KR950034833A - 반도체 소자의 콘트롤 게이트 전극 형성방법 - Google Patents

반도체 소자의 콘트롤 게이트 전극 형성방법 Download PDF

Info

Publication number
KR950034833A
KR950034833A KR1019940011334A KR19940011334A KR950034833A KR 950034833 A KR950034833 A KR 950034833A KR 1019940011334 A KR1019940011334 A KR 1019940011334A KR 19940011334 A KR19940011334 A KR 19940011334A KR 950034833 A KR950034833 A KR 950034833A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
control gate
forming
gate electrode
semiconductor device
polysilicon
Prior art date
Application number
KR1019940011334A
Other languages
English (en)
Other versions
KR0149528B1 (ko
Inventor
조병진
Original Assignee
김주용
현대전자산업 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김주용, 현대전자산업 주식회사 filed Critical 김주용
Priority to KR1019940011334A priority Critical patent/KR0149528B1/ko
Priority to US08/440,971 priority patent/US5536667A/en
Priority to DE19518133A priority patent/DE19518133C2/de
Priority to JP7120942A priority patent/JP2810636B2/ja
Priority to FR9506095A priority patent/FR2724049B1/fr
Publication of KR950034833A publication Critical patent/KR950034833A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR0149528B1 publication Critical patent/KR0149528B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
    • H01L29/4966—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET the conductor material next to the insulator being a composite material, e.g. organic material, TiN, MoSi2
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/49—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET
    • H01L29/4966—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET the conductor material next to the insulator being a composite material, e.g. organic material, TiN, MoSi2
    • H01L29/4975—Metal-insulator-semiconductor electrodes, e.g. gates of MOSFET the conductor material next to the insulator being a composite material, e.g. organic material, TiN, MoSi2 being a silicide layer, e.g. TiSi2
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Non-Volatile Memory (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 플래쉬 EEPROM 소자의 제조공정에서 콘트롤 게이트 전극을 형성시키기 위한 방법에 관한 것으로, 콘트롤 게이트로부터 인터폴리 유전체막으로의 정공 주입에 의한 데이타 저장시간의 감소를 방지하기 위해 콘트롤 게이트를 이층구조로 형성하되 하층부는 폴리실리콘게르마늄(Poly SiGe)으로 형성하고 상층부는 폴리실리콘(poly si)으로 형성하여 콘트롤 게이트와 인터폴리 유전체막(interpoly dielectric)간의 정공(hole)에 대한 에너지 장벽(Energy barrier)이 커짐으로써 상기 콘트롤 게이트로부터의 정공 주입(hoel injection)이 억제되어 데이타 보존시간(Data retention time)이 증가될 수 있는 반도체 소자의 콘트롤 게이트 전극 형성방법에 관한 것이다.

Description

반도체 소자의 콘트롤 게이트 전극 형성방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1 내지 제7도는 본 발명에 따른 반도체 소자의 콘트롤 게이트 전극 형성방법을 설명하기 위한 소자의 단면도.

Claims (5)

  1. 반도체 소자의 콘트롤 게이트 전극 형성방법에 있어서, 실리콘 기판(1)상에 터널산화막(2)을 형성시킨 후 폴리실리콘을 증착하여 플로팅 게이트(3)를 형성시키는 단계와, 상기 단계로부터 제1산화막(4), 질화막(5)및 제2산화막(6)으로 ONO 구조의 인터폴리 유전체막을 형성시키는 단계와, 상기 단계로부터 정공에 대한 에너지 장벽이 큰 도전물로 제1콘트롤 게이트(7)를 형성시키는 단계와, 상기 단계로부터 소정의 도전물로 제2콘트롤 게이트(8)를 형성시키는 단계와, 상기 단계로부터 건식식각 방법에 의해 상기 터널산화(2), 플로팅 게이트(3), 인터폴리 유전체막(4,5 및 6), 제1콘트롤 게이트(7) 및 제2콘트롤 게이트(8)를 패터닝시키는 단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘트롤 게이트 전극 형성방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2산화막(6)은 열산화 공정으로 10A 정도의얇은 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘트롤 게이트 전극 형성방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제1콘트롤 게이트(7)는 SiH4및 GeH4가스를 사용하여 600 내지 650℃의 온도상태 및 50 내지 300mTorr의 압력하에서 화학 기상 증착방법에 의해 증착되는 폴리실리콘게르마늄으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘트롤 게이트 전극 형성방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 폴리실리콘게르마늄내의 Ge의 농도는 20 내지 50%인 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘트롤 게이트 전극 형성방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제2콘트롤 게이트(8)는 폴리실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 콘트롤 게이트 전극 형성방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940011334A 1994-05-25 1994-05-25 반도체 소자의 콘트롤 게이트 전극 형성방법 KR0149528B1 (ko)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940011334A KR0149528B1 (ko) 1994-05-25 1994-05-25 반도체 소자의 콘트롤 게이트 전극 형성방법
US08/440,971 US5536667A (en) 1994-05-25 1995-05-15 Method for forming a gate electrode in a semiconductor device
DE19518133A DE19518133C2 (de) 1994-05-25 1995-05-17 Verfahren zur Herstellung einer Gateelektrode für eine EEPROM-Halbleitervorrichtung
JP7120942A JP2810636B2 (ja) 1994-05-25 1995-05-19 半導体素子のゲート電極の形成方法
FR9506095A FR2724049B1 (fr) 1994-05-25 1995-05-23 Procede de formation d'une electrode de grille dans un composant a semiconducteur

