KR101964568B1 - 반도체 웨이퍼의 낱장분리방법 및 반도체 웨이퍼를 낱장으로 분리하는 자동화 장치 - Google Patents

반도체 웨이퍼의 낱장분리방법 및 반도체 웨이퍼를 낱장으로 분리하는 자동화 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101964568B1
KR101964568B1 KR1020180151168A KR20180151168A KR101964568B1 KR 101964568 B1 KR101964568 B1 KR 101964568B1 KR 1020180151168 A KR1020180151168 A KR 1020180151168A KR 20180151168 A KR20180151168 A KR 20180151168A KR 101964568 B1 KR101964568 B1 KR 101964568B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wafer
ingot block
unit
purified water
jig
Prior art date
Application number
KR1020180151168A
Other languages
English (en)
Inventor
손귀욱
Original Assignee
손귀욱
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 손귀욱 filed Critical 손귀욱
Priority to KR1020180151168A priority Critical patent/KR101964568B1/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101964568B1 publication Critical patent/KR101964568B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02046—Dry cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H01L21/78—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate with subsequent division of the substrate into plural individual devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

본 발명의 일면은 성형된 잉곳이 지그(G)에 접착제로 고정되고, 설정 웨이퍼(W) 두께로 절단된 잉곳블록(B)으로부터 웨이퍼(W)를 낱장으로 분리시켜 제품화하는 방법에 관한 것으로, 준비된 잉곳블록(B)을 정제수에 침지시켜 이물질을 제거하는 세척공정(S10); 세척된 잉곳블록(B)을 정제수에 침지시켜 접착제를 제거하는 용해공정(S20); 접착제가 용해된 잉곳블록(B)의 웨이퍼(W)를 낱장씩 인출하는 박리공정(S30); 인출된 웨이퍼(W)에 잔류하는 이물질과 수분을 제거하는 집진공정(S40);이물질이 제거된 웨이퍼(W)를 카세트에 하나 이상 수납하는 배출공정(S50);을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.

Description

반도체 웨이퍼의 낱장분리방법 및 반도체 웨이퍼를 낱장으로 분리하는 자동화 장치{A method of separating a semiconductor wafer and a method of separating a semiconductor wafer into a sheet}
본 발명은 반도체 웨이퍼를 낱장으로 분리하는 방법과 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는 성형된 잉곳이 지그에 접착제로 고정되고, 설정 웨이퍼 두께로 절단된 잉곳블록의 이물질과 접착제를 제거하는데 이어 웨이퍼를 분리하고 카세트에 수납하는 일련의 제품화 과정을 능동적으로 처리하여 전반적인 생산성과 품질을 향상할 수 있는 반도체 웨이퍼의 낱장분리방법 및 반도체 웨이퍼를 낱장으로 분리하는 자동화 장치에 관한 것이다.
통상, 반도체 웨이퍼는 성형된 원통형의 잉곳이 지그에 접착제로 고정되고, 와이어를 통해 설정 웨이퍼 두께로 절단시켜 복수의 웨이퍼가 나열된 잉곳블록이 형성된다. 여기서 절단된 웨이퍼들은 접착제에 의해 지그에 고정된 상태를 유지한다. 절단 과정을 거친 다음에는 잉곳블록으로부터 각각의 웨이퍼를 분리한 다음 카세트에 수납하여 후속 공정을 위한 웨이퍼의 제품화가 완료된다.
이때, 잉곳블록의 접착제는 가열에 의해 쉽게 용해되는 물질로 약 80℃의 온수에 20분 정도 담근 후 수작업으로 웨이퍼를 낱장씩 분리하는 방법이 사용되고 있다. 그러나 웨이퍼 낱장 분리 및 적재 과정을 수작업으로 실시할 경우 공수를 낭비하게 되고 불량률이 높은 문제가 있다.
즉, 접착제를 용해시키기 위해 고온의 물을 공급한 후에는 수작업이 가능하도록 잉곳블록이 냉각될 때까지 10분 이상 기다려야 하므로 상당한 작업시간이 소요되고, 웨이퍼를 분리하고 이동시키는 과정에서 부족한 정밀성과 여타의 물체와 충돌 또는 낙하시켜 웨이퍼의 손상을 초래한다.
최근에는 이러한 문제를 해결하기 위한 방안으로 대한민국 공개특허공보 제10-2011-0009363호 (발명의 명칭: 반도체 웨이퍼 낱장 분리장치 및 그 분리방법)와, 대한민국 공개특허공보 제10-2012-0086873호 (발명의 명칭: 웨이퍼 분리 장치)를 제안하고 있다.
전자는 웨이퍼를 잉곳블록으로부터 분리하는 로봇 아암 시스템을 채택하고, 후자는 세정과정에서 웨이퍼를 자유낙하로 분리하는 욕조 시스템을 채택하고 있다. 즉, 전자와 후자는 기존의 수작업을 자동적으로 처리되게 하여 생산성 향상을 도모하고 불량을 최소화할 수 있도록 개선하였다.
하지만 이러한 기계적 장치를 통한 분리방법은 분리과정에서 웨이퍼에 과도하거나 잘못된 방향의 힘을 인가하여 웨이퍼를 파손시키는 문제가 있다. 따라서 대한민국 공개특허공보 제10-2011-0086764호 (발명의 명칭: 슬라이스된 웨이퍼의 분리를 용이하게 하는 방법 및 장치)를 제안한 바 있다.
제안된 문헌에 따르면, 웨이퍼를 분리하는 척에 히터를 적용한 시스템을 채택하고 있다. 이러한 시스템은 척이 웨이퍼를 분리하기 위해 파지하는 과정에서 열을 방출하여 분리될 웨이퍼만을 가열시켜 접착제를 제거토록 하고 있다. 따라서 웨이퍼가 접착제로 고정된 상태에서 파지하여 불량을 방지하도록 개선하였다.
그러나 척은 기 설정된 수치로 작동하고, 가열이나 파지를 위해 웨이퍼로 접근하는 과정에서 지그에 고정된 웨이퍼의 자세에 따라 척과 충돌하거나 올바른 파지를 수행할 수가 없어 결과적으로 웨이퍼를 파손시키거나 불량을 발생시키게 되는 문제가 있다.
대한민국 공개특허공보 제10-2011-0009363호 (발명의 명칭: 반도체 웨이퍼 낱장 분리장치 및 그 분리방법) 대한민국 공개특허공보 제10-2012-0086873호 (발명의 명칭: 웨이퍼 분리 장치) 대한민국 공개특허공보 제10-2011-0086764호 (발명의 명칭: 슬라이스된 웨이퍼의 분리를 용이하게 하는 방법 및 장치)
본 발명은 위의 제반 문제점을 보다 적극적으로 해소하기 위하여 창출된 것으로, 잉곳블록의 이물질과 접착제 제거하는데 이어 웨이퍼를 분리하고 카세트에 수납하는 일련의 과정을 자동적으로 처리하여 생산성 향상과 공수를 절감함과 함께 지그에 고정된 웨이퍼의 자세를 분석하여 능동적으로 분리시킴에 따라 전반적인 웨이퍼의 품질을 향상하고 불량은 최소화할 수 있는 반도체 웨이퍼의 낱장분리방법 및 반도체 웨이퍼를 낱장으로 분리하는 자동화 장치를 제공하려는데 그 목적이 있다.
위의 해결 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 일면에서 제안하는 반도체 웨이퍼의 낱장분리방법의 구성은 다음과 같다.
