KR20160018695A - 세정 방법 및 세정 장치 - Google Patents

Abstract

[과제]
반도체 기판 등의 피세정 부재를 세정할 때에, 그 세정 매체 중에 섞이는 피세정물의 재부착을 억제할 수 있는 동시에, 높은 처리 능력을 실현할 수 있는 방법 및 그 장치를 제공한다.
[해결수단]
처리액(2)으로 채운 처리조(11) 내에 복수의 피세정 부재(1)를 가라앉히고, 그 상태를 유지하면서, 처리조(11)에 채운 처리액(2)과 동일한 처리액(2)을 복수의 피세정 부재(1)를 향하여 분사하는 분사 스텝 B와, 복수의 피세정 부재(1)를 가라앉힌 처리조(11) 내의 처리액(2)과, 복수의 피세정 부재(1)를 향하여 분사한 처리액(2)을 배출할 때에, 복수의 피세정 부재(1)를 처리액(2)에 가라앉힌 상태를 유지하면서 처리조(11) 내로부터 처리액(2)을 배출하기 위하여, 처리액(2)을 계속해서 분사시키면서 배출하는 배출 스텝 C,를 갖는 방법에 의해 상기 과제를 해결한다.

Description

세정 방법 및 세정 장치{CLEANING METHOD AND CLEANING DEVICE}

본 발명은 반도체 기판 등의 피세정 부재의 세정 방법 및 세정 장치에 관한 것이다. 더 상세하게는, 샤워에 의한 세정 매체의 도입과, 도입된 세정 매체의 도출을 제어하여 반도체 기판 등의 피세정 부재를 세정할 때에 그 세정 매체 중에 섞이는 피세정물의 재부착을 억제할 수 있는 세정 방법 및 세정 장치에 관한 것이다.

반도체 기판 위에 금속 박막 패턴을 제작하는 방법의 하나로 리프트 오프법이 있다. 리프트 오프법은 반도체 기판 위에 레지스트 패턴을 형성한 후, 추가로 금속 박막을 형성하고, 그 후, 반도체 기판 위에 형성된 레지스트 패턴과 그 레지스트 패턴 위에 형성된 금속 박막을 동시에 박리함으로써 금속 박막 패턴을 제작하는 방법이다.

이러한 리프트 오프법에 사용할 수 있는 레지스트 패턴과 금속 박막의 박리 수단으로서, 1매마다의 매엽(枚葉) 처리가 행해지고 있다. 예를 들어 특허문헌 1에서는, 반도체 기판을 1매마다 회전시키면서 레지스트 박리액을 도포하고, 이어서 반도체 기판을 회전시키면서 노즐로부터 처리액을 분사함으로써, 레지스트를 팽윤시키고, 레지스트와 레지스트 위에 형성된 금속 박막을 동시에 박리하는 매엽 처리 기술이 제안되어 있다. 이 매엽 처리 기술에서는, 금속 박막을 반도체 기판의 외부로 배출하기 위해, 또는 반도체 기판의 표면이 건조되는 것을 방지하기 위해, 순수 등의 린스액을 반도체 기판 위에 공급하고 있다. 그러나, 이 매엽 처리 기술에서는 레지스트를 팽윤시켜서 박리하기 위한 처리액과 금속 박막을 외부로 배출하기 위한 린스액이 충돌하여, 양쪽 액의 액적이나 미스트가 발생한다는 문제가 있었다. 이 문제는 반도체 기판으로부터 박리한 불필요한 금속 박막이 다시 반도체 기판에 재부착한다는 문제를 일으킨다.

이러한 문제에 대하여, 특허문헌 2에서는, 회전하고 있는 반도체 기판의 표면을 흐르는 린스액을 밀어내어, 린스액이 분사 노즐로부터 분사된 처리액에 충돌하는 것을 방지하는 기체를 분사하는 기체 토출 노즐을 형성하는 매엽 처리 기술이 제안되어 있다. 이 매엽 처리 기술에서는 기체 토출 노즐로부터 기체를 분사시켜서 린스액을 밀어내어 처리액과 린스액의 충돌을 방지하므로, 처리액과 린스액이 충돌함으로써 발생하는 액적 및 미스트의 비산을 방지할 수 있다고 되어 있다.

한편, 리프트 오프법에서의 레지스트 패턴과 금속 박막의 기타 박리 수단으로서, 배치(Batch) 매엽 처리가 행해지고 있다. 배치 매엽 처리는, 상기와 같은 1매마다의 매엽 처리와는 달리, 복수매의 반도체 기판을 카세트에 수납하여 배치 처리로 박리조에 침지하고, 조의 측면이나 이면으로부터 초음파를 가하여 레지스트를 팽윤시키고, 그 후, 반도체 기판을 1매씩 카세트로부터 꺼내어, 스핀 척(spin chuck)에 유지하여 회전시키면서 제트 수류를 분사함으로써, 레지스트 패턴과 레지스트 패턴 위의 금속 박막을 동시에 제거하는 기술이다.

이 배치 매엽 처리 기술에서는, 반도체 기판의 최근의 대구경화에 따라 전부의 반도체 기판에 균일하게 초음파를 가하는 것은 어렵고, 레지스트의 팽윤 효과가 고르지 못하는 경우가 있었다. 또한, 박리조를 오버 플로우 구조로 형성하면, 박리된 금속 박막이 조 내에 부유(浮遊)하여, 반도체 기판을 박리조에서 꺼낼 때에 반도체 기판에 재부착되는 경우가 있었다. 그 때문에, 반도체 기판을 스핀 척에 흡착시켜 세정하기 전에, 반도체 기판의 이면을 미리 세정해야 했었다.

이러한 문제에 대하여, 특허문헌 3에서는 박리조와 치환조를 인접시키고, 그 상면을 챔버로 덮은 딥(dip)조 유닛을 구성하고, 그 챔버 내에 반도체 기판을 수평 상태와 기립 상태로 유지할 수 있는 홀더를 형성한 배치 매엽 처리 장치가 제안되어 있다. 이 배치 매엽 처리 장치에서는, 홀더는 상하 이동과 횡 이동이 가능하고, 반도체 기판은 기립 상태에서 박리조 내에 침지되어, 레지스트가 팽윤한 후, 기판면에 초음파가 조사되고, 그 후, 박리액을 단숨에 배제시켜, 청정한 박리액의 샤워를 시키면서 반도체 기판을 박리조에서 꺼낸다. 이러한 배치 매엽 처리 기술에 의해, 대구경의 반도체 기판이라도 전면을 리프트 오프처리할 수 있고, 박리액이나 치환액의 양도 적고, 박리된 금속막의 재부착의 문제도 해결할 수 있다고 되어 있다.

