JP6329342B2 - 洗浄方法及び洗浄装置 - Google Patents
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims description 85
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 58
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 168
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 40
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 40
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 23
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims description 22
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 claims description 21
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 19
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 13
- 238000007654 immersion Methods 0.000 claims description 11
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 68
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 58
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 40
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 37
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 description 8
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 6
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000009795 derivation Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 230000002522 swelling effect Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
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- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Description
本発明に係る洗浄方法は、図1、図2及び図6に示すように、複数の被洗浄部材1を処理液2に沈めた状態で、その複数の被洗浄部材1に向けて処理液2を噴射する噴射ステップBと、複数の被洗浄部材1を沈めた処理液2と噴射ステップBで噴射した処理液2とを排出する排出ステップCとを有する。そして、噴射ステップBと排出ステップCとを、複数の被洗浄部材1を処理液2に沈めた状態を保持しながら行うように構成される。
以下、本発明に係る洗浄方法と洗浄装置の各構成を詳しく説明する。なお、以下では、洗浄装置の構成を説明しつつ洗浄方法を構成する各ステップを説明する。
被洗浄部材1は、特に限定されず、各種のものを洗浄対象にすることができる。例えば図7で説明するように、リフトオフ法で利用する処理基板であってもよい。この処理基板は、半導体基板51上に設けられたレジスト52と、そのレジスト52上に設けられた金属薄膜53とを有している。また、それ以外の洗浄対象であってもよく、例えば、プリント基板等に代表される各種の回路基板であってもよいし、ガラス基板やシリコン基板上にTFT回路が設けられた回路基板であってもよいし、その他の基板であってもよい。いずれにしても、被洗浄物54である不要物が浮遊した状態で被洗浄部材1に再付着するのを防ぐとともに、複数の被洗浄部材1をまとめて同時に処理して処理能力を高めたい被洗浄部材1であればよい。
浸漬手段は、図1及び図2に示すように、複数の被洗浄部材1を処理液2に沈めるための処理槽11を少なくとも備えている。
噴射手段21は、処理槽11の上部12に配置され、その処理槽11内に配置された複数の被洗浄部材1に向けて処理液2を噴射させるための手段である。
排出手段31は、処理槽11の下部13に配置され、その処理槽11内の処理液2を排出するための手段である。
制御手段は、複数の被洗浄部材1を処理槽11内の処理液2に沈めた状態を保持しながら、噴射手段21から処理液2を噴射するとともに、排出手段31から処理液2を排出するための手段である。
回収手段は、被洗浄部材1を洗浄することによって生じた被洗浄物(不要物)54である。この回収手段は、その被洗浄物54の種類や大きさにより、必要に応じて設けられる。被洗浄物54が、上記したリフトオフ法によって剥離する金属薄膜53及びレジスト52からなる被洗浄物54である場合は、回収手段として回収網41(図1を参照)を設けることが好ましい。こうした回収網41は、ステンレス製の網を用いることができ、その網目(メッシュ)は、剥離した金属薄膜53の大きさに応じて選択することができる。
処理液2は、洗浄目的や被洗浄部材1の種類に応じて任意に選択され、有機溶剤等の有機系の処理液であってもよいし、無機系の処理液であってもよい。こうした処理液2は、通常、図1中に示すバルブを任意に操作することにより、図1に示す経路内を循環させて用いられる。処理液2の循環、処理槽11への供給、及びシャワーノズル21への供給は、各種の方法で行うことができる。
