CN219092950U - 硅片清洗装置 - Google Patents

Abstract

本公开涉及一种硅片清洗装置，硅片清洗装置包括：溶液槽清洗组，包括相连接的主溶液槽和至少一个辅助溶液槽，用于去除硅片表面有机物；双氧水槽清洗组，设置在溶液槽清洗组的下游，包括相连接的主双氧水槽和至少一个辅助双氧水槽，用于去除硅片表面的溶液；喷淋槽清洗组，包括设置在溶液槽清洗组上游的至少一个第一喷淋槽，用于冲洗硅片；漂洗槽清洗组，设置在双氧水槽清洗组的下游，包括相连接的主漂洗槽和至少一个辅助漂洗槽；以及依次设置在漂洗槽清洗组下游的慢提拉槽组和烘干槽组，烘干槽组包括相连接的主烘干槽和至少一个辅助烘干槽。

Description

硅片清洗装置

技术领域

本公开涉及硅片生产技术领域，具体地，涉及一种硅片清洗装置。

背景技术

在薄片、大尺寸硅片生产中，由于硅片较薄、尺寸较大，导致其刚性也随之减小，相邻的两片硅片在水的张力的作用下由于刚性不足而发生弹性形变，从而黏连在一起，导致硅片清洗质量较差，存在硅片清洗不彻底的现象，从而导致反洗比例升高，增加生产成本。相关技术中，为了避免这种黏连发生，采用隔片或增加齿间距的方式进行清洗，这种方式使得每个片篮中装载的硅片数量减小，会导致硅片清洗节拍变高，降低了生产效率，增加了生产成本和时间成本。

