KR960008665A - 드라이버일체형 액정표시장치 - Google Patents

드라이버일체형 액정표시장치 Download PDF

Info

Publication number
KR960008665A
KR960008665A KR1019950015102A KR19950015102A KR960008665A KR 960008665 A KR960008665 A KR 960008665A KR 1019950015102 A KR1019950015102 A KR 1019950015102A KR 19950015102 A KR19950015102 A KR 19950015102A KR 960008665 A KR960008665 A KR 960008665A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
thin film
liquid crystal
crystal display
film transistors
signal
Prior art date
Application number
KR1019950015102A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100193140B1 (ko
Inventor
야스히로 마쯔시마
도시히로 야마시따
다까유끼 시마다
Original Assignee
쯔지 하루오
샤프 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 쯔지 하루오, 샤프 가부시끼가이샤 filed Critical 쯔지 하루오
Publication of KR960008665A publication Critical patent/KR960008665A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100193140B1 publication Critical patent/KR100193140B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

액정표시장치를 구성하는 복수의 TFT들중 적어도 하나의 TFT에 대하여, 일단부가 TFT의 게이트전극인 신호배선은 제1배선층의 패턴화에 의해 형성되고 트랜지스터의 활성영역부근에 분리부를 갖는 본체부와, 상기 제1배선층과는 다른 제2배선층의 패턴화에 의해 형성되고 상기 분리부를 상호접속하는 접속부를 포함하도록 형성되어 있다. 그래서 이온주입공정중에 TFT의 게이트절연막의 파괴를 방지할 수 있다.

Description

드라이버일체형 액정표시장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예에 따른 드라이버일체형 액정표시장치를 구성하는 시프트레지스터의 일부를 보여주는 개략평면도.
제2a도는 상기 본 발명의 제1실시예에 대한 드라이버일체형 액정표시장치를 구성하는 화소 TFT의 단면도.
제2b도는 제1도에 도시된 시프트레지스터의 X부분의 단면도.

Claims (18)

  1. 절연기판위에 형성된 복수의 톱게이트형 박막트랜지스터들과, 상기 박막트랜지스터 각각의 게이트전극에 신호를 제공하는 복수의 신호배선들을 포함하는 드라이버일체형 액정표시장치를 포함하며, 상기 복수의 신호배선들중에서 선택된 적어도 하나의 신호배선은, 제1배선층의 패턴화에 의해 상기 게이트전극과 동일한 재료로 형성되고 분리부를 갖는 본체부와, 제2배선층의 패턴화에 의해 형성되고 상기 분리부를 상호접속하는 접속부로 구성되는 드라이버일체형 액정표시장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 분리부는 상기 박막트랜지스터의 활성층부근에 제공되는 드라이버일체형 액정표시장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 복수의 박막트랜지스터들이 시프트레지스터를 구성하고, 상기 선택된 신호 배선은 클럭라인에서 상기 박막트랜지스터들로 클럭신호를 제공하는 드라이버일체형 액정표시장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 복수의 박막트랜지스터들은 아날로그스위치를 구성하고, 상기 복수의 신호 배선들은 비디오라인들과 교차하도록 설치되고, 상기 선택된 신호배선은 상기 아날로그스위치에 시프트레지스터의 출력을 제공하는 드라이버일체형 액정표시장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 복수의 박막트랜지스터들은 적어도 하나의 N채널 박막트랜지스터와 적어도 하나의 