KR950014997A - 전자사진 감광 부재, 이를 포함한 전자사진 장치 및 전자사진 장치 유닛 - Google Patents

전자사진 감광 부재, 이를 포함한 전자사진 장치 및 전자사진 장치 유닛 Download PDF

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Abstract

본 발명은 지지체 상에 감광층을 배치하여 이루어진 전자사진 감광 부재에 관한 것이다. 감광층은 옥시티탄 프탈로시아닌 및 각각 특수한 커플러 잔기를 가지는 것을 특징으로 하는 일반식(I) 또는 (Ⅱ)의 특수한 다스아조 안료를 포함한다. 감광층은 바람직하게는 전하 발생층 및 전하 수송층을 포함할 수 있다. 전하 발생층은 바람직하게는 상기 일반식(I) 또는 (Ⅱ)의 디스아조로 안료를 포함하는 제1 전하발생층과 상기 옥시티탄 프탈로시아닌을 포함하는 제1 전하 발생층으로 이루어질 수 있다. 상기한 감광층을 포함하는 전자사진 감광 부재는 고 감광성, 반복 사용시 양호한 전위차 안정도 및 실질적으로 흑점을 제공하지 않는 양호한 화상-형성 특성과 같은 우수한 전자사진 특성을 나타내는 전자사진 장치 및 장치 유닛을 제공하는 데에 유용하다.

Description

전자사진 감광 부재, 이를 포함한 전자사진 장치 및 전자사진 장치 유닛
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도 내지 제4도는 각각 I-형, α-형, β-형, Y-형의 옥시티탄 프탈로시아닌의 X선 회절 패턴을 나타내는 도면,
제5도 내지 10도는 본 발명의 전자감광 부재의 적층 구조의 개략 단면도,
제11도 내지 제13도는 본 발명에 따른 전자감광 부재를 사용한 전자사진 장치의 일 실시태양의 개략 구조도.

Claims (20)

  1. 지지체, 및 지지체 상에 배치되어 있고 옥시티탄 프탈로시아닌 및 하기 일반식(Ⅰ)로 나타내는 디스아조 안료를 포함하는 적어도 하나의 감광층으로 이루어진 전자사진 감광 부재.
    식 중에서, R1및 R2는 각각 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기 또는 알콕시기를 나타내고 ; R3및 R4는 각각 수소 원자, 할로겐 원자 또는 시아노기를 나타내며 ; A 및 B는 각각 하기 (i) 내지 (iv)
    (여기서, R5는 알킬기 또는 아릴기를 나타내고 ; X는 벤젠 고리와의 축합 반응을 통하여 치환된 또는 비치환된 플라시클릭 방향족 고리, 또는 치환된 비치환된 폴리시클릭 헤테로사이클을 형성하는 잔기를 나타내며 ; Z는 산소 원자 또는 황 원자를 나타냄) 중 어느 하나로 나타내어지는 커플러 잔기를 나타낸다.
  2. 지지체, 및 지지체 상에 배치되어 있고 옥시티탄 프탈로시아닌 및 하기 일반식(Ⅱ)로 나타내는 디스아조 안료를 포함하는 적어도 하나의 감광층으로 이루어진 전자사진 감광 부재.
    식 중에서, R6및 R7은 각각 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기 또는 알콕시기를 나타내고 ; C 및 D는 각각 하기 (i) 또는 (v)
    (여기서, X는 벤젠 고리와의 축합 반응을 통하여 치환된 또는 비치환된 폴리시클릭 방향족 고리, 또는 치환된 또는 비치환된 폴리시클릭 헤테로사이클을 형성하는 잔기를 나타내고 ; Z는 산소 원자 또는 황원자를 나타내며 ; Ar은 치환된 또는 비치환된 아릴기를 나타냄) 중 어느 하나로 나타내어지는 커플러잔기를 나타낸다.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 옥시티탄 프탈로시아닌이 CuKa특성 X선을 기준으로 한 X선 회절 패턴에서 브래그 각 (Bragg angles)(2θ±0.2도) 9.0도, 14.2도, 23.9도 및 27.1도로 특정되는 주된 피크를 갖는 것을 특징으로 하는 결정형인 부재.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 옥시티탄 프탈로시아닌이 CuKa특성 X선을 기준으로 한 X선 회절 패턴에서 브래그 각(2θ±0.2도)7.6도 및 28.6도로 특정되는 주된 피크를 갖는 것을 특징으로 하는 결정형인 부재.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서, 옥시티탄 프탈로시아닌이 CuKa특성 X선을 기준으로 한 X선 회절 패턴에서 브래그 각(2θ±0.2도)9.3도 및 26.3도로 특정되는 주된 피크를 갖는 것을 특징으로 하는 결정형인 부재.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서, 옥시티탄 프탈로시아닌이 CuKa특성 X선을 기준으로 한 X선 회절 패턴에서 브래그 각(2θ±0.2도) 9.5도 및 27.3도로 특정되는 주된 피크를 갖는 것을 특징으로 하는 결정형인 부재.
  7. 제1항에 있어서, 감광층이 옥시티탄 프탈로시아닌 및 일반식(Ⅰ)의 디스아조안료를 포함하는 적어도 하나의 전하 발생층 및 전하 수송층의 적층으로 이루어진 것인 부재.
  8. 제7항에 있어서, 전하 발생층이 단일층 구조로 된 것인 부재.
  9. 제7항에 있어서, 전하 발생층이 일반식(Ⅰ)의 디스아조로 안료를 포함하는 제1전하 발생층, 및 옥시티탄 프탈로시아닌을 포함하는 제2전하 발생층으로 이루어진 적층 구조로 된 것인 부재.
  10. 제7항에 있어서, 전하 발생층이 일반식(Ⅰ)의 디스아조로 안료를 포함하는 제1전하 발생층, 및 옥시티탄 프탈로시아닌을 포함하고 전하 수송층과 접촉한 상태에 있는 제2 전하 발생층으로 이루어진 적층 구조로 된 것인 부재.
  11. 제7항에 있어서, 전하 발생층이 일반식(Ⅰ)의 디스아조로 안료를 포함하고 전하 수송층과 접촉한 상태에 있는 제1 전하 발생층, 및 옥시티탄 프탈로시아닌을 포함하는 제2 전하 발생층으로 이루어진 적층 구조로 된 것인 부재.
  12. 제2항에 있어서, 감광층이 옥시티탄 프탈로시아닌 및 일반식(Ⅱ)의 디스아조안료를 포함하는 적어도 하나의 전하 발생층 및 전하 수송층의 적층으로 이루어진 것인 부재.
  13. 제12항에 있어서, 전하 발생층이 단일층 구조로 된 것인 부재.
  14. 제12항에 있어서, 전하 발생층이 일반식(Ⅱ)의 디스아조 안료를 포함하는 제1전하 발생층 및 옥시티탄 프탈로시아닌을 포함하는 제2전하발생층으로 이루어진 적층 구조로 된 것인 부재.
  15. 제12항에 있어서, 전하 발생층이 일반식(Ⅱ)의 디스아조 안료를 포함하는 제1전하 발생층 및 옥시티탄 프탈로시아닌을 포함하고 전하 수송층과 접촉한 상태에 있는 제2전하 발생층으로 이루어진 적층 구조로 된 것인 부재.
  16. 제12항에 있어서, 전하 발생층이 일반식(Ⅱ)의 디스아조 안료를 포함하고 전하 수송층과 접촉한 상태에 있는 제1 전하 발생층, 및 옥시티탄 프탈로시아닌을 포함하는 제2 전하 발생층으로 이루어진 적층 구조로 된 것인 부재.
  17. 제1항 또는 2항에 따른 전자사진 감광 부재, 전자사진 감광 부재를 대전시키기 위한 대전 수단, 정전 잠상을 형성하기 위하여 전자사진 감광 부재에 화상을 노출시키는 화상-노출 수단 및 정전 잠상을 토너로 현상하기 위한 현상 수단으로 이루어진 전자사진 장치.
  18. 제17항에 있어서, 대전 수단이 직접 대전 부재로 이루어진 것인 장치.
  19. 제1항 또는 2항에 따른 전자사진 감광 부재 및 전자사진 감광 부재를 접촉시키고 대전시키는 직접 대전 부재로 이루어진 전자사진 장치 유닛.
  20. 제19항에 있어서, 전자사진 감광 부재 상에 형성된 정전 잠상을 현상하기 위한 현상 수단을 더 포함하는 유닛.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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