实用新型内容

本公开的目的是提供一种硅片清洗装置，该硅片清洗装置能至少部分地解决相关技术中存在的技术问题。

为了实现上述目的，本公开提供一种硅片清洗装置，所述硅片清洗装置包括：

溶液槽清洗组，包括相连接的主溶液槽和至少一个辅助溶液槽，用于去除硅片表面有机物；

双氧水槽清洗组，设置在所述溶液槽清洗组的下游，包括相连接的主双氧水槽和至少一个辅助双氧水槽，用于去除所述硅片表面的溶液；

喷淋槽清洗组，包括设置在所述溶液槽清洗组上游的至少一个第一喷淋槽，用于冲洗所述硅片；

漂洗槽清洗组，设置在所述双氧水槽清洗组的下游，包括相连接的主漂洗槽和至少一个辅助漂洗槽；以及

依次设置在所述漂洗槽清洗组下游的慢提拉槽组和烘干槽组，所述烘干槽组包括相连接的主烘干槽和至少一个辅助烘干槽。

可选地，所述主溶液槽和所述辅助溶液槽依次串联连接，所述主双氧水槽和所述辅助双氧水槽依次串联连接，所述主漂洗槽和所述辅助漂洗槽依次串联连接。

可选地，所述喷淋槽清洗组还包括设置在所述双氧水槽清洗组和所述漂洗槽清洗组之间的第二喷淋槽。

可选地，

所述辅助溶液槽的数量为一个，所述辅助溶液槽设置在主溶液槽和所述主双氧水槽之间；

所述辅助双氧水槽的数量为一个，所述辅助双氧水槽设置在所述主双氧水槽和所述第二喷淋槽之间；

所述辅助漂洗槽的数量为两个，所述辅助漂洗槽设置在所述主漂洗槽和所述慢提拉槽组之间；

所述辅助烘干槽的数量为一个，所述辅助烘干槽设置在所述主烘干槽的下游。

可选地，所述喷淋槽清洗组还包括设置在所述溶液槽清洗组和所述双氧水槽清洗组之间的第三喷淋槽。

可选地，

所述辅助溶液槽的数量为一个，所述辅助溶液槽设置在主溶液槽和所述第三喷淋槽之间；

所述辅助双氧水槽的数量为一个，所述主双氧水槽设置在所述第三喷淋槽的下游，所述辅助双氧水槽设置在所述主双氧水槽和所述第二喷淋槽之间；

所述辅助漂洗槽的数量为一个，所述辅助漂洗槽设置在所述主漂洗槽和所述慢提拉槽组之间；

所述辅助烘干槽的数量为一个，所述辅助烘干槽设置在所述主烘干槽的下游。

可选地，所述喷淋槽清洗组包括槽体和容纳在所述槽体内部、用于喷淋冲洗液的喷淋管，所述喷淋管形成为能够围绕在所述硅片两侧的U型结构。

可选地，所述硅片清洗装置还包括设置在所述槽体底部用于存储冲洗液的储液槽、连通在所述储液槽和所述喷淋管之间的第一进水管，以及用于流经所述第一进水管向所述喷淋管泵送所述储液槽内冲洗液的水泵。

可选地，所述硅片清洗装置包括贯穿所述槽体侧壁以向所述槽体内通入所述冲洗液的第二进水管，和用于连通所述槽体与储液槽以向所述储液槽内通入所述冲洗液的第三进水管。

可选地，所述喷淋槽清洗组包括多个喷淋槽，每个所述喷淋槽的底部设置有一个所述储液槽，所述第二进水管设置于一个所述喷淋槽，多个所述储液槽之间连通有用于流通所述冲洗液的第一溢流管。

通过上述技术方案，使用本公开提供的硅片清洗装置，通过设置包括第一喷淋槽的喷淋槽清洗组、具有主溶液槽和辅助溶液槽的溶液槽清洗组、具有主双氧水槽和辅助双氧水槽的双氧水槽清洗组、具有主漂洗槽和辅助漂洗槽的漂洗槽清洗组、以及慢提拉槽和具有主烘干槽和辅助烘干槽的烘干槽组，通过主槽和辅助槽的相互配合对硅片进行处理，从而可以将对硅片的一个清洗或烘干程序分成多次清洗并烘干，与现有技术相比，通过增加辅助槽以及槽的数量、减少单个槽对硅片的处理时间，从而提高了硅片的清洗节拍，提高清洗效率，并且虽然减少单槽的操作时间，但由于布置有多个槽，因此仍然能够保证硅片的整体清洗时间不变，既没有增加清洗时长，又可以保证清洗品质。另外，本公开实施例中通过在整个清洗过程的开始处设置第一喷淋槽，以使得硅片上的大颗粒异物首先被去除，以节省后续程序的用料。

本公开的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。

附图说明

附图是用来提供对本公开的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本公开，但并不构成对本公开的限制。在附图中：

图1是现有技术中的硅片清洗装置的结构示意图；

图2是本公开一示例性实施方式提供的硅片清洗装置的结构示意图；

图3是本公开另一示例性实施方式提供的硅片清洗装置的结构示意图；

图4本公开一示例性实施方式提供的喷淋槽的布局结构示意图；

图5本公开一示例性实施方式提供的喷淋槽的另一角度的布局结构示意图；

图6本公开一示例性实施方式提供的储液槽的布局结构示意图。

附图标记说明

10、10’-溶液槽清洗组；11、11’-主溶液槽；12-辅助溶液槽；20、20’-双氧水槽清洗组；21、21’-主双氧水槽；22-辅助双氧水槽；30-喷淋槽清洗组；30a-第一喷淋槽；30b-第二喷淋槽；30c-第三喷淋槽；31-槽体；31a-槽体开口；32-防护盖；33-驱动组件；34-喷淋管；40、40’-漂洗槽清洗组；41、41’-主漂洗槽；42-辅助漂洗槽；50、50’-慢提拉槽组；60、60’-烘干槽组；61、61’-主烘干槽；62-辅助烘干槽；70-储液槽；81-第一进水管；82-第二进水管；83-第三进水管；84-第一溢流管；85-第二溢流管；86-第一排水管；87-第二排水管；88-第三排水管；89-水泵；91-进水管电磁阀；92-排水管电磁阀；100-预清洗槽；200-片篮。