P채널 박막트랜지스터를 포함하고, 상기 적어도 하나의 N채널 박막트랜지스터와 적어도 하나의 P채널 박막트랜지스터는 시프트레지스터에 포함된 인버터를 구성하고, 상기 선택된 신호배선은 상기 인버터에 접속되어 있고, 상기 인버터를 구성하는 상기 N채널 및 P채널 박막트랜지스터들의 각 채널영역위로 연장되도록 제공되고, 상기 선택된 신호배선의 분리부는 상기 N채널 및 P채널 박막트랜지스터를 각자의 활성층들 사이에 제공되는 드라이버일체형 액정표시장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 인버터는 클럭드인버터인 드라이버일체형 액정표시장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 복수의 박막트랜지스터들은 표시유닛을 구성하는 각 화소들에 대응하여 제공되고, 상기 선택된 신호배선이 게이트버스라인인 드라이버일체형 액정표시장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 게이트버스라인의 분리부는 각 화소의 소스버스라인과 상기 게이트버스라인 사이의 교차부에 제공되는 드라이버일체형 액정표시장치.
  9. 제7항에 있어서, 상기 게이트버스라인의 본리부는 각 화소의 인접한 소스 버스라인들 시이에 제공되는 드라이버일체형 액정표시장치.
  10. 제l항에 있어서, 상기 제2배선충은 알루미늄으로 형성된 상부배선층인 드라이버일제형 액정표시장치.
  11. 제1형에 있어서, 싱기 제2배선층은 TiW, Ti, Mo, W 및 WSi로 구성된 군에서 선택된 재료로 형성된 싱부배선층인 드라이버일체형 액정표시장치.
  12. 제1항에 있어서, 상기 복수의 신호배선들중에서 선택되지 않은 신호배선들 각각에는 분리부를 갖지 않는 드라이버일체형 액정표시장치.
  13. 절연기판위에 형성된 복수의 박막트랜지스터들을 포함하는 드라이버일체형 액정표시장치에 있어서, 상기 복수의 박막트랜지스터들중에서 선택된 적어도 하나의 박막트랜지스터가 복수의 세그먼트들로 분할되고, 채널이 채널폭방향으로 복수의 채널세그먼트들로 분할되어 있고, 상기 채널의 선폭이 1OO㎛ 이상이고, 상기 선택된 박막트랜지스터는 게이트전극을 포함하고, 상기 게이트전극은 제1배선층의 패턴화에 의해 형성되고, 상기 선택된 박막트랜지스터의 인접한 세그먼트들 사이에 분리부를 갖는 본체부와, 제2배선층의 패턴화에 의해 형성되고, 상기 분리부를 상호접속하는 접속부를 포함하는 것을 특징으로 하는 드라이버일체형 액정표시장치.
  14. 제13항에 있어서, 상기 제2배선층은 알루미늄으로 형성된 상부배선층인 드라이버일체형 액정표시장치.
  15. 제13항에 있어서, 상기 제2배선층은 TiW, Ti, Mo, W 및 WSi로 구성된 군에서 선택된 재료로 형성된 상부배선층인 드라이버일체형 액정표시장치.
  16. 제13항에 있어서, 상기 복수의 박막트랜지스터들중에서 선택되지 않은 박막트랜지스터는 분리부가 없는 게이트전극을 갖는 드라이버일체형 액정표시장치.
  17. 절연기판위에 형성된 복수의 톱게이트형 박막트랜지스터들을 포함하는 드라이버일체형 액정표시장치에 있어서, 상기 복수의 박막트랜지스터들중에서 선택된 적어도 하나의 박막트랜지스터는 그 게이트전극에 더미 신호배선(dummy signal wiring)이 접속되어 있고, 상기 더미 신호 배선에는 신호가 인가되지 않으며, 상기더미 신호배선은 소정의 배선층을 패턴화함으로써 상기 게이트전극과 같은 재료로 형성되며, 상기 신호배선은 연속한 배선패턴을 갖는 드라이버일체형 액정표시장치.
  18. 제17항에 있어서, 상기 더미 신호배선은 상기 복수의 박막트랜지스터들중에서 선택되지 않은 박막트랜지스터들의 게이트전극에 신호를 제공하는 다른 신호배선들 각각의 게이트배선 길이보다 더 전 드라이버일체형 액정표시장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950015102A 1994-08-24 1995-06-05 드라이버일체형 액정표시장치 KR100193140B1 (ko)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP19963494 1994-08-24
JP94-199634 1994-08-24
JP95-8466 1995-01-23
JP846695 1995-01-23
JP5307695A JP3122003B2 (ja) 1994-08-24 1995-03-13 アクティブマトリクス基板
JP95-53076 1995-03-13