2 処理液
10 洗浄装置
11 処理槽
12 処理槽の上部
13 処理槽の下部
14 カセット受部材
14a カセットガイド
15 収容部材(収容カセット)
16 カセット保持部材
17 昇降装置
18 オーバーフロー槽
19 オーバーフロー槽排出口
21 噴射手段(ノズル)
22 ノズル配管
23 ノズル配管の保持部材
27 ノズルの昇降装置
28 オーバーフロー壁
29 処理液通過口
31 排出手段(排出口)
35 超音波洗浄装置
41 回収手段(回収網)
51 半導体基板
52 レジスト
53 金属薄膜
54 被洗浄物(不要物)
71 キャニスター
72 圧縮ガス
81 循環槽
82 循環ポンプ
83,84,85 フィルター
86 熱交換器(ヒーター)
88 液面センサー
91 処理液脱気装置
92 ノズル
95 圧力センサー
A 浸漬ステップ
B 噴射ステップ
C 排出ステップ
D 回収ステップ
Claims (9)
- 処理液で満たした処理槽内に複数の被洗浄部材及び噴出手段を前記処理液に沈めた状態で、前記処理液を噴射する噴射手段から前記複数の被洗浄部材に向けて該被洗浄部材の上側から処理液を所定の高圧状態で噴射する噴射ステップと、
前記複数の被洗浄部材を沈めた処理液と前記噴射ステップで噴射した処理液とを前記被洗浄部材の下側から排出する排出ステップと、を有し、
前記噴射ステップと前記排出ステップとを、前記複数の被洗浄部材を処理液に沈めた状態を保持しながら、
前記噴射ステップでは、前記処理液をガスで加圧して高圧状態とし、高圧状態の前記処理液を一気に前記処理槽に噴射しており、
前記排出ステップの排出量を前記噴射ステップの導入量よりも増すように制御している、
ことを特徴とする洗浄方法。 - 前記噴射ステップでの処理液の噴射量を徐々に増すとともに、前記排出ステップでの処理液の排出量を徐々に増すように制御する、請求項1に記載の洗浄方法。
- 前記噴射ステップの前に、前記複数の被洗浄部材を処理液に浸漬させる浸漬ステップが設けられている、請求項1又は2に記載の洗浄方法。
- 前記複数の被洗浄部材が収容部材に収容されている、請求項1〜3のいずれか1項に記載の洗浄方法。
- 処理液が満され、複数の被洗浄部材を処理液に沈めるための処理槽と、
前記処理槽の上部に配置され、且つ該処理槽に満たされた前記処理液に沈められ、該処理槽内に配置された前記複数の被洗浄部材に向けて処理液を所定の高圧状態で噴射させるための噴射手段と、
前記処理槽の下部に配置され、該処理槽内の処理液を排出するための排出手段と、
前記複数の被洗浄部材を前記処理槽内の処理液に沈めた状態を保持しながら、前記噴射手段から前記処理液を噴射するとともに、前記排出手段から前記処理液を排出するための制御手段と、を有し、
前記噴射手段は、前記処理液をガスで加圧して高圧状態とし、高圧状態の前記処理液を一気に前記処理槽に噴射し、
前記制御手段は、前記排出手段からの排出量を前記噴射手段の導入量よりも増すように制御する、
ことを特徴とする洗浄装置。 - 前記噴射手段での処理液の噴射量を徐々に増すとともに、前記排出手段の処理液の排出量を徐々に増すための制御手段を有する、請求項5に記載の洗浄装置。
- 前記処理槽は、前記被洗浄部材に向けて前記処理液を噴射させる前に、前記複数の被洗浄部材を前記処理液に浸漬させる処理槽である、請求項5又は6に記載の洗浄装置。
- 前記被洗浄部材から離脱した被洗浄物を回収する回収手段が設けられている、請求項5〜7のいずれか1項に記載の洗浄装置。
- 前記噴射手段が、前記複数の被洗浄部材に向けて均等に配置された複数のシャワーノズルである、請求項5〜8のいずれか1項に記載の洗浄装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013120644A JP6329342B2 (ja) | 2013-06-07 | 2013-06-07 | 洗浄方法及び洗浄装置 |
CN201380076677.7A CN105210177B (zh) | 2013-06-07 | 2013-11-29 | 清洗方法和清洗装置 |
KR1020167000332A KR102088632B1 (ko) | 2013-06-07 | 2013-11-29 | 세정 방법 및 세정 장치 |
PCT/JP2013/082252 WO2014196099A1 (ja) | 2013-06-07 | 2013-11-29 | 洗浄方法及び洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013120644A JP6329342B2 (ja) | 2013-06-07 | 2013-06-07 | 洗浄方法及び洗浄装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014239141A JP2014239141A (ja) | 2014-12-18 |
JP6329342B2 true JP6329342B2 (ja) | 2018-05-23 |
Family
ID=52007765
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013120644A Active JP6329342B2 (ja) | 2013-06-07 | 2013-06-07 | 洗浄方法及び洗浄装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6329342B2 (ja) |
KR (1) | KR102088632B1 (ja) |
CN (1) | CN105210177B (ja) |
WO (1) | WO2014196099A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017224734A (ja) * | 2016-06-15 | 2017-12-21 | 株式会社ダルトン | 洗浄方法及び洗浄装置 |
