CN112599441A - 清洗系统、晶圆清洗设备及晶圆浸润水洗方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种清洗系统、晶圆清洗设备及晶圆浸润水洗方法，其中清洗系统包括清洗槽、清洁喷嘴和排水口，所述清洁喷嘴和所述排水口均设在所述清洗槽内，所述排水口可封闭，所述清洗系统还包括进水口，所述进水口设在所述清洗槽内，所述进水口连通外部进水管路。本技术方案中，晶圆的浸润和清洗在同一个槽内完成，不需要同时设置晶圆浸润槽和晶圆清洗槽，工序过程简单，使用方便，晶圆不需要浸泡之后移入清洗槽，避免晶圆因移动发生污染。

Description

清洗系统、晶圆清洗设备及晶圆浸润水洗方法
技术领域
本发明涉及集成电路制造领域，特别涉及一种清洗系统、晶圆清洗设备及晶圆浸润水洗方法。
背景技术
集成电路的制造工艺，一般分为干法制程和湿法制程。在湿法制程中，晶圆电镀工艺是非常重要的一步，晶圆电镀工艺至少需要ECD(电化学沉积)槽(又称电镀槽)和SRD(Spin Rinse Dryer，旋转烘干)槽。晶圆在ECD槽完成电镀之后，需经由SRD进行清洗和干燥。
现有技术中，对水平电镀完成后需要对晶圆进行浸泡和清洗，需要同时设置浸泡槽和清洗槽，并使晶圆先进入浸泡槽中进行执行浸泡工序，再转移至清洗槽中进行执行清洗工序，导致工序执行过程复杂，且不节约用水。
同时，晶圆在浸泡槽中完成浸泡工序，再转移至清洗槽的过程中，容易对设备环境造成污染。
发明内容
本发明要解决的技术问题是为了克服现有技术中对晶圆进行浸泡和清洗的执行过程复杂、不节约用水，且容易对设备环境造成污染的缺陷，提供一种清洗系统、晶圆清洗设备及晶圆浸润水洗方法。
本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题：
一种清洗系统，其包括清洗槽、清洁喷嘴和排水口，所述清洁喷嘴和所述排水口均设在所述清洗槽内，所述排水口可封闭，所述清洗系统还包括进水口，所述进水口设在所述清洗槽内，所述进水口连通外部进水管路。
本技术方案中，晶圆的浸润和清洗在同一个槽内完成，不需要同时设置晶圆浸润槽和晶圆清洗槽，工序过程简单，使用方便，晶圆不需要浸泡之后移入清洗槽，避免晶圆因移动发生污染。
优选地，所述清洗系统包括挡板，所述挡板设在所述清洗槽靠近槽口的位置，所述挡板的中间位置具有供晶圆夹具进入的开口。
本技术方案中，挡板可以在清洁喷嘴进行喷洗时，防止清洗槽内的液体飞溅，污染外界环境，挡板的中间位置具有供晶圆夹具进入的开口，开口的形状和晶圆夹具的形状匹配，便于晶圆夹具放入清洗槽。
优选地，所述清洗系统还包括排水槽，所述排水口通过所述排水槽连通至排水管路，所述排水槽位于所述清洗槽下方。
本技术方案中，排水槽可以容纳大量的液体，排水槽设在清洗槽的下方，排水口通过排水槽连通至排水管路，可以容纳从清洗槽中流过的大量水流，以实现快速降低清洗槽中的水位的目的。
优选地，所述排水槽的容积大于清洗槽的容积。
本技术方案中，排水槽的容积大于清洗槽的容积，可以使得大量的水可以经由排水口，从清洗槽中流入排水槽储存或排出，以在清洗槽装满水的情况下，实现快速排空清洗槽的目的。当清洗槽中水位排空，排水槽中依旧有空间容纳水流，避免因排水槽空间有限而导致清洗槽中水流无法排出。
优选地，所述清洗系统包括溢流管道，所述溢流管道连通所述清洗槽和排水管路，所述溢流管道在所述清洗槽上的开口位于所述清洗槽的内侧表面。
本技术方案中，溢流管道连通清洗槽和排水管路，当清洗槽中水流过多或过急，无法及时从排水口中排出时，溢流口从清洗槽内侧，将过多的水流经由排水管路流出到安全区域，避免过多的水流从清洗槽中溢出。
优选地，所述溢流管道在所述清洗槽上的开口高于所述清洗槽的清洗工位。
本技术方案中，清洗槽上的开口高于清洗槽的清洗工位，可以使得清洗槽内的水位需要浸润清洁工位之后，才能从清洗槽上高于清洗工位的水位溢出，避免水流从清洗槽上低于清洗水位的位置直接流出，不能起到清洗的效果。