위 반도체 웨이퍼의 낱장분리방법은 성형된 잉곳이 지그에 접착제로 고정되고, 설정 웨이퍼 두께로 절단된 잉곳블록으로부터 웨이퍼를 낱장으로 분리시켜 제품화하는 방법에 있어서: 준비된 잉곳블록을 정제수에 침지시켜 이물질을 제거하는 세척공정; 세척된 잉곳블록을 정제수에 침지시켜 접착제를 제거하는 용해공정; 접착제가 용해된 잉곳블록의 웨이퍼를 낱장씩 인출하는 박리공정; 인출된 웨이퍼에 잔류하는 이물질과 수분을 제거하는 집진공정; 이물질이 제거된 웨이퍼를 카세트에 하나 이상 수납하는 배출공정;을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이때, 본 발명에 의한 위 세척공정은 잉곳블록에 정세수를 분사하여 이물질을 불림하는 전처리 단계와, 잉곳블록을 정제수에 침지시켜 이물질을 제거하는 본처리 단계와, 잉곳블록에 정세수를 재 분사하여 잔류하는 이물질을 탈리하는 후처리 단계를 거치는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 의한 위 본처리 단계는 정제수로 20~60Mhz의 초음파를 방사하여 잉곳블록에 진동을 부가하고, 정제수에 4~6Kgf/cm2 공기가 주입되어 발생한 기포를 잉곳블록과 충돌시키는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 의한 위 용해공정은 정제수를 80~98℃로 가열하는 준비단계와, 가열된 정제수가 지그의 최상단으로부터 3~5mm 높이의 수표로 침지하는 용해단계와, 침지된 잉곳블록의 상단을 가압하여 구속하는 고정단계를 거치는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 의한 위 박리공정은 잉곳블록의 일측에 노출된 웨이퍼의 자세를 측정하는 검출단계와, 검출된 웨이퍼의 노출면을 흡착하는 파지단계와, 흡착된 웨이퍼와 인접하는 타측 웨이퍼의 유동을 저지하는 구속단계와, 흡착된 웨이퍼를 지그로부터 분리하는 인출단계를 반복하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 의한 위 검출단계는 웨이퍼의 중심을 교차하는 수직선과 수평선을 기준으로 적어도 수직선과 일치하며 수평선의 하측에 위치하는 기준점과, 수평선과 평행하며 수직선의 양측에 위치하는 둘 이상의 보조점에 대해 설정된 기준면과의 거리를 각각 측정하여 웨이퍼의 자세를 분석하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 의한 위 박리공정은 검출단계 내지 인출단계를 반복하여 지그로부터 웨이퍼의 인출이 완료되면, 지그를 외부로 배출하는 반출단계를 더 거치는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 의한 집진공정은 웨이퍼의 외면으로 정제수를 분사하는 세척단계와, 웨이퍼의 외면으로 브러시로 문지르는 연마단계와, 웨이퍼로 고온의 공기를 분사하여 수분을 제거하는 건조단계를 거치는 것을 특징으로 한다.
위의 해결 과제를 달성하기 위하여 본 발명의 다른 면에서 제안하는 반도체 웨이퍼를 낱장으로 분리하는 자동화 장치의 구성은 다음과 같다.
위 반도체 웨이퍼를 낱장으로 분리하는 자동화 장치는 성형된 잉곳이 지그에 접착제로 고정되고, 설정 웨이퍼 두께로 절단된 잉곳블록으로부터 웨이퍼를 낱장으로 분리시켜 제품화하는 장치에 있어서: 위 잉곳블록이 고정된 지그를 설정 높이로 운반하는 공급대차와, 위 공급대차에 로드된 잉곳블록을 하류단으로 이송하는 공급유닛을 구비하는 공급부; 위 공급부의 하류단에 잉곳블록의 이물질을 제거하는 세척유닛과, 위 세척유닛 상에 잉곳블록으로 진동과 자극을 부가하는 보조유닛을 구비하는 세척부; 위 세척부의 하류단에 접착제를 제거하는 용해유닛과, 위 용해유닛 상에 잉곳블록을 가압하여 자세를 정렬하는 고정유닛을 구비하는 용해부; 위 용해부상에 잉곳블록의 일측으로 노출된 웨이퍼를 낱장으로 인출하는 박리유닛과, 위 박리유닛 상에 웨이퍼의 자세를 측정하는 검출유닛을 구비하는 박리부; 위 세척부와 용해부상에 각각 잉곳블록을 정제수에 침지시키는 담금유닛과, 위 담금유닛 사이에 잉곳블록을 반전시켜 전달하는 운반유닛을 구비하는 이송부; 위 박리부의 하류단에 인출된 웨이퍼를 이송하는 집진컨베이어와, 위 집진컨베이어 상에 웨이퍼의 이물질을 제거하는 집진유닛을 구비하는 집진부; 위 박리부의 하류단에 박리가 완료된 지그를 외부로 배출하는 반출유닛과, 위 집진부의 하류단에 웨이퍼를 카세트에 수납하는 배출유닛을 구비하는 배출부;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.
이때, 본 발명에 의한 위 공급대차는 지그를 수용하는 크기를 가진 대차프레임과, 위 대차프레임의 상단에 잉곳블록이 매달린 상태로 지그를 파지하는 대차핑거와, 잉곳블록을 운반되게 구름 운동하는 바퀴로 구성되고, 위 공급유닛은 지그를 파지하는 공급핑거와, 위 공급핑거로 파지력을 부가하는 공급실린더와, 위 공급핑거를 상하 및 전후로 이동시키는 공급액추에이터로 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 의한 위 세척유닛은 잉곳블록과 정제수를 수용하는 세척조와, 위 세척조로 정제수를 공급하는 세척탱크와, 위 세척조 상에 잉곳블록이 출입하는 입구를 개폐하는 세척도어와, 위 세척조로 드나드는 잉곳블록으로 정제수를 분사하는 세척노즐로 구성되고, 위 보조유닛은 잉곳블록으로 20~60Mhz의 초음파를 방사하는 진동자와, 정제수로 4~6Kgf/cm2 공기를 주입하여 기포를 발생시키는 공기노즐로 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 의한 위 용해유닛은 잉곳블록과 정제수를 수용하는 용해조와, 위 용해조로 정제수를 80~98℃로 가열시켜 공급하는 용해탱크와, 위 용해조 상에 지그를 지지하는 거치대로 구성되고, 위 고정유닛은 용해유닛 상에 잉곳블록을 가압하는 하나 이상의 고정핑거와, 위 고정핑거로 가압력을 부가하는 고정실린더와, 위 고정핑거를 잉곳블록의 길이방향으로 이동시키는 고정액추에이터로 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 의한 위 박리유닛은 웨이퍼의 직경을 포용하는 크기를 가진 안내판과, 위 안내판을 웨이퍼의 노출면으로 이동시키는 박리액추에이터와, 위 안내판 상에 웨이퍼의 노출면을 흡착하는 흡착핑거와, 위 흡착핑거를 상하 및 좌우로 이동시키는 인출액추에이터로 구성되고, 위 검출유닛은 박리유닛 상에 웨이퍼의 중심을 교차하는 수직선과 수평선을 기준으로 수직선과 일치하며 수평선의 하측에 위치하는 피칭센서와, 수평선과 평행하며 수직선의 양측에 위치하는 둘 이상의 요잉센서로 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 의한 위 담금유닛은 지그를 거치하는 포크와, 위 포크를 상하로 유동시키는 담금실린더로 구성되고, 위 운반유닛은 지그를 파지하는 운반핑거와, 위 운반핑거에 파지력을 부가하는 가압실린더와, 위 운반핑거를 90°로 회전시키는 반전실린더와, 위 운반핑거를 좌우로 이동시키는 운반액추에이터로 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 의한 위 집진컨베이어는 웨이퍼를 이송하는 집진롤러와, 위 집진롤러에 이송력을 부가하는 하나 이상의 집진모터로 구성되고, 위 집진유닛은 집진컨베이어 상에 웨이퍼의 외면으로 정제수를 분사하는 집진노즐과, 웨이퍼의 외면을 문지르는 브러시와, 웨이퍼로 고온의 공기를 분사하여 수분을 제거하는 건조노즐로 구성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명에 의한 위 반출유닛은 지그를 파지하는 반출핑거와, 위 반출핑거에 파지력을 부가하는 반출실린더와, 위 반출핑거를 상하 및 전후로 이동시키는 반출액추에이터로 구성되고, 위 배출유닛은 웨이퍼를 정렬 이송하는 배출컨베이어와, 위 배출컨베이어의 하류단에 카세트를 지지하는 배출테이블과, 위 배출컨베이어와 배출테이블 사이에 웨이퍼를 파지하며 회전하는 배출 암으로 구성되는 것을 특징으로 하는 한다.
상술한 구성으로 이루어지는 본 발명에 의하면, 다음과 같은 효과를 제공한다.