CN109318114A (zh) * | 2017-07-31 | 2019-02-12 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 一种半导体晶圆的最终抛光机以及最终抛光及清洗方法 |
JP7305090B2 (ja) * | 2019-01-30 | 2023-07-10 | アサヒプリテック株式会社 | レジスト廃液からの有価金属粉回収方法、及び有価金属粉回収装置 |
CN112599441A (zh) * | 2020-11-30 | 2021-04-02 | 硅密芯镀(海宁)半导体技术有限公司 | 清洗系统、晶圆清洗设备及晶圆浸润水洗方法 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6441217A (en) | 1987-08-07 | 1989-02-13 | Nippon Telegraph & Telephone | Method and device for manufacturing semiconductor integrated circuit |
US5922138A (en) * | 1996-08-12 | 1999-07-13 | Tokyo Electron Limited | Liquid treatment method and apparatus |
JP2000100761A (ja) * | 1998-09-25 | 2000-04-07 | Seiko Epson Corp | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
JP2000173962A (ja) * | 1998-12-07 | 2000-06-23 | Sony Corp | ウエハ洗浄装置及び洗浄方法 |
JP2000308857A (ja) * | 1999-04-27 | 2000-11-07 | Tokyo Electron Ltd | 液処理方法及び液処理装置 |
KR100481858B1 (ko) * | 2002-07-22 | 2005-04-11 | 삼성전자주식회사 | 공비혼합 효과를 이용하여 반도체기판을 건조시키는 장비및 상기 장비를 사용하는 건조방법 |
JP2004327962A (ja) * | 2003-04-07 | 2004-11-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | レジストの剥離装置及び剥離方法 |
JP2005032948A (ja) * | 2003-07-11 | 2005-02-03 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | 半導体ウエハの洗浄方法および,洗浄装置 |
JP2005183791A (ja) * | 2003-12-22 | 2005-07-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法及びその装置 |
JP4207205B2 (ja) * | 2003-12-24 | 2009-01-14 | 和夫 田▲邉▼ | リフトオフ方法及び装置 |
JP4502854B2 (ja) | 2005-03-22 | 2010-07-14 | 株式会社高田工業所 | 基板の処理装置及び処理方法 |
JP4705517B2 (ja) * | 2006-05-19 | 2011-06-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法、基板洗浄装置、プログラム、および記録媒体 |
JP2008166426A (ja) * | 2006-12-27 | 2008-07-17 | Siltronic Ag | 洗浄方法及び洗浄装置 |
JP2008306104A (ja) * | 2007-06-11 | 2008-12-18 | Elpida Memory Inc | ウェット処理装置及びウェット処理方法 |
JP5690168B2 (ja) * | 2011-02-25 | 2015-03-25 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板洗浄装置、基板洗浄方法、表示装置の製造装置及び表示装置の製造方法 |
-
2013
- 2013-06-07 JP JP2013120644A patent/JP6329342B2/ja active Active
- 2013-11-29 WO PCT/JP2013/082252 patent/WO2014196099A1/ja active Application Filing
- 2013-11-29 CN CN201380076677.7A patent/CN105210177B/zh active Active
- 2013-11-29 KR KR1020167000332A patent/KR102088632B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102088632B1 (ko) | 2020-03-16 |
CN105210177A (zh) | 2015-12-30 |
WO2014196099A1 (ja) | 2014-12-11 |
CN105210177B (zh) | 2018-08-07 |
KR20160018695A (ko) | 2016-02-17 |
JP2014239141A (ja) | 2014-12-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160420 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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