KR960009056A - 반도체 소자의 실리사이드층 형성방법 - Google Patents
반도체 소자의 실리사이드층 형성방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 반도체 소자의 실리사이드층 형성 방법에 관한 것으로, 저온 및 고온의 금속열처리 공정으로, 인한 소자 생산 시간의 증가를 개선하기 위하여 감광막 마스크(Photoresist Mask)를 이용하여 낮은 이온주입 에너지(Energy) 및 높은 주입량으로 접합 영역(Junction region)에 티타늄(Ti) 이온을 주입한 후 고온에서 급속 열처리 하므로써 소자 제조 공정의 단순화를 이룰수 있도록 한 반도체 소자의 실리사이드층 형성 방법에 관한 것이다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2a 내지 제2c도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 실리사이드층 형성 방법을 설명하기 위한 소장의 단면도.
Claims (3)
- 급속배선과의 접촉저항을 감소시키기 위한 반도체 소자의 실리 사이드층 형성방법에 있어서, 패턴화된 감광막을 이용하여 금속배선과 접촉될 접합영역을 노출시킨 다음 티타늄을 이온주입 시키는 단계와, 상기 단계로 부터 상기 감광막을 제거시키고 상기 접합영역에 이온주입된 티타늄이 티타늄 실리 사이드가 되도록 고온의 급속 열처리 공정을 진행시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 실리사이드층 형성방법.
- 제1항에 있어서, 상기 티타늄은 낮은 이온주입 에너지 및 높은 주입량에 의해 주입되는 것을 특징으로 하는 반도체 소장의 실리사이드층 형성 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 티타늄이온 주입시 주입량은 1017이온/㎠ 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 실리사이드층 형성 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940019610A KR960009056A (ko) | 1994-08-09 | 1994-08-09 | 반도체 소자의 실리사이드층 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019940019610A KR960009056A (ko) | 1994-08-09 | 1994-08-09 | 반도체 소자의 실리사이드층 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960009056A true KR960009056A (ko) | 1996-03-22 |
Family
ID=66697660
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1019940019610A KR960009056A (ko) | 1994-08-09 | 1994-08-09 | 반도체 소자의 실리사이드층 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960009056A (ko) |
-
1994
- 1994-08-09 KR KR1019940019610A patent/KR960009056A/ko not_active Application Discontinuation
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