KR20200060483A - 기판 처리 장치, 기판 처리 장치의 세정 방법 - Google Patents

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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

본 발명에 관련된 기판 처리 장치는, 처리액을 저류하고, 기판을 침지시키는 처리조와, 상기 처리액을 상기 처리조에 공급하는 처리액 공급 수단과, 상기 처리액이 상기 처리조로부터 장치 외로 배액될 때의 유로가 되는 배액 배관과, 상기 처리액을 여과하는 필터를 구비하고, 적어도 일단이 상기 처리조에 연락하는 순환 배관과, 상기 순환 배관과 상기 배액 배관을 연락하고, 상기 필터로 여과된 상기 처리액이, 상기 처리조로 되돌아오지 않고 배액될 때의 유로가 되는 바이패스 배관과, 상기 처리조로부터 배출되는 상기 처리액의 유로를 전환하는 개폐 밸브와, 상기 개폐 밸브를 제어하는 제어 수단을 갖는다.

Description

기판 처리 장치, 기판 처리 장치의 세정 방법
본 발명은 처리액을 사용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 기판에 대해 처리액에 의한 처리를 실시한 후에, 처리조, 배관, 필터, 펌프 등, 처리액이 접촉한 장치 각 부를 세정하는 기술에 관한 것이다. 또한, 본 명세서에서 말하는 기판에는, 예를 들어 반도체 웨이퍼, 액정 디스플레이용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, 유기 EL 용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광 자기 디스크용 기판, 포토마스크 기판, 세라믹 기판, 태양광 전지용 기판 등이 포함된다.
약액, 순수 등의 처리액을 사용하여 기판의 처리를 실시하는 이 종류의 장치에 있어서는, 처리액을 처리조에 저류하고, 처리액 순환용 배관과 처리조의 사이에서 순환시켜, 기판의 처리를 실시하고 있다. 그리고, 상기 순환용 배관에는, 처리액을 압송하는 펌프, 처리액 중에 혼재하는 메탈 등의 파티클을 제거하는 필터, 처리액의 온도 조절용 히터 등이 배치되어 있다.
상기와 같은 구성의 장치를 사용하여 기판 처리를 실시한 경우, 처리액을 배출한 후에는, 처리조 내나 배관 내 (특히 필터, 펌프 등) 에, 파티클이나 이것을 포함하는 처리액이 잔류한다.
이 때문에, 종래부터, 기판 처리 후에는, 순수를 사용하여 처리조 내, 배관 내를 청소하는 것이 실시되고 있다. 예를 들어, 특허문헌 1 에 기재된 기판 처리 장치는, 내조와 외조로 이루어지는 처리조와, 내조와 외조를 연통 접속하고, 처리액을 순환시키기 위한 순환 배관과, 상기 외조에 순수를 공급하는 순수 공급부와, 상기 내조에 저류하는 순수를 배출하는 배액 배관을 구비하고 있고, 상기 순수 공급부로부터 순수를 외조에 공급시키고, 상기 외조에 저류하는 순수를 상기 순환 배관에 의해 상기 내조에 이송시키고, 상기 내조에 저류하는 순수를 상기 배액 배관에 배출시키고, 상기 공급, 상기 이송, 상기 배출의 모두 또는 그들 중의 적어도 2 개를 동시 또한 연속적으로 실행함으로써, 상기 내조, 상기 외조, 상기 순환 배관에 순수를 유통시키면서 세정을 실시시키고, 소정의 세정 시간이 경과한 후 또는 소정량의 순수를 공급한 후에, 상기 순수 공급부로부터의 순수의 공급을 정지시키는 것이 기재되어 있다.
이와 같은 구성에 의해, 순수 공급부로부터 공급된 순수가, 외조, 순환 배관, 내조, 배액 배관으로 구성되는 외길이 되는 경로에서 유통하므로, 순수를 유통시키면서 각 부를 순수로 세정할 수 있다.
그러나, 상기와 같은 구성에 의하면, 배관 내를 유통한 순수는 일단 처리조를 경유하여 배액되기 때문에, 배관 내 (특히 필터) 에 잔류하고 있는 파티클이, 세정을 위한 순수에 의해 처리조 내로 옮겨진다. 이 때문에, 처리조 내의 파티클을 완전하게는 다 제거할 수 없다는 과제가 있었다.
또, 순수를 사용하여 세정을 실시하면, 순수가 처리조 및 배관 내에 잔류하게 된다. 이와 같이 순수가 잔류한 상태이면, 이로써, 다음 회에, 기판 처리에 사용하는 약액이 희석되기 때문에, 약액의 농도 관리가 엄격하게 요구되는 경우에는, 원래 순수를 사용하여 처리조 및 배관 내를 세정하는 것은 곤란하다는 사정이 있다.
이 때문에, 순수 대신에 청정한 약액 (이하, 신액 (新液) 이라고도 한다) 을 사용하여 처리조 및 배관 내 세정을 실시하는 것을 생각할 수 있지만, 약액을 사용하는 경우에는 순수와 동일하게는 배액할 수 없다. 즉, 사용 후의 약액 (이하, 폐액이라고도 한다) 은, 폐기에 의한 환경에 대한 악영향을 방지하기 위해서 소정의 처리를 실시할 필요가 있지만, 이것을 실시하는 설비에는 기판 처리 직후의 고온의 폐액을 보낼 수는 없다. 이 때문에, 기판 처리용으로 가열된 폐액은 일단 냉각 탱크에 회수하고, 소정 온도까지 냉각시킨 후, 후공정에 보낼 필요가 있다.
이것으로부터, 냉각 탱크에 빈 용량이 없으면, 약액을 배액할 수는 없고, 특히 기판 처리 직후에는, 냉각 탱크에는 고온의 폐액이 다량으로 수용된 상태이기 때문에, 처리조 및 배관 내의 세정을 위해서 다량의 약액을 한번에 유통·배액시키는 것은 불가능하다.
일본 공개특허공보 2016-63204호
본 발명은 상기와 같은 문제를 감안하여, 처리액을 사용하여 기판 처리를 실시하는 기판 처리 장치의 처리조 및 배관 내를 세정하는 경우에 있어서, 상기 배관 내를 세정한 후의 세정액을, 처리조를 경유시키지 않고 배액하는 기술을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명은 이하의 구성을 채용한다.
본 발명에 관련된 기판 처리 장치는, 기판을 처리액으로 처리하는 기판 처리 장치로서, 상기 처리액을 저류하고, 기판을 침지시키는 처리조와, 상기 처리액을 상기 처리조에 공급하는 처리액 공급 수단과, 상기 처리액이 상기 처리조로부터 장치 외로 배액될 때의 유로가 되는 배액 배관과, 상기 처리액을 여과하는 필터를 구비하고, 적어도 일단이 상기 처리조에 연락하는 순환 배관과, 상기 순환 배관과 상기 배액 배관을 연락하고, 상기 필터로 여과된 상기 처리액이, 상기 처리조로 되돌아오지 않고 배액될 때의 유로가 되는 바이패스 배관과, 상기 처리조로부터 배출되는 상기 처리액의 유로를 전환하는 개폐 밸브와, 상기 개폐 밸브를 제어하는 제어 수단을 갖는다.
