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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 132
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 55
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 52
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 119
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 61
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 34
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 28
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 28
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 26
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 18
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 13
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 13
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 12
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 9
- 101000702393 Homo sapiens Signal peptide peptidase-like 2B Proteins 0.000 description 7
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 7
- 101000702394 Homo sapiens Signal peptide peptidase-like 2A Proteins 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 101100227202 Arabidopsis thaliana FLA4 gene Proteins 0.000 description 5
- 101100257637 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) trf-2 gene Proteins 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 101100227197 Arabidopsis thaliana FLA2 gene Proteins 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 102100036962 5'-3' exoribonuclease 1 Human genes 0.000 description 2
- 101100378610 Arabidopsis thaliana AGL3 gene Proteins 0.000 description 2
- 101100012983 Arabidopsis thaliana FLA1 gene Proteins 0.000 description 2
- 101100227198 Campylobacter jejuni flaA gene Proteins 0.000 description 2
- 101100278585 Dictyostelium discoideum dst4 gene Proteins 0.000 description 2
- 101000804879 Homo sapiens 5'-3' exoribonuclease 1 Proteins 0.000 description 2
- 101000654664 Homo sapiens Neuronal-specific septin-3 Proteins 0.000 description 2
- 101000632314 Homo sapiens Septin-6 Proteins 0.000 description 2
- 101000632054 Homo sapiens Septin-8 Proteins 0.000 description 2
- 102100032769 Neuronal-specific septin-3 Human genes 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 102100032743 Septin-4 Human genes 0.000 description 2
- 102100027982 Septin-6 Human genes 0.000 description 2
- 101150117471 Septin4 gene Proteins 0.000 description 2
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 101150090341 dst1 gene Proteins 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 101100332287 Dictyostelium discoideum dst2 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100332288 Dictyostelium discoideum dst3 gene Proteins 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101001006782 Homo sapiens Kinesin-associated protein 3 Proteins 0.000 description 1