一种晶圆清洗设备，其包括清洗系统；晶圆夹具，所述晶圆夹具用于固定晶圆；移动机构，所述移动机构连接于所述晶圆夹具，所述移动机构能够驱动所述晶圆夹具移入或移出所述清洗系统的所述清洗槽。
本技术方案中，晶圆的浸润和清洗在同一个槽内完成，不需要同时设置晶圆浸润槽和晶圆清洗槽；工序过程简单，使用方便，晶圆不需要浸泡之后移入清洗槽，避免晶圆移动过程发生污染；同时移动机构能够将晶圆移入或移出清洗槽。
一种晶圆浸润水洗方法，其采用如上所述的清洗系统，所述晶圆浸润水洗方法包括以下步骤：
开启进水口并封闭排水口，当清洗槽内的液体液位高于第一液位后关闭进水口；
将晶圆移入清洗槽内，使所述晶圆移入清洗槽内的高度低于所述第一液位的高度；
开启清洁喷嘴。
本技术方案中，晶圆的浸润和清洗工序可同时在一个槽内进行，不需要在分别在浸润槽浸润以及清洗槽中清洗，工序过程简单，使用方便；同时晶圆不需要在浸泡之后移入清洗槽，可以避免因移动发生污染。
优选地，在开启进水口并封闭排水口，当清洗槽内的液体液位高于第一液位后关闭进水口之后包括步骤：开启排水口。
本技术方案中，当清洗槽内的液体水位高于第一液位后，开启排水口，清洗槽内的液位降低，将清洗之后带有杂质的水流排出，避免带有杂质的水流反复浸润晶圆夹具和晶圆。
优选地，在开启进水口并封闭排水口，当清洗槽内的液体液位高于第一液位，关闭进水口之后先执行步骤：将晶圆移入清洗槽内，使所述晶圆移入清洗槽内的高度低于所述第一液位的高度，再执行步骤：开启排水口。
本技术方案中，先执行将晶圆移入清洗槽，再执行开启排水口，清洗槽内的水可以先对晶圆进行浸润之后，再经由排水口排出清洗槽。
优选地，在执行步骤：开启排水口之后，重复交替执行步骤：开启进水口并封闭排水口，当清洗槽内的液体液位高于第一液位后关闭进水口和步骤：开启排水口。
本技术方案中，重复交替执行封闭排水口，根据液位高低，关闭进水口的步骤和开启排水口的步骤；可以根据进水口及排水口的开合控制水位高低，多次执行这两个步骤对晶圆进行反复的浸润。
优选地，步骤：开启进水口并封闭排水口，当清洗槽内的液体液位高于第一液位后关闭进水口以及步骤：开启排水口的重复执行次数大于两次。
本技术方案中，重复执行的步骤大于两次，可以使得晶圆和晶圆夹具能够得到反复的清洗，避免清洗的次数太少，清洗不够彻底的技术缺陷。
优选地，在步骤开启排水口中还包括：当清洗槽内的液体液位低于第二液位后关闭排水口；
所述第二液位低于所述晶圆移入清洗槽内的高度。
本技术方案中，第二液位的高度低于晶圆移入清洗槽内的高度，可以在排出一部分污水的同时，避免清洗槽内的液体排空，水位可以迅速上升对晶圆进行浸泡，提高工作效率。
优选地，在将晶圆移入清洗槽内，使所述晶圆移入清洗槽内的高度低于所述第一液位的高度之后，执行步骤：开启清洁喷嘴。
本技术方案中，晶圆移入清洗槽中，使得晶圆移入清洗槽内的高度低于第一液位后，执行步骤开启清洁喷嘴，晶圆低于第一液位，处于液体的浸润中，这时开启清洁喷嘴进行浸润，可以达到在浸润中清洗的效果，清洗效率高，清洗效果好。
本发明的积极进步效果在于：该清洗系统、晶圆清洗设备及晶圆浸润水洗方法中，晶圆的浸润和清洗在同一个槽内完成，不需要同时设置晶圆浸润槽和晶圆清洗槽，工序过程简单，使用方便，晶圆不需要浸泡之后移入清洗槽，避免晶圆因移动发生污染。
附图说明
图1为本发明一实施例的清洗系统的结构示意图。
图2为本发明一实施例的晶圆清洗设备的结构示意图。
图3为本发明一实施例的晶圆清洗方法的示意图。
附图标记说明：
清洗槽1
清洁喷嘴2
排水口3
挡板4
排水槽5
溢流管道6
晶圆夹具7
移动机构8
具体实施方式
下面通过实施例的方式进一步说明本发明，但并不因此将本发明限制在所述的实施例范围之中。
如图1和图2所示，本发明公开了一种晶圆清洗设备，这种晶圆清洗设备包括清洗系统、用于固定晶圆的晶圆夹具7和与晶圆夹具7连接的移动机构8。