첫째, 잉곳블록의 이물질과 접착제를 제거하는데 이어 웨이퍼를 분리하고 카세트에 수납하는 일련의 과정을 자동적으로 처리하여 생산성 향상과 공수를 절감함과 함께 품질을 향상하고 불량은 최소화할 수 있다.
둘째, 잉곳블록을 정제수로 세척하는 과정에서 잉곳블록으로 초음파로 진동을 부가하고, 기포를 충돌시켜 세척효율 향상함은 물론, 분리된 웨이퍼를 정제수로 세척하고 브러시로 문지르는데 이어 수분을 증발시키는 건조과정을 거침에 따라 우수한 품질을 보장할 수가 있다.
셋째, 잉곳블록으로부터 웨이퍼를 분리하는 과정에서 지그에 고정된 웨이퍼의 자세를 검출하고, 검출된 자세에 따라 웨이퍼를 능동적으로 파지함에 따라 전반적인 분리의 정밀성을 향상시켜 원활한 처리를 기대할 수 있다.
도 1은 본 발명에 따른 웨이퍼의 분리방법을 전체적으로 나타내는 순서도.
도 2 및 도 3은 본 발명에 따른 분리방법의 세척공정을 나타내는 상세도.
도 4는 본 발명에 따른 분리방법의 용해공정을 나타내는 상세도.
도 5 내지 도 8은 본 발명에 따른 분리방법의 박리공정을 나타내는 상세도.
도 9는 본 발명에 따른 분리방법의 집진공정을 나타내는 상세도.
도 10은 본 발명에 따른 분리방법의 배출공정을 나타내는 상세도.
도 11 및 도 12는 본 발명에 따른 장치를 전체적으로 나타내는 구성도.
도 13 및 도 14는 본 발명에 따른 장치의 공급부를 나타내는 상세도.
도 15는 발명에 따른 장치의 세척부를 나타내는 상세도.
도 16 및 도 17은 본 발명에 따른 장치의 용해부를 나타내는 상세도.
도 18은 본 발명에 따른 장치의 정제수를 공급하는 탱크를 나타내는 상세도.
도 19 내지 도 22는 본 발명에 따른 장치의 박리부를 나타내는 상세도.
도 23 내지 도 26은 본 발명에 따른 장치의 이송부를 나타내는 상세도.
도 27은 본 발명에 따른 장치의 집진부를 나타내는 상세도.
도 28 내지 도 30은 본 발명에 따른 장치의 배출부를 나타내는 상세도.
이하, 첨부도면을 참고하여 본 발명의 구성 및 이로 인한 작용, 효과에 대해 일괄적으로 기술하기로 한다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라, 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 그리고 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.
본 발명의 일면은 성형된 잉곳이 지그(G)에 접착제로 고정되고, 설정 웨이퍼(W) 두께로 절단된 잉곳블록(B)으로부터 웨이퍼(W)를 낱장으로 분리하는 방법에 관련되며 도 1처럼 세척공정(S10), 용해공정(S20), 박리공정(S30), 집진공정(S40), 박리공정(S50)을 순차적으로 거쳐 웨이퍼(W)를 제품화하는 것을 주요 구성으로 하는 반도체 웨이퍼의 낱장분리방법이다.
-세척공정(S10)-
세척공정(S10)은 잉곳블록(B)을 정제수에 침지시켜 이물질을 제거한다. 이러한 세척공정(S10)은 도 2 및 도 3처럼 전처리 단계(S11)와 본처리 단계(S12) 및 후처리 단계(S13)로 이루어진다.
전처리 단계(S11)는 도 2와 같이 준비된 잉곳블록(B)을 상온의 정제수가 담긴 욕조에 침지하는 과정에서 정세수를 분사하여 이물질을 불림한다. 그리고 본처리 단계(S12)는 도 3처럼 잉곳블록(B)을 정제수에 침지시켜 이물질을 제거한다. 마지막으로 후처리 단계(S13)는 잉곳블록(B)을 욕조로부터 배출하는 중 도 2와 같이 정세수를 재 분사하여 잔류하는 이물질을 탈리한다.
여기서 본처리 단계(S12)는 정제수로 20~60Mhz의 초음파를 방사하고, 4~6Kgf/cm2 공기를 주입한다. 즉, 초음파는 잉곳블록(B)에 진동을 부가하고, 공기로 인해 발생한 기포는 잉곳블록(B)과 충돌되면서 이물질의 탈리를 유도한다. 따라서 잉곳블록(B)의 전반적인 세척효율을 향상할 수가 있다.
-용해공정(S20)-
용해공정(S20)은 지그(G)와 잉곳블록(B) 사이에 고착된 접착제를 용해한다. 이러한 용해공정(S20)은 도 4처럼 준비단계(S21)와 용해단계(S22) 및 고정단계(S23)로 이루어진다.
준비단계(S21)는 접착제의 점성을 낮춰 용해하기 위한 정제수를 80~98℃로 가열하는 과정이다. 이러한 준비단계(S21)는 정제수가 담긴 욕조에서 직접 가열할 수도 있고, 정제수를 대량 저장하는 탱크에서 가열한 다음, 욕조로 공급 및 순환할 수도 있다.
용해단계(S22)는 도 3과 같이 가열된 정제수가 담긴 욕조에 잉곳블록(B)을 침지시켜 접착제를 용해하는 과정이다. 여기서 정제수가 지그(G)의 최상단으로부터 3~5mm 높이의 수표로 침지시키는 것이 바람직하다.
고정단계(S23)는 욕조에 잉곳블록(B)에 침지가 완료되는 즉시 잉곳블록(B)의 상단을 가압하여 구속한다. 즉, 잉곳블록(B)이 욕조에 침지된 이후 약 10~20분 정도가 되면, 접착제의 용해로 인해 지그(G)와 잉곳블록(B)과의 고정이 상실된다.
따라서 웨이퍼(W)가 기울거나 쓰러지는 것을 방지시켜 지그(G)에 고정된 자세를 유지시켜 주는 것이 중요하다. 여기서 잉곳블록(B)의 상단만을 가압하는 것으로 도시하였으나, 일측 또는 양측에도 고정하는 것이 좋다.
-박리공정(S30)-
박리공정(S30)은 접착제가 용해된 잉곳블록(B)의 웨이퍼(W)를 낱장씩 인출한다. 이러한 박리공정(S30)은 도 5 내지 도 7처럼 검출단계(S31)와 파지단계(S32) 및 구속단계(S33) 그리고 인출단계(S34)로 이루어진다.
먼저, 검출단계(S31)는 도 5a처럼 잉곳블록(B)의 일측에 노출되어 인출대상 웨이퍼(W)의 자세를 측정하고, 파지단계(S32)는 도 6과 같이 검출된 웨이퍼(W)의 노출면을 핑거가 진입하며 흡착한다. 그리고 구속단계(S33)는 흡착된 웨이퍼(W)와 인접하는 타측 웨이퍼(W)의 상단을 가로막아 유동을 저지하고, 인출단계(S34)는 흡착된 웨이퍼(W)를 상승시켜 지그(G)로부터 분리한다.
여기서 잉곳블록(B)에 나열된 웨이퍼(W)끼리는 서로 밀착된 상태가 아니라 절단 날의 두께만큼 이격된 상태를 가지는데, 접착제의 용해로 인해 도 5c와 같이 불가피하게 두께만큼 기울어질 수밖에 없다.
즉, 검출단계(S31)는 도 5b처럼 웨이퍼(W)의 중심을 교차하는 수직선(C1)과 수평선(C2)을 기준으로 적어도 수직선(C1)과 일치하며 수평선(C)의 하측에 위치하는 기준점(P1)과, 수평선(C)과 평행하며 수직선(C1)의 양측에 위치하는 둘 이상의 보조점(P2)(P3)에 대해 설정된 기준면(C3)과의 거리(D)를 각각 측정하여 웨이퍼(W)의 자세를 분석한다.
여기서 기준점(P1)과 보조점(P2)(P3)은 웨이퍼(W)와 직접적으로 접촉하는 스위치타입 또는 비접촉하는 광이나 도플러원리를 이용한 레이더 타입으로 구성하여 거리(D)를 측정할 수 있다. 이러한 기준점(P1)은 수평선(C2)을 기준으로 웨이퍼(W)의 피칭상태를 측정하고, 보조점(P2)(P3)은 잉곳블록(B)의 수직선(C1)을 기점으로 웨이퍼(W)의 요잉상태를 측정한다.