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR960008665A true KR960008665A (ko) 1996-03-22
KR100193140B1 KR100193140B1 (ko) 1999-06-15

Family

ID=27278026

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019950015102A KR100193140B1 (ko) 1994-08-24 1995-06-05 드라이버일체형 액정표시장치

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5744820A (ko)
JP (1) JP3122003B2 (ko)
KR (1) KR100193140B1 (ko)
DE (1) DE19520639C2 (ko)
TW (1) TW354378B (ko)

Families Citing this family (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3737176B2 (ja) * 1995-12-21 2006-01-18 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JPH10198292A (ja) 1996-12-30 1998-07-31 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP3297988B2 (ja) 1997-01-24 2002-07-02 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板
JP3767154B2 (ja) 1997-06-17 2006-04-19 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器及び投写型表示装置
KR100243914B1 (ko) * 1997-07-29 2000-02-01 구본준 액정표시패널의 탭패드부 구조 및 그 제조방법
JPH1184418A (ja) * 1997-09-08 1999-03-26 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JPH1187720A (ja) * 1997-09-08 1999-03-30 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置及び液晶表示装置
JP2000036604A (ja) * 1998-07-21 2000-02-02 Matsushita Electric Ind Co Ltd 薄膜トランジスタ回路の製造方法及び液晶表示装置
JP3846057B2 (ja) * 1998-09-03 2006-11-15 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置の駆動回路及び電気光学装置並びに電子機器
KR100284809B1 (ko) * 1999-03-18 2001-03-15 구본준 다결정실리콘 박막트랜지스터
JP2001053283A (ja) 1999-08-12 2001-02-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
KR100647770B1 (ko) * 1999-10-30 2006-11-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자의 제조방법
US7023021B2 (en) * 2000-02-22 2006-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
JP4118484B2 (ja) 2000-03-06 2008-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2001257350A (ja) * 2000-03-08 2001-09-21 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置およびその作製方法
JP4118485B2 (ja) * 2000-03-13 2008-07-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP4700160B2 (ja) 2000-03-13 2011-06-15 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP4683688B2 (ja) 2000-03-16 2011-05-18 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
JP4393662B2 (ja) 2000-03-17 2010-01-06 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置の作製方法
US6789910B2 (en) 2000-04-12 2004-09-14 Semiconductor Energy Laboratory, Co., Ltd. Illumination apparatus
US6900084B1 (en) 2000-05-09 2005-05-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having a display device
JP2002040486A (ja) * 2000-05-19 2002-02-06 Seiko Epson Corp 電気光学装置、その製造方法および電子機器
KR100596031B1 (ko) * 2000-07-24 2006-07-03 엘지.필립스 엘시디 주식회사 횡전계 방식의 액정표시장치
US7071037B2 (en) * 2001-03-06 2006-07-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method thereof
WO2003104879A2 (en) 2002-06-01 2003-12-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Shift register, liquid crystal display device having the shift register and method of driving scan lines using the same
JP2004163493A (ja) * 2002-11-11 2004-06-10 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
US7250720B2 (en) 2003-04-25 2007-07-31 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR100966420B1 (ko) * 2003-06-30 2010-06-28 엘지디스플레이 주식회사 폴리실리콘 액정표시소자 및 그 제조방법
KR101160822B1 (ko) * 2004-07-27 2012-06-29 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치
KR101090251B1 (ko) * 2004-09-24 2011-12-06 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 표시 장치
TWI382264B (zh) 2004-07-27 2013-01-11 Samsung Display Co Ltd 薄膜電晶體陣列面板及包括此面板之顯示器裝置
KR101014172B1 (ko) * 2004-09-13 2011-02-14 삼성전자주식회사 구동유닛 및 이를 갖는 표시장치
KR101293950B1 (ko) * 2006-06-30 2013-08-07 삼성디스플레이 주식회사 표시기판 및 이를 갖는 표시패널
WO2008038635A1 (en) 2006-09-26 2008-04-03 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate
JP2009111412A (ja) * 2008-11-28 2009-05-21 Sakae Tanaka 薄膜トランジスタ素子と表示装置
US9069202B2 (en) * 2011-03-11 2015-06-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
KR101209048B1 (ko) 2011-06-28 2012-12-06 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 표시판, 이를 포함하는 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
US10014068B2 (en) 2011-10-07 2018-07-03 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR102659876B1 (ko) * 2016-12-30 2024-04-22 엘지디스플레이 주식회사 쉬프트 레지스터 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
CN213908147U (zh) * 2020-11-02 2021-08-10 温州瓯斯达电器实业有限公司 电热液蚊香器的加热装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59104173A (ja) * 1982-12-07 1984-06-15 Seiko Epson Corp 薄膜トランジスタ−の製造方法
KR960014823B1 (ko) * 1991-03-15 1996-10-21 가부시기가이샤 히다찌세이사구쇼 액정표시장치
JP3166263B2 (ja) * 1992-01-22 2001-05-14 セイコーエプソン株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
GB9225906D0 (en) * 1992-12-11 1993-02-03 Philips Electronics Uk Ltd Electronic device manufacture using ion implantation

Also Published As

Publication number Publication date
JPH08262486A (ja) 1996-10-11
TW354378B (en) 1999-03-11
DE19520639A1 (de) 1996-02-29
KR100193140B1 (ko) 1999-06-15
DE19520639C2 (de) 1997-07-24
JP3122003B2 (ja) 2001-01-09
US5744820A (en) 1998-04-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR960008665A (ko) 드라이버일체형 액정표시장치
KR950006674A (ko) 표시 장치
KR980004297A (ko) 액티브 매트릭스 액정 디스플레이 패널 및 그것을 위한 배선설계 방법
KR970011975A (ko) 박막트랜지스터 및 이것을 구비한 액정표시장치
KR960029834A (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR910018836A (ko) 액티브매트릭스 표시장치
KR960008393A (ko) 액정표시장치
TW375703B (en) Display device using an array substrate and process for manufacturing the same
KR970007432A (ko) 화소 간 기생 용량 차이가 없는 액정 표시 장치용 기판
KR930022125A (ko) 액정표시패널
KR910020474A (ko) 액정표시소자의 점결함의 흑색결함화법 및 액정표시소자
KR960029836A (ko) 액티브 매트릭스 기판 및 그 기판에 사용되는 스위칭 소자
KR920012992A (ko) 전기 광학 장치
KR930016805A (ko) 액티브 매트릭스 기판과 그의 구동방법
KR960019802A (ko) 반도체장치
KR970048747A (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판
KR960029868A (ko) 박막 트랜지스터를 사용한 능동 매트릭스 액정 디스플레이 장치
KR910013574A (ko) 박막 디바이스
KR940015634A (ko) 능동 배열구조의 액정표시소자
KR940015635A (ko) 능동형 액정표시소자
KR960035118A (ko) 액정표시장치
KR970022460A (ko) 액정표시장치
KR970062781A (ko) 액정 표시 장치
KR970048752A (ko) 액정표시장치의 배열기판 및 그 제조방법
KR950029822A (ko) 액정 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130118

Year of fee payment: 15

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140117

Year of fee payment: 16

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150123

Year of fee payment: 17

EXPY Expiration of term