상기와 같은 구성에 의하면, 개폐 밸브를 사용하여 처리액의 유로를 전환함으로써, 처리조로부터 배출되고 순환 배관을 통과한 처리액을 처리조에 되돌리지 않고 바이패스 배관을 통하여 배액할 수 있다. 이 때문에, 처리액을 사용하여 배관 내를 세정하는 경우에 있어서, 필터를 포함하는 배관 내에 잔류한 폐액 및 파티클을 처리조에 되돌리지 않고, 배관 내를 세정하는 것이 가능해진다.
또, 상기 순환 배관은 일단이 상기 처리조에 접속하고, 타단은 배액 배관에 접속하고 있고, 상기 개폐 밸브에는, 상기 처리조로부터 배출된 상기 처리액이 상기 배액 배관만을 통과하여 배액되는 유로와, 상기 처리조로부터 배출된 상기 처리액이 상기 배액 배관으로부터 상기 순환 배관으로 흐르는 유로를 전환하는 원패스 배액 밸브가 포함되어 있고, 상기 처리조로부터 배출된 상기 처리액이 상기 배액 배관으로부터 상기 순환 배관으로 흐르는 경우에는, 상기 순환 배관은, 상기 처리액이 상기 처리조와의 사이에서 순환 가능한 유로를 형성하는 것이어도 된다. 이와 같은 구성에 의해, 처리액을 순환시킬 때에 배액 배관을 순환을 위한 유로의 일부로서 활용할 수 있다.
또, 상기 배액 배관은, 일단이 상기 처리조에 접속하고 있고, 그 배관 내의 상류에 상기 처리조로부터 상기 처리액을 배출하는지의 여부를 전환하는 처리조 배액 밸브를 구비하고, 상기 순환 배관은, 일단이 상기 처리조에 연락하고 타단이 상기 배액 배관의 상기 처리조 배액 밸브보다 하류에 접속하고 있고, 상기 필터와 상기 처리조 사이에 위치하는 처리조 순환 밸브를 구비하고, 상기 바이패스 배관은, 일단이 상기 필터와 상기 처리조 순환 밸브 사이에서 상기 순환 배관과 접속하고, 타단이 상기 순환 배관이 접속하고 있는 위치보다 하류에서 상기 배액 배관과 접속하고 있고, 상기 바이패스 배관 내의 유로를 개폐하는 순환 배액 밸브를 구비하고, 상기 제어 수단은, 상기 처리조 배액 밸브, 원패스 배액 밸브, 처리조 순환 밸브, 순환 배액 밸브의 각 밸브를 개폐 제어함으로써, 상기 처리조로부터 배출된 상기 처리액이, 상기 순환 배관의 일부 및 상기 바이패스 배관을 유통하여, 상기 처리조로 되돌아오지 않고 배액되는, 순환 배액 처리를 실시하도록 해도 된다.
상기와 같은 구성이면, 배관 및 밸브의 조합을 간소하게 구성할 수 있다. 또, 각각의 밸브에 대해 개별로 개폐 지시를 하지 않아도, 제어 수단이 실시하는 처리에 의해, 처리액을 처리조에 되돌리지 않고, 배관 내의 세정을 실시할 수 있다. 또한, 본 명세서에 있어서, 상류, 하류란, 배액 배관의 처리조 배액 밸브측을 상류로 하여, 처리조로부터 배출된 처리액의 흐름에 따라서 정의된다.
또, 상기 처리조로부터 배출된 처리액을 회수하는 폐액 회수 탱크를 추가로 갖고 있고, 상기 배액 배관은, 일단이 상기 처리조에 접속하고, 타단이 상기 폐액 회수 탱크에 접속하고 있고, 상기 제어 수단은, 상기 폐액 회수 탱크의 잔용량의 정보를 취득하고, 상기 폐액 회수 탱크에 소정의 잔용량이 있는 경우에는, 그 소정의 잔용량 이하의 처리액을 상기 처리조로부터 배출하여, 상기 순환 배액 처리를 실시하도록 해도 된다.
상기와 같은 구성이면, 폐액 회수 탱크에 빈 곳이 있는 경우에는 약액을 사용하여 배관 내를 세정할 수 있다. 이로써, 다음 회의 기판 처리시에 처리조 및 배관 내에 잔류한 순수에 의해 약액의 농도가 희석되지 않고, 배관 내를 처리할 수 있다.
또한, 배관 내에 한번에 통액시키는 액량이 지나치게 적으면, 배관 내를 유효하게 세정하는 것에 지장이 발생하므로, 배관 내를 유효하게 세정하기 위해서 필요한 1 회당의 통액량의 하한을 정해 두면 된다. 당해 하한의 양은, 장치의 사양, 처리되는 기판의 종류, 처리되는 기판의 장수, 사용되는 처리액의 종류 등의 조건에 따라, 실험적으로 혹은 시뮬레이션에 의해 정해도 된다.
또, 상기 처리조는, 기판을 침지시키는 내조와, 내조의 주위를 둘러싸도록 배치되는 외조를 구비하고 있고, 상기 배액 배관은, 상기 내조와 접속하는 내조 배액 배관부, 및 상기 외조와 접속하는 외조 배액 배관부를 구비하고 있고, 상기 폐액 회수 탱크의 소정의 잔용량은, 상기 외조의 용적 이상으로 설정되어 있고, 상기 제어 수단은, 상기 폐액 회수 탱크의 잔용량의 정보를 취득하고, 상기 폐액 회수 탱크에 소정의 잔용량이 있는 경우에는, 상기 외조에 저류되어 있는 처리액을 모두 배출하여 상기 순환 배액 처리를 실시하도록 해도 된다.
이와 같은 구성이면, 외조의 용적을 한도로 한 양으로 1 회의 통액량을 관리할 수 있고, 많은 처리액을 불필요하게 공급 및 배액하는 것을 억지할 수 있기 때문에, 결과적으로 기판의 처리 효율을 향상시키고, 처리액의 절약도 실시할 수 있다.
또, 상기 처리액 공급 수단은, 상기 내조에 처리액을 공급하도록 배치되고, 상기 처리조는, 상기 내조로부터 넘친 처리액이 상기 외조에 저류되는 구성으로서, 상기 외조에 대한 처리액의 공급은, 상기 내조를 통하여 실시하도록 해도 된다.
이와 같은 구성이면, 배관 내의 세정을 실시할 때에, 내조 및 외조도 빠짐없이 세정할 수 있다. 또한, 처리조 및 배관 내의 세정이 종료한 후, 내조가 처리액으로 채워진 상태가 되므로, 다음의 기판 처리를 신속하게 실행하는 것이 가능해진다. 즉, 배관 내 세정을 위한 처리액의 공급이, 다음의 기판 처리의 준비를 겸하도록 할 수 있다.
또, 상기 폐액 회수 탱크는, 탱크 내에 회수된 처리액을 배출하는 유로 및 그 유로를 개폐하는 폐액 밸브를 구비하고, 상기 제어 수단은, 상기 폐액 회수 탱크에 회수된 처리액의 온도 정보를 취득하고, 상기 폐액 회수 탱크에 소정의 잔용량이 없는 경우에 있어서, 상기 폐액 회수 탱크 내의 처리액의 온도가 소정의 온도 이하이면, 상기 폐액 밸브의 개폐 제어를 실시함으로써 상기 폐액 회수 탱크로부터 상기 처리액을 배출하고, 상기 폐액 회수 탱크에 소정의 잔용량을 확보한 후, 상기 순환 배액 처리를 실시하도록 해도 된다.