예컨대 도 5c와 같이 기준점(P1) 대비 보조점(P2)(P3)의 거리가 먼 것으로 측정되면, 웨이퍼(W)가 잉곳블록(B)의 길이방향으로 기울어진 자세로 판단된다. 이러한 자세로 판단되면, 웨이퍼(W)의 기준점(P1)과 보조점(P2)(P3)의 거리(D)가 같거나 유사할 때까지 도 6의 파지단계(S32)에서 핑거의 진입과 진출을 반복시키고, 웨이퍼(W)의 자세가 올바른 상태로 교정되는 즉시 핑거가 웨이퍼(W)를 흡착하는 신호를 전달한다.
물론, 웨이퍼(W)의 기준점(P1)과 보조점(P2)(P3)의 거리(D)가 같거나 유사할 때까지 파지단계(S32)에서 핑거의 자세를 웨이퍼(W)의 자세와 동일한 기울기로 틸팅시켜 웨이퍼(W)를 흡착하는 신호를 전달할 수도 있다. 따라서 인출하는 과정에서 웨이퍼(W)의 파손이나 불량을 방지할 수가 있다.
한편, 박리공정(S30)은 검출단계(S31) 내지 인출단계(S34)를 반복하여 지그(G)로부터 웨이퍼(W)의 인출이 완료되면, 도 8과 같이 지그(G)를 외부로 배출하는 반출단계(S35)를 더 거친다.
-집진공정(S40)-
집진공정(S40)은 인출된 웨이퍼(W)에 잔류하는 이물질과 수분을 제거한다. 이러한 집진공정(S40)은 도 9처럼 세척단계(S41)와 연마단계(S42) 및 건조단계(S43)로 이루어진다.
세척단계(S41)는 인출된 웨이퍼(W)를 이송하는 과정에서 도 9a와 같이 웨이퍼(W)의 외면으로 정제수를 분사하여 이물질을 제거하고, 연마단계(S42)는 도 9b처럼 웨이퍼(W)의 외면으로 브러시로 문질러 고착된 이물질을 탈리하며, 건조단계(S43)는 도 9c와 같이 웨이퍼(W)로 고온의 공기를 분사하여 잔류하는 수분을 제거한다.
-배출공정(S50)-
배출공정(S50)은 이물질이 제거된 웨이퍼(W)를 카세트에 하나 이상 수납하여 제품화 한다. 즉, 배출공정(S50)은 도 10과 같이 웨이퍼(W)를 파지하는 핑거가 흡착하고, 카세트로 이동시켜 차례대로 수납한다. 웨이퍼(W)의 수납이 완료된 카세트는 후속하는 공정을 위해 안전하게 보관할 수 있도록 포장과정을 거치는 것이 좋다.
본 발명의 다른 면은 성형된 잉곳이 지그(G)에 접착제로 고정되고, 설정 웨이퍼(W) 두께로 절단된 잉곳블록(B)으로부터 웨이퍼(W)를 낱장으로 분리시켜 제품화하는 장치에 관련되며, 도 11 및 도 12처럼 공급대차(10)와 공급유닛(15)로 구성된 공급부, 세척유닛(20)과 보조유닛(25)으로 구성된 세척부, 용해유닛(30)과 고정유닛(35)으로 구성된 용해부, 박리유닛(40)과 검출유닛(45)으로 구성된 박리부 그리고 담금유닛(50)과 운반유닛(55)으로 구성된 이송부, 집진컨베이어(60)와 집진유닛(65)으로 구성된 집진부, 반출유닛(70)과 배출유닛(75)으로 구성된 배출부로 이루어진 반도체 웨이퍼를 낱장으로 분리하는 자동화 장치이다.
본 발명의 자동화 장치는 도 12를 기준으로 좌측 하단에서 전방 그리고 좌측에서 우측으로 공급부, 세척부, 용해부, 박리부, 집진부, 배출부가 순서대로 배치되고, 이들을 가로지르는 이송부가 배치된 구조를 가진다. 물론, 이송부를 중심으로 공급부, 세척부, 용해부, 박리부, 집진부, 배출부를 방사형으로 배치할 수도 있다. 따라서 본 발명에서 언급하는 '하류단' 이란 특정 위치를 지칭하는 것이 아니라 공정의 흐름에 따른 경로를 일컫는다.
공급부는 준비된 잉곳블록(B)을 후술하는 세척부로 공급하는 것으로, 도 11 및 도 12처럼 공급대차(10)와 공급유닛(15)으로 이루어진다. 공급대차(10)는 도 13 및 도 14와 같이 잉곳블록(B)이 고정된 지그(G)를 설정 높이로 운반하고, 공급유닛(15)은 공급대차(10)에 로드된 잉곳블록(B)을 하류단으로 이송한다.
이러한 공급대차(10)는 도 14a처럼 지그(G)를 수용하는 크기를 가진 대차프레임(11)과, 대차프레임(11)의 상단에 잉곳블록(B)이 매달린 상태로 지그(G)를 파지하는 대차핑거(12)와, 잉곳블록(B)을 운반되게 구름 운동하는 바퀴(13)로 구성된다.
그리고 공급유닛(15)은 도 14b와 같이 지그(G)를 파지하는 공급핑거(16)와, 공급핑거(16)로 파지력을 부가하는 공급실린더(17)와, 공급핑거(16)를 상하 및 전후로 이동시키는 공급액추에이터(18)로 구성된다.
즉, 공급대차(10)가 지그(G)를 파지한 상태로 공급유닛(15)의 내부로 진입하면, 공급유닛(15)은 지그(G)를 파지한 상태로 상승하여 후술하는 담금유닛(50)으로 후진한다.
세척부는 공급부의 하류단에 잉곳블록(B)을 세척하는 것으로, 도 11 및 도 12처럼 세척유닛(20)과 보조유닛(25)으로 이루어진다. 세척유닛(20)은 도 15와 같이 잉곳블록(B)을 정제수에 침지시켜 이물질을 제거하고, 보조유닛(25)은 세척유닛(20)상에 잉곳블록(B)으로 진동과 자극을 부가한다.
이러한 세척유닛(20)은 잉곳블록(B)과 상온의 정제수를 수용하는 세척조(21)와, 세척조(21)의 상단에 잉곳블록(B)이 출입하는 입구를 개폐하는 세척도어(23)와, 세척조(21)의 내부 상단에 잉곳블록(B)으로 정제수를 분사하는 세척노즐(24)로 구성된다. 여기서 세척유닛(20)은 도 18과 같이 정제수를 대량으로 저장하는 세척탱크(22)를 구성한다. 이러한 세척탱크(22)는 세척조(21) 및 세척노즐(24)과 배관으로 연결되고, 정제수를 소정의 압력으로 공급하는 세척펌프(22a)를 구비한다.
그리고 보조유닛(25)은 세척조(21)내에 장착되어 정제수에 침지된 잉곳블록(B)으로 20~60Mhz의 초음파를 방사하는 진동자(26)와, 세척조(21)의 하부에 정제수로 4~6Kgf/cm2 공기를 주입하여 기포를 발생시키는 공기노즐(27)로 구성된다.
즉, 후술하는 담금유닛(50)에 의해 잉곳블록(B)이 세척조(21)내에 하강하는 과정에서 세척노즐(24)이 정제수를 분사하여 이물질을 제거하고, 잉곳블록(B)이 정제수에 침지된 상태에서 진동자(26)와 공기노즐(27)이 작동하여 잉곳블록(B)으로 초음파에 의한 진동과 기포에 의한 자극을 발생시켜 이물질을 제거한다.
용해부는 세척부의 하류단에 잉곳블록(B)의 접착제를 제거하는 것으로, 도 11 및 도 12처럼 용해유닛(30)과 고정유닛(35)으로 이루어진다. 용해유닛(30)은 도 16 및 도 17과 같이 잉곳블록(B)을 가열된 정제수에 침지시켜 접착제를 제거하고, 고정유닛(35)은 용해유닛(30)상에 잉곳블록(B)을 가압하여 자세를 정렬한다.