특허문헌 1: 일본 공개특허공보 특개평1-41217호 특허문헌 2: 일본 공개특허공보 특개2006-269517호 특허문헌 3: 일본 공개특허공보 특개2005-183859호

하지만, 상기 특허문헌 2의 매엽 처리 및 상기 특허문헌 3의 배치 매엽 처리는 금속 박막의 박리를 1매마다 행하기 위하여 공정 수가 많아져, 처리 능력이 충분하지 않다는 문제가 있었다. 또한, 팽윤과 박리 둘다 매엽 처리로 행하는 특허문헌 2 및 3의 종래의 기술은 많은 반도체 기판을 동시에 처리할 수 있는 점에서는 바람직하지만, 반도체 기판의 각 부의 박리의 정도나 반도체 기판 간에서의 박리의 정도에 편차가 생기거나, 박리한 금속 박막이 반도체 기판에 재부착되거나 한다는 문제가 여전히 해결되어 있지 않다.

본 발명은 상기 과제를 해결할 수 있는 새로운 세정 기술을 제공하는 것으로서, 그 목적은, 반도체 기판 등의 피세정 부재를 세정할 때에, 그 세정 매체 중에 섞이는 피세정물의 재부착을 억제할 수 있는 동시에, 높은 처리 능력을 실현할 수 있는 세정 방법 및 세정 장치를 제공하는 것에 있다.

(1) 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 세정 방법은,

처리액으로 채운 처리조 내에 복수의 피세정 부재를 가라앉히고, 그 상태를 유지하면서, 상기 처리조에 채운 처리액과 동일한 처리액을 상기 복수의 피세정 부재를 향하여 분사하는, 분사 스텝과,

상기 복수의 피세정 부재를 가라앉힌 처리조 내의 처리액과, 상기 복수의 피세정 부재를 향하여 분사한 처리액을 배출할 때에, 상기 복수의 피세정 부재를 처리액에 가라앉힌 상태를 유지하면서 상기 처리조 내로부터 상기 처리액을 배출하기 위하여, 상기 처리액을 계속해서 분사시키면서 배출하는, 배출 스텝을 갖는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 의하면, 분사 스텝과 배출 스텝을 복수의 피세정 부재(예를 들어 세정된 반도체 기판)을 처리액으로 채운 처리조 내에 가라앉힌 상태를 유지하면서 수행하므로, 분사한 처리액에 의해 피세정 부재로부터 이탈한 피세정물(불필요물)은 처리액을 계속해서 분사시키면서 배출하는 배출 스텝에 의해 피세정 부재를 가라앉힌 처리액과 분사한 처리액과 함께 배출된다. 그 결과, 피세정물이 부유한 상태에서 피세정 부재에 재부착하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명에 의하면, 매엽마다 행하는 종래의 세정 방법과는 달리, 복수의 피세정 부재를 모아서 처리할 수 있으므로, 처리 능력(처리 매수의 향상, 처리 시간의 단축)을 높일 수 있다.

본 발명에 따른 세정 방법에 있어서, 상기 분사 스텝에서의 상기 처리액의 분사 방향과 상기 배출 스텝에서의 상기 처리액의 배출 방향이 같은 것이 바람직하다.

본 발명에 의하면, 분사 스텝에서의 처리액의 분사 방향과, 배출 스텝에서의 처리액의 배출 방향이 같으므로, 피세정물이 부유한 상태에서 피세정 부재에 재부착하는 것을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.

본 발명에 따른 세정 방법에 있어서, 상기 분사 스텝에서의 처리액의 분사량을 서서히 늘리는 동시에, 상기 배출 스텝에서의 처리액의 배출량을 상기 분사량과 동량이 되도록 서서히 늘리도록 제어해도 좋다.

본 발명에 의하면, 복수의 피세정 부재를 처리액에 가라앉힌 상태를 유지하면서, 분사 스텝에서의 처리액의 분사량을 서서히 늘리는 동시에, 배출 스텝에서의 처리액의 배출량을 분사량과 동량이 되도록 서서히 늘리도록 제어하므로, 분사 스텝에서의 처리액의 분사에 의해 피세정 부재의 세정을 급격하게 행하지 않고 완만하게 행할 수 있다. 그 결과, 처리액 중에 부유한 피세정물은 배출구로부터 배출되어서 처리조 내의 처리액 중에 존재하지 않게 된다.

본 발명에 따른 세정 방법에 있어서, 상기 제어 후에, 상기 배출 스텝에서의 처리액의 배출량을 상기 분사 스텝에서의 처리액의 분사량보다도 늘려서 처리액의 수위를 낮춰 가도록 제어하는 것이 바람직하다. 본 발명에 의하면, 처리조 내의 처리액을 배출할 수 있다.

본 발명에 따른 세정 방법에 있어서, 상기 분사 스텝 전에, 상기 복수의 피세정 부재를 상기 처리조 내에서 처리액에 침지시키는 침지 스텝을 마련해도 좋다.

본 발명에 의하면, 피세정 부재가 예를 들어 레지스트와 금속 박막을 형성한 반도체 기판인 경우, 분사 스텝 전에 복수의 기판을 처리조 내에서 처리액에 침지시키는 침지 스텝을 마련하는 것이 바람직하다. 이 침지 스텝에 의해, 레지스트를 팽윤시킬 수 있으므로, 그 후에 상기한 분사 스텝과 배출 스텝을 적용하면, 레지스트와 금속 박막을 용이하게 박리할 수 있고, 리프트 오프법에서의 반도체 기판의 패터닝을 반도체 기판에 부유물을 재부착시키지 않고 처리할 수 있으므로, 피세정 부재의 처리 능력(처리 매수의 향상, 처리 시간의 단축)을 높일 수 있다.

본 발명에 따른 세정 방법에 있어서, 상기 복수의 피세정 부재가 수용 랙에 수용되어 있는 것이 바람직하다.

본 발명에 의하면, 복수의 피세정 부재가 수용 랙에 수용되어 있으므로, 수용 랙마다 반송할 수 있다. 그 결과, 세정 공정을 효율적으로 행할 수 있고, 처리 능력을 높일 수 있다.

본 발명에 따른 세정 방법에 있어서, 상기 피세정 부재가 레지스트와 금속 박막을 형성한 반도체 기판인 것이 바람직하다.