- 102100027930 Kinesin-associated protein 3 Human genes 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100264226 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) XRN1 gene Proteins 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- UPBAOYRENQEPJO-UHFFFAOYSA-N n-[5-[[5-[(3-amino-3-iminopropyl)carbamoyl]-1-methylpyrrol-3-yl]carbamoyl]-1-methylpyrrol-3-yl]-4-formamido-1-methylpyrrole-2-carboxamide Chemical compound CN1C=C(NC=O)C=C1C(=O)NC1=CN(C)C(C(=O)NC2=CN(C)C(C(=O)NCCC(N)=N)=C2)=C1 UPBAOYRENQEPJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 1
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- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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Description
初めに、実施の形態1として、表示装置を、液晶表示装置に適用した例について説明する。
図1は、実施の形態1の表示装置を実装したモジュールの一例を示す平面図である。
次に、図1及び図2〜図4を参照し、本実施の形態1の表示装置の構成例を詳細に説明する。図2は、実施の形態1の表示装置を示す断面図である。図3は、実施の形態1の表示装置を示す回路ブロック図である。図4は、実施の形態1の表示装置を示す回路図である。
次に、図5〜図7を参照し、画素の構成を詳細に説明する。図5及び図6は、実施の形態1の表示装置の画素の構成を示す平面図である。図7は、実施の形態1の表示装置の画素の構成を示す断面図である。図6は、図5に示す4個の副画素Sxのうち1個の副画素Sxの構成を詳細に示す。図7は、図5のA−A線に沿った断面図である。
ここで、図5及び図7を参照し、台座電極23と走査線GLとの平面視における重なりについて説明する。
次に、走査線GL及び共通電極COMに関連する負荷について、比較例1の表示装置と対比しながら説明する。比較例1の表示装置では、台座電極23及び接続配線24の配置が、実施の形態1の表示装置における台座電極23及び接続配線24の配置と、異なる。
したがって、上記式(1)により示されるように、容量Caの増加に伴って、容量Cgcが増加する。
一方、本実施の形態1では、赤の副画素SxRでの平面視における、台座電極23と、トランジスタTrを駆動する走査線GLと、のY軸方向の距離は、緑の副画素SxGでの平面視における、台座電極23と、トランジスタTrを駆動する走査線GLと、のY軸方向の距離よりも長い。また、遮光膜LSと赤の画素領域PAとのY軸方向における重畳幅は、遮光膜LSと緑の画素領域PAとのY軸方向における重畳幅よりも広い。
次に、本実施の形態1の第1変形例について説明する。図13は、実施の形態1の第1変形例の表示装置の画素の構成を示す平面図である。
次に、本実施の形態1の第2変形例について説明する。図14は、実施の形態1の第2変形例の表示装置の画素の構成を示す平面図である。
次に、本実施の形態1の第3変形例について説明する。図15は、実施の形態1の第3変形例の表示装置の画素の構成を示す平面図である。
実施の形態1では、表示装置を、液晶表示装置に適用した例について説明した。それに対して、実施の形態2では、表示装置を、人の指のタッチ等の位置座標検出機能付き液晶表示装置に適用した例について説明する。ここで、位置座標検出機能付き液晶表示装置とは、表示装置に含まれるアレイ基板及び対向基板のいずれか一方に位置座標検出用の検出電極が設けられた液晶表示装置である。また、実施の形態2においては、さらに、共通電極が、位置座標検出パネルの共通電極として動作するように設けられている、という特徴を持つインセルタイプの位置座標検出機能付き液晶表示装置について述べる。
図16は、実施の形態2の表示装置を実装したモジュールの一例を示す平面図である。
次に、図16及び図17を参照し、本実施の形態2の表示装置の構成例を詳細に説明する。図17は、実施の形態2の表示装置を示す断面図である。
本実施の形態2における台座電極23と走査線GLとの平面視における重なりは、実施の形態1における台座電極23と走査線GLとの平面視における重なりと同様にすることができる。
次に、走査線GL及び共通電極COMに関連する負荷について、比較例2の表示装置と対比しながら説明する。比較例2の表示装置では、台座電極23及び接続配線24の配置が、実施の形態2の表示装置における台座電極23及び接続配線24の配置と、異なる。
一方、本実施の形態2でも、実施の形態1と同様に、赤の副画素SxRでの平面視における、台座電極23と、トランジスタTrを駆動する走査線GLと、のY軸方向の距離は、緑の副画素SxGでの平面視における、台座電極23と、トランジスタTrを駆動する走査線GLと、のY軸方向の距離よりも長い。また、遮光膜LSと赤の画素領域PA及び青の画素領域PAとのY軸方向における重畳幅は、遮光膜LSと緑の画素領域PAとのY軸方向における重畳幅よりも広い。
2 アレイ基板
3 対向基板
6 液晶層
12、12A、12B ゲートドライバ
13 ソースドライバ
14、14A、14B 共通電極ドライバ
19 COG
21 基板
21a 上面
22 画素電極
23 台座電極
24 接続配線
31 基板
31a 下面
32 カラーフィルタ
32B、32G、32R 色領域
40 位置座標検出部
Ad 表示領域
Ca、Cap、Cb、Cc1、Cg1、Cg2、Cgc 容量
CH1、CH2 チャネル
COM 共通電極
DST1〜DST4 距離
EP1、EP2 側端部
EX1、EX2 延在部
FLA、FLA1〜FLA4 額縁領域
GE ゲート電極
GI ゲート絶縁膜
GL 走査線