如图1所示，本清洗系统用于清洗晶圆。清洗系统包括清洗槽1，清洗槽1内设有清洁喷嘴2、排水口3和进水口(图中未示出)，清洁喷嘴2位于整个清洗槽1的底部，清洁喷嘴2与外部进水管路连通，以在开启的情况下向晶圆喷水，实现对晶圆表面进行清洗的目的。排水口3位于清洗槽1下端，排水口3可以封闭。当排水口3打开时，清洗槽1内水能够从排水口3中流动排出，而当排水口3关闭时，清洗槽1内的水不会被排出。进水口同样设置在清洗槽1内，进水口连通外界的进水管路，以在进水口被开启时向清洗槽1内供水。
如图2所示，移动机构8能够驱动晶圆夹具7移入或移出清洗系统的清洗槽1。本实施例中，该移动机构8为机械手。
该晶圆清洗设备的清洗系统，在清洗槽1的排水口3封闭时，通过进水口向清洗槽1内输送水，使清洗槽1内的液位可以上升，对位于清洗槽1内的晶圆进行浸泡，使得对晶圆的浸润和清洗工序可以在同一个槽内完成，不需要同时设置相对独立的两个槽体以分别实施例浸润和清洗工序，整体工序过程简单，使用方便，晶圆不需要像现有技术中那样在实施浸润的槽体中完成浸润工序之后再移入实施清洗的槽体中，有效避免转移晶圆的过程中对四周环境产生污染。其中，进水口可以被设置在清洗槽1内的任意位置处，优选的，可设置在清洗槽1中低于浸润液位的位置处。
此外，由于该清洗系统的清洗槽1具备实施清洗和浸润晶圆的能力，且这两个工序可以在晶圆位于清洗槽1内时同时实施，在同时实施上述工序时，执行对晶圆的清洗可提高浸润晶圆的效果，执行对晶圆的浸润也同样可提高清洗晶圆的效果，因此，相比于现有技术中的清洗或浸润方案，该清洗系统对晶圆的浸润和清洗效果都会更好。
通过在晶圆清洗设备中设置清洗系统，使得晶圆清洗设备无需再设置其他额外的槽体来实施浸润或清洗工序，从而有效简化设备结构，也可有效提高设备的可靠性。
如图1所示，清洗槽1内靠近槽口的位置设有挡板4，挡板4呈环状，在挡板4的中间位置处具有供用于固定晶圆的晶圆夹具7进入的开口。
挡板4可以在清洁喷嘴2进行喷洗时，防止清洗槽1内的液体飞溅，污染外界环境，挡板4的中间位置具有供晶圆夹具7进入的开口，开口的形状和晶圆夹具7的形状匹配，便于晶圆夹具7放入清洗槽1。
优选地，该挡板4与清洗槽1之间可通过可拆卸的连接方式实现固定，以方便更换挡板4，不同的挡板4可具有不同尺寸的开口，以用于供不同规格尺寸的晶圆(及对应的晶圆夹具7)移入清洗槽1内，同时保证移入的晶圆夹具7与挡板4的开口之间的间隙足够小，进一步阻止清洗及浸润过程中的液体飞溅至清洗槽1的外部。
如图1所示，清洗槽1下端还设有排水槽5，排水槽5用于排水，在执行浸润工序时应当封闭，以保证浸润液位。本实施例中，排水口3是通过排水槽5连通至外部排水管路的，因此，在排水口3开启时，清洗槽1内的水会快速流入并集中于排水槽5中，再通过排水管路排出。通过设置排水槽5，并在开启排水口3后通过排水槽5收集排出液体后再送至外部的排水管路，可以使排水槽5容纳从清洗槽1中排出的大量水流，以实现快速降低清洗槽1中的水位的目的。该结构设置，使得在清洗槽1内水位较高时，通过开启排水口3将水快速从清洗槽1内排出成为可能，从而使得清洗槽1具备同时对晶圆实施浸润和清洗的可能。进一步，通过设置排水槽5将清洗槽1内液体快速排出，可利用快速降低清洗槽1内液位的方式，提高对晶圆的清洗效果。
优选地，排水槽5的容积应当大于清洗槽1的容积，以使得大量的水可以经由排水口3，从清洗槽1中流入排水槽5储存或排出，以在清洗槽1装满水的情况下，实现快速排空清洗槽1的目的。当清洗槽1中水位排空，排水槽5中依旧有空间容纳水流，避免因排水槽5空间有限而导致清洗槽1中水流无法排出。
如图1所示，清洗槽1上连有溢流管道6，溢流管道6连通清洗槽1和外部的排水管路，溢流管道6在清洗槽1上的开口6a位于清洗槽1的内侧表面处，溢流管道6的开口6a保持开启，以使清洗槽1内的浸润液位不高于开口6a的位置。