具体实施方式

以下结合附图对本公开的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本公开，并不用于限制本公开。

在本公开中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“内”“外”是针对相应零部件的本身轮廓而言的；使用的方位词如“顶”“底”“水平”“竖直”是基于使用习惯定义的，具体可参照图4的图面方向；“上游”“下游”是基于硅片清洗过程中硅片的移动方向定义的。本公开中所使用的术语如“第一”“第二”等是为了区别一个要素和另一个要素，不具有顺序性和重要性。此外，下面的描述在涉及附图时，不同附图中的同一附图标记表示相同或相似的要素。

如图1所示，在现有的硅片清洗装置使用过程中，硅片清洗装置包括预清洗槽100、具有一个主双氧水槽21’的双氧水槽清洗组20’、具有五个主漂洗槽41’的漂洗槽清洗组40’、具有一个慢提拉槽的慢提拉槽组50’、以及具有两个主烘干槽61’的烘干槽组60’。具体地，该硅片清洗装置的各个槽布置方式以及清洗过程如下：硅片首先经过布置在最上游预清洗槽100进行预清洗，然后再经依次布置在预清洗槽100下游的一个主漂洗槽41’、两个主溶液槽11’、一个主漂洗槽41’、一个双氧水槽21’、三个漂洗槽41’进行清洗，然后再依次经慢提拉槽和两个主烘干槽61’进行处理。使用该清洗方式在对较薄的大尺寸硅片进行清洗时，例如清洗厚度为120μ及以下的大尺寸M10及以上的硅片，为避免这种厚度小、尺寸大的硅片黏连，现有技术中，通常将硅片相隔设置在片篮200中，但是会导致生产效率较低。

针对上述问题，参照图2和图3，本公开提供一种硅片清洗装置，该硅片清洗装置包括溶液槽清洗组10、双氧水槽清洗组20、喷淋槽清洗组30、漂洗槽清洗组40以及慢提拉槽组50和烘干槽组60。

其中，溶液槽清洗组10可以包括相连接的主溶液槽11和至少一个辅助溶液槽12，用于去除硅片表面有机物，根据本公开提供的一些实施例，主溶液槽11和辅助溶液槽12内均可以填充有用于去除硅片表面有机物的表面活性剂和能够将有机物进行皂化的碱性原料，通过主溶液槽11和辅助溶液槽12相配合对硅片进行清洗，能够保证硅片表面有机物的去除效果。

双氧水槽清洗组20可以设置在溶液槽清洗组10的下游，双氧水槽清洗组20可以包括相连接的主双氧水槽21和至少一个辅助双氧水槽22，用于去除经溶液槽清洗组10清洗后的硅片表面上的溶液，根据本公开提供的一些实施例，主双氧水槽21和辅助双氧水槽22内的双氧水能够使硅片表面的有机溶液氧化，从而使得有机溶液被有效去除，通过主双氧水槽21和辅助双氧水槽22相互配合对硅片进行清洗，从而进一步提高硅片表面溶液的去除效果。

喷淋槽清洗组30可以包括设置在溶液槽清洗组10上游的至少一个第一喷淋槽30a，根据本公开提供的一些实施例，喷淋槽清洗组30喷淋的冲洗液可以为水，硅片在移入溶液槽清洗组10之前可以先通过第一喷淋槽30a进行冲洗，从而可以使大颗粒异物从硅片表面脱落，从而便于对硅片进行后续的处理，减轻溶液槽清洗组10的清洗压力，进而保证溶液槽清洗组10对硅片的清洗效果。

漂洗槽清洗组40可以设置在双氧水槽清洗组20的下游，漂洗槽清洗组40可以包括相连接的主漂洗槽41和至少一个辅助漂洗槽42，可以用于对硅片进行进一步地清洗，通过主漂洗槽41和辅助漂洗槽42相互配合对硅片进行漂洗，从而保证硅片的清洗品质。

