KR970007432A - 화소 간 기생 용량 차이가 없는 액정 표시 장치용 기판 - Google Patents

화소 간 기생 용량 차이가 없는 액정 표시 장치용 기판 Download PDF

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Abstract

본 발명은 액정 표시장치용 기판에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는, 화소 간기생 용량의 차이가 없는 액정 표시 장치용기판에 관한 것이다. 기판의 각 화소는 박막 트랜지스터 및 드레인 전극 확장부를 포함하며, 박막 트랜지스터의 게이트전극은 게이트선의 일부이며, 소스 전극은 데이터선의 분지이고, 드레인 전극은 소스 전극과 평행하게 떨어져 상기 게이트선의 폭 안에 형성되어 있다.
이 기판은 또한 게이트 전극과 절연되어 있으며 소스 전극 및 드레인 전극과 전기적으로 연결되어 있는 반도체층을 포함하며, 드레인 전극 확장부는 드레인 전극 및 화소 전극과 연결되어 있고 게이트선의 양쪽 바깥으로 돌출되어 있으며 도전물질로 일정한 폭으로 형성되어 있다. 이렇게 함으로써, 각 화소의 기생용량의 차이를 없애 기생 용량 차이로 인한 화소의 밝기 차이를 없앨 수 있을 뿐 아니라, 박막 트랜지스터가 차지하는 면적이 종래 기술에 비하여 상대적으로 넓어지면 게이트 전극과 소스 전극이 중첩되는 부분이 줄어들어 각 배선의 시정수가 감소되는 효과가 있다.

Description

화소 간 기생 용량 차이가 없는 댁정 표시 장치용 기판
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도 및 제4도는 본 발명의 실시예에 따른 박막 트랜지스터 기판의 레이아웃을 나타낸 평면도이다.

Claims (30)