溢流管道6连通清洗槽1和排水管路，当清洗槽1中水流过多或过急，无法及时从排水口3中排出时，溢流口从清洗槽1内侧，将过多的水流经由排水管路流出到安全区域，避免过多的水流从清洗槽1的顶部开口处溢出。
如图1所示，溢流管道6在清洗槽1上的开口6a高于清洗槽1的清洗工位，清洗槽1清洗晶圆时的水位低于溢流管道6在清洗槽1的开口6a。
清洗槽1上的开口6a高于清洗槽1的清洗工位(即浸润液位的高度)，可以使得清洗槽1内的水位需要浸润清洁工位之后，才能从清洗槽1上高于清洗工位的水位溢出，避免水流从清洗槽1上低于清洗水位的位置直接流出，不能起到清洗的效果。
晶圆的浸润和清洗可以用同一个槽完成，移动机构8的机械手将晶圆夹具7及固定在其表面的晶圆移动到清洗槽1后，可以既对晶圆进行浸润，又对晶圆进行清洗。不需要对晶圆从浸润槽移动到清洗槽1，避免了机械手将晶圆从浸润槽移动到清洗槽1过程中的污染。本实施例中，移动机构8的机械手可以是六自由度机械手，以使得机械手能够将晶圆夹具7移动至其他槽体内。
如图1和图3所示，本发明还公开了一种晶圆浸润水洗方法，其采用前文已经说明的清洗系统，晶圆浸润水洗方法包括如下步骤：
S1、开启进水口并封闭排水口，当清洗槽内的液体液位高于第一液位后关闭进水口；
S2、将晶圆移入清洗槽内，使晶圆移入清洗槽内的高度低于第一液位的高度；
S3、开启清洁喷嘴。
该方法通过开启进水口放水，关闭排水口3避免水流流出，根据清洗槽1内的水位判断是否关闭进水口，当清洗槽1内的液体高于第一液位后关闭进水口，使清洗槽1内存有能够实施浸润工序的液位。其中，第一液位的位置可以根据清洗槽1内实际工作情况自行设定，以本实施例中的清洗系统为例，第一液位可以低于或齐平于溢流管道6在清洗槽1上的开口6a。将晶圆移入清洗槽1内，晶圆移入清洗槽1内的高度低于第一液位的高度。晶圆可以在清洗槽1中进行浸润。开启清洁喷嘴2后，可以对清洗槽1内的晶圆进行冲洗。
当然，在其他本实施例中，该方法的这三个步骤之间的顺序可以是任意排列的，以同样实现清洗系统对晶圆同时实施浸润和清洗的目的。
优选地，晶圆移入清洗槽1中之后再执行开启步骤S3，使晶圆在清洗槽1的位置低于第一液位，处于液体的浸润中，这时开启清洁喷嘴2进行清洗，可以达到在浸润过程中进行清洗的效果，清洗效率高，清洗效果好，同时，浸润工序和清洗工序同时执行，可降低整体工序的流程耗时。因此，可以在执行步骤S2之后，马上执行步骤S3，以对晶圆同时进行浸润和清洗，进一步提高浸润和清洗的效果。
优选地，在步骤S1之中，当清洗槽1内的液体水位高于第一液位后，可以执行步骤S4：开启排水口3。以通过该步骤使清洗槽1内的液位降低，将清洗之后带有杂质的水流排出，避免带有杂质的水流反复浸润晶圆夹具7和晶圆，造成二次污染。
优选地，执行步骤S4之后，水会经由排水口3流出，因此，在步骤S1和步骤S4之间，可执行步骤S2，使清洗槽1内的水可以先对晶圆进行浸润之后，再通过开启排水口3的方式使水排出清洗槽1，降低清洗槽中的水位。
水流在清洗槽1内产生一次液位变化，液位变化本身就会作用于晶圆和晶圆夹具7表面，以对晶圆及晶圆夹具7进行一次清洗。因此，该清洗系统不仅能够使浸润和清洗工序在同一个清洗槽1内同时进行，节省时间，同时进行清洗和浸润工序，还能使得晶圆的清洗更彻底。在执行步骤S4之后，可以多次交替执行步骤S1和步骤S4，以通过水位的不断升降，提高浸润和清洗的效果。优选的，步骤S1和步骤S4的交替执行次数可以为两次以上，避免对晶圆清洗的次数太少，导致晶圆清洗效果不佳。
优选地，执行步骤S4之后，清洗槽1内的液位会降低，可以在清洗槽1内设置第二液位，第二液位的高度低于晶圆移入清洗槽1内的高度。通过在开启排水口3后，将清洗槽1内的液位设在第二液位，可以在排出一部分污水的同时，避免清洗槽1内的液体排空，当打开进水口时，水位可以迅速上升对晶圆进行浸泡，提高工作效率。因此在步骤S4之中还包括步骤：当清洗槽1内的液体液位低于第二液位后关闭排水口3，其中。第二液位应当低于晶圆移入清洗槽1内的高度，以获得更好的清洗晶圆的效果。