IF、IF1〜IF4 絶縁膜
LC 液晶素子
LS 遮光膜
LS1、LS2 遮光部
OP1〜OP5 開口部
PA 画素領域
PA1〜PA3 領域
PSL1、PSL2 電源配線
Px 画素
Rc1、Rg1 抵抗
SC 半導体層
SEP1〜SEP6 側端部
SL 信号線
SP スペーサ
Sx、SxB、SxF、SxG、SxN、SxR 副画素
T フレキシブルプリント基板
TDL 検出電極
Tr、Tr1、Tr2 トランジスタ
Trf1、Trf2、Trg1、Trg2 期間
VCK 垂直クロックパルス
Vcom 駆動信号
VR1 電位
Vsig 画像信号
VST 垂直スタートパルス
WD1、WD2 重畳幅
WD3、WD4 幅
Claims (11)
- 画像に関連する第1信号が供給される複数の第1信号線と、画像に関連し前記第1信号とは異なる第2信号が供給される複数の第2信号線と、を備えた表示装置であって、
複数の前記第1信号線と複数の前記第2信号線とが交差することによって形成された第1画素領域と第2画素領域と、
前記第1画素領域に設けられ、前記第1信号線及び前記第2信号線によって駆動される第1トランジスタと、
前記第2画素領域に設けられ、前記第1信号線及び前記第2信号線によって駆動される第2トランジスタと、
前記第1画素領域に設けられた第1画素電極と、
前記第2画素領域に設けられた第2画素電極と、
前記第1トランジスタと前記第1画素電極とを電気的に接続する第1導電性配線と、
前記第2トランジスタと前記第2画素電極とを電気的に接続する第2導電性配線と、
前記第1導電性配線と前記第1トランジスタとの間に設けられた第1導電性電極と、
前記第2導電性配線と前記第2トランジスタとの間に設けられた第2導電性電極と、
前記第1画素電極及び前記第2画素電極と、前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタとの間に設けられた絶縁膜と、
前記第1信号線と前記第1導電性配線と前記第2導電性配線と前記第1導電性電極と前記第2導電性電極と重畳している遮光膜と、
を備え、
前記絶縁膜には第1開口部と第2開口部とが形成されており、
前記第1導電性配線と前記第1導電性電極とは、平面視において、前記第1開口部内に設けられ、
前記第2導電性配線と前記第2導電性電極とは、平面視において、前記第2開口部内に設けられ、
複数の前記第1信号線は、平面視において、第1方向に延在し、
前記第1導電性電極は、平面視において、前記第1トランジスタを駆動する前記第1信号線と、前記第1方向と交差する第2方向における第1の側で隣り合い、
前記第2導電性電極は、平面視において、前記第2トランジスタを駆動する前記第1信号線と、前記第1の側で隣り合い、
平面視における、前記第1導電性電極と、前記第1トランジスタを駆動する前記第1信号線と、の前記第2方向の距離は、平面視における、前記第2導電性電極と、前記第2トランジスタを駆動する前記第1信号線と、の前記第2方向の距離よりも長く、
前記遮光膜と前記第1画素領域との前記第2方向における重畳幅は、前記遮光膜と前記第2画素領域との前記第2方向における重畳幅よりも広い、表示装置。 - 請求項1に記載の表示装置において、
複数の第1画素と、第2画素と、を備え、
前記第1画素は、前記第1画素領域と、前記第1導電性電極と、前記第1導電性配線と、前記第1トランジスタと、前記第1開口部と、を有し、
前記第2画素は、前記第2画素領域と、前記第2導電性電極と、前記第2導電性配線と、前記第2トランジスタと、前記第2開口部と、を有し、
複数の前記第1画素は、前記第1方向に配列され、
前記第2画素は、複数の前記第1画素の配列の端部に配置された前記第1画素と隣り合い、
隣り合う2つの前記第1画素の間に、前記第2信号線が介在しており、
前記第2画素と隣り合う前記第1画素と、前記第2画素との間に、前記第2信号線が介在している、表示装置。 - 請求項2に記載の表示装置において、
前記第1画素に含まれる前記第1トランジスタを駆動する前記第1信号線は、前記第1導電性電極に対して前記第1の側と反対側に配置され、前記第1方向に延在する第1延在部を含み、
前記第2画素に含まれる前記第2トランジスタを駆動する前記第1信号線は、前記第2導電性電極に対して前記第1の側と反対側に配置され、前記第1方向に延在する第2延在部を含み、
前記第2延在部の前記第2方向における幅は、前記第1延在部の前記第2方向における幅よりも狭く、
前記第1延在部の前記第1の側の第1側端部は、前記第2延在部の前記第1の側の第2側端部よりも、前記第1の側に形成されている、表示装置。 - 請求項2に記載の表示装置において、
第1基板と、
前記第1基板と対向した位置に配置された第2基板と、
前記第1基板と前記第2基板との間に設けられ、前記第1基板と前記第2基板との距離を保つスペーサと、
を備え、
複数の前記第1画素と前記第2画素とは、前記第1基板に形成され、
前記スペーサは、平面視において、隣り合う2つの前記第1画素の間に介在している部分の前記第2信号線と重なる、表示装置。 - 請求項4に記載の表示装置において、
前記スペーサは、平面視において、隣り合う2つの前記第1画素の各々に含まれる2つの前記第1トランジスタに接続された前記第1信号線と重なり、
前記第2方向における前記スペーサの中心は、隣り合う2つの前記第1画素の各々に含まれる2つの前記第1トランジスタに接続された前記第1信号線に対して、前記第2方向における前記第1の側に配置されている、表示装置。 - 請求項4又は5に記載の表示装置において、
前記第1方向における前記スペーサの長さは、前記第2方向における前記スペーサの幅よりも長い、表示装置。 - 請求項5に記載の表示装置において、
前記遮光膜は、
平面視において前記スペーサ、前記第1導電性配線及び前記第1導電性電極と重畳している第1遮光部と、
前記第2画素に含まれる前記第2導電性配線及び前記第2導電性電極と重畳している第2遮光部と、
を含み、
前記第1遮光部の前記第1の側の第3側端部は、前記第2遮光部の前記第1の側の第4側端部に対して、前記第1の側まで延在し、
前記第1遮光部の前記第1の側と反対側の第5側端部は、前記第2遮光部の前記第1の側と反対側の第6側端部に対して、前記第1の側と反対側まで延在し、
前記第3側端部と前記第4側端部との間の前記第2方向における距離は、前記第5側端部と前記第6側端部との間の前記第2方向における距離よりも大きい、表示装置。 - 請求項2ないし7のいずれか一項に記載の表示装置において、
