KR20200060483A - 기판 처리 장치, 기판 처리 장치의 세정 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
도 2 는, 실시예에 관련된 기판 처리 장치의 밸브의 개폐 상황과 처리액의 흐름의 관계를 나타내는 제 1 설명도이다.
도 3 은, 실시예에 관련된 기판 처리 장치의 밸브의 개폐 상황과 처리액의 흐름의 관계를 나타내는 제 2 설명도이다.
도 4 는, 실시예에 관련된 기판 처리 장치의 밸브의 개폐 상황과 처리액의 흐름의 관계를 나타내는 제 3 설명도이다.
도 5 는, 실시예에 관련된 기판 처리 장치의 세정의 흐름을 나타내는 플로 차트이다.
도 6 은, 제 1 변형예에 관련된 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 블록도이다.
도 7 은, 제 2 변형예에 관련된 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 블록도이다.
도 8 은, 제 3 변형예에 관련된 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 블록도이다.
도 9 는, 제 4 변형예에 관련된 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 블록도이다.
도 10 은, 제 5 변형예에 관련된 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 블록도이다.
11 : 처리조
111 : 내조
112 : 외조
121 : 처리액 공급원
13 : 배액 배관
131 : 내조 배액 밸브
132 : 외조 배액 밸브
133 : 펌프
134 : 원패스 배액 밸브
14 : 순환 배관
141 : 필터
142 : 처리조 순환 밸브
15 : 바이패스 배관
151 : 순환 배액 밸브
16 : 제어부
17 : 폐액 회수 탱크
Claims (12)
- 기판을 처리액으로 처리하는 기판 처리 장치로서,
상기 처리액을 저류하고, 기판을 침지시키는 처리조와,
상기 처리액을 상기 처리조에 공급하는 처리액 공급 수단과,
상기 처리액이 상기 처리조로부터 장치 외로 배액될 때의 유로가 되는 배액 배관과,
상기 처리액을 여과하는 필터를 구비하고, 적어도 일단이 상기 처리조에 연락하는 순환 배관과,
상기 순환 배관과 상기 배액 배관을 연락하고, 상기 필터로 여과된 상기 처리액이, 상기 처리조로 되돌아오지 않고 배액될 때의 유로가 되는 바이패스 배관과,
상기 처리조로부터 배출되는 상기 처리액의 유로를 전환하는 개폐 밸브와,
상기 개폐 밸브를 제어하는 제어 수단을 갖는, 기판 처리 장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 순환 배관은 일단이 상기 처리조에 접속하고, 타단은 배액 배관에 접속하고 있고,
상기 개폐 밸브에는, 상기 처리조로부터 배출된 상기 처리액이 상기 배액 배관만을 통과하여 배액되는 유로와, 상기 처리조로부터 배출된 상기 처리액이 상기 배액 배관으로부터 상기 순환 배관으로 흐르는 유로를 전환하는 원패스 배액 밸브가 포함되어 있고,
상기 처리조로부터 배출된 상기 처리액이 상기 배액 배관으로부터 상기 순환 배관으로 흐르는 경우에는, 상기 순환 배관은, 상기 처리액이 상기 처리조와의 사이에서 순환 가능한 유로를 형성하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제 2 항에 있어서,
상기 배액 배관은, 일단이 상기 처리조에 접속하고 있고, 그 배관 내의 상류에 상기 처리조로부터 상기 처리액을 배출하는지의 여부를 전환하는 처리조 배액 밸브를 구비하고,
상기 순환 배관은, 일단이 상기 처리조에 연락하고 타단이 상기 배액 배관의 상기 처리조 배액 밸브보다 하류에 접속하고 있고, 상기 필터와 상기 처리조 사이에 위치하는 처리조 순환 밸브를 구비하고,
상기 바이패스 배관은, 일단이 상기 필터와 상기 처리조 순환 밸브 사이에서 상기 순환 배관과 접속하고, 타단이 상기 순환 배관이 접속하고 있는 위치보다 하류에서 상기 배액 배관과 접속하고 있고, 상기 바이패스 배관 내의 유로를 개폐하는 순환 배액 밸브를 구비하고,
상기 제어 수단은, 상기 처리조 배액 밸브, 원패스 배액 밸브, 처리조 순환 밸브, 순환 배액 밸브의 각 밸브를 개폐 제어함으로써, 상기 처리조로부터 배출된 상기 처리액이, 상기 순환 배관의 일부 및 상기 바이패스 배관을 유통하여, 상기 처리조로 되돌아오지 않고 배액되는, 순환 배액 처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제 3 항에 있어서,
상기 처리조로부터 배출된 처리액을 회수하는 폐액 회수 탱크를 추가로 갖고 있고,