漂洗槽清洗组40的下游可以依次设置有慢提拉槽组50和烘干槽组60，由于硅片从漂洗槽清洗组40中清洗后提升出来时，硅片表面会附着有大量水珠，硅片在慢提拉槽50的提拉过程中，水珠会缓慢的滑落不会在硅片上留下水痕，使得烘干后的硅片表面上也不会留下痕迹，进而保证了硅片清洗装置对硅片的清洗效果和硅片的烘干效率，根据本公开提供的一些实施例，烘干槽组60可以包括相连接的主烘干槽61和至少一个辅助烘干槽62，通过主烘干槽61和辅助烘干槽62相互配合对硅片进行烘干，以保证对硅片的烘干效果。

通过上述技术方案，使用本公开提供的硅片清洗装置，通过设置包括第一喷淋槽30a的喷淋槽清洗组30、具有主溶液槽11和辅助溶液槽12的溶液槽清洗组10、具有主双氧水槽21和辅助双氧水槽22的双氧水槽清洗组20、具有主漂洗槽41和辅助漂洗槽42的漂洗槽清洗组40、以及慢提拉槽50和具有主烘干槽61和辅助烘干槽62的烘干槽组60，通过主槽和辅助槽的相互配合对硅片进行处理，从而可以将对硅片的一个清洗或烘干程序分成多次清洗并烘干，与现有技术相比，通过增加辅助槽以及槽的数量、减少单个槽对硅片的处理时间，从而提高了硅片的清洗节拍，提高清洗效率，并且虽然减少单槽的操作时间，但由于布置有多个槽，因此仍然能够保证硅片的整体清洗时间不变，既没有增加清洗时长，又可以保证清洗品质。另外，本公开实施例中通过在整个清洗过程的开始处设置第一喷淋槽30a，以使得硅片上的大颗粒异物首先被去除，以节省后续程序的用料。

参照图2和图3，主溶液槽11和辅助溶液槽12可以依次串联连接，主双氧水槽21和辅助双氧水槽22可以依次串联连接，主漂洗槽41和辅助漂洗槽42可以依次串联连接，多个辅助槽之间也可以相互串联连接，通过各个槽之间的相互串联，从而对硅片依次进行清洗，从而保证对硅片的清洗效果。根据本公开提供的一些实施例，主溶液槽11和辅助溶液槽12可以依次并联连接，主双氧水槽21和辅助双氧水槽22可以依次并联连接，主漂洗槽41和辅助漂洗槽42可以依次并联连接，多个辅助槽之间也可以相互并联连接，通过各个槽之间的相互并联，进而根据清洗需要，选择性地将硅片移动至槽中进行处理，保证了对硅片清洗效果的同时，提高了清洗装置的通用性。

参照图2和图3，喷淋槽清洗组30可以包括设置在双氧水槽清洗组20和漂洗槽清洗组40之间的第二喷淋槽30b。通过设置第二喷淋槽30b，能够对经双氧水槽清洗组20清洗后的硅片进行进一步的冲洗，从而去除硅片表面的溶液残留和双氧水氧化物的残留，有效地提高了对硅片的清洗效果。另外，通过对硅片先进行喷淋冲洗然后再进行浸泡洗，减轻了漂洗槽清洗组40的漂洗压力，并可以使得漂洗效果更佳，从而提高对硅片的清洗质量。