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019940011334A KR0149528B1 (ko) 1994-05-25 1994-05-25 반도체 소자의 콘트롤 게이트 전극 형성방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950034833A true KR950034833A (ko) 1995-12-28
KR0149528B1 KR0149528B1 (ko) 1998-10-01

Family

ID=19383701

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019940011334A KR0149528B1 (ko) 1994-05-25 1994-05-25 반도체 소자의 콘트롤 게이트 전극 형성방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5536667A (ko)
JP (1) JP2810636B2 (ko)
KR (1) KR0149528B1 (ko)
DE (1) DE19518133C2 (ko)
FR (1) FR2724049B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100390953B1 (ko) * 2000-12-27 2003-07-10 주식회사 하이닉스반도체 플래쉬 메모리 소자의 제조 방법

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6020238A (en) * 1997-11-25 2000-02-01 Advanced Micro Devices, Inc. Method of fabricating a high dielectric constant interpolysilicon dielectric structure for a low voltage non-volatile memory
EP0926739A1 (en) 1997-12-24 1999-06-30 Texas Instruments Incorporated A structure of and method for forming a mis field effect transistor
US5888867A (en) * 1998-02-13 1999-03-30 Advanced Micro Devices, Inc. Non-uniform threshold voltage adjustment in flash eproms through gate work function alteration
US6060741A (en) * 1998-09-16 2000-05-09 Advanced Micro Devices, Inc. Stacked gate structure for flash memory application
US6177363B1 (en) 1998-09-29 2001-01-23 Lucent Technologies Inc. Method for forming a nitride layer suitable for use in advanced gate dielectric materials
US6441464B1 (en) 1999-09-22 2002-08-27 International Business Machines Corporation Gate oxide stabilization by means of germanium components in gate conductor
US6555398B1 (en) * 1999-10-22 2003-04-29 Magic Corporation Software programmable multiple function integrated circuit module
US7253467B2 (en) 2001-06-28 2007-08-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile semiconductor memory devices
US6858906B2 (en) 2001-06-28 2005-02-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Floating trap non-volatile semiconductor memory devices including high dielectric constant blocking insulating layers
US8253183B2 (en) 2001-06-28 2012-08-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Charge trapping nonvolatile memory devices with a high-K blocking insulation layer
US7473959B2 (en) * 2001-06-28 2009-01-06 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile semiconductor memory devices and methods of fabricating the same
US20060180851A1 (en) 2001-06-28 2006-08-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile memory devices and methods of operating the same
KR100822796B1 (ko) * 2003-04-28 2008-04-17 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 소자
KR100669089B1 (ko) * 2005-07-11 2007-01-16 삼성전자주식회사 게이트 구조물, 이를 갖는 소노스 타입의 비휘발성 메모리장치 및 그 제조 방법
KR20090053034A (ko) * 2007-11-22 2009-05-27 주식회사 하이닉스반도체 플래시 메모리 소자의 제조 방법
KR101688614B1 (ko) 2010-03-04 2016-12-22 삼성전자주식회사 트랜지스터