(2) 상기 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 세정 장치는,

처리조와,

처리액으로 채운 상기 처리조 내에 복수의 피세정 부재를 가라앉히고, 그 상태를 유지하면서, 상기 처리조에 채운 처리액과 동일한 처리액을 상기 복수의 피세정 부재를 향하여 분사하는, 분사 수단과,

상기 복수의 피세정 부재를 가라앉힌 처리조 내의 처리액과, 상기 복수의 피세정 부재를 향하여 분사한 처리액을 배출할 때에, 상기 복수의 피세정 부재를 처리액에 가라앉힌 상태를 유지하면서 상기 처리조 내로부터 상기 처리액을 배출하기 위하여, 상기 처리액을 계속해서 분사시키면서 배출하는, 배출 수단을 갖는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 의하면, 복수의 피세정 부재를 처리조 내의 처리액에 가라앉힌 상태를 유지하면서, 분사 수단으로부터 처리액을 피세정 부재를 향하여 분사하는 동시에, 배출 수단으로부터 처리액을 배출하므로, 분사한 처리액에 의해 피세정 부재로부터 이탈한 피세정물(불필요물)은 피세정 부재를 가라앉힌 처리액과 분사 수단으로부터 분사한 처리액과 함께, 처리액을 계속해서 분사시키면서 배출된다. 그 결과, 피세정물이 부유한 상태에서 피세정 부재에 재부착하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명에 의하면, 매엽마다 행하는 종래의 세정 장치와는 달리, 복수의 피세정 부재를 모아서 처리할 수 있으므로, 처리 능력을 높일 수 있다.

본 발명에 따른 세정 장치에 있어서, 상기 분사 수단이 상기 처리조의 상부에 배치되고, 상기 배출 수단이 상기 처리조의 하부에 배치되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 상기 분사 수단에서의 상기 처리액의 분사 방향과 상기 배출 수단에서의 상기 처리액의 배출 방향이 같은 것이 바람직하다.

이들 발명에 의하면, 피세정물이 부유한 상태에서 피세정 부재에 재부착하는 것을 보다 효과적으로 방지할 수 있다.

본 발명에 따른 세정 장치에 있어서, 상기 분사 수단에서의 처리액의 분사량을 서서히 늘리는 동시에, 상기 배출 수단의 처리액의 배출량을 상기 분사량과 동량이 되도록 서서히 늘리기 위한 제어 수단을 갖고 있어도 좋다.

본 발명에 의하면, 복수의 피세정 부재를 처리액에 가라앉힌 상태를 유지하면서, 분사 수단에서의 처리액의 분사량을 서서히 늘리는 동시에, 배출 수단에서의 처리액의 배출량을 상기 분사량과 동량이 되도록 서서히 늘리기 위한 제어 수단을 가지므로, 분사 수단에서의 처리액의 분사에 의해 피세정 부재의 세정을 급격하게 행하지 않고 완만하게 행할 수 있다.

본 발명에 따른 세정 장치에 있어서, 상기 처리조는, 상기 피세정 부재를 향하여 상기 처리액을 분사시키기 전에, 상기 복수의 피세정 부재를 상기 처리액에 침지시키는 처리조로서 사용해도 좋다.

본 발명에 의하면, 피세정 부재가 예를 들어 레지스트와 금속 박막을 형성한 반도체 기판인 경우, 피세정 부재를 향하여 처리액을 분사시키기 전에, 복수의 피세정 부재를 처리액에 침지시키는 처리조로서 사용하므로, 그 침지에 의해 레지스트를 팽윤시킬 수 있다. 그 결과, 그 후에 상기한 분사 수단에 의한 처리액의 분사와 상기 배출 수단에 의한 처리액의 배출을 적용하면, 레지스트와 금속 박막을 용이하게 박리할 수 있고, 리프트 오프법에서의 반도체 기판의 패터닝을 반도체 기판에 부유물을 재부착시키지 않고 처리할 수 있으므로, 피세정 부재의 처리 능력(처리 매수의 향상, 처리 시간의 단축)을 높일 수 있다.

본 발명에 따른 세정 장치에 있어서, 상기 피세정 부재로부터 이탈한 피세정물을 회수하는 회수 수단이 형성되어 있어도 좋다.

본 발명에 의하면, 피세정 부재로부터 이탈한 피세정물을 회수하는 회수 수단이 형성되어 있으므로, 피세정 부재가 예를 들어 레지스트와 금속 박막을 형성한 반도체 기판인 경우, 레지스트와 함께 박리한 금속 박막을 회수할 수 있다. 그 결과, 회수한 금속 박막을 자원으로서 재이용하는 것도 가능해진다.

본 발명에 따른 세정 장치에 있어서, 상기 노즐이 상기 복수의 피세정 부재를 향하여 균등하게 배치된 복수의 샤워 노즐인 것이 바람직하다.

본 발명에 따른 세정 장치에 있어서, 상기 피세정 부재가 레지스트와 금속 박막을 형성한 반도체 기판인 것이 바람직하다.

본 발명에 따른 세정 방법 및 세정 장치에 의하면, 반도체 기판 등의 피세정 부재를 세정할 때에, 그 세정 매체 중에 섞이는 피세정물의 재부착을 억제할 수 있는 동시에, 높은 처리 능력을 실현할 수 있다.

도 1은 본 발명에 따른 세정 방법 및 제조 장치의 공정 흐름도이다.
도 2는 본 발명에 따른 세정 방법 및 세정 장치의 일례를 도시한 모식적인 구성도이다.
도 3은 처리조 내의 구성을 도시한 모식적인 설명도이다.
도 4는 수용 랙에 수용된 피세정 부재에 노즐로부터 처리액을 분사하는 정면 형태를 도시한 설명도이다.
도 5는 수용 랙에 수용된 피세정 부재에, 노즐로부터 처리액을 분사하는 측면 형태를 도시한 설명도이다.
도 6은 처리조를 상측으로부터 본 평면도이다.
도 7은 세정 방법의 각 스텝의 설명도이다. 도 7A는 복수의 피세정 부재를 처리액에 침지시킨 침지 스텝 A의 형태를 도시한 설명도이며, 도 7B는 분사 스텝 B와 배출 스텝 C를 복수의 피세정 부재를 처리액에 가라앉힌 상태를 유지하면서 행하는 형태를 도시한 설명도이고, 도 7C은 배출 스텝 C의 배출량을 분사 스텝 B의 도입량보다도 늘려서 처리액의 수위를 내린 형태를 도시한 설명도이며, 도 7D는 샤워 노즐을 윗 쪽으로 끌어올리고, 그 후에 수용 랙도 끌어올린 형태를 도시한 설명도이다.
도 8은 리프트 오프법의 설명도이다. 도 8A는 레지스트가 형성된 반도체 기판의 단면도이며, 도 8B는 레지스트를 패터닝한 후의 단면도이고, 도 8C는 레지스트 패턴 위에 금속 박막을 성막한 후의 단면도이며, 도 8D는 레지스트 패턴과 금속 박막을 리프트 오프한 후의 단면도이다.