前記第1画素は、白色又は青色を表示する、表示装置。 - 請求項2ないし8のいずれか一項に記載の表示装置において、
前記第2画素は、緑色を表示する、表示装置。 - 請求項1ないし9のいずれか一項に記載の表示装置において、
前記第2導電性配線の前記第2方向における長さが前記第1導電性配線の前記第2方向における長さよりも短いか、又は、前記第2導電性電極の前記第2方向における長さが前記第1導電性電極の前記第2方向における長さよりも短い、表示装置。 - 請求項1ないし10のいずれか一項に記載の表示装置において、
前記第1画素電極及び前記第2画素電極との間で電界を形成する共通電極を備え、
前記共通電極は前記第1信号線と重畳し、
前記共通電極は物体の接触又は近接を検出する位置座標検出電極を兼ねている、表示装置。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015031144A JP6376989B2 (ja) | 2015-02-19 | 2015-02-19 | 表示装置 |
US15/042,826 US10032801B2 (en) | 2015-02-19 | 2016-02-12 | Display apparatus |
CN201620127549.1U CN205405027U (zh) | 2015-02-19 | 2016-02-18 | 显示装置 |
US15/929,018 US10453869B2 (en) | 2015-02-19 | 2018-05-29 | Display apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015031144A JP6376989B2 (ja) | 2015-02-19 | 2015-02-19 | 表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016151760A JP2016151760A (ja) | 2016-08-22 |
JP6376989B2 true JP6376989B2 (ja) | 2018-08-22 |
Family
ID=56448755
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015031144A Active JP6376989B2 (ja) | 2015-02-19 | 2015-02-19 | 表示装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US10032801B2 (ja) |
JP (1) | JP6376989B2 (ja) |
CN (1) | CN205405027U (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10175543B2 (en) * | 2015-06-12 | 2019-01-08 | Samsung Display Co., Ltd. | Display substrate and liquid crystal display having the same |
JP6808335B2 (ja) * | 2016-03-11 | 2021-01-06 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
TWI589958B (zh) * | 2016-03-22 | 2017-07-01 | 群創光電股份有限公司 | 顯示裝置 |
CN105785679A (zh) * | 2016-05-16 | 2016-07-20 | 上海天马微电子有限公司 | 一种阵列基板、显示面板和显示装置 |
JP6662738B2 (ja) * | 2016-08-19 | 2020-03-11 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 入力検出装置および電子装置 |
CN107957645A (zh) * | 2016-10-14 | 2018-04-24 | 瀚宇彩晶股份有限公司 | 显示面板与其制作方法 |
US10663822B2 (en) | 2016-10-14 | 2020-05-26 | Hannstar Display Corporation | Display panel and manufacturing method thereof |
JP6862258B2 (ja) * | 2017-04-20 | 2021-04-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
TWI615661B (zh) * | 2017-06-13 | 2018-02-21 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板 |
CN107479258B (zh) * | 2017-08-24 | 2020-05-22 | 上海中航光电子有限公司 | 显示面板及显示装置 |
US10796651B2 (en) * | 2018-09-13 | 2020-10-06 | Chongqing Hkc Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Driving method and device of display panel, and display device |
KR102607577B1 (ko) * | 2018-11-12 | 2023-11-30 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
JP7306906B2 (ja) * | 2019-07-19 | 2023-07-11 | 株式会社ジャパンディスプレイ | アレイ基板及び表示装置 |
CN110609407B (zh) * | 2019-08-27 | 2021-01-01 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 液晶显示面板及制备方法 |
CN111427210B (zh) * | 2020-04-10 | 2022-11-25 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