이와 같은 구성이면, 폐액 회수 탱크의 잔용량에 상관없이, 배관 내 세정을 실시하기 위해서 필요한 처리를 제어 수단에 의해 자동적으로 실행할 수 있기 때문에, 오퍼레이터에 의한 조작 (지시) 을 기다리는 시간을 없애고, 장치의 가동률을 향상시킬 수 있다.
또, 상기 제어 수단은, 상기 처리액에 의한 기판의 처리가 실행된 횟수 및 상기 순환 배액 처리가 실시된 횟수의 정보를 취득하고, 소정의 횟수의 기판 처리가 끝날 때마다, 상기 순환 배액 처리를 소정 횟수만 반복하여 실시하도록 해도 된다.
이와 같은 구성이면, 세정에 적합한 임의의 타이밍과, 적정한 잔류 파티클의 제거율을 달성하는 횟수로, 배관 내 세정을 위한 처리를 자동적으로 실시할 수 있다. 또한, 당해 횟수는, 장치의 사양, 처리되는 기판의 종류, 처리되는 기판의 장수, 사용되는 처리액의 종류 등의 조건에 따라, 실험적으로 혹은 시뮬레이션에 의해 정해도 된다.
또, 본 발명에 관련된 기판 처리 장치의 세정 방법은, 처리액을 저류하고 기판의 침지 처리를 실시하는 내조 및 그 내조로부터 넘친 상기 처리액을 저류하는 외조를 구비하는 처리조와, 상기 처리조로부터 상기 처리액을 배출하는 배액 배관과, 그 배액 배관에 접속하고, 상기 내조와 상기 배액 배관을 연락하는 순환 배관과, 그 순환 배관 및 상기 배액 배관에 접속하고, 상기 순환 배관으로부터 처리조를 회피하는 유로를 형성하는 바이패스 배관을 갖는 기판 처리 장치의 세정 방법으로서, 상기 침지 처리에 사용한 사용이 끝난 처리액을 상기 처리조로부터 배출하는 세정 준비 스텝과, 상기 내조에 청정한 처리액을 공급하고, 추가로 상기 내조를 통하여 상기 외조에 처리액을 공급하는 처리조 세정 스텝과, 상기 청정한 처리액을 외조만으로부터 배출하고, 상기 배액 배관, 상기 순환 배관 및 바이패스 배관을 통하여 배액하는 배관 세정 스텝을 갖는다.
이와 같은 방법이면, 처리조로부터 배출되고, 순환 배관 내를 유통한 처리액을 처리조에 되돌리지 않고 배액할 수 있기 때문에, 배관 내에 잔류한 폐액 및 파티클을 처리조에 되돌리지 않고, 처리조 내 및 배관 내를 세정하는 것이 가능해진다.
또, 상기 배관 세정 스텝에 있어서, 한번에 배액되는 처리액의 양이, 상기 외조의 용적 미만의 소정량으로 정해져 있어도 된다. 이와 같은 방법이면, 외조의 용적을 한도로 한 소정량 단위로 1 회의 통액량을 관리할 수 있고, 많은 처리액을 불필요하게 공급 및 배액하는 것을 억지할 수 있기 때문에, 결과적으로 기판의 처리 효율을 향상시키고, 처리액의 절약도 실시할 수 있다.
또, 상기 기판 처리 장치는 사용이 끝난 처리액을 회수하는 폐액 회수 탱크를 추가로 갖고 있고, 상기 외조 배관 세정 스텝의 전 (前) 공정으로서, 상기 폐액 회수 탱크에 상기 소정량분의 빈 곳이 있는지를 확인하는, 탱크 잔용량 확인 스텝을 갖고 있어도 된다.
이와 같은 방법이면, 폐액 회수 탱크에 빈 곳이 있는 경우에는 약액을 사용하여 배관 내를 세정할 수 있다. 이로써, 다음 회의 기판 처리시에 처리조 및 배관 내에 잔류한 순수에 의해 약액의 농도가 희석되지 않고, 배관 내를 처리할 수 있다.
또, 상기 탱크 잔용량 확인 스텝에 있어서, 상기 폐액 회수 탱크에 상기 소정량분의 빈 곳이 없었던 경우에는, 상기 폐액 회수 탱크 내의 처리액의 온도가, 소정의 배액 가능 온도 이하인지의 여부를 확인하고, 배액 가능 온도 이하이면, 상기 폐액 회수 탱크 내의 처리액을 탱크로부터 배출하고, 배액 가능 온도를 초과하고 있으면, 배액 가능 온도 이하가 될 때까지, 대기와 확인을 반복하는, 탱크 잔용량 확보 스텝을 추가로 갖고 있어도 된다.
이와 같은 방법이면, 폐액 회수 탱크의 잔용량에 상관없이, 배관 내 세정을 실시하기 위해서 필요한 처리를 자동적으로 실행할 수 있기 때문에, 오퍼레이터에 의한 조작 (지시) 을 기다리는 시간이 불필요하게 되고, 장치의 가동률을 향상시킬 수 있다.
본 발명에 의하면, 처리액을 사용하여 기판 처리를 실시하는 기판 처리 장치의 처리조 및 배관 내를 세정하는 경우에 있어서, 상기 배관 내를 세정한 후의 세정액을, 처리조를 경유시키지 않고 배액하는 기술을 제공할 수 있다.
도 1 은, 실시예에 관련된 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 블록도이다.
도 2 는, 실시예에 관련된 기판 처리 장치의 밸브의 개폐 상황과 처리액의 흐름의 관계를 나타내는 제 1 설명도이다.
도 3 은, 실시예에 관련된 기판 처리 장치의 밸브의 개폐 상황과 처리액의 흐름의 관계를 나타내는 제 2 설명도이다.
도 4 는, 실시예에 관련된 기판 처리 장치의 밸브의 개폐 상황과 처리액의 흐름의 관계를 나타내는 제 3 설명도이다.
도 5 는, 실시예에 관련된 기판 처리 장치의 세정의 흐름을 나타내는 플로 차트이다.
도 6 은, 제 1 변형예에 관련된 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 블록도이다.
도 7 은, 제 2 변형예에 관련된 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 블록도이다.
도 8 은, 제 3 변형예에 관련된 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 블록도이다.
도 9 는, 제 4 변형예에 관련된 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 블록도이다.
도 10 은, 제 5 변형예에 관련된 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 블록도이다.
이하에 도면을 참조하여, 이 발명을 실시하기 위한 형태를, 실시예에 기초하여 예시적으로 설명한다.
＜실시예＞
(기판 처리 장치의 구성)
도 1 은 실시예에 관련된 기판 처리 장치 (1) 의 개략 구성을 나타내는 블록도이다. 기판 처리 장치 (1) 는, 처리조 (11) 에 처리액을 저류하고, 기판을 유지하는 리프터 (도시 생략) 를 사용하여, 기판을 그 처리조 (11) 에 침지하여 처리를 실시하는, 이른바 배치식의 장치이다.
또한, 본 명세서에 있어서는, 「처리액」이라는 말은, 약액과 순수를 포함하는 의미로 사용된다. 약액으로는, 혼산 (질산과 인산과 아세트산의 혼합액) 외에, 예를 들어 SPM (황산과 과산화수소수의 혼합액), 오존과수 (오존, 과산화수소수의 혼합액), SC1 (암모니아수와 과산화수소수의 혼합액), SC2 (염산과 과산화수소수의 혼합액), HF (불산), H3PO4 (인산), FPM (불산과 과산화수의 혼합액), FOM (불산과 오존과수의 혼합액) 등을 들 수 있다. 이들 처리액은, 기판 상의 형성막의 종류, 처리 공정 등에 따라 적절히 선택적으로 사용된다.
처리조 (11) 는, 처리액으로서의 각종 약액, 순수 등을 저류하기 위한 용기이고, 기판의 침지 처리가 실시되는 내조 (111) 와, 내조 (111) 의 주위를 둘러싸도록 배치되고, 내조 (111) 로부터 넘친 처리액을 회수하는 외조 (112) 를 구비하고 있다. 내조 (111) 는 기판을 재치 (載置) 한 리프터를 수용 가능한 크기를 갖고 있고, 외조 (112) 는 내조 (111) 보다 작은 수용량을 갖는 용기이다.
내조 (111) 의 바닥부에는 내조 (111) 내의 처리액을 배출하는 내조 배액구 (도시 생략) 가 배치되고, 후술하는 배액 배관 (13) 의 내조 배액 배관부 (13a) 에 접속하고 있다. 또, 내조 (111) 의 바닥부 근방에는, 길이 방향 측면 내벽의 각각을 따라, 처리액 공급 노즐 (도시 생략), 및 처리액 순환 노즐 (도시 생략) 이 배치되어 있다. 처리액 공급 노즐은, 처리액 공급관 (122) 을 개재하여 처리액 공급원 (121) 과 접속하고 있고, 처리액 공급관 (122) 에 배치된 처리액 노즐의 개폐에 따라서, 내조 (111) 에 처리액을 공급한다. 처리액 순환 노즐은, 후술하는 순환 배관 (14) 과 접속하고 있다.
외조 (112) 의 바닥부에는 외조 (112) 내의 처리액을 배출하는 외조 배액구 (도시 생략) 가 배치되고, 후술하는 배액 배관 (13) 의 외조 배액 배관부 (13b) 에 접속하고 있다. 또, 외조 (112) 는 액면의 높이 (즉, 저류하고 있는 처리액의 양) 를 검지하는 레벨 센서 (예를 들어, 초음파 변위계 등. 도시 생략) 를 구비하고 있다.
기판 처리 장치 (1) 는, 처리조 (11) 와 폐액 회수 탱크 (17) 를 접속하는 배액 배관 (13) 을 갖고 있고, 그 배액 배관 (13) 은, 내조 (111) 와 접속하는 내조 배액 배관부 (13a) 및 외조 (112) 와 접속하는 외조 배액 배관부 (13b) 를 구비하고 있다. 배액 배관 (13) 의 내조 배액 배관부 (13a) 에는 내조 배액 밸브 (131) 가, 외조 배액 배관부 (13b) 에는 외조 배액 밸브 (132) 가 각각 배치되어 있고, 이들 밸브의 개폐에 따라, 내조 (111), 외조 (112) 로부터의 처리액의 배출이 제어된다. 또한, 내조 배액 밸브 (131) 및 외조 배액 밸브 (132) 가 본 발명의 처리조 배액 밸브에 상당한다. 또, 배액 배관 (13) 은 추가로, 펌프 (133) 와, 펌프 (133) 보다 하류 또한 폐액 회수 탱크 (17) 보다 상류에 배치되는 원패스 배액 밸브 (134) 를 구비하고 있다.
폐액 회수 탱크 (17) 는, 폐액 배관 (171) 및 폐액 밸브 (172) 를 구비하고 있고, 폐액 밸브 (172) 가 열린 상태일 때에는, 탱크 내의 폐액을 폐액 배관 (171) 으로부터 폐액 처리 설비 등에 배출한다. 또, 폐액 회수 탱크 (17) 는, 탱크 내의 액면의 높이를 검지하는 레벨 센서 (도시 생략) 와, 탱크 내의 폐액의 온도를 계측하는 온도 센서 (도시 생략) 를 구비하고 있다.
또, 기판 처리 장치 (1) 는, 일단이 펌프 (133) 와 원패스 배액 밸브 (134) 사이에 접속되고, 타단이 상기 처리액 순환 노즐에 접속되는 순환 배관 (14) 을 갖고 있다. 순환 배관 (14) 은 필터 (141) 와, 필터 (141) 와 처리액 순환 노즐 사이에 위치하는 처리조 순환 밸브 (142) 와, 히터 (143) 를 구비하고 있다.
또, 기판 처리 장치 (1) 는, 일단이 필터 (141) 와 처리조 순환 밸브 (142) 사이에서 순환 배관 (14) 과 접속하고, 타단이 원패스 배액 밸브 (134) 보다 하류에서 배액 배관 (13) 과 접속하는 바이패스 배관 (15) 을 갖고 있다. 바이패스 배관 (15) 은 그 상류 근방에 순환 배액 밸브 (151) 를 구비하고 있다.
또, 기판 처리 장치 (1) 는, 제어부 (16) 를 갖고 있다. 제어부 (16) 의 하드웨어로서의 구성은 일반적인 컴퓨터와 동일하다. 즉, 키보드 등의 입력부, 모니터 등의 출력부, CPU (Central Processing Unit), ROM (Read only memory), RAM (Random access memory), 및 대용량 기억 장치 등을 구비하는 구성으로 되어 있다. 제어부 (16) 는, 리프터, 처리액 공급원 (121), 펌프 (133), 히터 (143), 각 부의 밸브, 각종 센서 등과 전기적으로 접속되어 있고, CPU 가 소정의 처리 프로그램을 실행함으로써, 장치 각 부의 센서로부터 정보를 취득하고, 장치 각 부의 동작을 제어한다.
(처리액의 흐름)
도 2, 도 3, 도 4 는, 각각 밸브의 개폐 상황과 처리액의 흐름의 관계를 나타내는 도면이다. 상기 서술한 바와 같은 장치 구성에 있어서, 처리조 (11) 로부터 배출된 처리액은, 원패스 배액 밸브 (134) 가 개방 상태일 때에는, 그대로 폐액 회수 탱크 (17) 에 회수된다 (도 2 참조). 한편, 원패스 배액 밸브 (134) 가 폐쇄 상태일 때에는, 처리액은 순환 배관 (14) 에 유입된다. 순환 배관 (14) 에 유입된 처리액은, 필터 (141) 에 의해 여과되고, 처리조 순환 밸브 (142) 가 개방, 순환 배액 밸브 (151) 가 폐쇄 상태이면, 처리액 순환 노즐로부터 내조 (111) 에 공급된다 (도 3 참조). 한편, 처리조 순환 밸브 (142) 가 폐쇄, 순환 배액 밸브 (151) 가 개방 상태이면, 처리액은 바이패스 배관 (15) 을 통하여, 폐액 회수 탱크 (17) 로 회수된다 (도 4 참조).
또한, 처리액이 저류된 내조 (111) 에 기판이 침지되고, 기판의 처리가 실시되고 있는 동안에는, 내조 배액 밸브 (131) 가 폐쇄 상태, 외조 배액 밸브 (132) 가 개방 상태, 원패스 배액 밸브 (134) 가 폐쇄 상태, 처리조 순환 밸브 (142) 가 개방 상태, 순환 배액 밸브 (151) 가 폐쇄 상태로 되어 있다. 그리고, 외조 (112) 로부터 배출된 처리액은 펌프 (133) 에 의해 압송되어, 순환 배관 (14) 에 유입되고, 필요에 따라 히터 (143) 에 의해 가열되고, 필터 (141) 에 의해 여과 (파티클 제거) 된 후, 처리액 순환 노즐로부터 내조 (111) 로 공급된다. 이로써, 내조 (111) 로부터 처리액이 외조 (112) 에 흘러 넘치기 때문에, 외조 배액 밸브 (132) 가 개방 상태여도, 외조 (112) 가 비게 되는 일은 없고, 새로운 처리액이 공급되지 않아도, 순환하는 처리액에 의해 기판의 처리가 실시된다.
(기판 처리 장치의 세정 방법)
이하에서는, 도 5 를 참조하여, 본 실시예에 관련된 기판 처리 장치 (1) 의 세정의 흐름에 대해 설명한다. 도 5 는 기판의 처리가 종료된 후부터 시작되는, 세정의 흐름을 나타내는 플로 차트이다. 도 5 에 나타내는 바와 같이, 기판의 처리가 종료된 후, 제어부 (16) 는 먼저, 원패스 배액 밸브 (134), 내조 배액 밸브 (131) 및 외조 배액 밸브 (132) 를 개방하고, 처리조 (11) 내의 처리액을 모두 배액한다 (스텝 S101). 이로써, 내조 (111), 외조 (112) (및 배관 내) 는 빈 상태가 되고, 배출된 처리액은, 모두 폐액 회수 탱크 (17) 에 회수된다. 또한, 당해 처리가, 세정 준비 스텝에 해당한다.
다음으로, 제어부 (16) 는 내조 배액 밸브 (131) 및 외조 배액 밸브 (132) 를 폐쇄하고, 처리액 밸브 (123) 를 개방한다. 이로써 처리액 공급원 (121) 으로부터 새로운 (청정한) 처리액이 내조 (111) 에 공급된다. 그리고, 내조 (111) 의 용량을 초과하여 공급된 처리액은 외조 (112) 에 흘러 넘쳐, 외조 (112) 에도 처리액이 저류된다. 여기서, 외조 (112) 에 저류되는 처리액의 양은, 외조 (112) 에 형성된 액면 레벨 센서에 의해 검지되고, 당해 정보가 제어부 (16) 에 의해 취득된다. 그리고, 외조 (112) 에 저류된 처리액의 양이 소정량에 도달한 경우에는, 제어부 (16) 는 처리액 밸브 (123) 를 폐쇄하고, 처리액의 공급을 정지한다. 이로써, 내조 (111) 및 외조 (112) 에 정량분의 처리액이 채워진 상태가 된다 (스텝 S102). 당해 처리가 처리조 (11) 세정 스텝에 해당한다. 또한, 외조를 세정하는 관점에서는, 외조에 저류되는 처리액의 「소정량」은, 외조의 용적에 가까운 값 (용적으로부터 마진을 공제한 정도) 으로 해 두는 것이 바람직하다.
다음으로, 제어부 (16) 는, 폐액 탱크에 형성된 액면 레벨 센서의 정보에 기초하여, 폐액 회수 탱크 (17) 에, 소정의 잔용량이 있는지의 여부를 판단한다 (스텝 S103). 당해 처리가, 탱크 잔용량 확인 스텝에 해당한다. 또한, 폐액 회수 탱크 (17) 의 「소정의 잔용량」은, 스텝 S102 에서 말하는 외조의 소정량보다 큰 값 (예를 들어, 외조 (112) 의 용적분) 으로 설정된다.
그리고, 스텝 S103 에 있어서, 소정의 잔용량이 없다고 판정한 경우에는, 계속하여, 폐액 회수 탱크 (17) 내의 폐액의 온도가 소정의 값 (예를 들어 70 ℃) 이하인지의 여부를 판단한다 (스텝 S104). 여기서, 폐액의 온도가 소정의 값 이하라고 판정한 경우에는, 폐액 밸브 (172) 를 개방하고, 탱크 내의 폐액을 배출하고 (스텝 S105), 스텝 S103 으로 되돌아온다. 한편, 스텝 S104 에 있어서, 폐액의 온도가 소정의 값을 초과하고 있다고 판정한 경우에는, 소정 시간 대기한 후, 다시 폐액 회수 탱크 (17) 내의 폐액의 온도가 소정의 값 이하인지의 여부를 판단하는 처리를 반복한다. 또한, 당해 스텝 S104 및 스텝 S105 의 일련의 처리가, 탱크 잔용량 확보 스텝에 해당한다.
또한, 스텝 S105 에 있어서, 폐액 회수 탱크 (17) 내의 폐액을 배출하는 경우에는, 반드시 탱크를 완전히 비울 필요는 없고, 소정의 잔용량분을 확보할 수 있는 만큼의 배출을 실시하는 것이어도 된다. 또, 탱크로부터의 배액을 실행하면서 스텝 S103 으로 되돌아오도록 해도 된다.
스텝 S103 에 있어서, 소정의 잔용량이 있다고 판정한 경우에는, 외조 배액 밸브 (132) 를 개방 상태, 원패스 배액 밸브 (134) 를 폐쇄 상태, 처리조 순환 밸브 (142) 를 폐쇄 상태, 순환 배액 밸브 (151) 를 개방 상태로 하고, 외조 (112) 에 저류된 처리액을 전량 배액한다 (스텝 S106). 이 때, 배출된 처리액은 순환 배관 (14) 및 바이패스 배관 (15) 을 통하여 폐액 회수 탱크 (17) 에 회수됨으로써, 배관 내를 세정한다 (도 4 참조). 당해 처리가, 순환 배액 처리, 배관 세정 스텝에 해당한다.
또한, 처리액 공급원 (121) 으로부터 새롭게 공급되는 처리액은 상온 (약 25 ℃) 이기 때문에, 이것이 폐액 회수 탱크 (17) 에 회수되면, 탱크 내의 폐액의 냉각이 촉진되게 된다. 즉, 신액을 사용한 순환 배액 처리를 실시할수록, 폐액을 신속하게 탱크 외로 배출할 수 있기 때문에, 탱크에 소정의 잔용량 이상의 빈 곳이 있는 경우에는 즉시 순환 배액 처리가 실시되도록 해 두면, 폐액 회수 탱크 (17) 의 잔용량의 확보를 효율적으로 실시할 수 있다.
다음으로, 제어부 (16) 는, 스텝 S106 의 순환 배액 처리가 실시된 횟수가, 소정의 반복 횟수 (예를 들어 3 회) 로 되어 있는지의 여부를 판단한다 (스텝 S107). 여기서, 소정의 반복 횟수에 도달해 있다고 판정한 경우에는, 루틴을 종료하고, 소정의 반복 횟수에 미치지 못한다고 판정한 경우에는, 스텝 S102 로 되돌아와 처리를 반복한다. 또한, 당해 판정을 실시하기 위해서, 제어부 (16) 는 순환 폐액 처리를 실시한 횟수를 카운트하고, ROM 등에 유지해 둔다.
