KR960032105A

KR960032105A - 정전하상 현상용 현상제 및 화상 형성 방법

Info

Publication number: KR960032105A
Application number: KR1019960002416A
Authority: KR
Inventors: 히로시 유사; 다까꾸니 고보리; 마사이찌로 가따다; 다까시게 가스야; 오사무 다무라
Original assignee: 미따라이 후지오; 캐논 가부시끼가이샤
Priority date: 1995-02-01
Filing date: 1996-02-01
Publication date: 1996-09-17
Also published as: DE69603380T2; EP0725318B1; EP0725318A1; DE69603380D1; US5700616A; CN1115598C; KR0185246B1; CN1138169A

Abstract

본 발명은 토너 입자, 실리카 입자 A 및 실리카 입자 B를 갖는 토너로 이루어진 정전하상 현상용 현상제에 관한 것이다. 그 토너의 중량 평균 입도는 12.0㎛이하이고, 입자 수 분포에 있어서 입도가 4.0㎛이하인 것이 50%이하이고 입도가 10.08㎛이상인 것이 10%이하이고, 각각의 토너 입자는 적어도 중합체 성분 및 대전 제어제를 하유하고 있는 토너 조성물로 구성되어 있다. 실리카 입자 A는 실리콘 오일로 처리된 실리카 입자들로 구성되며, 그의 평균 입도는 0.1㎛이하이고, 실리카 입자 B는 실리콘 오일로 처리된 실리카 입자들로 구성되며, 그의 평균 입도는 0.5내지 50㎛이다. 실리카 입자 B는 그 입자 수 분포에 있어서 입도가 1.0㎛이하인 것이 50%이하이고 입도가 100㎛이상인 것이 10%이하이다. 또한, 본 발명은 이러한 현상제를 사용한 화상 형성 방법에 관한 것이다.

Description

정전하상 현상용 현상제 및 화상 형성 방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도는 본 발명의 화상 형성 방법을 수행하기 위한 장치의 바람직한 형태를 설명하는 개략도.

제2도는 접촉형 대전 단계의 바람직한 태양의 개략도.

제3도는 전사 단계의 바람직한 태양의 개략도.

내용 없음

Claims

토너 입자, 실리카 입자 A 및 실리카 입자 B를 갖는 토너로 이루어진 정전하상현상용 현상제에 있어서, 그 토너가 중량 평균 입도가 12.0㎛이하이고, 입자 수 분포에 있어서 입도가 4.0㎛이하인 것이 50%이하이고 입도가 10.08㎛이상인 것이 10%이하이고, 각각의 토너 입자가 적어도 중합체 성분 및 대전 제어제를 함유하고 있는 토너 조성물로 형성되어 있으며, 실리카 입자 A가 실리콘 오일로 처리된 실리카 입자들로 구성되며, 그의 평균 입도가 0.1㎛이하이고, 실리카 입자 B가 실리콘 오일로 처리된 실리카 입자들로 구성되며, 그의 평균 입도가 0.5내지 50㎛이고, 그 입자 수 분포에 있어서 입도가 1.0㎛이하인 것이 50%이하이고 입도가 100㎛이상인 거이 10%이하이고, 실리카 입자 A 및 실리카 입자 B가 다음 요건, 즉 (a) 실리카 입자 B의 평균 입도 D_B가 실리카 입자 A의 평균 입도 D_A보다도 10배 이상 크고, (b) 실리카 입자 B의 실리콘 오일 처리량 W_B가 실리카 입자 A의 실리콘 오일 처리량 W_A보다도 2배 이상 크고, (c) 토너 입자에 대한 실리카 입자 A의 첨가량(중량 기준)이 실리카 입자 B의 첨가량 보다 3배 이상 큰 것을 충족시키는 것을 특징으로 하는 정전하상 현상용 현상제.
제1항에 있어서, 실리카 입자 A의 실리콘 오일 처리량 W_A가 오일 처리된 실리카 입자의 중량 기준으로 1내지 30중량%이고, 실리카 입자 B의 실리콘 오일 처리량 W_B가 오일 처리된 실리카 입자의 중량 기준으로 30내지 90중량%인 현상제.
제1항 또는 2항에 있어서, 토너 입자에 대한 실리카 입자 A의 첨가량이 0.3내지 3.0중량%이고, 토너입자에 대한 실리카 입자 B의 첨가량이 0.005내지 0.5중량%인 현상제.
제1항에 있어서, 실리카 입자 B를 처리하는데 사용된 실리콘 오일의 점도가 실리카 입자 A를 처리하는데 사용된 실리콘 오일의 점도 보다 10배 이상 높은 현상제.
제1항에 있어서, 실리카 입자 B는, 실리콘 오일에 대한 Si 원자의 양 W_O와 실리콘 오일로 처리하기 전 매트릭스 실리카 입자에 존재하는 Si 원자의 양 W_S/W_O의 값이 1내지 10인 현상제.
제1항에 있어서, 중합체 성분은 1㎎KOH/g 이상의 산가를 갖는 것인 현상제.
제1항에 있어서, 중합체가 분자량 범위가 50,000 미만인 저분자량 중합체 성분과 분자량 범위가 50,000이사인 고분자량 중합체 성분을 가지며, 저분자량 중합체 성분의 산가 A_VL과 고분자량 중합체 성분의 산가 A_VH는 하기 관계식 A_VL＞A_VH
를 만족시키는 것인 현상제.
제7항에 있어서, 중합체가 실질적으로 THF에 불용성인 성분을 함유하지 않고, 중합체의 THF 가용성 성분의 GPC의 크로마토그램에 있어서, 중합체가 분자량 3×10³내지 3×10⁴의 영역에 메인 피크를 가지며, 분자량 1×10⁵내지 3×10⁶의 영역에 서브 피크 또는 숄더를 가지며, 저분자량 중합체 성분의 산가 A_VL이 21내지 35㎎KOH/g이고, 또한 고분자량 중합체 성분의 산가 A_VH가 0.5내지 11㎎KOH/g이고, 또한 그 산가의 차이의 관계가 다음 식 10≤(A_VL-A_VH)≤27
으로 표시되는 것인 현상제.
제7항에 있어서, 토너 조성물의 유리 전이 온도 Tg가 50내지 70℃이고, 그 토너 조성물의 저분자량 중합체 성분의 Tg_L과 고분자량 중합체 성분의 Tg_H의 관계가 T_GL≥T_GH-5 의 범위에 있는 것인 현상제.
제7항에 있어서, 토너 조성물의 유리 전이 온도 Tg가 50내지 70℃이고, 그 토너 조성물의 저분자량 중합체 성분의 Tg_L과 고분자량 중합체 성분의 Tg_H의 관계가 T_GL≥T_GH의 범위에 있는 것인 현상제.
제7항에 있어서, 그 토너 조성물이 하기 식을 만족시키는 것인 현상제.
여기서, W_L은 저분자량 중합체 성분의 양(중량%)이고, W_H는 고분자량 중합체 성분의 양(중량%)이고, A_VL은 저분자량 중합체 성분의 산가(㎎KOH/g)이고, A_VH는 고분자량 중합체 성분의 산가(㎎KOH/g)이다.
제7항에 있어서, 저분자량 및 고분자량 중합체 성분 각각이 적어도 하나의 스티렌계 단량체 성분을 65중량% 이상 함유하는 것인 현상제.
제7항에 있어서, 고분자량 중합체 성분이 다관능성 중합 개시제로 중합된 중합체인 현상제.
제7항에 있어서, 고분자량 중합체 성분이 다관능성 중합 개시제와 단관능성 중합 개시제로 중합된 중합체인 현상제.
제1항에 있어서, 실리카 입자 A가 실리콘 오일로 처리되기 전에 유기 표면 처리제로 처리된 것인 현상제.
제1항에 있어서, 토너의 중량 평균 입도가 10㎛이하이고, 그 입자 수 분포에 있어서 입도가 4.0㎛이하인 것이 30% 이하이고 입도가 10㎛ 이상인 것이 5% 이하인 현상제.
제1항에 있어서, 실리카 입자 B가 그입자 수 분포에 있어서 입도가 1.0㎛이하인 것이 30%이하이고 입도가 100㎛이상인 것이 5%이하인 현상제.
제1항에 있어서, 토너의 중량 평균 입도가 10㎛이하이고, 그 입자 수 분포에 있어서 입도가 4.0㎛이하인 것이 30%이하이고 입도가 10㎛이상인 것이 5%이하이며, 실리카 입자 B가 그 입자 수 분포에 있어서 입도가 1.0㎛이하인 것이 30%이하이고 입도가 100㎛이상인 것이 5%이하인 현상제.
제1항에 있어서, 실리카 입자 A 및 B가 토너 입자의 마찰 전기 특성과 동일한 극성을 갖는 현상제.
제19항에 있어서, 실리카 입자 A 및 B가 음 마찰 전기 특성을 가지며, 토너 입자가 음 마찰 전기 특성을 갖는 현상제.
제20항에 있어서, 토너 입자가 음전하 제어제로서 하기 일반식의 화합물을 함유하는 것인 현상제.
상기 식에서, X₁및 X₂는 각각 수소 원자, 저급 알킬, 저급 알콕시, 니트로기 또는 할로겐 원자이고, m 및 m'은 각각 1내지 3의 정수이며, Y₁및 Y₃은 각각 수소 원자, 탄소 원자수 1내지 18인 알킬기, 탄소 원자수 2내지 18인 알케닐기, 술폰아미드, 메실, 술폰산, 카르복실 에스테르, 히드록실기, 탄소 원자수 1 내지 18인 알콕시기, 아세틸아미노기, 벤조일기, 아미노기 또는 할로겐 원자이고, n 및 n'은 각각 1내지 3의 정수이며, Y₂및 Y₄는 각각 수소 원자 또는 니트로기이고, X₁및 X₂, m 및 m', Y₁및 Y₃, n 및 n', 및 Y₂및 Y₄는 각각 동일 또는 상이며, A⁺는 H⁺, Na⁺, K⁺또는 NH⁺, 또는 그의 혼합 이온이다.
제20항에 있어서, 토너 입자가 음전하 제어제로서 하기 일반식의 화합물을 함유하는 것인 현상제.
상기 식에서, X는(알킬기 등의 치환제를 가질 수 있음),
(여기서, Z는 수소 또는 할로겐 원자, 또는 니트로기임),
(여기서, R은 수소 원자, 탄소 원자수 1 내지 18인 알킬기 또는 탄소 원자수 2 내지 18인 알케닐기임)이고, Y는 -O-또는이고, A⁺, H⁺, Na⁺, NH⁺, 지방족 암모늄 또는 그의 혼합 이온이다.
제20항에 있어서, 토너 입자가 음전하 제어제로서 하기 일반식의 화합물을 함유하는 것인 현상제.
상기 식에서, Y¹및 Y²는 각각 페닐, 나프틸 또는 안트릴기이고, R¹및 R²는 각각 할로겐 원자, 니트로, 풀포네이트, 카르복실, 카르복실레이트 에스테르, 시아노, 카르복실, 알킬, 알콕시 또는 아미노기이고, R³및 R⁴는 각각 수소 원자, 알킬, 알콕시, 치환 가능한 페닐, 치환 가능한 아르알킬 또는 아미노기이며, R⁵및 R⁶은 각각 수소 원자 또는 탄소 원자수 1내지 8인 탄화수소기이고, k 및 j는 각각 0또는 1내지 3의 정수로서, 동시에 0은 아니고, m 및 n은 각각 1또는 2의 정수이며, Y¹및 Y², R¹및 R², R³및 R⁴, R⁵및 R⁶, k 및 j, 및 m 및 n은 각각 동일 또는 상이하다.
제20항에 있어서, 토너 입자가 음전하 제어제로서 하기 일반식의 화합물을 함유하는 것인 현상제.
상기 식에서, A⁺는 H⁺, Na⁺, K⁺또는 NH⁺, 또는 그의 혼합 이온이다.
제20항에 있어서, 토너 입자가 음전하 제어제로서 하기 일반식의 화합물을 함유하는 것인 현상제.
상기 식에서, A⁺는 H⁺, Na⁺, K⁺또는 NH⁺, 또는 그의 혼합 이온이다.
제20항에 있어서, 토너 입자가 음전하 제어제로서 하기 일반식의 화합물을 함유하는 것인 현상제.
상기 식에서, t-Bu는 t-부틸기이고, A⁺는 H⁺, Na⁺, K⁺또는 NH⁺, 또는 그의 혼합 이온이다.
제20항에 있어서, 토너 입자가 음전하 제어제로서 하기 일반식의 화합물을 함유하는 것인 현상제.
상기 식에서, t-Bu는 t-부틸기이고, A⁺는 H⁺, Na⁺, K⁺또는 NH⁺, 또는 그의 혼합 이온이다.
정전하상 담지체를 대전시키고, 대전된 담지체를 노광시켜 그위에 정전하상을 형성시키고, 형성된 화상을 현상제로 현상시켜 토너 상을 형성하고, 임의로 중간 전사 재료를 통해 전사 재료에 토너 상을 전사하고, 이어서 가열 및 가압하여 전사 재료 위에 화상을 정착시키는 것으로 이루어지는 화상 형성 방법에 있어서, 현상제가 토너 입자, 실리카 입자 A 및 실리카 입자 B를 갖는 토너로 이루어지며, 그 토너의 중량 평균 입도가 12.0㎛이하이고, 입자 수 본포에 있어서, 입도가 4.0㎛이하인 것이 50%이하이고, 입도가 10.08㎛이상인 것이 10%이하이고, 각각의 토너 입자가 적어도 중합체 성분 및 대전 제어체를 함유하고 있는 조성물로 형성되어 있으며, 실리카 입자 A가 실리콘 오일로 처리된 실리카 입자들로 구성되며, 그의 평균입도가 0.1㎛이하이고, 실리카 입자 B가 실리콘 오일로 처리된 실리카 입자들로 구성되며, 그의 평균 입도가 0.5~50㎛이고, 그 입자 수 분포에 있어서 입도가 1.0㎛이하인 것이 50%이하이고 100㎛이상인 것이 10%이하이고, 실리카 입자A 및 실리카 입자 B가 다음 요건, 즉 (a) 실리카 입자 B의 평균 입도 D_B가 실리카 입자 A의 평균 입도 D_A보다도 10배 이상 크고, (b) 실리카 입자 B의 실리콘 오일 처리량 W_B가 실리카 입자 A의 실리콘 오일 처리량 W_A보다도 2배 이상 크고, (c)토너 입자에 대한 실리카 입자 A의 첨가량(중량 기준)이 실리카 입자 B의 첨가량 보다 3배 이상 큰 것을 충족시키는 것을 특징으로 하는 화상 형성 방법.
제28항에 있어서, 상기 현상제가 제2항 내지 27항 중 어느 한 항에 기재된 현상제인 방법.
제28항에 있어서, 상기 정전하상 담지체가 바이어스된 접촉형 대전 수단으로 대전되는 것인 방법.
제30항에 있어서, 상기 접촉형 대전 수단이 대전 롤러로 이루어진 것인 방법.
제30항에 있어서, 상기 접촉형 대전 수단이 대전 브러쉬로 이루어진 것인 방법.
제30항에 있어서, 상기 접촉형 대전 수단이 대전 블레이드로 이루어진 것인 방법.
제28항에 있어서, 상기 현상제가 현상제 담지체에 의해 담지되고, 상기 현상제 담지체는 적어도 기판과 이 기판의 표면을 코팅하는 코팅층으로 이루어지며, 상기 코팅층은 (ⅰ) 고상 윤활제, 도전성 부여제 또는 고상 윤활제 및 도전성 붕제의 혼합물; 및 (ⅱ) 결합제 수지로 이루어지는 코팅제로 형성되는 것인 방법.
제28항에 있어서, 상기 토너 상이 바이어스된 전사 롤러에 의해 상기 전사 재료에 전사되는 방법.
제28항에 있어서, 상기 토너 상이 바이어스된 전사 벨트에 의해 상기 전사 재료에 전사되는 방법.
제28항에 있어서, 상기 전사 재료 상의 토너 상이 가열 롤러 및 가압 롤러로 이루어진 가열-가압 정착 수단에 의해 정착되는 방법.
제28항에 있어서, 상기 전사 재료 상의 토너 상은 필름을 통해 정착되고 지지되는 선형 가열 부재에 의해 정착되는 방법.
※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.