CN114594638A (zh) * | 2022-03-02 | 2022-06-07 | 北京京东方技术开发有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示面板、显示装置 |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR0149311B1 (ko) * | 1995-07-28 | 1998-10-15 | 김광호 | 화소 간 기생 용량 차이가 없는 액정 표시 장치용 기판 |
JP3974141B2 (ja) | 2005-06-23 | 2007-09-12 | 三菱電機株式会社 | 半透過型液晶表示装置 |
KR101327795B1 (ko) * | 2006-12-12 | 2013-11-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 |
EP2077465B1 (en) | 2006-12-28 | 2013-11-27 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus |
JP5154261B2 (ja) * | 2008-02-26 | 2013-02-27 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 液晶表示装置 |
JP2008209942A (ja) * | 2008-04-21 | 2008-09-11 | Hitachi Displays Ltd | 液晶表示装置 |
TWI386743B (zh) * | 2009-12-01 | 2013-02-21 | Au Optronics Corp | 顯示面板 |
US8749727B2 (en) * | 2010-02-26 | 2014-06-10 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
US8497817B2 (en) * | 2011-06-01 | 2013-07-30 | Lg Display Co., Ltd. | Stereoscopic image display panel and stereoscopic image display device including the same |
CN102254917B (zh) * | 2011-07-07 | 2014-05-21 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及其制法 |
KR101863759B1 (ko) * | 2011-09-29 | 2018-06-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 표시 장치 |
KR101878482B1 (ko) * | 2011-10-06 | 2018-07-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 입체 영상 표시장치 |
JP2013238820A (ja) * | 2012-05-17 | 2013-11-28 | Japan Display Inc | 液晶表示装置 |
KR101396943B1 (ko) * | 2012-06-25 | 2014-05-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 제조방법 |
JP6032975B2 (ja) * | 2012-07-02 | 2016-11-30 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 液晶表示装置 |
JP2014026130A (ja) * | 2012-07-27 | 2014-02-06 | Japan Display Inc | 液晶表示装置および電子機器 |
JP2014106428A (ja) * | 2012-11-28 | 2014-06-09 | Japan Display Inc | 表示装置及び電子機器 |
CN204302634U (zh) * | 2015-01-04 | 2015-04-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及显示装置 |
-
2015
- 2015-02-19 JP JP2015031144A patent/JP6376989B2/ja active Active
-
2016
- 2016-02-12 US US15/042,826 patent/US10032801B2/en active Active
- 2016-02-18 CN CN201620127549.1U patent/CN205405027U/zh active Active
-
2018
- 2018-05-29 US US15/929,018 patent/US10453869B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10032801B2 (en) | 2018-07-24 |
CN205405027U (zh) | 2016-07-27 |
US10453869B2 (en) | 2019-10-22 |
US20180277570A1 (en) | 2018-09-27 |
US20160247825A1 (en) | 2016-08-25 |
JP2016151760A (ja) | 2016-08-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171005 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20180618 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180703 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180724 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6376989 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |