KR960035914A - 반도체 소자의 제조방법 - Google Patents

반도체 소자의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 비대칭 LDD 구조를 갖는 반도체 소자의 제조방법에 관하여 개시된다.
본 발명은 드레인을 N-이온 영역 또는 N-/N+이온 영역으로 형성하여 N-이온영역으로 된 소오스에 대하여 비대칭 LDD구조를 갖는 반도체 소자를 제조한다.
따라서, 본 발명은 소자에서 구동능력을 높이고, 핫 캐리어 효과를 감소시킬 수 있다.

Description

반도체 소자의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1A 내지 1C 도는 본 발명이 제 1 실시예에 의한 반도체 소자의 제조방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.

Claims (8)

  1. 반도체 소자의 제조방법에 있어서, 게이트 전극이 형성된 반도체 기판에 LDD 이온주입공정을 실시하는 단계와, N+소오스/드레인 불순물 주입 마스크를 사용한 리소그라피 공정으로 소오스가 형성될 영역이 개방되도록 포토레지스트 패턴을 형성한 후, N+소오스/드레인 이온주입공정을 실시하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 제거하고, 열처리공정을 실시하여 상기 반도체 기판내에 주입된 LDD 이온 및 N-소오스/드레인 불순물 이온을 확산시켜 N-이온 영역으로 된 드레인과 N+이온 영역으로 된 소오스를 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 LDD 이온주입공정은 마스크 공정없이 P31을 1.5E13의 도우즈로 60KeV의 에너지에 의해 상기 반도체 기판의 소오스/드레인이 형성될 영역에 주입하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기 N+소오스/드레인 이온주입공정은 As75를 6.0E15의 도우즈 60KeV의 에너지에 의해 상기 반도체 기판의 소오스가 형성될 영역에 주입하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  4. 반도체 소자의 제조방법에 있어서, 게이트 전극이 형성된 반도체 기판에 LDD 이온주입공정을 실시하는 단계와, N+소오스/드레인 불순물 주입 마스크를 사용한 리소그라피 공정으로 드레인이 형성될 영역이 소정부분 덮히도록 포토레지스트 패턴을 형성한 후, N+소오스/드레인 이온주입공정을 실시하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 제거하고, 열처리공정을 실시하여 상기 반도체 기판내에 주입된 LDD이온 및 N+소오스/드레인 불순물 이온을 확산시켜 N-이온 영역과 N+이온 영역으로 된 드레인과 N+이온 영역으로 된 소오스를 형성하는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  5. 제 4항에 있어서, 상기 LDD 이온주입공정은 마스크 공정없이 P31을 1.5E13의 도우즈로 60KeV의 에너지에 의해 상기 반도체 기판의 소오스/드레인이 형성될 영역에 주입하는 것을 특징으로 하는 반도체소자의 제조방법.
  6. 제 4 또는 제 5항에 있어서, 상기 LDD 이온주입공정은 드레인이 형성될 영역쪽에 LDD 구조를 만들기 위하여 상기 게이트 전극쪽으로 5 내지 10°정도의 기울기로 사입사하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  7. 제 4항에 있어서, 상기 포토레지스트 패턴은 상기 드레인이 형성될 영역이 게이트 전극의 일측으로부터 0.1 내지 0.3㎛정도가 덮히도록 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
  8. 제 4항에 있어서, 상기 N+소오스/드레인 이온주입공정은 As75를 6.0E15의 도우즈로 60KeV의 에너지에 의해 상기 반도체 기판의 소오스가 형설될 영역과 드레인이 형성될 영역의 노출된 부위에 주입하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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