이하, 본 발명에 따른 세정 방법 및 세정 장치에 대하여 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 본 발명은 그 기술적 특징을 가지면 다양한 변형이 가능해서, 이하에 기재하는 구체적인 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명에 따른 세정 방법 및 세정 장치는, 「DoM Jet System」이라고 부르고 있다.

[세정 방법 및 세정 장치]

도 1은 본 발명에 따른 세정 방법의 공정 흐름도이다. 본 발명에 따른 세정 방법은, 도 1 내지 도 3 및 도 7에 도시한 바와 같이, 적어도 처리액(2)의 분사 스텝 B와 처리액(2)의 배출 스텝 C를 갖고 있다. 분사 스텝 B는 처리액(2)로 채운 처리조(11) 내에 복수의 피세정 부재(1)를 가라앉히고, 그 상태를 유지하면서, 처리조(11)에 채운 처리액(2)과 동일한 처리액(2)을 상기 복수의 피세정 부재(1)를 향하여 분사하는 스텝이다. 배출 스텝 C는, 복수의 피세정 부재(1)를 가라앉힌 처리조(11) 내의 처리액(2)과, 복수의 피세정 부재(1)를 향하여 분사한 처리액(2)을 배출할 때에, 복수의 피세정 부재(1)를 처리액(2)에 가라앉힌 상태를 유지하면서 상기 처리조(11) 내로부터 처리액(20)을 배출하기 위하여, 처리액(2)을 계속해서 분사시키면서 배출하는 스텝이다.

이 세정 방법은 분사 스텝 B와 배출 스텝 C를, 복수의 피세정 부재(예를 들어 세정된 반도체 기판)(51)를 처리액(2)으로 채운 처리조(11) 내에 가라앉힌 상태를 유지하면서 행하므로, 분사한 처리액(2)에 의해 피세정 부재(1)로부터 이탈한 피세정물(불필요물)(54)은 처리액(2)을 계속해서 분사시키면서 배출하는 배출 스텝 C에 의해, 피세정 부재(1)를 가라앉힌 처리액(2)과 분사한 처리액(2)과 함께 배출된다.

본 발명에 따른 세정 장치(10)는, 도 2, 도 3 및 도 7에 도시한 바와 같이, 적어도 처리조(11)와 분사 수단(21)과 배출 수단(31)을 구비하고 있다. 상세하게는, 복수의 피세정 부재(1)를 처리액(2)에 가라앉히기 위한 처리조(11)와, 처리액(2)으로 채운 처리조(11) 내에 복수의 피세정 부재(1)를 가라앉히고, 그 상태를 유지하면서, 처리조(11)에 채운 처리액(2)과 동일한 처리액(2)을 복수의 피세정 부재(1)를 향하여 분사하는 분사 수단(21)과, 복수의 피세정 부재(1)를 가라앉힌 처리조(11) 내의 처리액(2)과 복수의 피세정 부재(1)를 향하여 분사한 처리액(2)을 배출할 때에, 복수의 피세정 부재(1)를 처리액(2)에 가라앉힌 상태를 유지하면서 처리조(11) 내로부터 처리액(2)을 배출하기 위하여, 처리액(2)을 계속해서 분사시키면서 배출하는 배출 수단(31)을 갖고 있다. 또한, 이하에서는 분사 수단(21)을 분사 유닛(21) 또는 샤워 노즐(21)이라고도 하고, 배출 수단(31)을 배출 유닛(31)이라고도 한다.

이 세정 장치(10)는 복수의 피세정 부재(1)를 처리조(11) 내의 처리액(2)에 가라앉힌 상태를 유지하면서, 분사 유닛(21)으로부터 처리액(2)을 분사하는 동시에 배출 유닛(31)으로부터 처리액(2)을 배출하므로, 분사한 처리액(2)에 의해 피세정 부재(1)로부터 이탈한 피세정물(불필요물)(54)은 피세정 부재(1)를 가라앉힌 처리액(2)과 분사 수단 유닛(21)으로부터 분사한 처리액(2)과 함께, 처리액(2)을 계속해서 분사시키면서 배출된다.

상기한 작용에 의해, 본 발명에 따른 세정 방법 및 세정 장치(10)는 피세정물(54)이 부유한 상태에서 피세정 부재(1)에 재부착하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 세정 방법 및 세정 장치(10)는, 매엽마다 행하는 종래의 세정 방법이나 장치와는 달리, 복수의 피세정 부재(1)를 모아서 처리할 수 있으므로, 처리 능력(처리 매수의 향상, 처리 시간의 단축)을 높일 수 있다.

[각 구성 요소]

이하, 본 발명에 따른 세정 방법과 세정 장치의 각 구성을 상세히 설명한다. 또한, 이하에서는 세정 장치의 구성을 설명하면서 세정 방법을 구성하는 각 스텝을 설명한다.

(피세정 부재)

피세정 부재(1)는 특별히 한정되지 않고, 각종의 것을 세정 대상으로 할 수 있다. 예를 들어 도 8에서 설명하는 바와 같이, 리프트 오프법에서 이용하는 처리 기판이라도 좋다. 이 처리 기판은 반도체 기판(51) 위에 형성된 레지스트(52)와, 그 레지스트(52) 위에 형성된 금속 박막(53)을 갖고 있다. 또한, 그 이외의 세정 대상이라도 좋고, 예를 들어, 프린트 기판 등으로 대표되는 각종의 회로 기판이라도 좋고, 유리 기판이나 실리콘 기판 위에 TFT 회로가 형성된 회로 기판이라도 좋고, 그 밖의 기판이라도 좋다. 어느 쪽이든, 피세정물(54)인 불필요물이 부유한 상태에서 피세정 부재(1)에 재부착하는 것을 방지하는 동시에, 복수의 피세정 부재(1)를 모아서 동시에 처리하여 처리 능력을 높이고 싶은 피세정 부재(1)이면 좋다.

이 피세정 부재(1)는 수용 부재인 수용 랙(15)에 수용된다. 수용 랙(15)은 복수의 피세정 부재(1)를 수용하여, 효율적인 배치 처리를 실현하기 위한 부재이다. 수용 랙(15)으로서는 예를 들어 도 4 및 도 5 에 도시한 바와 같은 카세트를 사용하는 것이 바람직하다. 수용 랙(15)의 크기, 형상, 재질은 특별히 한정되지 않고, 수용하는 피세정 부재(1)의 수와 크기, 처리액의 종류 등을 고려하여 선택된다. 일반적인 범용품이라도 좋고, 전용으로 설계된 특별 주문품이라도 좋다. 예를 들어, 스테인리스 등의 금속 성형품이나, 폴리카보네이트 등의 수지 성형품 등을 들 수 있다. 이와 같이, 복수의 피세정 부재(1)가 수용 랙(15)에 수용되어 있으므로, 수용 랙(15)마다 반송할 수 있고, 그 결과, 세정 공정의 효율화 및 처리 능력의 향상을 실현할 수 있다. 또한, 「배치 처리」란 일괄 처리를 말하며, 예를 들어, 하나의 처리조(11)에서 어느 정도 모아진 수의 피세정 부재(1)를 처리하는 의미로서 사용하고 있다.

리프트 오프법에서 이용하는 처리 기판 중 금속 박막(53)과 레지스트(52)를 포함하는 피세정물(54)을 가능한 한 큰 상태에서 벗기려고 할 경우, 수용 랙(15)으로서는, 도 2에 도시한 처리액 통과구(29)에 대응한 개구부가 수용 랙(15)의 하부에 형성되어 있는 것이 바람직하다. 개구부는 전체가 개구하고 있어도 좋고, 펀칭 메탈과 같은 구멍이 있는 형상이라도 좋다. 개구부가 수용 랙(15)의 하부에 형성되어 있음으로써, 큰 상태로 벗겨진 피세정물(54)을 파괴하지 않고 회수 수단인 회수망(41)으로 포집할 수 있다. 또한, 수용 랙(15)의 측벽에는 구멍이나 슬릿이 형성되어 있지 않아도 좋고, 형성되어 있어도 좋은데, 구멍이나 슬릿이 없는 경우에는, 박리한 피세정물(54)의 파괴를 억제하기 쉽다.

(침지 유닛 및 침지 스텝)

침지 유닛(침지 수단)은, 도 2 및 도 3에 도시한 바와 같이, 복수의 피세정 부재(1)를 처리액(2)에 가라앉히기 위한 처리조(11)를 적어도 구비하고 있다.

처리조(11)는, 피세정 부재(1)를 향하여 처리액(2)을 분사시키기 전에, 복수의 피세정 부재(1)를 처리액(2)에 침지시키는 조로서 사용해도 좋다. 처리조(11)는, 예를 들어 도 8C에 도시한 바와 같이, 피세정 부재(1)가 레지스트(52)와 금속 박막(53)을 형성한 반도체 기판(51)인 경우, 그 피세정 부재(1)를 향하여 처리액(2)을 분사시키기 전에, 복수의 피세정 부재(1)를 처리액(2)에 침지시키기 위한 조로서 사용한다. 즉, 처리액(2)을 분사시키기 전(분사 스텝 B 전)에, 복수의 피세정 부재(1)를 처리액(2)에 침지시킨다(침지 스텝 A, 도 7A를 참조). 이렇게 함으로써, 그 침지에 의해, 레지스트(52)를 팽윤시킬 수 있고, 그 후에 후술하는 분사 유닛(21)에 의한 처리액(2)의 분사와 후술하는 배출 유닛(31)에 의한 처리액(2)의 배출을 적용하면, 반도체 기판(51) 위에 형성된 레지스트(52)와 그 레지스트(52) 위에 형성된 금속 박막(53)으로 이루어진 피세정물(54)을 용이하게 박리할 수 있다. 그 결과, 리프트 오프법에서의 반도체 기판(51)의 패터닝을 반도체 기판(51)에 부유물을 재부착시키지 않고 처리할 수 있으므로, 피세정 부재(1)의 처리 능력(처리 매수의 향상, 처리 시간의 단축)을 높일 수 있다.

처리조(11)의 윗쪽은 개방되어 있고, 그 개방된 부위로부터 피세정 부재(1)를 수용한 수용 랙(15)이 처리조 내에 투입된다. 투입된 수용 랙(15)은, 도 4에 도시한 바와 같이, 처리조 내에 형성된 카세트 받침 부재(14) 위에 재치된다. 카세트 받침 부재(14)는 처리조(11)와 동일한 스테인리스강 등으로 형성되고, 그 면은 펀칭 메탈과 같은 구멍이 형성되어 있지만, 그것에 한정되지 않는다.

또한, 부호(14a)는 수용 랙(15)을 소정의 위치로 가이드하는 카세트 가이드이고, 부호(16)는 수용 랙(15)을 유지하는 카세트 유지 부재(16)이고, 부호(17)는 수용 랙(15)을 유지한 카세트 유지 부재(16)를 승강시키는 승강 장치이다. 승강 장치(17)는 도시한 예에서는 카세트 유지 부재(16)를 승강시키고 있지만, 카세트 유지 부재(16)는 고정형으로, 수용 랙(15)을 가동시켜서 승강시키는 장치라도 좋다.

처리조(11)의 형상이나 재질은 특별히 한정되지 않지만, 스테인리스강 등의 내약품성 재료가 선택되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 리프트 오프법에서의 반도체 기판(51)의 패터닝을 행할 경우에는, 그 처리에 사용하는 처리액의 종류를 고려해서 선택하는 것이 바람직하다.

처리조(11)의 하부에는 필요에 따라 초음파 세정 장치(35)가 형성되어 있어도 좋다. 초음파 세정 장치(35)는 피세정 부재(1)의 세정 처리의 형태에 의해 임의로 작동시킬 수 있다. 특히, 후술하는 처리액 탈기 장치(91)와 병용할 경우에는 효과가 크다. 또한, 초음파 세정 장치(35)는 강력한 세정 보조 유닛(세정 보조 수단)이고, 반도체 기판(51) 위의 레지스트(52)와 금속 박막(53)의 박리에도 바람직하게 적용할 수 있고, 금속 박막(53)을 잘게 파괴한다. 그 때문에, 금속 박막(53)을 가능한 한 큰 상태로 박리하려고 하는 경우에는, 초음파 세정 장치(35)를 작동시키지 않을 수 있다.

(분사 유닛 및 분사 스텝)

분사 유닛(21)은 처리조(11)의 상부(12)에 배치되고, 그 처리조(11) 내에 배치된 복수의 피세정 부재(1)를 향하여 처리조(11)에 채워진 처리액(2)과 동일한 처리액(2)을 분사시키기 위한 수단이다.

분사 유닛(21)은 도 2 등에 도시한 바와 같이, 복수의 피세정 부재(1)를 향하여 균등하게 배치된 복수의 샤워 노즐인 것이 바람직하다. 이하, 분사 유닛(21)을 샤워 노즐(21)이라고 한다. 샤워 노즐(21)로서는 스트레이트 노즐, 플랫 콘 노즐, 또는 플콘 노즐 등을 사용할 수 있다. 이들 샤워 노즐(21)로부터, 바람직한 형상의 샤워 노즐을 선택해서 사용할 수 있다.

도 8에 도시한 리프트 오프법에서 이용하는 처리 기판 중 금속 박막(53)과 레지스트(52)로 이루어진 피세정물(54)을 가능한 한 큰 상태로 박리하려고 하는 경우에는, 플콘 노즐을 사용하는 것이 바람직하다.