虽然以上描述了本发明的具体实施方式，但是本领域的技术人员应当理解，这仅是举例说明，本发明的保护范围是由所附权利要求书限定的。本领域的技术人员在不背离本发明的原理和实质的前提下，可以对这些实施方式做出多种变更或修改，但这些变更和修改均落入本发明的保护范围。

Claims (14)

1.一种清洗系统，其包括清洗槽、清洁喷嘴和排水口，所述清洁喷嘴和所述排水口均设在所述清洗槽内，其特征在于，所述排水口可封闭，所述清洗系统还包括进水口，所述进水口设在所述清洗槽内，所述进水口连通外部进水管路。
2.如权利要求1所述的清洗系统，其特征在于，所述清洗系统包括挡板，所述挡板设在所述清洗槽靠近槽口的位置，所述挡板的中间位置具有供晶圆夹具进入的开口。
3.如权利要求1所述的清洗系统，其特征在于，所述清洗系统还包括排水槽，所述排水口通过所述排水槽连通至排水管路，所述排水槽位于所述清洗槽下方。
4.如权利要求3所述的清洗系统，其特征在于，所述排水槽的容积大于清洗槽的容积。
5.如权利要求1所述的清洗系统，其特征在于，所述清洗系统包括溢流管道，所述溢流管道连通所述清洗槽和排水管路，所述溢流管道在所述清洗槽上的开口位于所述清洗槽的内侧表面。
6.如权利要求5所述的清洗系统，其特征在于，所述溢流管道在所述清洗槽上的开口高于所述清洗槽的清洗工位。
7.一种晶圆清洗设备，其特征在于，其包括：
如权利要求1-6中任一项所述的清洗系统；
晶圆夹具，所述晶圆夹具用于固定晶圆；
移动机构，所述移动机构连接于所述晶圆夹具，所述移动机构能够驱动所述晶圆夹具移入或移出所述清洗系统的所述清洗槽。
8.一种晶圆浸润水洗方法，其特征在于，其采用如权利要求1-6中任一项所述的清洗系统，所述晶圆浸润水洗方法包括以下步骤：
开启进水口并封闭排水口，当清洗槽内的液体液位高于第一液位后关闭进水口；
将晶圆移入清洗槽内，使所述晶圆移入清洗槽内的高度低于所述第一液位的高度；
开启清洁喷嘴。
9.如权利要求8所述的晶圆浸润水洗方法，其特征在于，在开启进水口并封闭排水口，当清洗槽内的液体液位高于第一液位后关闭进水口之后包括步骤：开启排水口。
10.如权利要求9所述的晶圆浸润水洗方法，其特征在于，在开启进水口并封闭排水口，当清洗槽内的液体液位高于第一液位，关闭进水口之后先执行步骤：将晶圆移入清洗槽内，使所述晶圆移入清洗槽内的高度低于所述第一液位的高度，再执行步骤：开启排水口。
11.如权利要求10所述的晶圆浸润水洗方法，其特征在于，在执行步骤：开启排水口之后，重复交替执行步骤：开启进水口并封闭排水口，当清洗槽内的液体液位高于第一液位后关闭进水口和步骤：开启排水口。
12.如权利要求11所述的晶圆浸润水洗方法，其特征在于，步骤：开启进水口并封闭排水口，当清洗槽内的液体液位高于第一液位后关闭进水口以及步骤：开启排水口的重复执行次数大于两次。
13.如权利要求9-12任一项所述的晶圆浸润水洗方法，其特征在于，在步骤：开启排水口中还包括：当清洗槽内的液体液位低于第二液位后关闭排水口；
所述第二液位低于所述晶圆移入清洗槽内的高度。
14.如权利要求8-12任一项所述的晶圆浸润水洗方法，其特征在于，在将晶圆移入清洗槽内，使所述晶圆移入清洗槽内的高度低于所述第一液位的高度之后，执行步骤：开启清洁喷嘴。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117316757A (zh) * 2023-11-29 2023-12-29 粤芯半导体技术股份有限公司 晶圆的清洗方法及高压半导体器件的制造方法

Citations (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1098017A (ja) * 1996-09-19 1998-04-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 薄板材供給装置