이러한 용해유닛(30)은 잉곳블록(B)과 정제수를 수용하는 용해조(31)와, 용해조(31)상에 지그(G)를 지지하는 거치대(33)로 구성되다. 여기서 용해유닛(30)은 도 18과 같이 정제수를 대량으로 저장하는 용해탱크(32)를 구성한다. 이러한 용해탱크(32)는 용해조(31)와 배관으로 연결되고, 정제수를 소정의 압력으로 공급하는 세척펌프(32a)와, 내부에 정제수를 80~98℃로 가열하는 히터(32b)를 구비한다.
그리고 고정유닛(35)은 용해조(31)에 투입된 잉곳블록(B)을 가압하는 하나 이상의 고정핑거(36)와, 고정핑거(36)로 가압력을 부가하는 고정실린더(37)와, 고정핑거(36)를 잉곳블록(B)의 길이방향으로 이동시키는 고정액추에이터(38)로 구성된다. 이때, 고정유닛(35)은 도 16a와 같이 잉곳블록(B)의 일측을 지지하는 거치유닛(39)을 더 구성할 수도 있다.
즉, 후술하는 담금유닛(50)에 의해 잉곳블록(B)이 거치대(33)에 하강되면, 도 17처럼 고정핑거(36)가 잉곳블록(B)의 상단을 가압시켜 고정한다. 그리고 용해탱크(32)로부터 가온된 정제수가 용해조(31)에 공급되어 잉곳블록(B)을 침지시킨다. 여기서 세척부와 달리 지그(G)와 잉곳블록(B) 사이에 위치하는 접착제의 높이까지만 침지되게 공급된다.
물론, 용해조(31)에 정제수가 미리 공급된 상태에서 잉곳블록(B)이 투입될 수도 있다. 어느 경우에나 가온된 정제수는 소정 시간동안 접착제를 용해시켜 지그(G)와 잉곳블록(B)과의 고정을 상실시켜준다.
박리부는 용해부의 하류단에 잉곳블록(B)으로부터 웨이퍼(W)를 낱장으로 인출하는 것으로, 도 11 및 도 12처럼 박리유닛(40)과 검출유닛(45)으로 이루어진다. 박리유닛(40)은 도 19와 같이 용해조(31)에 고정된 잉곳블록(B)에 접근하여 웨이퍼(W)를 낱장으로 인출하고, 검출유닛(45)은 박리유닛(40)상에 인출하려는 웨이퍼(W)의 자세를 측정한다.
이러한 박리유닛(40)은 웨이퍼(W)의 직경을 포용하는 크기를 가진 안내판(41)과, 안내판(41)을 웨이퍼(W)의 노출면으로 이동시키는 박리액추에이터(42)와, 안내판(41)상에 웨이퍼(W)의 노출면을 흡착하는 흡착핑거(43)와, 흡착핑거(43)를 상하 및 좌우로 이동시키는 인출액추에이터(44)로 구성된다.
여기서 안내판(41)은 도 20a와 같이 흡착핑거(43)가 드나들며 상하로 통과시켜 웨이퍼(W)의 인출경로를 제공하는 안내홀(41a)이 형성되고, 도 20b처럼 상단에 흡착된 웨이퍼(W)와 인접하는 타측 웨이퍼(W)의 상단을 가로막아 유동을 저지하는 고정대(41b)가 부착된다. 또한, 고정대(41b)에는 웨이퍼(W)의 유무를 감지하는 센서도 부착된다.
그리고 검출유닛(45)은 안내판(41)상에 웨이퍼(W)의 중심을 교차하는 수직선(C1)과 수평선(C2)을 기준으로 수직선(C1)과 일치하며 수평선(C2)의 하측에 위치하는 피칭센서(46)와, 수평선(C2)과 평행하며 수직선(C1)의 양측에 위치하는 둘 이상의 요잉센서(47)로 구성된다. 이때, 피칭센서(46)와 요잉센서(47)는 안내판(41)으로부터 웨이퍼(W)간의 거리를 측정하는 것으로, 접촉방식 또는 비접촉방식으로 구성된다.
즉, 인출을 위해 안내판(41)이 웨이퍼(W)로 접근하는 과정에서 피칭센서(46)와 요잉센서(47)가 웨이퍼(W)의 자세를 판단한다. 예컨대 접촉방식의 경우 피칭센서(46)와 요잉센서(47)가 웨이퍼(W)와 동시에 접촉할 경우 웨이퍼(W)의 자세가 수직으로 기립한 올바른 상태로 판단한다.
이 경우 도 21과 같이 흡착핑거(43)가 웨이퍼(W)로 진입 및 흡착한 다음, 안내판(41)으로부터 상승하여 웨이퍼(W)를 외부로 인출한다. 상승된 웨이퍼(W)는 흡착핑거(43)와 대향하는 위치에서 대기하던 수취핑거(43a)로 전달하고, 수취핑거(43a)는 후술하는 집진컨베이어(60)로 전달한다.
만일 인출을 위해 안내판(41)이 웨이퍼(W)로 접근하는 과정에서 도 20b와 같이 피칭센서(46)와 요잉센서(47) 중 어느 하나만이 접촉한 경우 웨이퍼(W)의 자세가 기울어진 상태로 판단한다.
이 경우 피칭센서(46)와 요잉센서(47)가 동시에 접촉할 때까지 안내판(41)을 웨이퍼(W)로 접근시키거나 진입과 진출을 반복시켜 웨이퍼(W)를 올바른 자세를 가지도록 자동으로 교정한다. 교정이 완료되는 즉시 앞에서 언급한 흡착핑거(43)를 통해 웨이퍼(W)를 인출한다.
물론, 웨이퍼(W)의 피칭센서(46)와 요잉센서(47)가 동시에 접촉할 때까지 안내판(41)의 자세를 웨이퍼(W)의 자세와 동일한 기울기로 틸팅시켜 흡착핑거(43)를 통해 웨이퍼(W)를 인출할 수도 있다. 따라서 인출하는 과정에서 웨이퍼(W)의 파손이나 불량을 방지할 수가 있다.
이송부는 세척부와 용해부를 가로지르는 위치에 각각 배치되어 잉곳블록(B)을 이송하는 것으로, 도 11 및 도 12처럼 담금유닛(50)과 운반유닛(55)으로 이루어진다. 담금유닛(50)은 도 23 및 도 24와 같이 세척조(21)와 용해조(31)상에 각각 배치되어 잉곳블록(B)을 정제수에 침지시키고, 운반유닛(55)은 도 25 및 도 26과 같이 담금유닛(50) 사이에 배치되어 잉곳블록(B)을 반전시켜 전달한다.
이러한 담금유닛(50)은 세척조(21)와 용해조(31)상에 지그(B)를 거치하는 포크(51)와, 포크(51)를 상하로 유동시키는 담금실린더(52)로 구성된다. 그리고 운반유닛(55)은 지그(B)를 파지하는 운반핑거(56)와, 운반핑거(56)에 파지력을 부가하는 가압실린더(57)와, 운반핑거(56)를 90°로 회전시키는 반전실린더(58)와, 운반핑거(56)를 좌우로 이동시키는 운반액추에이터(59)로 구성된다.
즉, 공급유닛(15)이 잉곳블록(B)의 지그(B)를 파지한 상태에서 세척조(21)의 포크(51)에 거치하면, 도 23과 같이 담금실린더(52)가 포크(51)를 하강시켜 잉곳블록(B)을 세척조(21)에 투입한다. 세척이 완료되면 담금실린더(52)가 포크(51)를 상승시켜 본래의 위치로 복귀한다.
그리고 운반핑거(56)가 포크(51)에 거치된 잉곳블록(B)의 지그(G)를 파지하고, 상승 및 우측으로 이동하여 용해조(31)의 포크(51)에 거치한다. 이 과정에서 반전실린더(58)가 운반핑거(56)를 90°로 회전시켜 잉곳블록(B)의 하부에 지그(G)가 위치되도록 반전시킨다.
이어서 운반핑거(56)가 용해조(31)의 포크(51)에 거치하면, 도 24b와 같이 담금실린더(52)가 포크(51)를 하강시켜 잉곳블록(B)을 세척조(21)에 투입한다. 그리고 지그(G)로부터 웨이퍼(W)의 박리가 완료되면, 포크(51)를 재 상승시켜 후술하는 반출유닛(70)이 지그(G)를 외부로 배출되게 유도한다.