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4334292A (en) * 1980-05-27 1982-06-08 International Business Machines Corp. Low voltage electrically erasable programmable read only memory
US4442449A (en) * 1981-03-16 1984-04-10 Fairchild Camera And Instrument Corp. Binary germanium-silicon interconnect and electrode structure for integrated circuits
JPH01189966A (ja) * 1988-01-25 1989-07-31 Ricoh Co Ltd 不揮発性半導体メモリ装置
US5110753A (en) * 1988-11-10 1992-05-05 Texas Instruments Incorporated Cross-point contact-free floating-gate memory array with silicided buried bitlines
JPH03205830A (ja) * 1990-01-06 1991-09-09 Fujitsu Ltd 半導体装置及び多結晶ゲルマニウムの製造方法
JPH088317B2 (ja) * 1990-04-24 1996-01-29 株式会社東芝 半導体記憶装置及びその製造方法
DE69117796T2 (de) * 1990-05-11 1996-09-26 Philips Electronics Nv Feldeffekttransistorstruktur mit einem schwebenden Gate und Verfahren zu ihrer Herstellung
EP0511628A3 (en) * 1991-04-30 1993-09-22 Texas Instruments Incorporated Insulator for integrated circuits formed by high-pressure oxidation
JPH05206475A (ja) * 1992-01-24 1993-08-13 Sony Corp 不揮発性半導体記憶装置
JPH05226663A (ja) * 1992-02-13 1993-09-03 Toshiba Corp 半導体記憶装置およびその製造方法
US5422289A (en) * 1992-04-27 1995-06-06 National Semiconductor Corporation Method of manufacturing a fully planarized MOSFET and resulting structure
US5242847A (en) * 1992-07-27 1993-09-07 North Carolina State University At Raleigh Selective deposition of doped silion-germanium alloy on semiconductor substrate
JP3071578B2 (ja) * 1992-10-13 2000-07-31 沖電気工業株式会社 不揮発性半導体記憶装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100390953B1 (ko) * 2000-12-27 2003-07-10 주식회사 하이닉스반도체 플래쉬 메모리 소자의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
JPH08162549A (ja) 1996-06-21
DE19518133C2 (de) 2002-01-17
FR2724049A1 (fr) 1996-03-01
JP2810636B2 (ja) 1998-10-15
DE19518133A1 (de) 1995-11-30
US5536667A (en) 1996-07-16
KR0149528B1 (ko) 1998-10-01
FR2724049B1 (fr) 1998-05-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950034833A (ko) 반도체 소자의 콘트롤 게이트 전극 형성방법
KR960043238A (ko) 리세스 채널 구조를 갖는 반도체 소자 및 그의 제조방법
KR910005296A (ko) 불휘발성 반도체 기억장치 및 그 제조방법
KR950034788A (ko) 불휘발성 반도체 기억장치의 제조방법
KR950026014A (ko) 불휘발성 반도체 메모리장치의 제조방법
KR20050105757A (ko) 플래시 메모리 소자의 제조 방법
KR101006512B1 (ko) 엠이이엘 소자의 제조방법
KR970054243A (ko) 반도체 소자의 제조방법
KR920015539A (ko) 싱글 폴리 이이피롬 셀 및 그 제조방법
KR19980055759A (ko) 폴리실리콘층 형성 방법
KR100975974B1 (ko) 이이피롬에서 플로팅 게이트의 버즈빅 현상의 감소방법
KR970030284A (ko) 반도체 소자의 스페이서 형성방법
KR970053905A (ko) 게이트 전극 및 그 형성방법
KR970003426A (ko) 반도체 장치의 제조 방법
KR100307540B1 (ko) 반도체소자의 제조방법
KR980006429A (ko) 반도체장치의 제조방법
KR970003844A (ko) 반도체소자 제조방법
KR960026900A (ko) 가상 접지 eprom 셀 구조를 갖는 비휘발성 반도체 기억 장치 및 그 제조 방법
KR20050060267A (ko) Ｓｏｎｏｓ 구조의 트리플 게이트 형성 방법
KR970003708A (ko) 반도체 소자의 게이트 전극의 제조방법
KR950021102A (ko) 반도체 소자의 금속배선 형성방법
JPH02218167A (ja) 半導体記憶装置の製造方法
KR20050039374A (ko) 비휘발성 메모리 소자의 제조방법
KR970054001A (ko) 반도체 소자의 전하저장전극 형성 방법
KR970052304A (ko) 반도체 소자의 전하저장 전극 형성 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120524

Year of fee payment: 15

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130523

Year of fee payment: 16

EXPY Expiration of term