샤워 노즐(21)은, 도 3 내지 도 6에 도시한 바와 같이, 피세정 부재(1)의 위쪽에 복수 배치되어 있다. 예를 들어 피세정 부재(1)가 수용 랙(15)에 수용된 반도체 기판(1)인 경우, 샤워 노즐(21)은 반도체 기판(1)의 직경 방향에 복수(도시한 예에서는 4개) 배치되고, 수용 랙(15)의 길이 방향에도 복수(도시한 예에서는 8개) 배치되어 있다. 또한, 직경 방향은 기판면 방향이라고 할 수도 있고, 길이 방향은 반도체 기판(1)이 늘어선 방향이라고 할 수도 있다.

샤워 노즐(21)의 수와 그 배치는 세정하려고 하는 피세정 부재(1)의 크기나 수용 랙(15) 내의 피세정 부재(1)의 배치 등에 의해 임의로 설정되는 것이 바람직하다.

샤워 노즐(21)은 도시한 예에서는 노즐 배관(22)에 등간격으로 8개 늘어서서 부착되어 있다. 그리고, 샤워 노즐(21)이 부착된 노즐 배관(22)이 반도체 기판(1)의 직경 방향으로 4열 등간격으로 배치되어 있다. 4열의 노즐 배관(22)은 유지 부재(23)로 일체로 유지되어, 승강 장치(27)에 부착되어 있다. 승강 장치(27)를 작동시킴으로써, 샤워 노즐(21)을 피세정 부재(1)에 근접시키거나, 떨어뜨리거나 할 수 있다.

샤워 노즐(21)의 분사량은 샤워 배관(22)마다 임의로 제어할 수 있다. 이러한 제어는 각 샤워 배관의 밸브의 개폐에 의해 조정할 수 있다. 그 결과, 도시한 예에서는 4열 중에서 임의의 샤워 배관을 많게 하거나 적게 하거나 할 수 있다. 예를 들어, 도 4에 도시한 바와 같이, 4열의 샤워 배관 중 양측의 2열의 샤워 배관의 유량을 많게 해서 샤워 노즐(21a, 21d)의 분사량을 크게 하거나, 유량을 적게 해서 샤워 노즐(21a, 21d)의 분사량을 작게 하거나 할 수 있다. 분사 스텝 B에서의 제어는 자동 제어라도 수동 제어라도 좋다. 분사 스텝 B의 시간은 임의로 설정되며, 예를 들어, 1초 또는 2초 정도라도 좋고, 5초 또는 6초 정도라도 좋고, 10초 이상이라도 좋다.

(배출 유닛 및 배출 스텝)

배출 유닛(31)은 처리조(11)의 하부(13)에 배치되어, 그 처리조(11) 내의 처리액(2)을 배출하기 위한 수단이다.

배출 유닛(31)은, 도 2 등에 도시한 바와 같이, 처리조(11)의 아래쪽에 형성된 배출구를 들 수 있다. 처리조(11)의 아래쪽의 측벽이 비스듬히 기울어져 있고, 그 최하점에 배출구(31)가 형성된다. 또한, 피세정 부재(1)를 수용하는 수용 랙(15)은 아래에 처리액 통과구(29)가 개구하고 있고, 샤워 노즐(21)로부터 분사한 처리액(2)은 피세정 부재(1)를 세정한 후에 그 처리액 통과구(29)로부터 아래쪽으로 흐른다. 처리액 통과구(29)를 통과한 처리액(2)은 처리조(11)의 배출구(31)로부터 배출된다.

배출 스텝 C에서의 제어는 자동 제어라도 수동 제어라도 좋다. 본 발명에서는, 도 7B에 도시한 바와 같이, 분사 스텝 B와 배출 스텝 C를 복수의 피세정 부재(1)를 처리액(2)에 가라앉힌 상태를 유지하면서 수행하므로, 배출 스텝 C에서의 처리액(2)의 배출량과 상기한 분사 스텝 B에서의 처리액(2)의 도입량(분사량)은 침지한 상태를 유지할 수 있는 범위 내에서 설정되며, 그 양은 동량 또는±10%의 범위 내의 양이 되도록 제어된다. 배출량과 도입량(분사량)이 같은 또는 ±10%의 범위 내의 양인 경우, 배출 스텝 C의 시간은 상기한 분사 스텝 B의 시간에 대응시켜서 임의로 설정된다. 예를 들어, 분사 스텝 B가 1초 또는 2초 정도인 경우, 피세정 부재(1)를 처리액(2)에 가라앉힌 상태를 유지하면서 수행하는 배출 스텝 C는 동일하게 1초 또는 2초 정도이며, 분사 스텝 B가 5초 또는 6초 정도인 경우, 피세정 부재(1)를 처리액(2)에 가라앉힌 상태를 유지하면서 수행하는 배출 스텝 C는 동일하게 5초 또는 6초 정도이다.

배출 스텝 C에 있어서, 도 7B에 도시한 바와 같이 분사 스텝 B에서의 도입량(분사량)과 배출 스텝 C에서의 배출량을 같게 또는 ±10%의 범위 내의 배출량으로 해서 처리함으로써, 처리액(2) 중에 부유한 피세정물(54)은 배출구(31)로부터 배출되어서 처리조(11) 내의 처리액(2) 중에 존재하지 않게 된다.

그 후, 도 7C에 도시한 바와 같이 배출 스텝 C의 배출량을 분사 스텝 B의 도입량(분사량)보다도 늘려서 처리액(2)의 수위를 내린다(수위 저하 스텝). 이 수위 저하 스텝에 있어서, 처리액(2)의 수위가 내려가는 도중에서는 분사 노즐로부터 처리액(2)만 분사해도 좋고, 처리액(2)과 가스(공기나 질소 등)를 혼합하여 동시에 분사해도 좋다. 또한, 배출 도중의 처리액(2)의 수위가 피세정 부재(1)(예를 들어 반도체 기판)보다도 아래가 된 경우에도, 분사 노즐로부터 처리액(2)만 분사해도 좋고, 처리액(2)과 가스(공기나 질소 등)를 혼합하여 동시에 분사해도 좋지만, 가스만을 분사해도 좋다. 가스만을 분사하는 경우에는 피세정 부재(1)에 부착되어 있는 액체를 떨어낼 수 있다.

처리액(2)을 저하시키는 수위 저하 스텝에 의해, 처리조(11) 내의 처리액(2)을 배출할 수 있다. 또한, 거의 일어날 일은 없지만, 처리액(2)의 수위가 내려가는 도중에 처리액(2) 중에 부유한 피세정물(54)이 드물게 존재하고 있는 경우도 가능성으로서는 있다. 그 경우라도, 그 피세정물(54)은 수위가 내려가는 과정에서 샤워 노즐(21)로부터 분사되는 처리액(2)에 의해, 배출구(31)로부터 배출할 수 있다.