이상과 같은 기판 처리 장치 (1) 의 구성에 의해, 도 4 에 나타내는 바와 같은 루트로 처리액을 배액할 수 있고, 배관 내에 잔류하는 폐액, 파티클 등을 처리조 (11) 에 반입하지 않고, 처리조 (11) 및 배관 내를 세정할 수 있다. 이 때문에, 처리조 (11) 내의 청정도를 높게 유지할 수 있고, 이로써 기판 처리의 품질을 높일 수 있다.
또, 상기와 같이, 외조 (112) 의 정량분만의 처리액을 사용하여 배관 내를 세정하기 때문에, 기판 처리 장치 (1) 의 세정의 루틴이 종료한 후에는, 내조 (111) 에는 청정한 처리액이 채워진 상태로 되어 있다. 이 때문에, 다음의 기판 처리를 신속하게 실시할 수 있고, 장치의 스루풋을 향상시킬 수 있다. 또한, 내조 (111) 및 외조 (112) 분 모두를 배액하여 세정을 실시하는 것에 비해, 처리액을 절약할 수 있다.
또, 폐액 회수 탱크 (17) 에 외조 (112) 의 소정량분의 잔용량이 있으면, 세정 처리를 실시할 수 있기 때문에, 폐액 회수 탱크 (17) 가 비게 되는 것을 기다릴 필요가 없고, 세정 처리를 효율적으로 실시할 수 있다. 또한, 상기 서술한 바와 같이, 신액을 사용하여 세정 처리를 실시하면 탱크 내의 폐액의 온도가 낮아지므로, 세정 처리를 실시하는 타이밍을 앞당김으로써, 폐액 회수 탱크 (17) 로부터의 배액의 타이밍을 앞당길 수도 있다. 이와 같은 상승 효과에 의해 추가로 대기 시간을 삭감할 수 있고, 장치의 스루풋의 향상에 기여할 수 있다.
＜변형예 1＞
또한, 상기 실시예는 예를 들어 이하의 각 변형예와 같은 변형을 실시하는 것도 가능하다. 도 6 은, 제 1 변형예에 관련된 기판 처리 장치 (1) 의 개략 구성을 나타내는 블록도이다. 도 6 에 나타내는 바와 같이, 본 변형예는, 배액 배관 (13) 이 원패스 배액 밸브 (134) 보다 하류에 약액 배액 밸브 (135) 를 구비하는 점, 그 약액 배액 밸브 (135) 와 원패스 배액 밸브 (134) 사이에서 배액 배관 (13) 에 접속하는 순수 배액 배관 (136) 을 갖고 있는 점에 있어서, 상기 실시예와 상이하다.
순수 배액 배관 (136) 은, 순수 배액 밸브 (137) 를 구비하고 있고, 그 순수 배액 밸브 (137) 가 개방 상태, 약액 배액 밸브 (135) 가 폐쇄 상태인 경우, 처리액은 폐액 회수 탱크 (17) 에 회수되지 않고, 순수 배액 배관 (136) 으로부터 장치 외로 배액된다.
이와 같은 구성이면, 폐액 회수 탱크 (17) 를 경유할 필요가 없는 처리액 (예를 들어 순수) 을 사용하는 경우에는, 직접 장치 외로 처리액을 배액하는 것이 가능해진다. 한편, 순수 배액 밸브 (137) 를 폐쇄 상태, 약액 배액 밸브 (135) 를 개방 상태로 하면, 처리액은 폐액 회수 탱크 (17) 에 회수되기 때문에, 사용하는 처리액에 따라 유연한 운용을 실시할 수 있다.
＜변형예 2＞
도 7 은, 제 2 변형예에 관련된 기판 처리 장치 (1) 의 개략 구성을 나타내는 블록도이다. 도 7 에 나타내는 바와 같이, 본 변형예의 기판 처리 장치 (1) 는, 실시예와 비교하여 폐액 회수 탱크 (17), 폐액 배관 (171), 및 폐액 밸브 (172) 를 구비하고 있지 않은 점에서 상이하다.
예를 들어 린스조 등, 처리액으로서, 폐액 회수 탱크 (17) 를 경유할 필요가 없는 액체만을 사용하는 것이 정해져 있는 것이면, 이와 같이 장치 구성을 간략화함으로써, 비용 및 장치의 설치 스페이스를 삭감할 수 있다. 또한, 이 경우에는, 상기 탱크 잔용량 확인 스텝 및 탱크 잔용량 확보 스텝은 생략된다.
＜변형예 3＞
도 8 은, 제 3 변형예에 관련된 기판 처리 장치 (1) 의 개략 구성을 나타내는 블록도이다. 본 변형예에 관련된 기판 처리 장치 (1) 는, 외조 (112) 에 처리액 공급 노즐이 배치되고, 처리액 공급관 (122) 은 외조 (112) 에 위치하는 처리액 공급 노즐에 처리액을 공급하는 구성으로 되어 있다.
이와 같은 구성이면, 내조 (111) 를 경유하지 않고 외조 (112) 에만 처리액을 저류시켜 순환 배액 처리를 실시하는 것이 가능해진다. 이 경우에는, 내조 (111) 가 채워지는 것을 기다릴 필요가 없기 때문에, 장치의 배관 내 세정 자체에 필요로 하는 시간은, 실시예와 비교하여 짧게 할 수 있다.
＜변형예 4＞
도 9 는, 제 4 변형예에 관련된 기판 처리 장치 (1) 의 개략 구성을 나타내는 블록도이다. 도 9 에 나타내는 바와 같이, 본 변형예에서는, 순환 배관 (14) 의 하류측의 일단이 처리액 공급관 (122) 과 접속하고 있다. 즉, 순환 배관 (14) 의 일단은, 처리액 공급관 (122) (및 처리액 공급 노즐) 을 통하여, 처리조 (11) 와 연락하고 있는 구성이다.
이와 같은 구성이면, 처리액을 처리조 (11) 에 순환시키는 경우에도 처리액 공급관 (122) 의 일부와 처리액 공급 노즐을 유용할 수 있다. 이로써 처리액 순환 노즐을 없앨 수 있어, 장치 구성을 간략화하는 것이 가능해진다.
＜변형예 5＞
도 10 은, 제 5 변형예에 관련된 기판 처리 장치 (1) 의 개략 구성을 나타내는 블록도이다. 도 10 이 나타내는 바와 같이, 본 변형예에서는, 원패스 배액 밸브 (134) 가 순환 배관 (14) 에 위치하고 있고, 바이패스 배관 (15) 은 약액 배액 밸브 (135) 보다 하류에서 배액 배관 (13) 과 접속하고 있다. 즉, 본 변형예에 있어서는, 약액 배액 밸브 (135) 및 순수 배액 밸브 (137) 를 폐쇄 상태로 하고, 원패스 배액 밸브 (134) 를 개방 상태로 함으로써 순환 배액 처리를 실시한다. 그리고, 순환 배액 처리에 의해 바이패스 배관 (15) 으로 유입된 처리액은, 폐액 회수 탱크 (17) 에 회수된다.
