2 (ja) * 1993-01-11 1999-07-12 株式会社東京精密 半導体ウェーハの洗浄・乾燥装置
JP3116619B2 (ja) * 1993-01-11 2000-12-11 株式会社東京精密 半導体ウェーハの製造システム
US5427644A (en) * 1993-01-11 1995-06-27 Tokyo Seimitsu Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor wafer and system therefor
US5427622A (en) * 1993-02-12 1995-06-27 International Business Machines Corporation Method for uniform cleaning of wafers using megasonic energy
JP2910507B2 (ja) * 1993-06-08 1999-06-23 信越半導体株式会社 半導体ウエーハの製造方法
KR0183513B1 (ko) * 1994-03-22 1999-04-15 오쯔보 히데오 웨이퍼 슬라이스 베이스 박리장치
JP4220580B2 (ja) * 1995-02-10 2009-02-04 三菱電機株式会社 半導体装置の製造装置
US5593505A (en) * 1995-04-19 1997-01-14 Memc Electronic Materials, Inc. Method for cleaning semiconductor wafers with sonic energy and passing through a gas-liquid-interface
JP3658454B2 (ja) * 1996-03-29 2005-06-08 コマツ電子金属株式会社 半導体ウェハの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR100230625B1 (ko) 1999-11-15
ATE175520T1 (de) 1999-01-15
DE69601292D1 (de) 1999-02-18
DE69601292T2 (de) 1999-08-26
US5950643A (en) 1999-09-14
EP0762483A1 (en) 1997-03-12
EP0762483B1 (en) 1999-01-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR970018169A (ko) 웨이퍼의 처리 시스템
EP0526245B1 (en) An automatic cleaning apparatus for wafers
CN100442448C (zh) 基片处理装置
US20160118275A1 (en) Substrate liquid processing apparatus
CN107251191B (zh) 基板处理装置及基板处理装置的控制方法
JPH09285958A (ja) ウェーハの研磨装置システム
KR102420293B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치, 및 기판 처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독가능 기억 매체
KR20090097086A (ko) 세정 장치, 세정조, 세정 방법 및 물품의 제조 방법
KR101069600B1 (ko) 부상식 기판 코터 장치 및 그 코팅 방법
US8905051B2 (en) Liquid processing apparatus and liquid processing method
US20070181159A1 (en) Disk cleaning apparatus, disk immersing and extracting mechanism and disk cleaning method
EP1358950B1 (en) Ultrasonic cleaning module and method
KR102519871B1 (ko) 반도체 웨이퍼 낱장 분리시스템
KR20160018695A (ko) 세정 방법 및 세정 장치
JPH07249605A (ja) 基板洗浄装置
KR980001775A (ko) 워이퍼의 세정 · 박리 방법 및 장치
JPH07308642A (ja) 基板表面乾燥装置
JP2007069052A (ja) 超音波洗浄装置、超音波洗浄方法及び洗浄された製品の製造方法
KR102410311B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102491000B1 (ko) 접착제층 제거 유닛 및 이를 이용하는 접착제층 제거 방법
CN212438514U (zh) 清洗设备
JP4043039B2 (ja) 現像方法及び現像装置
KR100823583B1 (ko) 습식처리장치
KR940022733A (ko) 기판처리장치
JP2002169304A (ja) 剥離装置及びレジスト膜の剥離方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee