KR960023227A - 증착 피막 형성 장치 및 그 장치에 사용하기 위한 전극 - Google Patents

증착 피막 형성 장치 및 그 장치에 사용하기 위한 전극 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 기판이 배치된 압력을 감소시킬 수 있는 원료 가스 공급을 위한 수단과 상기 기판이 배치된 상기 반응 용기 내로 고주파 전력을 공급하기 위한 고주파 전력 공급 수단을 포함하며, 상기 원료 가스는 기판 상에 증착된 피막을 형성할 수 있도록 고주파 전력에 의해 분해될 수 있으며, 상기 고주파 전력 공급 수단의 공급부는 다수의 부재에 의해 구성되는, 작은 수의 구조적 결함을 가지며 우수한 화상 특성을 갖는 전자 사진술용 수광 부재를 갖는 증착 피막을 형성 할 수 있는 증착 필름 형성 장치에 관한 것이다.

Description

증착 피막 형성 장치 및 그 장치에 사용하기 위한 전극
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도는 증착 피막 형성 장치의 한 구성예를 도시하는 횡단면도, 제1B도는 제1A도에 도시된 바와 같은 장치를 도시하는 종단면도.

Claims (62)

  1. 기판이 배치된 압력을 감소시킬 수 있는 반응 용기 내로 원료 가스를 공급하기 위한 수단과 상기 기판이 배치된 상기 반응 용기 내로 고주파 전력을 공급하기 위한 고주파 전력 공급 수단을 포함하며, 원료 가스는 기판 상에 증착 피막을 형성시킬 수 있도록 고주파 전력에 의해 분해될 수 있으며, 상기 고주파 전력 공급 수단의 공급부는 다수의 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 피막 형성 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 고주파 전력 공급부는 기부 부재로서 기능하는 전도성 부재 및 증착 피막에 대해 높은 부착성을 가지며 전도성 부재의 표면을 덮는 재질을 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 피막 형성 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 고주파 전력 공급부는 기부 부재로서 기능하는 전도성 부재 및 전도성 부재의 표면을 덮는 세라믹 재질을 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 피막 형성 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 고주파 전력 공급부는 기부 부재로서 기능하는 전도성 부재 및 전도성 부재를 덮는 절연 재질을 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 피막 형성 장치.
  5. 제1항에 있어서, 고주파 전력의 주파수는 20MHz 내지 450MHz인 것을 특징으로 하는 증착 피막 형성 장치.
  6. 제2항에 있어서, 고주파 전력의 주파수는 20MHz 내지 450MHz인 것을 특징으로 하는 증착 피막 형성 장치.
  7. 제3항에 있어서, 고주파 전력의 주파수는 20MHz 내지 450MHz인 것을 특징으로 하는 증착 피막 형성 장치.
  8. 제4항에 있어서, 고주파 전력의 주파수는 20MHz 내지 450MHz인 것을 특징으로 하는 증착 피막 형성 장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 고주파 전력 공급부를 원료 가스 공급 수단으로서 또한 사용되는 것을 특징으로 하는 증착 피막 형성 장치.
  10. 제2항에 있어서, 상기 고주파 전력 공급부를 원료 가스 공급 수단으로서 또한 사용되는 것을 특징으로 하는 증착 피막 형성 장치.
  11. 제3항에 있어서, 상기 고주파 전력 공급부를 원료 가스 공급 수단으로서 또한 사용되는 것을 특징으로 하는 증착 피막 형성 장치.
  12. 제4항에 있어서, 상기 고주파 전력 공급부를 원료 가스 공급 수단으로서 또한 사용되는 것을 특징으로 하는 증착 피막 형성 장치.
  13. 제5항에 있어서, 상기 고주파 전력 공급부를 원료 가스 공급 수단으로서 또한 사용되는 것을 특징으로 하는 증착 피막 형성 장치.
  14. 제3항에 있어서, 상기 고주파 전력 공급부의 세라믹 재질은 Al2O3, BN, AlN, ZrSiO4, TiO2, Cr2O3및 MgO로 구성된 그룹으로부터 선정된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 증착 피막 형성 장치.
  15. 제3항에 있어서, 세라믹 재질은 플라즈마 스프레이에 의해 전도성 부재에 부착되는 것을 특징으로 하는 증착 피막 형성 장치.
  16. 제1항에 있어서, 상기 고주파 전력 공급부를 가열하거나 또는 냉각하기 위한 기구가 배치되는 것을 특징으로 하는 증착 피막 형성 장치.