进一步地，参照图3，辅助溶液槽12的数量可以为一个，该辅助溶液槽12可以设置在主溶液槽11和主双氧水槽21之间；辅助双氧水槽22的数量可以为一个，该辅助双氧水槽22可以设置在主双氧水槽21和第二喷淋槽30b之间；辅助漂洗槽42的数量可以为两个，该辅助漂洗槽42可以设置在主漂洗槽41和慢提拉槽组50之间；辅助烘干槽62的数量可以为一个，该辅助烘干槽62设置在主烘干槽61的下游。即，在该实施方式中，硅片清洗装置可以包括依次连接的一个第一喷淋槽30a、两个主溶液槽11、一个辅助溶液槽12、一个主双氧水槽21、一个辅助双氧水槽22、一个第二喷淋槽30b、三个主漂洗槽41、两个辅助漂洗槽42、以及一个慢提拉槽和两个主烘干槽61和一个辅助烘干槽62。相比于图1所示的现有技术中的硅片清洗装置，通过设置喷淋槽30a并通过第一喷淋槽30a取代预清洗槽100，并增设辅助溶液槽12和辅助双氧水槽22以及辅助烘干槽62，同时对槽的位置进行调整，能够有效地提高对硅片的清洗品质，硅片经双氧水槽清洗组20清洗后在通过第二喷淋槽30b进行冲洗，能够有效地去除双氧水氧化物的残留，减轻漂洗槽清洗组40的漂洗压力，同时能够通过减小单个槽对硅片的处理时间，提高清洗节拍，又可以使得清洗总时长不变，有效地确保了对硅片的清洗品质。需要说明的是，本公开对各清洗组和烘干槽组60中主槽和辅助槽的设置顺序不做限定，可以根据硅片的具体清洗情况进行设置以满足使用需求，例如可以将两个主溶液槽11设置在辅助溶液槽12的下游。

参照图2，喷淋槽清洗组30还可以包括设置在溶液槽清洗组10和双氧水槽清洗组20之间的第三喷淋槽30c。通过将第三喷淋槽30c设置在溶液槽清洗组10的下游、双氧水槽清洗组20的上游，能够冲洗掉经溶液槽清洗组10清洗后附着在硅片表面的部分有机溶液，进而减轻双氧水槽清洗组20内双氧水的消耗，以节省用料成本。

进一步地，参照图2，硅片清洗装置可以包括依次连接的一个第一喷淋槽30a、两个主溶液槽11、一个辅助溶液槽12、一个第三喷淋槽30c、一个主双氧水槽21、一个辅助双氧水槽22、一个第二喷淋槽30b、三个主漂洗槽41、一个辅助漂洗槽42以及一个慢提拉槽50、两个主烘干槽61和一个辅助烘干槽62。相比于图1所示的现有技术中的硅片清洗装置，本示例性实施方式提供的硅片清洗装置设置第一喷淋槽30a并通过第一喷淋槽30a取代预清洗槽100，并增加辅助溶液槽12和辅助双氧水槽22以及辅助烘干槽62，同时对槽的位置进行调整，能够有效地提高对硅片的清洗品质，硅片先经过第三喷淋槽30c喷淋冲洗再由双氧水槽清洗组20清洗，能够有效地去除硅片表面的溶液残留，减轻双氧水的使用，同时能够通过减小单个槽对硅片的处理时间，提高清洗节拍，又可以使得清洗总时长不变，有效地确保了对硅片的清洗品质。需要说明的是，本公开对各清洗组和烘干槽组60中主槽和辅助槽的设置顺序不做限定，可以根据硅片的具体清洗情况进行设置以满足使用需求，例如可以将两个主溶液槽11设置在辅助溶液槽12的下游。

根据本公开提供的一些实施例，参照图4，喷淋槽清洗组30可以包括顶部具有开口的槽体31和设置在开口处的防护盖32，防护盖32能够有效地避免异物经开口进入到槽体31内污染硅片，从而保证硅片的清洗效果和清洗过程的可靠性。喷淋槽清洗组30还可以包括用于控制防护盖32打开或闭合开口的驱动组件33，驱动组件33实现了控制防护盖32的自动打开和关闭，提高防护盖32的切换效率。

进一步地，根据本公开提供的一些实施例，驱动组件33可以配置为气缸组件，气缸组件可以沿水平方向或沿竖直方向驱动防护盖32朝远离或靠近槽体31的方向移动。例如，当气缸组件沿竖直方向驱动防护盖32时，缸杆可以沿竖直方向延伸并设置在防护盖32上，缸体可以对应缸杆设置在槽体31的开口处，通过缸杆伸出或缩回缸体使得防护盖32打开或关闭槽体31；当气缸组件沿水平方向驱动防护盖32时，缸杆可以沿水平方向设置在防护盖32上，缸体可以对应缸杆设置在其他部件上，通过缸杆伸出或缩回缸体使得防护盖32打开或关闭槽体31。同时，防护盖32和槽体31二者相对的两个侧面中的一者可以设置有滑槽，另一者可以设置有能够与滑槽配合的滑轨，一方面能够对防护盖32起到限位作用，另一方面能够减小防护盖32和槽体31之间的摩擦力，进而减小驱动组件的驱动阻力。

参照4和图5，喷淋槽清洗组30可以包括槽体31和喷淋管34。喷淋管34可以容纳在槽体31内部，用于喷淋冲洗液。喷淋管34可以形成为能够围绕在硅片两侧的U型结构，根据本公开提供的一些实施例，在水平方向上多个硅片可以沿厚度方向间隔布置在片篮200中，喷淋管34喷淋的冲洗液可以经片篮200的边缘处向两个相邻的硅片之间的表面进行喷淋，从而能够保证在硅片清洗过程中冲洗液的喷淋面积，使得硅片得到充分的清洗，有效地提高了对硅片的喷淋冲洗效果。

参照图4和图5，硅片清洗装置还可以包括设置在槽体31底部用于存储冲洗液的储液槽70、连通在储液槽70和喷淋管34之间的第一进水管81，以及用于流经第一进水管81向喷淋管34泵送储液槽70内冲洗液的水泵89。通过将冲洗液存储在储液槽70内，能够为硅片的喷淋冲洗提供的足够的冲洗液，且由水泵89泵送冲洗液使得喷淋管34能够持续地对硅片进行喷淋冲洗。

参照图4和图6，根据本公开提供的一些实施例，硅片清洗装置可以包括贯穿槽体31侧壁以向槽体31内通入冲洗液的第二进水管82，和用于连通槽体31与储液槽70以向储液槽70内通入冲洗液的第三进水管83。即，在硅片清洗装置运行之前，冲洗液可以依次经过第二进水管82、槽体31、第三进水管83，从而将冲洗液通入到储液槽70内。在其他实施例中，也可以将冲洗液直接通入到储液槽70内。

参照图4和图6，喷淋槽清洗组30可以包括多个喷淋槽，多个喷淋槽可分别形成为第一喷淋槽30a、第二喷淋槽30b以及第三喷淋槽30c、或者形成为三种喷淋槽中的一种，从而保证对硅片的冲洗效果。根据本公开提供的一些实施例，每个喷淋槽的底部可以分别设置有一个储液槽70，保证在硅片冲洗的过程中具有充足的冲洗液。第二进水管82可以设置于一个喷淋槽，多个储液槽70之间连通有用于流通冲洗液的第一溢流管84，即冲洗液可以通过第一溢流管84逐一地向各个储液槽70内注满冲洗液，有效地提高了冲洗液的注入效率。本公开实施例中，第二进水管82可以设置于多个喷淋槽中的位于最下游的一个(如上述的第二喷淋槽30b)，冲洗液从第二进水管82进入第二喷淋槽30b的储液槽70，然后经第一溢流管84依次进入到第三喷淋槽30c和第一喷淋槽30a的储液槽70中。

参照图2和图4，每个槽体31的底部可以分别设置有排水口，即第一喷淋槽30a、第二喷淋槽30b以及第三喷淋槽30c的槽体31底部可以分别设置有排水口，两个相邻的喷淋槽中的位于下游的一个喷淋槽的排水口与位于上游的一个喷淋槽的储液槽70连通，例如，第二喷淋槽30b的排水口可以连通于第三喷淋槽30c的储液槽70，这样，当第二喷淋槽30b清洗硅片后的清洗液可以经排出口排出至第三喷淋槽30c的储液槽70内，以再次作为第三喷淋槽30c的冲洗液使用，从而可以有效地减少冲洗液的用量，无需重新再向硅片清洗装置内通入冲洗液，从而节省了时间，提高了硅片的清洗效率。同样地，第三喷淋槽30c的排水口可以连通于第一喷淋槽30a的储液槽70，以将第三喷淋槽30c清洗硅片后的清洗液排出至第一喷淋槽30a的储液槽70中，以再次作为第一喷淋槽30a的冲洗液使用。需要说明的是，由于位于下游的喷淋槽的使用后的冲洗液较为洁净，所以可以作为上游喷淋槽的用于冲洗硅片的冲洗液。

参照图4，位于最上游的一个喷淋槽的槽体31底部可以设置有第一排水管86，由于硅片在清洗初期表面附着的异物较多，所以位于最上游的喷淋槽中的冲洗液在冲洗硅片后杂质较多，所以为了避免槽体31内的硅片被冲洗液再次污染，使得冲洗液在冲洗后可以通过第一排水管86及时排出，从而保证对硅片的冲洗效果；同时通过在位于最上游的一个喷淋槽的储液槽70底部设置有第二排水管87，以将储液槽70内的冲洗液排出，从而对冲洗液进行更换或对储液槽70进行维护；第一排水管86和第二排水管87可以分别连通于第三排水管88，通过第三排水管88将第一排水管86和第二排水管87排出的排水管汇流后进行统一排放，便于后续操作。

参照图4，硅片清洗装置还可以包括分别设置在第二进水管82和第三进水管83上的进水管电磁阀91和设置在排水口处的排水管电磁阀92，例如排水管电磁阀92可以设置在上述的第一排水管86处，也可以设置在第二排水管87处。通过设置进水管电磁阀91和排水管电磁阀92能够精准地控制冲洗液的流量和流向，例如，在硅片清洗装置运行过程中，开启第一排水管86上的排水管电磁阀92，使得在硅片进行喷淋冲洗的过程中，槽体31内部不会积存冲洗液，从而保证对硅片的喷淋效果；当关闭排水管电磁阀92时，使得槽体31内能够始终存有冲洗液，此时的喷淋槽可以作为漂洗槽清洗组40使用，提高了硅片清洗装置的通用性。

参照图4和图6，在硅片清洗装置包括上述的储液槽70时，硅片清洗装置还可以包括连通慢提拉槽组50和储液槽70的第二溢流管85，以及/或者连通漂洗槽清洗组40和储液槽70的第三溢流管。在硅片清洗装置运行过程中，慢提拉槽组50内的从硅片上流下的水可以通过第二溢流管85通入到储液槽70内作为冲洗液使用，或者靠近慢提拉槽组50的漂洗槽清洗组40内的水可以通过第三溢流管通入到储液槽70内作为冲洗液使用，或者慢提拉槽组50内的水通过第二溢流管85通入到储液槽内作为冲洗液使用，同时靠近慢提拉槽组50的漂洗槽清洗组40内的水可以通过第三溢流管通入到储液槽内也作为冲洗液使用。通过回收比较洁净的慢提拉槽组50和漂洗槽清洗组40内的水至储液槽70，以供喷淋槽使用，从而有效地减少了冲洗液的用量，且使得冲洗液的温度较高、喷淋效果更好。本公开实施例中，回收的水可以先通入位于下游的第二喷淋槽30b的储液槽70中。

在本公开的一些实施例中，为了更好地保证清洗节拍以及足够的清洗时间，可以将溶液槽清洗组10、双氧水槽清洗组20、漂洗槽清洗组40以及烘干槽组60中槽的数量比值设定为2:1:4:2，可以根据所需的清洗节拍成比例的增加相应槽的数量。

本公开提供的一个实施例，硅片清洗装置还可以包括用于装载多个硅片的片篮200和用于移动片篮200的多个机械手，便于硅片在各个槽之间的移动，机械手的数量可以为：机械手移动时间×硅片清洗装置的总槽数/清洗节拍(单个槽对硅片的处理时间)。

以上结合附图详细描述了本公开的优选实施方式，但是，本公开并不限于上述实施方式中的具体细节，在本公开的技术构思范围内，可以对本公开的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本公开的保护范围。

另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本公开对各种可能的组合方式不再另行说明。

此外，本公开的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本公开的思想，其同样应当视为本公开所公开的内容。

Claims (10)