  1. 서로 평행한 다수의 게이트선, 상기 다수의 게이트선과 교차하는 평행한 다수의 데이터선, 그리고 상기 다수의 게이트선 중 하나와 상기 다수의 데이터선 중 하나와 각각 연결되어 있는 다수의 화소를 포함하는 액정 표시 장치용기판으로서, 상기 각 화소는 박막 트랜지스터 및 드레인 전극 확장부를 포함하며, 상기 박막 트랜지스터는 상기 게이트선의 일부를 게이트 전극으로 하고 있으며, 상기 박막 트랜지스터는, 상기 데이터선과 연결되어 있는 소스 전극, 상기 소스전극과 평행하게 떨어져 있으며 상기 게이트선의 폭 안에 형성되어 있는 드레인 전극, 그리고 상기 게이트 전극과 절연되어 있으며 상기 소스 전극 및 드레인 전극과 전기적으로 연결되어 있는 반도체층을 포함하며, 상기 드레인 전극 확장부는 상기 드레인 전극 및 화소 전극과 연결되어 있고 상기 게이트선의 양족 바깥으로 돌출되어 있으며 도전 물질로 일정한 폭으로 형성되어 있는 액정 표시 장치용 기판.
  2. 제1항에서, 상기 드레인 전극 확장부는 상기 게이트선에 수직인 액정 표시 장치용 기판.
  3. 제1항에서, 상기 드레인 전극 확장부의 길이는 상기 게이트선의 폭보다 큰 액정 표시장치용 기판.
  4. 제1항내지 제3항중 어느 한 항에서, 상기드레인 전극 확장부와 드레인 전극과의 연결점에서 상기 드레인 전극 확장부 양 끝까지의 거리는 각각 상기 게이트선의 폭과 동일하거나 그 이상인 액정 표시 장치용 기판.
  5. 제4항에서, 상기 게이트 전극과 상기 드레인 전극 확장부의 연결은 상기 드레인 전극 확장부의 길이 방향의 중앙 부분에서 이루어져 있는 액정 표시 장치용 기판.
  6. 제1항 또는 제2항에서, 상기 소스 전극 및 드레인 전극과 상기 반도체층을 전기적으로 연결하는 접촉층을 더 포함하는 액정 표시 장치용 기판.
  7. 서로 평행한 다수의 게이트선, 그리고 상기 다수의 게이트선과 교차하는 평행한 다수의 데이터선, 그리고 상기 다수의 게이트선 중 하나와 상기 다수의 데이터선 중 하나와 각각 연결되어 있는 다수의 화소를 포함하는 액정 표시장치용 기판으로서, 상기 각 화소는 상기 게이트선에 대하여 대팅인 두 개의 박막 트랜지스터 및 드레인 전극 확장부를 포함하며, 사이 두 박막 트랜지스터는, 상기 게이트선의 일부를 각각의 게이트 전극으로 하고, 상기 게이트선 및 상기 데이터선의 교차점의 양쪽에서 각각 데이터선으로부터 뻗어나와 형성되어 있는 두 소스 전극, 상그 두 소스 전극의 사이에상기 두 소스 전극과 떨어져 형성되어 있으며 상기 게이트선의 폭 안에 형성되어 있는 드레인 전극부, 그리고 상기 게이트 전극과 절연되어 있으며 상기 소스 전극 및 드레인 전극과 전기적으로 연결되어 있는 반도체층을 포함하며, 상기 드레인 전극 확장부는 상기 드레인 전극부 및 화소 전극과 연결되어 있고 상기 게이트선의 양쪽 바깥으로 돌출되어 있으며 도전 물질로 일정한 폭으로 형성되어 있는 액정 표시 장치용 기판.
  8. 제7항에서, 상기 드레인 전극 확장부는 상기 게이트전과 수직인 액정 표시 장치용 기판.
  9. 제7항에서, 상기 드레인 전극 확장부의 길이는 상기 게이트선의 폭보다 큰 액정 표시장치용 기판.
  10. 7항내지 9항중 어느 한 항에서, 상기 드레인 전극 확장부와 드레인 전극부와의 연결점에서 상기 드레인 전극 확장부 양 끝가지의 거리는 각각 게이트선의 폭과 동일하거나 그 이상인 액정 표시 장치용 기판.
  11. 제10항에서, 상기 게이트 전극과 상기 드레인 전극 확장부의 연결은 상기 드레인 전극 확장부의 길이 방향의 중앙 부분에서 이루어져 있는 액정 표시 장치용 기판.
  12. 제7항 내지 제9항중 어느 한 항에서, 상기 게이트선과 데이터선의 교차점 부근에서 상기 게이트선의 일부는 폭이 확장되어 상기 두 트랜지스터의 게이트 전극이 되는 게이트 전극부인 액정표시 장치용 기판.
  13. 제12항에서, 상기 반도체층은 상기 트랜지스터 부분에서는 게이트 전극부보다 폭이 넓은 액정 표시 장치용 기판.
  14. 제13항에서, 상기 두 소스 전극을 이루는 상기 데이터선의 분지 끝보다 길게 상기 게이트 전극부의 끝이 돌출되어 있고, 상기 반도체층은 상기 게이트 전극부의 끝과 상기 분지의 끝 사이에서 폭이 넓은 부분이 시작되는 액정표시 장치용 기판.
  15. 제7항 내지 제9항중 어느 한 항에서, 상기 소스 전극 및 드레인 전극과 상기 반도체층을 전기적으로 연결하는 접촉층을 더 포함하는 액정 표시 장치용 기판.
  16. 투명한 절연 기판 위에 도전 물질을 적층하고 사진 식각하여 평행한 다수의 게이트선을 형성하는 공정,절연 물질을 적층하여 게이트 절연층을 형성하는 공정, 반도체를 적층하고 사진 식각하여 체널층을 형성하는 공정, 투명한 도전 물질을 적층하고 사진 식각하여 화소 전극을 형성하는 공정, 그리고 도전 물질을 적층하고 사진 식각하여 데이터선, 상기 데이터선의 분지인 소스 전극, 상기 소스 전극과 평행하고 상기 게이트선 폭 안에 들어가는 드레인 전극, 상기드레인 전극 및 화소 전극과 연결되고 상기 게이트선의 양쪽 바깥으로 돌출되어 있는 일정한 폭의 드레인 전극 확장부를 형성하는 공정을 포함하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.