집진부는 박리부의 하류단에 인출된 웨이퍼(W)의 이물질을 제거하는 것으로, 도 11 및 도 12처럼 집진컨베이어(60)와 집진유닛(65)으로 이루어진다. 집진컨베이어(60)는 도 27과 같이 용해조(31)와 인접한 위치에 인출된 웨이퍼(W)를 후술하는 배출유닛(75)으로 전달하고, 집진유닛(65)은 집진컨베이어(60)상에 웨이퍼(W)가 이송되는 과정에서 이물질을 제거한다.
이러한 집진컨베이어(60)는 적어도 웨이퍼(W)를 이송하는 복수의 집진롤러(61)와, 집진롤러(61)에 이송력을 부가하는 하나 이상의 집진모터(62)로 구성되고, 집진유닛(65)은 집진컨베이어(60)의 내부에 웨이퍼(W)의 외면으로 정제수를 분사하는 집진노즐(66)과, 웨이퍼(W)의 외면을 문지르는 브러시(67)와, 웨이퍼(W)로 고온의 공기를 분사하여 수분을 제거하는 건조노즐(68)로 구성된다.
즉, 수취핑거(43a)로부터 전달된 웨이퍼(W)는 집진컨베이어(60)에 의해 배출유닛(75)으로 이송되고, 이 과정에서 집진노즐(66)이 웨이퍼(W)의 외면으로 정제수를 분사하여 이물질을 제거함과 함께 브러시(67)가 웨이퍼(W)의 외면을 문질러 고착된 이물질을 탈리한다. 그리고 건조노즐(68)이 웨이퍼(W)로 고온의 공기를 분사하여 집진과정으로 인해 잔류하는 수분을 증발시킨다.
배출부는 박리부와 집진부의 하류단에 지그(G)와 웨이퍼(W)를 배출하는 것으로, 도 11 및 도 12처럼 반출유닛(70)과 배출유닛(75)으로 이루어진다. 반출유닛(70)은 도 28처럼 용해조(31)와 인접하는 위치에 웨이퍼(W)의 박리가 완료된 지그(G)를 외부로 배출하고, 배출유닛(75)은 도 29 및 도 30과 같이 집진컨베이어(60)의 일측에 집진 처리된 웨이퍼(W)를 카세트에 수납한다.
이러한 반출유닛(70)은 포크(51)에 거치된 지그(G)를 파지하는 반출핑거(71)와, 반출핑거(71)에 파지력을 부가하는 반출실린더(72)와, 반출핑거(71)를 상하 및 전후로 이동시키는 반출액추에이터(73)로 구성된다. 즉, 박리유닛(40)에 의해 웨이퍼(W)의 인출이 완료됨과 함께 포크(51)가 상승되고, 반출핑거(71)가 도 28b와 같이 지그(G)를 파지하여 외부로 배출한다.
그리고 배출유닛(75)은 웨이퍼(W)를 정렬 이송하는 배출컨베이어(76)와, 배출컨베이어(76)의 하류단에 카세트를 지지하는 배출테이블(77)과, 배출컨베이어(76)와 배출테이블(77) 사이에 웨이퍼(W)를 파지하며 회전하는 배출 암(78)으로 구성된다. 즉, 집진컨베이어(60)로부터 배출된 웨이퍼(W)는 배출컨베이어(76)에 의해 배출 암(78)의 위치로 이송되고, 배출 암(78)은 웨이퍼(W)를 배출테이블(77)에 배치된 카세트의 내부에 차례대로 수납한다. 여기서 배출유닛(75)은 후속하는 공정으로 운반하는 유닛과, 카세트를 자동으로 포장하는 유닛을 더 구성할 수도 있다.
이와 같이 본 발명은 잉곳블록의 이물질과 접착제 제거에 이어 웨이퍼를 분리하고 카세트에 수납하는 일련의 과정을 자동적으로 처리하여 생산성 향상과 공수를 절감함과 함께 품질을 향상하고 불량은 최소화할 수 있다. 그리고 잉곳블록을 정제수로 세척하는 과정에서 잉곳블록으로 초음파로 진동을 부가하고, 기포를 충돌시켜 세척효율 향상함은 물론, 분리된 웨이퍼를 정제수로 세척하고 브러시로 문지르는데 이어 수분을 증발시키는 건조과정을 거침에 따라 우수한 품질을 보장할 수가 있다. 더불어 잉곳블록으로부터 웨이퍼를 분리하는 과정에서 지그에 고정된 웨이퍼의 자세를 검출하고, 검출된 자세에 따라 웨이퍼를 능동적으로 파지함에 따라 전반적인 분리의 정밀성을 향상시켜 원활한 처리를 기대할 수 있다.
B: 잉곳블록 C1: 수직선
C2: 수평선 C3: 기준면
D: 거리 G: 지그
P1: 기준점 P2, P3: 보조점
W: 웨이퍼 S10: 세척공정
S11: 전처리 단계 S12: 본처리 단계
S13: 후처리 단계 S20: 용해공정
S21: 준비단계 S22: 용해단계
S23: 고정단계 S30: 박리공정
S31: 검출단계 S32: 파지단계
S33: 구속단계 S34: 인출단계
S35: 반출단계 S40: 집진공정
S41: 세척단계 S42: 연마단계
S43: 건조단계 S50: 배출공정
10: 공급대차 11: 대차프레임
12: 대차핑거 13: 바퀴
15: 공급유닛 16: 공급핑거
17: 공급실린더 18: 공급액추에이터
20: 세척유닛 21: 세척조
22: 세척탱크 22a: 세척펌프
23: 세척도어 24: 세척노즐
25: 보조유닛 26: 진동자
27: 공기노즐 30: 용해유닛
31: 용해조 32: 용해탱크
32a: 용해펌프 32b: 히터
33: 거치대 35: 고정유닛
36: 고정핑거 37: 고정실린더
38: 고정액추에이터 39: 거치유닛
40: 박리유닛 41: 안내판
41a: 안내홀 41b: 고정대
42: 박리액추에이터 43: 흡착핑거
43a: 수취핑거 44: 인출액추에이터
45: 검출유닛 46: 피칭센서
47: 요잉센서 50: 담금유닛
51: 포크 52: 담금실린더
55: 운반유닛 56: 운반핑거
57: 가압실린더 58: 반전실린더
59: 운반액추에이터 60: 집진컨베이어
61: 집진롤러 62: 집진모터
65: 집진유닛 66: 집진노즐
67: 브러시 68: 건조노즐
70: 반출유닛 71: 반출핑거
72: 반출실린더 73: 반출액추에이터
75: 배출유닛 76: 배출컨베이어
77: 배출테이블 78: 배출 암

Claims (9)

  1. 성형된 잉곳이 지그(G)에 접착제로 고정되고, 설정 웨이퍼(W) 두께로 절단된 잉곳블록(B)으로부터 웨이퍼(W)를 낱장으로 분리시켜 제품화하는 방법에 있어서:
    준비된 잉곳블록(B)에 정세수를 분사하여 이물질을 불림하는 전처리 단계(S11)와, 잉곳블록(B)을 정제수에 침지시킨 상태에서 정제수로 20~60Mhz의 초음파를 방사하여 잉곳블록(B)에 진동을 부가하고, 정제수에 4~6Kgf/cm2 공기가 주입되어 발생한 기포를 잉곳블록(B)과 충돌시켜 이물질을 제거하는 본처리 단계(S12)와, 잉곳블록(B)에 정세수를 재 분사하여 잔류하는 이물질을 탈리하는 후처리 단계(S13)를 거치는 세척공정(S10);
    세척된 잉곳블록(B)을 정제수에 침지시켜 접착제를 제거하도록 정제수를 80~98℃로 가열하는 준비단계(S21)와, 가열된 정제수가 지그(G)의 최상단으로부터 3~5mm 높이의 수표로 침지하는 용해단계(S22)와, 침지된 잉곳블록(B)의 상단을 가압하여 구속하는 고정단계(S23)를 거치는 용해공정(S20);
    접착제가 용해된 잉곳블록(B)의 일측에 노출된 웨이퍼(W)의 자세를 측정하는 검출단계(S31)와, 검출된 웨이퍼(W)의 노출면을 흡착하는 파지단계(S32)와, 흡착된 웨이퍼(W)와 인접하는 타측 웨이퍼(W)의 유동을 저지하는 구속단계(S33)와, 흡착된 웨이퍼(W)를 지그(G)로부터 분리하는 인출단계(S34)를 반복하여 웨이퍼(W)를 낱장씩 인출을 완료한 다음, 지그(G)를 외부로 배출하는 반출단계(S35)를 거치되, 검출단계(S31)는 웨이퍼(W)의 중심을 교차하는 수직선(C1)과 수평선(C2)을 기준으로 적어도 수직선(C1)과 일치하며 수평선(C)의 하측에 위치하는 기준점(P1)과, 수평선(C)과 평행하며 수직선(C1)의 양측에 위치하는 둘 이상의 보조점(P2)(P3)에 대해 설정된 기준면(C3)과의 거리(D)를 각각 측정하여 웨이퍼(W)의 자세를 분석하는 박리공정(S30);
    인출된 웨이퍼(W)의 외면으로 정제수를 분사하는 세척단계(S41)와, 웨이퍼(W)의 외면으로 브러시로 문지르는 연마단계(S42)와, 웨이퍼(W)로 고온의 공기를 분사하여 수분을 제거하는 건조단계(S43)를 거치는 집진공정(S40);
    이물질이 제거된 웨이퍼(W)를 카세트에 하나 이상 수납하는 배출공정(S50);
    을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 낱장분리방법.
  2. 성형된 잉곳이 지그(G)에 접착제로 고정되고, 설정 웨이퍼(W) 두께로 절단된 잉곳블록(B)으로부터 웨이퍼(W)를 낱장으로 분리시켜 제품화하는 장치에 있어서:
    위 잉곳블록(B)이 고정된 지그(G)를 설정 높이로 운반하도록 지그(G)를 수용하는 크기를 가진 대차프레임(11)과, 위 대차프레임(11)의 상단에 잉곳블록(B)이 매달린 상태로 지그(G)를 파지하는 대차핑거(12)와, 잉곳블록(B)을 운반되게 구름 운동하는 바퀴(13)로 구성되는 공급대차(10)와, 위 공급대차(10)에 로드된 잉곳블록(B)을 하류단으로 이송하도록 지그(G)를 파지하는 공급핑거(16)와, 위 공급핑거(16)로 파지력을 부가하는 공급실린더(17)와, 위 공급핑거(16)를 상하 및 전후로 이동시키는 공급액추에이터(18)로 구성되는 공급유닛(15)을 구비하는 공급부;
    위 공급부의 하류단에 잉곳블록(B)의 이물질을 제거하도록 잉곳블록(B)과 정제수를 수용하는 세척조(21)와, 위 세척조(21)로 정제수를 공급하는 세척탱크(22)와, 위 세척조(21)상에 잉곳블록(B)이 출입하는 입구를 개폐하는 세척도어(23)와, 위 세척조(21)로 드나드는 잉곳블록(B)으로 정제수를 분사하는 세척노즐(24)로 구성되는 세척유닛(20)과, 위 세척유닛(20)상에 잉곳블록(B)으로 진동과 자극을 부가하도록 잉곳블록(B)으로 20~60Mhz의 초음파를 방사하는 진동자(26)와, 정제수로 4~6Kgf/cm2 공기를 주입하여 기포를 발생시키는 공기노즐(27)로 구성되는 보조유닛(25)을 구비하는 세척부;
    위 세척부의 하류단에 접착제를 제거하도록 잉곳블록(B)과 정제수를 수용하는 용해조(31)와, 위 용해조(31)로 정제수를 80~98℃로 가열시켜 공급하는 용해탱크(32)와, 위 용해조(31)상에 지그(G)를 지지하는 거치대(33)로 구성되는 용해유닛(30)과, 위 용해유닛(30)상에 잉곳블록(B)을 가압하여 자세를 정렬하도록 용해유닛(30)상에 잉곳블록(B)을 가압하는 하나 이상의 고정핑거(36)와, 위 고정핑거(36)로 가압력을 부가하는 고정실린더(37)와, 위 고정핑거(36)를 잉곳블록의 길이방향으로 이동시키는 고정액추에이터(38)로 구성되는 고정유닛(35)을 구비하는 용해부;
    위 용해부상에 잉곳블록(B)의 일측으로 노출된 웨이퍼(W)를 낱장으로 인출하도록 웨이퍼(W)의 직경을 포용하는 크기를 가진 안내판(41)과, 위 안내판(41)을 웨이퍼(W)의 노출면으로 이동시키는 박리액추에이터(42)와, 위 안내판(41)상에 웨이퍼(W)의 노출면을 흡착하는 흡착핑거(43)와, 위 흡착핑거(43)를 상하 및 좌우로 이동시키는 인출액추에이터(44)로 구성되는 박리유닛(40)과, 위 박리유닛(40)상에 웨이퍼(W)의 자세를 측정하도록 웨이퍼(W)의 중심을 교차하는 수직선(C1)과 수평선(C2)을 기준으로 수직선(C1)과 일치하며 수평선(C2)의 하측에 위치하는 피칭센서(46)와, 수평선(C2)과 평행하며 수직선(C1)의 양측에 위치하는 둘 이상의 요잉센서(47)로 구성되는 검출유닛(45)을 구비하는 박리부;
    위 세척부와 용해부상에 각각 잉곳블록(B)을 정제수에 침지시키도록 지그(G)를 거치하는 포크(51)와, 위 포크(51)를 상하로 유동시키는 담금실린더(52)로 구성되는 담금유닛(50)과, 위 담금유닛(50) 사이에 잉곳블록(B)을 반전시켜 전달하도록 지그(G)를 파지하는 운반핑거(56)와, 위 운반핑거(56)에 파지력을 부가하는 가압실린더(57)와, 위 운반핑거(56)를 90°로 회전시키는 반전실린더(58)와, 위 운반핑거(56)를 좌우로 이동시키는 운반액추에이터(59)로 구성되는 운반유닛(55)을 구비하는 이송부;
    위 박리부의 하류단에 인출된 웨이퍼(W)를 이송하는 집진롤러(61)와, 위 집진롤러(61)에 이송력을 부가하는 하나 이상의 집진모터(62)로 구성되는 집진컨베이어(60)와, 위 집진컨베이어(60)상에 웨이퍼(W)의 외면으로 정제수를 분사하는 집진노즐(66)과, 웨이퍼(W)의 외면을 문지르는 브러시(67)와, 웨이퍼(W)로 고온의 공기를 분사하여 수분을 제거하는 건조노즐(68)로 구성되는 집진유닛(65)을 구비하는 집진부;
    위 박리부의 하류단에 박리가 완료된 지그(G)를 파지하는 반출핑거(71)와, 위 반출핑거(71)에 파지력을 부가하는 반출실린더(72)와, 위 반출핑거(71)를 상하 및 전후로 이동시키는 반출액추에이터(73)로 구성되는 반출유닛(70)과, 위 집진부의 하류단에 웨이퍼(W)를 카세트에 수납하도록 웨이퍼(W)를 정렬 이송하는 배출컨베이어(76)와, 위 배출컨베이어(76)의 하류단에 카세트를 지지하는 배출테이블(77)과, 위 배출컨베이어(76)와 배출테이블(77) 사이에 웨이퍼(W)를 파지하며 회전하는 배출 암(78)으로 구성되는 배출유닛(75)을 구비하는 배출부;
    를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼를 낱장으로 분리하는 자동화 장치.