1.一种硅片清洗装置，其特征在于，所述硅片清洗装置包括：

溶液槽清洗组，包括相连接的主溶液槽和至少一个辅助溶液槽，用于去除硅片表面有机物；

双氧水槽清洗组，设置在所述溶液槽清洗组的下游，包括相连接的主双氧水槽和至少一个辅助双氧水槽，用于去除所述硅片表面的溶液；

喷淋槽清洗组，包括设置在所述溶液槽清洗组上游的至少一个第一喷淋槽，用于冲洗所述硅片；

漂洗槽清洗组，设置在所述双氧水槽清洗组的下游，包括相连接的主漂洗槽和至少一个辅助漂洗槽；以及

依次设置在所述漂洗槽清洗组下游的慢提拉槽组和烘干槽组，所述烘干槽组包括相连接的主烘干槽和至少一个辅助烘干槽。

2.根据权利要求1所述的硅片清洗装置，其特征在于，所述主溶液槽和所述辅助溶液槽依次串联连接，所述主双氧水槽和所述辅助双氧水槽依次串联连接，所述主漂洗槽和所述辅助漂洗槽依次串联连接。

3.根据权利要求1所述的硅片清洗装置，其特征在于，所述喷淋槽清洗组还包括设置在所述双氧水槽清洗组和所述漂洗槽清洗组之间的第二喷淋槽。

4.根据权利要求3所述的硅片清洗装置，其特征在于，

所述辅助溶液槽的数量为一个，所述辅助溶液槽设置在主溶液槽和所述主双氧水槽之间；

所述辅助双氧水槽的数量为一个，所述辅助双氧水槽设置在所述主双氧水槽和所述第二喷淋槽之间；

所述辅助漂洗槽的数量为两个，所述辅助漂洗槽设置在所述主漂洗槽和所述慢提拉槽组之间；

所述辅助烘干槽的数量为一个，所述辅助烘干槽设置在所述主烘干槽的下游。

5.根据权利要求3所述的硅片清洗装置，其特征在于，所述喷淋槽清洗组还包括设置在所述溶液槽清洗组和所述双氧水槽清洗组之间的第三喷淋槽。

6.根据权利要求5所述的硅片清洗装置，其特征在于，

所述辅助溶液槽的数量为一个，所述辅助溶液槽设置在主溶液槽和所述第三喷淋槽之间；

所述辅助双氧水槽的数量为一个，所述主双氧水槽设置在所述第三喷淋槽的下游，所述辅助双氧水槽设置在所述主双氧水槽和所述第二喷淋槽之间；

所述辅助漂洗槽的数量为一个，所述辅助漂洗槽设置在所述主漂洗槽和所述慢提拉槽组之间；

所述辅助烘干槽的数量为一个，所述辅助烘干槽设置在所述主烘干槽的下游。

7.根据权利要求1所述的硅片清洗装置，其特征在于，所述喷淋槽清洗组包括槽体和容纳在所述槽体内部、用于喷淋冲洗液的喷淋管，所述喷淋管形成为能够围绕在所述硅片两侧的U型结构。

8.根据权利要求7所述的硅片清洗装置，其特征在于，所述硅片清洗装置还包括设置在所述槽体底部用于存储冲洗液的储液槽、连通在所述储液槽和所述喷淋管之间的第一进水管，以及用于流经所述第一进水管向所述喷淋管泵送所述储液槽内冲洗液的水泵。

9.根据权利要求8所述的硅片清洗装置，其特征在于，所述硅片清洗装置包括贯穿所述槽体侧壁以向所述槽体内通入所述冲洗液的第二进水管，和用于连通所述槽体与储液槽以向所述储液槽内通入所述冲洗液的第三进水管。

10.根据权利要求9所述的硅片清洗装置，其特征在于，所述喷淋槽清洗组包括多个喷淋槽，每个所述喷淋槽的底部设置有一个所述储液槽，所述第二进水管设置于一个所述喷淋槽，多个所述储液槽之间连通有用于流通所述冲洗液的第一溢流管。

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