배출구(31)의 크기나 형상은 분사량 등이나 배출 속도에 의해 임의로 설정된다. 배출된 처리액(2)은 도 2에 도시한 바와 같이 순환조(81)에 흘러들어간다. 순환조(81)에 흘러들어간 처리액(2)에 포함되는 피세정물(54)은 필요에 따라 회수 망(41)으로 포집된다. 세정 처리를 종료한 후의 처리액(2)은 순환 펌프(82), 필터(83, 84, 85), 열교환기(86)를 거쳐 순환시킬 수 있고, 처리액(2)에 포함되는 자잘한 피세정물(54)을 필터로 제거하여, 다음 세정 처리에 이용할 수 있다.

(제어 유닛)

제어 유닛(제어 수단이라고도 함.)은 복수의 피세정 부재(1)를 처리조(11) 내의 처리액(2)에 가라앉힌 상태를 유지하면서, 분사 유닛(21)으로부터의 처리액(2)의 분사와 배출 유닛(31)으로부터의 처리액(2)의 배출을 제어한다. 또한, 제어 유닛은 수용 랙의 상하 이동이나 샤워 노즐(21)의 상하 이동 등의 기계적인 동작이나 처리액(2)을 이송시키기 위한 밸브 조작도 자동 또는 수동에 의해 제어할 수 있다.

이 제어 유닛에 의해, 분사 유닛(21)(분사 스텝 B)에서의 처리액의 분사량을 서서히 늘리는 동시에, 배출 유닛(31)(배출 스텝 C)의 처리액의 배출량을 서서히 늘릴 수 있다. 이러한 분사량과 배출량의 제어는 복수의 피세정 부재(1)를 처리액(2)에 가라앉힌 상태를 유지하면서, 분사량을 서서히 늘리는 동시에 배출량을 서서히 늘리므로, 분사 유닛(21)에서의 처리액의 분사에 의해 피세정 부재(1)의 세정을 급격하게 행하지 않고 완만하게 행할 수 있다. 이러한 제어는 특히 세정의 초기 단계에서 실행하는 것이 바람직하다. 그 결과, 리프트 오프법으로 반도체 기판(1)을 처리할 경우, 금속 박막(53)과 레지스트(52)로 이루어진 피세정물(54)을 가능한 한 큰 상태로 박리할 수 있다.

도 7은 세정 방법의 각 스텝의 설명도이다. 우선, 제어 유닛은 수용 랙(15)에 수용된 피세정 부재(1)를 처리조(11) 내의 소정의 위치에 세트하고, 그 후에, 도 7A에 도시한 바와 같이, 처리액(2)이 피세정 부재(1)를 덮도록 처리조(11) 내에 채운다. 이 침지 스텝 A는 예를 들어 리프트 오프법으로 반도체 기판(1)을 처리할 경우에는, 그 반도체 기판(1) 위에 형성된 레지스트(52)를 팽윤시킨다.

이어서, 위쪽으로부터 샤워 노즐(21)이 강하하여, 피세정 부재(1)의 위쪽 가까이에 세트된다. 계속해서, 도 7B에 도시한 바와 같이, 분사 스텝 B와 배출 스텝 C가 동시에 수행된다. 이때, 제어 유닛은 분사량의 제어와 배출량의 제어를 행하고, 복수의 피세정 부재(1)를 처리액(2)에 가라앉힌 상태를 유지하면서, 분사량을 서서히 늘리는 동시에 배출량을 서서히 늘린다.

제어 유닛은 소정 시간(예를 들어 1초 내지 3초 정도)의 세정 처리를 수행하게 하고, 그 후, 도 7C에 도시한 배출 스텝 C와 같이, 샤워 노즐(21)을 닫고, 처리조(11) 내의 처리액(2)을 배출시킨다. 또한, 피세정물(54)을 회수할 경우에는 제어 유닛은 회수 스텝 D도 함께 수행하게 해도 좋다.

마지막으로, 도 7D에 도시한 바와 같이, 제어 유닛은 샤워 노즐(21)을 위쪽으로 끌어올리고, 그 후에 수용 랙(15)도 끌어올린다.

이어서, 제어 유닛은 미처리의 피세정 부재(1)를 수용한 수용 랙(15)을 처리조(11)에 넣고, 상기한 처리를 반복한다.

(회수 유닛)

회수 유닛(회수 수단)은 피세정 부재(1)를 세정함으로써 생긴 피세정물(불필요물)(54)을 회수한다. 이 회수 유닛은 그 피세정물(54)의 종류나 크기에 의해 필요에 따라서 형성된다. 피세정물(54)이 상기한 리프트 오프법에 의해 박리하는 금속 박막(53) 및 레지스트(52)로 이루어진 피세정물(54)인 경우에는, 회수 유닛으로서 회수망(41)(도 2를 참조)을 형성하는 것이 바람직하다. 이러한 회수망(41)은 스테인리스제의 망을 사용할 수 있고, 그 그물코(메쉬)는 박리한 금속 박막(53)의 크기에 따라 선택할 수 있다.

이러한 회수 유닛을 형성함으로써, 피세정 부재(1)가 예를 들어 레지스트(52)와 금속 박막(53)을 형성한 반도체 기판(51)인 경우, 레지스트(52)와 함께 박리한 금속 박막(53)을 피세정물(54)로서 효율적으로 회수할 수 있다. 그 결과, 회수한 금속 박막(53)을 자원으로서 재이용하는 것도 가능하게 된다.

(기타)

처리액(2)은 세정 목적이나 피세정 부재(1)의 종류에 따라 임의로 선택되며, 유기 용제 등의 유기계의 처리액이라도 좋고, 무기계의 처리액이라도 좋다. 이러한 처리액(2)은 도 2 중에 도시한 밸브를 임의로 조작함으로써, 도 2에 도시한 경로 내를 순환시켜서 사용된다. 처리액을 순환시켜 사용하는 경우에는, 처리조 내에 채워지는 처리액의 종류와 샤워 노즐(21)로부터 분사하는 처리액의 종류는 같은 것이 바람직하지만, 처리액을 순환시키지 않는 경우에는, 다른 처리액을 사용해도 좋다.

처리액(2)의 순환, 처리조(11)로의 공급, 및 샤워 노즐(21)로의 공급은 각종의 방법으로 행할 수 있다.