KR980011983A (ko) * 1996-07-11 1998-04-30 문정환 반도체 웨이퍼 습식세정장치
KR20000056518A (ko) * 1999-02-23 2000-09-15 김규현 반도체 웨이퍼 세정장치
KR20010011343A (ko) * 1999-07-27 2001-02-15 윤종용 웨이퍼 세척 장치
KR20010017387A (ko) * 1999-08-11 2001-03-05 윤종용 웨이퍼 세정 장치
DE10036867A1 (de) * 1999-07-30 2001-05-03 Tokyo Electron Ltd Substrat-Bearbeitungsverfahren und -vorrichtung
US20010015215A1 (en) * 1999-12-07 2001-08-23 Patrick Massicot Semiconductor wafer rinse device
KR20020076675A (ko) * 2001-03-30 2002-10-11 (주)케이.씨.텍 기판 세척 장치
US20020162570A1 (en) * 2000-04-20 2002-11-07 Gilbert Cavazza Method and device for treating a substrate
TW200509235A (en) * 2003-08-21 2005-03-01 Grand Plastic Technology Corp Apparatus for wafer rinsing and drying
KR20060073149A (ko) * 2004-12-24 2006-06-28 동부일렉트로닉스 주식회사 웨이퍼 습식세정을 위한 큐디알베쓰
KR20080096065A (ko) * 2007-04-26 2008-10-30 삼성전자주식회사 기판 세정 장치 및 방법
CN101308766A (zh) * 2003-06-24 2008-11-19 Sez股份公司 湿处理盘状基片的部件和方法
CN101546701A (zh) * 2008-03-27 2009-09-30 大日本网屏制造株式会社 基板处理装置及基板处理方法
US20110303246A1 (en) * 2010-06-11 2011-12-15 Stiyer Mark A Methodologies for rinsing tool surfaces in tools used to process microelectronic workpieces
CN105210177A (zh) * 2013-06-07 2015-12-30 株式会社Dalton 清洗方法和清洗装置
KR101594703B1 (ko) * 2014-11-10 2016-02-16 주식회사 엘지실트론 웨이퍼 세정장치
CN108878321A (zh) * 2018-06-25 2018-11-23 扬州思普尔科技有限公司 一种半导体晶圆清洗用节能快排冲水槽
CN111778542A (zh) * 2020-08-11 2020-10-16 硅密芯镀(海宁)半导体技术有限公司 晶圆移动机构、晶圆电镀单元及含其的晶圆电镀设备
CN111902914A (zh) * 2018-03-26 2020-11-06 株式会社斯库林集团 衬底处理方法及衬底处理装置

Patent Citations (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR980011983A (ko) * 1996-07-11 1998-04-30 문정환 반도체 웨이퍼 습식세정장치