  17. 제1항에 있어서, 상기 반응 용기 내로 마이크로웨이브 출력을 공급하기 위한 수단을 또한 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 피막 형성 장치.
  18. 제2항에 있어서, 상기 고주파 전력 공급부의 상기 전도성 부재는 Al, Fe, Ni, Cr, Ti, Mo, Au, In, Nb, Te, V, Pt 및 Pb 그리고 이들 금속을 함유하는 합금과 같은 재질로 구성된 그룹으로부터 선정되는 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 증착 피막 형성 장치.
  19. 제3항에 있어서, 상기 고주파 전력 공급부의 상기 전도성 부재는 Al, Fe, Ni, Cr, Ti, Mo, Au, In, Nb, Te, V, Pt 및 Pb 그리고 이들 금속을 함유하는 합금과 같은 재질로 구성된 그룹으로부터 선정되는 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 증착 피막 형성 장치.
  20. 제4항에 있어서, 상기 고주파 전력 공급부의 상기 전도성 부재는 Al, Fe, Ni, Cr, Ti, Mo, Au, In, Nb, Te, V, Pt 및 Pb 그리고 이들 금속을 함유하는 합금과 같은 재질로 구성된 그룹으로부터 선정되는 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 증착 피막 형성 장치.
  21. 제2항에 있어서, 상기 고주파 전력 공급부의 상기 전도성 부재는 스테인리스강 및 인코넬로 구성된 그룹으로부터 선정된 적어도 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 증착 피막 형성 장치.
  22. 제3항에 있어서, 상기 고주파 전력 공급부의 상기 전도성 부재는 스테인리스강 및 인코넬로 구성된 그룹으로부터 선정된 적어도 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 증착 피막 형성 장치.
  23. 제4항에 있어서, 상기 고주파 전력 공급부의 상기 전도성 부재는 스테인리스강 및 인코넬로 구성된 그룹으로부터 선정된 적어도 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 증착 피막 형성 장치.
  24. 제1항에 있어서, 상기 기판은 다수가 제공될 수 있는 것을 특징으로 하는 증착 피막 형성 장치.
  25. 제24항에 있어서, 상기 다수의 기판은 동심 원 상에 배치될 수 있는 것을 특징으로 하는 증착 피막 형성 장치.
  26. 제1항에 있어서, 상기 기판을 회전하기 위한 기구가 배치되는 것을 특징으로 하는 증착 피막 형성 장치.
  27. 제17항에 있어서, 마이크로웨이브 출력이 상기 기판을 배치함으로써 형성된 공간 내로 공급되는 것을 특징으로 하는 증착 피막 형성 장치.
  28. 제2항에 있어서, 상기 전도성 부재는 중공부 및 중공부와 연결된 구멍을 갖는 것을 특징으로 하는 증착 피막 형성 장치.
  29. 제3항에 있어서, 상기 전도성 부재는 중공부 및 중공부와 연결된 구멍을 갖는 것을 특징으로 하는 증착 피막 형성 장치.
  30. 제4항에 있어서, 상기 전도성 부재는 중공부 및 중공부와 연결된 구멍을 갖는 것을 특징으로 하는 증착 피막 형성 장치.
  31. 제1항에 있어서, 상기 고주파 전력 공급 수단은 다수가 제공되는 것을 특징으로 하는 증착 피막 형성 장치.
  32. 제1항에 있어서, 상기 고주파 전력 공급 수단은 전도성 중심 도체와, 상기 중심 도체를 덮는 절연성 부재와, 상기 절연성 부재에 배치되며 상기 중심 도체를 둘러싸는 환형 도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 피막 형성 장치.
  33. 제32항에 있어서, 상기 절연성 부재는 증착 피막에 대해 높은 부착성을 갖는 재질인 것을 특징으로 하는 증착 피막 형성 장치.
  34. 제32항에 있어서, 상기 절연성 부재는 세라믹 재질인 것을 특징으로 하는 증착 피막 형성 장치.
  35. 제34항에 있어서, 상기 세라믹 재질은 Al2O3, BN, AlN, ZrSiO4, TiO2, Cr2O3및 MgO로 구성된 그룹으로부터 선정된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 증착 피막 형성 장치.
  36. 제32항에 있어서, 상기 세라믹 재질은 플라즈마 스프레이에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 증착 피막 형성 장치.
  37. 제32항에 있어서, 상기 중심 도체는 Al, Fe, Ni, Cr, Ti, Mo, Au, In, Nb, Te, V, Pt 및 Pb 그리고 이들 금속을 함유하는 합금과 같은 재질로 구성된 그룹으로부터 선정되는 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 증착 피막 형성 장치.
  38. 제32항에 있어서, 상기 중심 도체는 스테인리스강 및 인코넬로 구성된 그룹으로부터 선정된 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 증착 피막 형성 장치.
  39. 제32항에 있어서, 상기 환형 도체는 링과 같은 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 증착 피막 형성 장치.
  40. 제32항에 있어서, 상기 환형 도체는 나선 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 증착 피막 형성 장치.
  41. 제32항에 있어서, 상기 환형 도체는 다수가 제공된 것을 특징으로 하는 증착 피막 형성 장치.
  42. 제32항에 있어서, 상기 환형 도체는 접지되는 것을 특징으로 하는 증착 피막 형성 장치.
  43. 제32항에 있어서, 상기 환형 도체는 Al, Fe, Ni, Cr, Ti, Mo, Au, In, Nb, Te, V, Pt 및 Pb 그리고 이들 금속을 함유하는 합금과 같은 재질로 구성된 그룹으로부터 선정되는 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 증착 피막 형성 장치.
  44. 제32항에 있어서, 상기 환형 도체는 스테인리스강 및 인코넬로 구성된 그룹으로부터 선정된 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 증착 피막 형성 장치.
  45. 제32항에 있어서, 상기 환형 도체는 중공부 및 상기 중공부에 연결된 구멍을 포함하는 것을 특징으로 하는 증착 피막 형성 장치.
  46. 증착 피막을 형성시킬 수 있는 고주파 전력을 공급함으로써 원료 가스가 분해되는 진공 장치용 전극에 있어서, 전도성 재질 및 상기 전도성 재질의 표면의 적어도 일부를 덮는 절연성 재질을 포함하는 것을 특징으로 하는 전극.
  47. 제46항에 있어서, 환형 도체가 전도성 재질을 둘러싸며 전도성 재질로부터 절연되도록 배치되는 것을 특징으로 하는 전극.
  48. 제46항에 있어서, 전도성 재질은 중공부인 것을 특징으로 하는 전극.
  49. 제47항에 있어서, 전도성 재질은 중공부인 것을 특징으로 하는 전극.
  50. 제48항에 있어서, 전도성 재질은 중공부를 외부와 연결시키는 구멍을 또한 갖는 것을 특징으로 하는 전극.
  51. 제49항에 있어서, 전도성 재질은 중공부를 외부와 연결시키는 구멍을 또한 갖는 것을 특징으로 하는 전극.
  52. 제47항에 있어서, 상기 환형 도체는 링과 같은 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 전극.
  53. 제47항에 있어서, 상기 환형 도체는 나선 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 전극.
  54. 제47항에 있어서, 상기 환형 도체는 다수가 제공되는 것을 특징으로 하는 전극.
  55. 제47항에 있어서, 상기 환형 도체는 접지되는 것을 특징으로 하는 전극.
  56. 제47항에 있어서, 상기 절연성 재질은 세라믹 재질인 것을 특징으로 하는 전극.
  57. 제56항에 있어서, 상기 세라믹 재질은 Al2O3, BN, AlN, ZrSiO4, TiO2, Cr2O3및 MgO로 구성된 그룹으로부터 선정된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 전극.
  58. 제56항에 있어서, 상기 세라믹 재질은 플라즈마 스프레이에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 전극.
  59. 제46항에 있어서, 상기 중심 도체는 Al, Fe, Ni, Cr, Ti, Mo, Au, In, Nb, Te, V, Pt 및 Pb 그리고 이들 금속을 함유하는 합금과 같은 재질로 구성된 그룹으로부터 선정되는 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 전극.
  60. 제46항에 있어서, 상기 중심 도체는 스테인리스강 및 인코넬로 구성된 그룹으로부터 선정된 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 전극.
  61. 제46항에 있어서, 상기 환형 도체는 Al, Fe, Ni, Cr, Ti, Mo, Au, In, Nb, Te, V, Pt 및 Pb 그리고 이들 금속을 함유하는 합금과 같은 재질로 구성된 그룹으로부터 선정되는 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 전극.
  62. 제46항에 있어서, 상기 환형 도체는 스테인리스강 및 인코넬로 구성되는 그룹으로부터 선정된 하나로 구성되는 것을 특징으로 하는 전극.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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