또, 본 변형예에 관련된 기판 처리 장치 (1) 는, 도 10 에 나타내는 바와 같이 순환 배관 (14) 에 있어서 필터 (141) 의 상류와 하류를 접속하는 순환 우회 배관 (145), 및 그 순환 우회 배관 (145) 의 유로를 개폐하는 순환 우회 밸브 (146) 를 구비하고 있다. 또한, 본 변형예에서는 일단이 필터 (141) 에 접속하고, 타단이 순환 배관 (14) 이 접속하는 위치보다 하류에서 배액 배관 (13) 과 접속하는, 필터 배액 배관 (18) 을 갖고 있고, 그 필터 배액 배관 (18) 은 필터 배액 밸브 (181) 를 구비하고 있다.
이와 같은 구성에 의해, 순환 배액 밸브 (151) 를 폐쇄하고, 필터 배액 밸브 (181) 를 개방함으로써, 본 변형예에서도, 폐액 회수 탱크 (17) 를 경유할 필요가 없는 처리액을 사용하는 경우에는, 직접 장치 외로 처리액을 배액하는 것이 가능해진다. 이와 같이, 기판 처리 장치 (1) 의 배관 및 밸브의 배치는, 본 발명의 기술적 사상의 범위 내에 있어서 자유롭게 설정할 수 있다.
＜기타＞
또한, 상기의 각 예는, 본 발명을 예시적으로 설명하는 것에 불과하며, 본 발명은 상기 구체적인 양태에는 한정되지 않는다. 본 발명은, 그 기술적 사상의 범위 내에서 여러 가지의 응용이 가능하다. 예를 들어, 제어부 (16) 가 기판의 처리 횟수 (장수) 를 관리하고, 소정의 처리 횟수 (장수) 마다, 상기 실시예의 순환 배액 처리를 실행하도록 되어 있어도 된다. 이와 같이 하면, 기판 처리 장치의 처리조 및 배관 내의 청결성을 소정 수준 이상으로 유지한 상태에서, 기판 처리를 계속하여 실시할 수 있게 된다.
또, 상기 실시예에서는, 폐액 회수 탱크 (17) 에 있어서의 「소정의 잔용량」을 외조 (112) 에 저류되는 소정량의 처리액보다 크게 설정하고, 외조 (112) 에 소정량의 처리액이 저류되면 한번에 이것을 전량 배출하도록 하고 있었지만, 반드시 이와 같이 할 필요는 없다. 예를 들어, 폐액 회수 탱크 (17) 에 있어서의 「소정의 잔용량」을 작은 값으로 설정하고, 외조 (112) 로부터 한번에 배출되는 처리액의 양을 이것에 맞추어 적게 해도 된다 (즉, 한 번의 배액으로는 외조 (112) 가 비게 되지 않는 값이어도 된다).
또, 상기 각 예에 있어서, 처리액 공급 수단 (처리액 공급원 (121), 처리액 공급관 (122) 및 처리액 밸브 (123)) 은 1 개밖에 나타나 있지 않지만, 사용되는 처리액의 종류에 따라, 복수의 처리액 공급 수단이 형성되어 있어도 된다.
또, 상기 각 예에서는 외조 (112) 로부터 처리액을 배출하여, 순환 배액 처리를 실시하게 되어 있었지만, 내조 (111) 로부터 신액을 배출함으로써, 순환 배액 처리를 실시하도록 해도 된다. 또한, 상기 각 예에서는, 처리조 (11) 는 내조 (111) 와 외조 (112) 를 구비하는 구조였지만, 1 개의 조만으로 이루어지는 처리조여도 된다.
1 : 기판 처리 장치
11 : 처리조
111 : 내조
112 : 외조
121 : 처리액 공급원
13 : 배액 배관
131 : 내조 배액 밸브
132 : 외조 배액 밸브
133 : 펌프
134 : 원패스 배액 밸브
14 : 순환 배관
141 : 필터
142 : 처리조 순환 밸브
15 : 바이패스 배관
151 : 순환 배액 밸브
16 : 제어부
17 : 폐액 회수 탱크

Claims (12)

  1. 기판을 처리액으로 처리하는 기판 처리 장치로서,
    상기 처리액을 저류하고, 기판을 침지시키는 처리조와,
    상기 처리액을 상기 처리조에 공급하는 처리액 공급 수단과,
    상기 처리액이 상기 처리조로부터 장치 외로 배액될 때의 유로가 되는 배액 배관과,
    상기 처리액을 여과하는 필터를 구비하고, 적어도 일단이 상기 처리조에 연락하는 순환 배관과,
    상기 순환 배관과 상기 배액 배관을 연락하고, 상기 필터로 여과된 상기 처리액이, 상기 처리조로 되돌아오지 않고 배액될 때의 유로가 되는 바이패스 배관과,
    상기 처리조로부터 배출되는 상기 처리액의 유로를 전환하는 개폐 밸브와,
    상기 개폐 밸브를 제어하는 제어 수단을 갖는, 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 순환 배관은 일단이 상기 처리조에 접속하고, 타단은 배액 배관에 접속하고 있고,
    상기 개폐 밸브에는, 상기 처리조로부터 배출된 상기 처리액이 상기 배액 배관만을 통과하여 배액되는 유로와, 상기 처리조로부터 배출된 상기 처리액이 상기 배액 배관으로부터 상기 순환 배관으로 흐르는 유로를 전환하는 원패스 배액 밸브가 포함되어 있고,
    상기 처리조로부터 배출된 상기 처리액이 상기 배액 배관으로부터 상기 순환 배관으로 흐르는 경우에는, 상기 순환 배관은, 상기 처리액이 상기 처리조와의 사이에서 순환 가능한 유로를 형성하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 배액 배관은, 일단이 상기 처리조에 접속하고 있고, 그 배관 내의 상류에 상기 처리조로부터 상기 처리액을 배출하는지의 여부를 전환하는 처리조 배액 밸브를 구비하고,
    상기 순환 배관은, 일단이 상기 처리조에 연락하고 타단이 상기 배액 배관의 상기 처리조 배액 밸브보다 하류에 접속하고 있고, 상기 필터와 상기 처리조 사이에 위치하는 처리조 순환 밸브를 구비하고,
    상기 바이패스 배관은, 일단이 상기 필터와 상기 처리조 순환 밸브 사이에서 상기 순환 배관과 접속하고, 타단이 상기 순환 배관이 접속하고 있는 위치보다 하류에서 상기 배액 배관과 접속하고 있고, 상기 바이패스 배관 내의 유로를 개폐하는 순환 배액 밸브를 구비하고,
    상기 제어 수단은, 상기 처리조 배액 밸브, 원패스 배액 밸브, 처리조 순환 밸브, 순환 배액 밸브의 각 밸브를 개폐 제어함으로써, 상기 처리조로부터 배출된 상기 처리액이, 상기 순환 배관의 일부 및 상기 바이패스 배관을 유통하여, 상기 처리조로 되돌아오지 않고 배액되는, 순환 배액 처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 처리조로부터 배출된 처리액을 회수하는 폐액 회수 탱크를 추가로 갖고 있고,
    상기 배액 배관은, 일단이 상기 처리조에 접속하고, 타단이 상기 폐액 회수 탱크에 접속하고 있고,
    상기 제어 수단은, 상기 폐액 회수 탱크의 잔용량의 정보를 취득하고, 상기 폐액 회수 탱크에 소정의 잔용량이 있는 경우에는, 그 소정의 잔용량 이하의 처리액을 상기 처리조로부터 배출하여, 상기 순환 배액 처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 처리조는, 기판을 침지시키는 내조와, 내조의 주위를 둘러싸도록 배치되는 외조를 구비하고 있고,
    상기 배액 배관은, 상기 내조와 접속하는 내조 배액 배관부, 및 상기 외조와 접속하는 외조 배액 배관부를 구비하고 있고,
    상기 폐액 회수 탱크의 소정의 잔용량은, 상기 외조의 용적 이상으로 설정되어 있고,
    상기 제어 수단은, 상기 폐액 회수 탱크의 잔용량의 정보를 취득하고, 상기 폐액 회수 탱크에 소정의 잔용량이 있는 경우에는, 상기 외조에 저류되어 있는 처리액을 모두 배출하여 상기 순환 배액 처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 처리액 공급 수단은, 상기 내조에 처리액을 공급하도록 배치되고,
    상기 처리조는, 상기 내조로부터 넘친 처리액이 상기 외조에 저류되는 구성으로서, 상기 외조에 대한 처리액의 공급은, 상기 내조를 통하여 실시되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제 4 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 폐액 회수 탱크는, 탱크 내에 회수된 처리액을 배출하는 유로 및 그 유로를 개폐하는 폐액 밸브를 구비하고,
    상기 제어 수단은, 상기 폐액 회수 탱크에 회수된 처리액의 온도 정보를 취득하고, 상기 폐액 회수 탱크에 소정의 잔용량이 없는 경우에 있어서, 상기 폐액 회수 탱크 내의 처리액의 온도가 소정의 온도 이하이면, 상기 폐액 밸브의 개폐 제어를 실시함으로써 상기 폐액 회수 탱크로부터 상기 처리액을 배출하고, 상기 폐액 회수 탱크에 소정의 잔용량을 확보한 후, 상기 순환 배액 처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제 3 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어 수단은, 상기 순환 배액 처리가 실시된 횟수의 정보를 취득하고, 상기 처리액에 의한 기판의 처리가 끝날 때마다, 상기 순환 배액 처리를 소정의 횟수만큼 반복하여 실시하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 처리액을 저류하고 기판의 침지 처리를 실시하는 내조 및 그 내조로부터 넘친 상기 처리액을 저류하는 외조를 구비하는 처리조와, 상기 처리조로부터 상기 처리액을 배출하는 배액 배관과, 그 배액 배관에 접속하고, 상기 내조와 상기 배액 배관을 연락하는 순환 배관과, 그 순환 배관 및 상기 배액 배관에 접속하고, 상기 순환 배관으로부터 처리조를 회피하는 유로를 형성하는 바이패스 배관을 갖는 기판 처리 장치의 세정 방법으로서,
    상기 침지 처리에 사용한 사용이 끝난 처리액을 상기 처리조로부터 배출하는 세정 준비 스텝과,
    상기 내조에 청정한 처리액을 공급하고, 추가로 상기 내조를 통하여 상기 외조에 처리액을 공급하는 처리조 세정 스텝과,
    상기 청정한 처리액을 외조만으로부터 배출하고, 상기 배액 배관, 상기 순환 배관 및 바이패스 배관을 통하여 배액하는 배관 세정 스텝을 갖는, 기판 처리 장치의 세정 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 배관 세정 스텝에 있어서, 한번에 배액되는 처리액의 양이, 상기 외조의 용적 미만의 소정량으로 정해져 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 세정 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는 사용이 끝난 처리액을 회수하는 폐액 회수 탱크를 추가로 갖고 있고,
    상기 외조 배관 세정 스텝의 전공정으로서,
    상기 폐액 회수 탱크에 상기 소정량분의 빈 곳이 있는지를 확인하는, 탱크 잔용량 확인 스텝을 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 세정 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 탱크 잔용량 확인 스텝에 있어서, 상기 폐액 회수 탱크에 상기 소정량분의 빈 곳이 없었던 경우에는,
    상기 폐액 회수 탱크 내의 처리액의 온도가, 소정의 배액 가능 온도 이하인지의 여부를 확인하고,
    배액 가능 온도 이하이면, 상기 폐액 회수 탱크 내의 처리액을 탱크로부터 배출하고,
    배액 가능 온도를 초과하고 있으면, 배액 가능 온도 이하가 될 때까지, 대기와 확인을 반복하는, 탱크 잔용량 확보 스텝을 추가로 갖는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치의 세정 방법.
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Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7181156B2 (ja) * 2019-05-31 2022-11-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、基板処理システム及び基板処理方法
JP7491791B2 (ja) 2020-09-15 2024-05-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理液供給装置および供給タンク洗浄方法
CN112530790B (zh) * 2020-11-03 2022-01-11 长江存储科技有限责任公司 晶圆清洗装置和晶圆清洗方法
JP2022108144A (ja) * 2021-01-12 2022-07-25 株式会社ジャパンディスプレイ 浸漬処理装置
CN113053791B (zh) * 2021-04-23 2022-11-29 上海珩旭机电设备有限公司 氮气清洗装置
CN113714201A (zh) * 2021-09-15 2021-11-30 新阳硅密（上海）半导体技术有限公司 一种用于单片湿处理制程的槽式工艺系统
CN113787049A (zh) * 2021-09-15 2021-12-14 新阳硅密（上海）半导体技术有限公司 一种用于单片湿处理制程的槽式工艺方法
CN113714188A (zh) * 2021-09-15 2021-11-30 新阳硅密（上海）半导体技术有限公司 一种用于单片浸入式湿处理工艺的表面排气设备及方法
CN113600554B (zh) * 2021-10-09 2021-12-07 南通欧能达超声设备有限公司 一种超声波芯片清洗设备
CN115475797B (zh) * 2022-09-30 2024-04-05 肇庆绿宝石电子科技股份有限公司 一种叠层电容器及其制造方法、载条清洗液及制备方法
CN115921410A (zh) * 2022-12-14 2023-04-07 西安奕斯伟材料科技有限公司 清洗系统及方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000173972A (ja) * 1998-12-03 2000-06-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2002210422A (ja) * 2001-01-16 2002-07-30 Sony Corp 被処理基板の洗浄処理装置と洗浄方法
KR101332976B1 (ko) * 2011-03-25 2013-11-25 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
JP2016063204A (ja) 2014-09-22 2016-04-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置の洗浄方法及び基板処理装置

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4668079B2 (ja) * 2006-01-30 2011-04-13 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5829446B2 (ja) * 2011-07-13 2015-12-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置及びその液交換方法
JP5829458B2 (ja) * 2011-08-25 2015-12-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP2015070080A (ja) * 2013-09-27 2015-04-13 東京エレクトロン株式会社 エッチング方法、エッチング装置および記憶媒体
JP6326387B2 (ja) * 2015-03-19 2018-05-16 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000173972A (ja) * 1998-12-03 2000-06-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2002210422A (ja) * 2001-01-16 2002-07-30 Sony Corp 被処理基板の洗浄処理装置と洗浄方法
KR101332976B1 (ko) * 2011-03-25 2013-11-25 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
JP2016063204A (ja) 2014-09-22 2016-04-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置の洗浄方法及び基板処理装置

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