상기 배액 배관은, 일단이 상기 처리조에 접속하고, 타단이 상기 폐액 회수 탱크에 접속하고 있고,
상기 제어 수단은, 상기 폐액 회수 탱크의 잔용량의 정보를 취득하고, 상기 폐액 회수 탱크에 소정의 잔용량이 있는 경우에는, 그 소정의 잔용량 이하의 처리액을 상기 처리조로부터 배출하여, 상기 순환 배액 처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제 4 항에 있어서,
상기 처리조는, 기판을 침지시키는 내조와, 내조의 주위를 둘러싸도록 배치되는 외조를 구비하고 있고,
상기 배액 배관은, 상기 내조와 접속하는 내조 배액 배관부, 및 상기 외조와 접속하는 외조 배액 배관부를 구비하고 있고,
상기 폐액 회수 탱크의 소정의 잔용량은, 상기 외조의 용적 이상으로 설정되어 있고,
상기 제어 수단은, 상기 폐액 회수 탱크의 잔용량의 정보를 취득하고, 상기 폐액 회수 탱크에 소정의 잔용량이 있는 경우에는, 상기 외조에 저류되어 있는 처리액을 모두 배출하여 상기 순환 배액 처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제 5 항에 있어서,
상기 처리액 공급 수단은, 상기 내조에 처리액을 공급하도록 배치되고,
상기 처리조는, 상기 내조로부터 넘친 처리액이 상기 외조에 저류되는 구성으로서, 상기 외조에 대한 처리액의 공급은, 상기 내조를 통하여 실시되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제 4 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 폐액 회수 탱크는, 탱크 내에 회수된 처리액을 배출하는 유로 및 그 유로를 개폐하는 폐액 밸브를 구비하고,
상기 제어 수단은, 상기 폐액 회수 탱크에 회수된 처리액의 온도 정보를 취득하고, 상기 폐액 회수 탱크에 소정의 잔용량이 없는 경우에 있어서, 상기 폐액 회수 탱크 내의 처리액의 온도가 소정의 온도 이하이면, 상기 폐액 밸브의 개폐 제어를 실시함으로써 상기 폐액 회수 탱크로부터 상기 처리액을 배출하고, 상기 폐액 회수 탱크에 소정의 잔용량을 확보한 후, 상기 순환 배액 처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 제 3 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제어 수단은, 상기 순환 배액 처리가 실시된 횟수의 정보를 취득하고, 상기 처리액에 의한 기판의 처리가 끝날 때마다, 상기 순환 배액 처리를 소정의 횟수만큼 반복하여 실시하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. - 처리액을 저류하고 기판의 침지 처리를 실시하는 내조 및 그 내조로부터 넘친 상기 처리액을 저류하는 외조를 구비하는 처리조와, 상기 처리조로부터 상기 처리액을 배출하는 배액 배관과, 그 배액 배관에 접속하고, 상기 내조와 상기 배액 배관을 연락하는 순환 배관과, 그 순환 배관 및 상기 배액 배관에 접속하고, 상기 순환 배관으로부터 처리조를 회피하는 유로를 형성하는 바이패스 배관을 갖는 기판 처리 장치의 세정 방법으로서,
상기 침지 처리에 사용한 사용이 끝난 처리액을 상기 처리조로부터 배출하는 세정 준비 스텝과,
상기 내조에 청정한 처리액을 공급하고, 추가로 상기 내조를 통하여 상기 외조에 처리액을 공급하는 처리조 세정 스텝과,
상기 청정한 처리액을 외조만으로부터 배출하고, 상기 배액 배관, 상기 순환 배관 및 바이패스 배관을 통하여 배액하는 배관 세정 스텝을 갖는, 기판 처리 장치의 세정 방법. - 제 9 항에 있어서,
상기 배관 세정 스텝에 있어서, 한번에 배액되는 처리액의 양이, 상기 외조의 용적 미만의 소정량으로 정해져 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 세정 방법. - 제 10 항에 있어서,
상기 기판 처리 장치는 사용이 끝난 처리액을 회수하는 폐액 회수 탱크를 추가로 갖고 있고,
상기 외조 배관 세정 스텝의 전공정으로서,
상기 폐액 회수 탱크에 상기 소정량분의 빈 곳이 있는지를 확인하는, 탱크 잔용량 확인 스텝을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 세정 방법. - 제 11 항에 있어서,
상기 탱크 잔용량 확인 스텝에 있어서, 상기 폐액 회수 탱크에 상기 소정량분의 빈 곳이 없었던 경우에는,
상기 폐액 회수 탱크 내의 처리액의 온도가, 소정의 배액 가능 온도 이하인지의 여부를 확인하고,
배액 가능 온도 이하이면, 상기 폐액 회수 탱크 내의 처리액을 탱크로부터 배출하고,