  17. 제16항에서, 상기 드레인 전극 확장부가 상기 게이트선에 수직이 되도록 형성하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.
  18. 제16항에서, 상기 드레인 전극 확장부의 길이가 상기 게이트선의 폭보다 크도록 형성하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.
  19. 제16항 내지 제18항 중 어느 한 항에서, 상기 드레인 전극 확장부와 드레인 전극과이 연결점에서 상기 드레인 전극 확장부 양 끝까지의 거리가 각각 상기 게이트선의 폭과 동일하거나 그 이상이 되도록 형성하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.
  20. 제19항에서, 상기 드레인 전극과 상기 드레인 전극 확장부의 연결은 상기 드레인 전극 확장부의 길이 방향의 중앙 부분에서 이루어지도록 형성하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.
  21. 제16항 내지 제18항 중 어느 한 항에서, 상기 반도체를 적층한 후 식각하기 전에 n+반도체를 적층하는 공정을 포함하며, 상기 반도체층을 식각할 때 상기 n+반도체층도 함게 식각하여 상기 채널층과 동일한 패턴의 n+반도체층을 형성하고, 상기 데이터선 및 소스 전극, 드레인 전극 및 드레인 전극 확장부를 형성한 후 드러난 상기 n+반도체층을 식각하여 접촉층을 형성하는 공정을 더 포함하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.
  22. 투명한 절연 기판 위에 도전 물질을 적층하고 사진 식각하여 평행한 다수의 게이트선을 형성하는 공정,절연 물질을 적층하여 게이트 절연층을 형성하는 공정, 반도체를 적층하고 사진 식각하여 채철층을 형성하는 공정, 투명한 도전 물질을 적층하고 사진 식각하여 화소 전극을 형성하는 공정, 그리고 도전 물질을 적층하고 사진 식각하여 데이터선, 상기 게이트선에 대하여 대칭인 상기 데이터선의 분지의 두 소스 전극, 상기 두 소스 전극과 평행하고 상기 두 소스전극 사이에 있으며 상기 게이트선 폭 안에 들어가는 드레인 전극부, 상기 드레인 전극 및 화소 전극과 연결되고 상기 게이트선의 양쪽 바깥으로 돌출되어 있는 일정한 폭의 드레인 전극 확장부를 형성하는 공정을 포함하는 액정 표시 장치용 기판의 제조방법.
  23. 제22항에서, 상기 드레인 전극 확장부가 상기 게이트선에 수직이 되도록 형성하는 액정표시 장치용 기판의 제조 방법.
  24. 제22항에서, 상기 드레인 전극 확장부의 길이가 상기 게이트선의 폭보다 크도록 형성하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.
  25. 제22항 내지 제24항중 어느 한 항에서, 상기 드레인 전극 확장부와 드레인 전극과의 연결점에서 상기 드레인 전극 확장부 양 끝까지의 거리가 각각 상기 게이트선의 폭과 동일하거나 그 이상이 되도록 형성하는 액정 표시 자치용 기판의 제조 방법.
  26. 제25항에서, 상기 드레인 전극과 상기 드레인 전극 확장부의 연결은 상기 드레인 전극 확장부의 길이 방향의 중앙 부분에서 이루어지도록 형성하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.
  27. 제22항 내지 제24항 중 어느 한 항에서, 상기 게이트선과 데이터선의 교차점 부근에서 상기 게이트선의 일부를 폭이 크도록하여 게이트 전극부를 형성하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.
  28. 제27항에서, 상기 채널층은 상기 게이트 전극부와 겹치는 부분에서 상기 게이트 전극부보다 폭이 넓게 형성하되, 상기 게이트 전극부의 두 모서리가 드러나도록 형성하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.
  29. 제28항에서, 상기 두 소스 전극을 이루는 데이터선의 분지가 상기 채널층의 폭넓은 부분의 끝을 가리지 않도록 형성하는 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법.
  30. 제22항 내지 제24항 중 어느 한 항에서, 상기 반도체를 적층한 후 식각하기 전에 n+반도체를 적층하는 공정을 포함하며, 상기 반도체층을 식각할 때 상기 n+반도체층도 함께 식각하여 상기 채널층과 동일한 패턴의 n+반도체층을 형성하고, 상기 데이터선 및 소스 전극, 드레인 전극 및 드레인 전극 확장부를 형성한 후 드러난 상기 n+반도체층을 식각하여 접속층을 형성하는 공정을 더 포함하는 액정 표시 장치용 기관의 제조 방법.
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