JPH1098017A (ja) * 1996-09-19 1998-04-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 薄板材供給装置
KR20000056518A (ko) * 1999-02-23 2000-09-15 김규현 반도체 웨이퍼 세정장치
KR20010011343A (ko) * 1999-07-27 2001-02-15 윤종용 웨이퍼 세척 장치
DE10036867A1 (de) * 1999-07-30 2001-05-03 Tokyo Electron Ltd Substrat-Bearbeitungsverfahren und -vorrichtung
KR20010017387A (ko) * 1999-08-11 2001-03-05 윤종용 웨이퍼 세정 장치
US20010015215A1 (en) * 1999-12-07 2001-08-23 Patrick Massicot Semiconductor wafer rinse device
US20020162570A1 (en) * 2000-04-20 2002-11-07 Gilbert Cavazza Method and device for treating a substrate
KR20020076675A (ko) * 2001-03-30 2002-10-11 (주)케이.씨.텍 기판 세척 장치
CN101308766A (zh) * 2003-06-24 2008-11-19 Sez股份公司 湿处理盘状基片的部件和方法
TW200509235A (en) * 2003-08-21 2005-03-01 Grand Plastic Technology Corp Apparatus for wafer rinsing and drying
KR20060073149A (ko) * 2004-12-24 2006-06-28 동부일렉트로닉스 주식회사 웨이퍼 습식세정을 위한 큐디알베쓰
KR20080096065A (ko) * 2007-04-26 2008-10-30 삼성전자주식회사 기판 세정 장치 및 방법
CN101546701A (zh) * 2008-03-27 2009-09-30 大日本网屏制造株式会社 基板处理装置及基板处理方法
US20110303246A1 (en) * 2010-06-11 2011-12-15 Stiyer Mark A Methodologies for rinsing tool surfaces in tools used to process microelectronic workpieces
CN105210177A (zh) * 2013-06-07 2015-12-30 株式会社Dalton 清洗方法和清洗装置
KR101594703B1 (ko) * 2014-11-10 2016-02-16 주식회사 엘지실트론 웨이퍼 세정장치
CN111902914A (zh) * 2018-03-26 2020-11-06 株式会社斯库林集团 衬底处理方法及衬底处理装置
CN108878321A (zh) * 2018-06-25 2018-11-23 扬州思普尔科技有限公司 一种半导体晶圆清洗用节能快排冲水槽
CN111778542A (zh) * 2020-08-11 2020-10-16 硅密芯镀(海宁)半导体技术有限公司 晶圆移动机构、晶圆电镀单元及含其的晶圆电镀设备

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117316757A (zh) * 2023-11-29 2023-12-29 粤芯半导体技术股份有限公司 晶圆的清洗方法及高压半导体器件的制造方法

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