예를 들어, 침지 스텝 A의 단계에서는, 처리액(2)은 펌프 순환으로 처리조(11)에 공급할 수 있다. 한편, 분사 스텝 B의 단계에서는 캐니스터(71) 안으로 넣은 처리액(2)을 가스(공기, 질소 가스 등)로 가압(0.2MPa 내지 0.6MPa 정도)하고, 고압 상태에서 캐니스터(71)로부터 단숨에 송출하여, 샤워 노즐(21)의 선단으로부터 배출시키는 것이 바람직하다. 캐니스터(71)로부터 보내지는 처리액(2)은 높은 압력으로 샤워 분사하기 때문에, 얇은 막이라도 순식간에 박리할 수 있다.

또한, 처리액(2)은 처리액 탈기 장치(91)에 의해 처리된 것이라도 좋다. 처리액 탈기 장치(91)로 탈기 처리된 처리액(2)은 예를 들어 미세 패턴의 틈에도 침투하기 쉽다. 그 결과, 처리액(2)을 사용한 세정을 효과적으로 행할 수 있다. 특히, 초음파 세정 장치(35)를 사용한 경우에 바람직하고, 세정 효율을 향상시킬 수 있다. 탈기 처리한 처리액(2)을 사용한 응용예로서는, 초음파 세정의 효과를 늘려서 처리 시간을 단축할 수 있거나, 초음파 세정의 효과가 구석구석까지 다다름에 의한 제조 수율을 향상시킬 수 있거나, 처리하지 않는 처리액에 비하여 처리 온도를 낮게 할 수 있다.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 세정 방법 및 세정 장치는 피세정물(54)이 부유한 상태에서 피세정 부재(1)에 재부착하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 매엽마다 행하는 종래의 세정 방법이나 장치와는 달리, 복수의 피세정 부재(1)를 모아서 처리할 수 있으므로, 처리 능력을 높일 수 있다.

1: 피세정 부재(반도체 기판)
2: 처리액
10: 세정 장치
11: 처리조
12: 처리조의 상부
13: 처리조의 하부
14: 카세트 받침 부재
14a: 카세트 가이드
15: 수용 랙(수용 랙)
16: 카세트 유지 부재
17: 승강 장치
18: 오버 플로우조
19: 오버 플로우조 배출구
21: 분사 유닛(분사 수단, 노즐 유닛)
22: 노즐 배관
23: 노즐 배관의 유지 부재
27: 노즐의 승강 장치
28: 오버 플로우벽
29: 처리액 통과구
31: 배출 유닛(배출 수단, 배출구)
35: 초음파 세정 장치
41: 회수 유닛(회수 수단, 회수망)
51: 반도체 기판
52: 레지스트
53: 금속 박막
54: 피세정물(불필요물)
71: 캐니스터
72: 압축 가스
81: 순환조
82: 순환 펌프
83, 84, 85: 필터
86: 열교환기(히터)
88: 액면 센서
91: 처리액 탈기 장치
92: 노즐
95: 압력 센서
A: 침지 스텝
B: 분사 스텝
C: 배출 스텝
D: 회수 스텝

Claims (15)

1. 처리액으로 채운 처리조 내에 복수의 피세정 부재를 가라앉히고, 그 상태를 유지하면서, 상기 처리조에 채운 처리액과 동일한 처리액을 상기 복수의 피세정 부재를 향하여 분사하는, 분사 스텝과,
   상기 복수의 피세정 부재를 가라앉힌 처리조 내의 처리액과, 상기 복수의 피세정 부재를 향하여 분사한 처리액을 배출할 때에, 상기 복수의 피세정 부재를 처리액에 가라앉힌 상태를 유지하면서 상기 처리조 내로부터 상기 처리액을 배출하기 위하여, 상기 처리액을 계속해서 분사시키면서 배출하는, 배출 스텝을 갖는 것을 특징으로 하는 세정 방법.
2. 제 1 항에 있어서, 상기 분사 스텝에서의 상기 처리액의 분사 방향과 상기 배출 스텝에서의 상기 처리액의 배출 방향이 같은 세정 방법.
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 분사 스텝에서의 처리액의 분사량을 서서히 늘리는 동시에, 상기 배출 스텝에서의 처리액의 배출량을 상기 분사량과 동량이 되도록 서서히 늘리도록 제어하는 세정 방법.
4. 제 3 항에 있어서, 상기 제어 후에, 상기 배출 스텝에서의 처리액의 배출량을 상기 분사 스텝에서의 처리액의 분사량보다도 늘려서 처리액의 수위를 낮춰가는 세정 방법.
5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 분사 스텝 전에, 상기 복수의 피세정 부재를 상기 처리조 내에서 처리액에 침지시키는 침지 스텝이 마련되어 있는 세정 방법.
6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 복수의 피세정 부재가 수용 랙에 수용되어 있는 세정 방법.
7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 피세정 부재가 레지스트와 금속 박막을 형성한 반도체 기판인 세정 방법.
8. 처리조와,
   처리액으로 채운 상기 처리조 내에 복수의 피세정 부재를 가라앉히고, 그 상태를 유지하면서, 상기 처리조에 채운 처리액과 동일한 처리액을 상기 복수의 피세정 부재를 향하여 분사하는, 분사 수단과,
   상기 복수의 피세정 부재를 가라앉힌 처리조 내의 처리액과, 상기 복수의 피세정 부재를 향하여 분사한 처리액을 배출할 때에, 상기 복수의 피세정 부재를 처리액에 가라앉힌 상태를 유지하면서 상기 처리조 내로부터 상기 처리액을 배출하기 위하여, 상기 처리액을 계속해서 분사시키면서 배출하는, 배출 수단을 갖는 것을 특징으로 하는 세정 장치.
9. 제 8 항에 있어서, 상기 분사 수단이 상기 처리조의 상부에 배치되고, 상기 배출 수단이 상기 처리조의 하부에 배치되어 있는 세정 장치.
10. 제 8 항 또는 제 9 항에 있어서, 상기 분사 수단에서의 상기 처리액의 분사 방향과 상기 배출 수단에서의 상기 처리액의 배출 방향이 같은 세정 장치.
11. 제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 분사 수단에서의 처리액의 분사량을 서서히 늘리는 동시에, 상기 배출 수단의 처리액의 배출량을 상기 분사량과 동량이 되도록 서서히 늘리기 위한 제어 수단을 갖는 세정 장치.
12. 제 8 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 처리조는, 상기 피세정 부재를 향하여 상기 처리액을 분사시키기 전에, 상기 복수의 피세정 부재를 상기 처리액에 침지시키는 처리조인 세정 장치.
13. 제 8 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 피세정 부재로부터 이탈한 피세정물을 회수하는 회수 수단이 형성되어 있는 세정 장치.
14. 제 8 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 분사 수단이 상기 복수의 피세정 부재를 향하여 균등하게 배치된 복수의 샤워 노즐인 세정 장치
15. 제 8 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 피세정 부재가 레지스트와 금속 박막을 형성한 반도체 기판인 세정 장치.

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