배액 가능 온도를 초과하고 있으면, 배액 가능 온도 이하가 될 때까지, 대기와 확인을 반복하는, 탱크 잔용량 확보 스텝을 추가로 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 세정 방법.
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CN113714188A (zh) * | 2021-09-15 | 2021-11-30 | 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司 | 一种用于单片浸入式湿处理工艺的表面排气设备及方法 |
CN113714201A (zh) * | 2021-09-15 | 2021-11-30 | 新阳硅密(上海)半导体技术有限公司 | 一种用于单片湿处理制程的槽式工艺系统 |
CN113600554B (zh) * | 2021-10-09 | 2021-12-07 | 南通欧能达超声设备有限公司 | 一种超声波芯片清洗设备 |
JP7546620B2 (ja) | 2022-05-17 | 2024-09-06 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置及び基板処理方法 |
CN115475797B (zh) * | 2022-09-30 | 2024-04-05 | 肇庆绿宝石电子科技股份有限公司 | 一种叠层电容器及其制造方法、载条清洗液及制备方法 |
CN115921410A (zh) * | 2022-12-14 | 2023-04-07 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 清洗系统及方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000173972A (ja) * | 1998-12-03 | 2000-06-23 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2002210422A (ja) * | 2001-01-16 | 2002-07-30 | Sony Corp | 被処理基板の洗浄処理装置と洗浄方法 |
KR101332976B1 (ko) * | 2011-03-25 | 2013-11-25 | 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
JP2016063204A (ja) | 2014-09-22 | 2016-04-25 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置の洗浄方法及び基板処理装置 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4668079B2 (ja) * | 2006-01-30 | 2011-04-13 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP5829446B2 (ja) * | 2011-07-13 | 2015-12-09 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置及びその液交換方法 |
JP5829458B2 (ja) * | 2011-08-25 | 2015-12-09 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
JP2015070080A (ja) * | 2013-09-27 | 2015-04-13 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体 |
JP6326387B2 (ja) * | 2015-03-19 | 2018-05-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
-
2017
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000173972A (ja) * | 1998-12-03 | 2000-06-23 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2002210422A (ja) * | 2001-01-16 | 2002-07-30 | Sony Corp | 被処理基板の洗浄処理装置と洗浄方法 |
KR101332976B1 (ko) * | 2011-03-25 | 2013-11-25 | 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
JP2016063204A (ja) | 2014-09-22 | 2016-04-25 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置の洗浄方法及び基板処理装置 |
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