  3. 삭제
  4. 삭제
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 삭제
  8. 삭제
  9. 삭제
KR1020180151168A 2018-11-29 2018-11-29 반도체 웨이퍼의 낱장분리방법 및 반도체 웨이퍼를 낱장으로 분리하는 자동화 장치 KR101964568B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180151168A KR101964568B1 (ko) 2018-11-29 2018-11-29 반도체 웨이퍼의 낱장분리방법 및 반도체 웨이퍼를 낱장으로 분리하는 자동화 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180151168A KR101964568B1 (ko) 2018-11-29 2018-11-29 반도체 웨이퍼의 낱장분리방법 및 반도체 웨이퍼를 낱장으로 분리하는 자동화 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR101964568B1 true KR101964568B1 (ko) 2019-04-01

Family

ID=66104401

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180151168A KR101964568B1 (ko) 2018-11-29 2018-11-29 반도체 웨이퍼의 낱장분리방법 및 반도체 웨이퍼를 낱장으로 분리하는 자동화 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101964568B1 (ko)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114570684A (zh) * 2022-04-14 2022-06-03 乐山高测新能源科技有限公司 硅片脱胶处理方法、处理系统及脱胶装置
CN114602917A (zh) * 2022-04-14 2022-06-10 乐山高测新能源科技有限公司 脱胶装置
CN114653638A (zh) * 2022-04-14 2022-06-24 乐山高测新能源科技有限公司 硅片脱胶处理方法、处理系统及脱胶装置
CN115008621A (zh) * 2022-04-14 2022-09-06 乐山高测新能源科技有限公司 硅片生产系统
US11488844B2 (en) 2020-01-31 2022-11-01 Sk Siltron Co., Ltd. First cleaning apparatus, cleaning equipment including the same, and cleaning method
CN115515768A (zh) * 2020-06-01 2022-12-23 爱思开矽得荣株式会社 Asc工序自动化装置
KR102507055B1 (ko) * 2022-10-28 2023-03-07 손귀욱 변위센서를 기반으로 한 웨이퍼 낱장 분리장치
KR102507049B1 (ko) * 2022-10-28 2023-03-07 손귀욱 듀얼 박리 시스템을 기반으로 한 웨이퍼 낱장 분리장치
KR102519871B1 (ko) * 2022-10-28 2023-04-11 손귀욱 반도체 웨이퍼 낱장 분리시스템
CN117038548A (zh) * 2023-10-08 2023-11-10 内蒙古晶环电子材料有限公司 晶片分片装置及晶片检测方法
CN118553675A (zh) * 2024-07-30 2024-08-27 西湖仪器(杭州)技术有限公司 一种应用于碳化硅晶片的剥离设备及其剥离方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100230625B1 (ko) * 1995-09-06 1999-11-15 다구마시로오 웨이퍼처리 시스템
KR19990082824A (ko) * 1998-04-01 1999-11-25 다구마시로오 잉곳슬라이스방법,잉곳제조방법및슬라이스된잉곳의연마장치
KR20110009363A (ko) 2009-07-22 2011-01-28 주식회사 엘지실트론 반도체 웨이퍼 낱장 분리장치 및 그 분리방법
KR20110053573A (ko) * 2009-11-16 2011-05-24 한미반도체 주식회사 웨이퍼 핸들링장치
KR20110086764A (ko) 2008-11-21 2011-07-29 코아 플로우 리미티드 슬라이스된 웨이퍼의 분리를 용이하게 하는 방법 및 장치
KR20120086873A (ko) 2011-01-27 2012-08-06 주식회사 엘지실트론 웨이퍼 분리 장치
JP2014096486A (ja) * 2012-11-09 2014-05-22 Panasonic Corp ウエハ剥離装置およびウエハ剥離方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100230625B1 (ko) * 1995-09-06 1999-11-15 다구마시로오 웨이퍼처리 시스템
KR19990082824A (ko) * 1998-04-01 1999-11-25 다구마시로오 잉곳슬라이스방법,잉곳제조방법및슬라이스된잉곳의연마장치
KR20110086764A (ko) 2008-11-21 2011-07-29 코아 플로우 리미티드 슬라이스된 웨이퍼의 분리를 용이하게 하는 방법 및 장치
KR20110009363A (ko) 2009-07-22 2011-01-28 주식회사 엘지실트론 반도체 웨이퍼 낱장 분리장치 및 그 분리방법
KR20110053573A (ko) * 2009-11-16 2011-05-24 한미반도체 주식회사 웨이퍼 핸들링장치
KR20120086873A (ko) 2011-01-27 2012-08-06 주식회사 엘지실트론 웨이퍼 분리 장치
JP2014096486A (ja) * 2012-11-09 2014-05-22 Panasonic Corp ウエハ剥離装置およびウエハ剥離方法

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11488844B2 (en) 2020-01-31 2022-11-01 Sk Siltron Co., Ltd. First cleaning apparatus, cleaning equipment including the same, and cleaning method
CN115515768A (zh) * 2020-06-01 2022-12-23 爱思开矽得荣株式会社 Asc工序自动化装置
CN114602917B (zh) * 2022-04-14 2023-09-15 乐山高测新能源科技有限公司 脱胶装置
CN115008621A (zh) * 2022-04-14 2022-09-06 乐山高测新能源科技有限公司 硅片生产系统
CN114653638A (zh) * 2022-04-14 2022-06-24 乐山高测新能源科技有限公司 硅片脱胶处理方法、处理系统及脱胶装置
CN114602917A (zh) * 2022-04-14 2022-06-10 乐山高测新能源科技有限公司 脱胶装置
CN114570684A (zh) * 2022-04-14 2022-06-03 乐山高测新能源科技有限公司 硅片脱胶处理方法、处理系统及脱胶装置
CN114653638B (zh) * 2022-04-14 2023-09-15 乐山高测新能源科技有限公司 硅片脱胶处理方法、处理系统及脱胶装置
KR102507055B1 (ko) * 2022-10-28 2023-03-07 손귀욱 변위센서를 기반으로 한 웨이퍼 낱장 분리장치
KR102507049B1 (ko) * 2022-10-28 2023-03-07 손귀욱 듀얼 박리 시스템을 기반으로 한 웨이퍼 낱장 분리장치
KR102519871B1 (ko) * 2022-10-28 2023-04-11 손귀욱 반도체 웨이퍼 낱장 분리시스템
CN117038548A (zh) * 2023-10-08 2023-11-10 内蒙古晶环电子材料有限公司 晶片分片装置及晶片检测方法
CN117038548B (zh) * 2023-10-08 2024-02-13 内蒙古晶环电子材料有限公司 晶片分片装置及晶片检测方法
CN118553675A (zh) * 2024-07-30 2024-08-27 西湖仪器(杭州)技术有限公司 一种应用于碳化硅晶片的剥离设备及其剥离方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101964568B1 (ko) 반도체 웨이퍼의 낱장분리방법 및 반도체 웨이퍼를 낱장으로 분리하는 자동화 장치
KR101922262B1 (ko) 박리 장치, 박리 시스템 및 박리 방법
JP6456177B2 (ja) ウェーハ処理システム
KR101900113B1 (ko) 박리 장치, 박리 시스템 및 박리 방법
KR100197090B1 (ko) 반도체 웨이퍼의 제조방법 및 그 시스템
KR20200043327A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법
JP3377161B2 (ja) ウエハの処理システム
JP7504596B2 (ja) ウェーハ剥離洗浄装置
KR102519871B1 (ko) 반도체 웨이퍼 낱장 분리시스템
KR20110023026A (ko) 태양전지용 웨이퍼의 카세트 이송장치 및 이를 이용한 태양전지용 웨이퍼의 텍스처 처리장치
KR20150126282A (ko) 세정 장치, 박리 시스템, 세정 방법 및 컴퓨터 판독 가능 기억 매체
JPH0276227A (ja) 基板の洗浄乾燥方法及びその装置
JP5493887B2 (ja) 単結晶ブロックの洗浄装置及び洗浄方法
JP6621949B1 (ja) ウェーハ剥離洗浄装置
KR100637401B1 (ko) 로봇 척 세정조 겸용 기판 린스조, 이를 포함하는 습식세정 장치 및 기판 세정 방법
CN111341694A (zh) 晶片制造装置
JPH0521406A (ja) 多連式全自動ウエハーポリツシング装置とポリツシング方法
JPH04332129A (ja) 被洗浄体の移載方法及びその装置並びに被移載体の位置決め装置
JP2000036527A (ja) 基板搬送処理装置及び基板搬送処理方法
KR102720900B1 (ko) 웨이퍼 박리 세정 장치
KR100276671B1 (ko) 엘씨디기판용 자동청소시스템 및 엘씨디기판의 자동청소방법
KR102619218B1 (ko) 절삭 장치
JP3954664B2 (ja) 洗浄装置
JP2006073573A (ja) ストッカ付ウエーハ洗浄装置
JP2000077363A (ja) 切削方法

Legal Events

Date Code Title Description
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant