KR0156755B1 - 전자사진 감광 부재, 이를 포함한 전자사진 장치 및 전자사진 장치 유닛 - Google Patents

전자사진 감광 부재, 이를 포함한 전자사진 장치 및 전자사진 장치 유닛 Download PDF

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Abstract

본 발명은 지지체 상에 감광층을 배치하여 이루어진 전자사진 감광 부재에 관한 것이다. 감광층은 옥시티탄 프탈로시아닌 및 각각 특수한 커플러 잔기를 가지는 것을 특징으로 하는 일반식 (Ⅰ) 또는 (Ⅱ)의 특수한 다스아조 안료를 포함한다. 감광층은 바람직하게는 전하 발생층 및 전하 수송층을 포함할 수 있다. 전하 발생층은 바람직하게는 상기 일반식 (Ⅰ) 또는 (Ⅱ)의 디스아조 안료를 포함하는 제1전하 발생층과 상기 옥시티탄 프탈로시아닌을 포함하는 제2전하 발생층으로 이루어질 수 있다. 상기한 감광층을 포함하는 전자사진 감광 부재는 고 감광성, 반복 사용시 양호한 전위차 안정도 및 실질적으로 흑점을 제공하지 않는 양호한 화상-형성 특성과 같은 우수한 전자사진 특성을 나타내는 전자사진 장치 및 장치 유닛을 제공하는 데에 유용하다.

Description

전자사진 감광 부재, 이를 포함한 전자사진 장치 및 전자사진 장치 유닛
제1도 내지 4도는 각각 I-형, α-형, β-형 및 Y-형의 옥시티탄 프탈로시아닌의 X선 회절 패턴을 나타내는 도면.
제5도 내지 10도는 본 발명의 전자감광 부재의 적층 구조의 개략적인 단면도.
제11도 내지 13도는 본 발명에 따른 전자감광 부재를 사용하는 전자사진 장치의 실시태양을 도시하는 개략적인 구조도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 감광 드럼 2 : 대전기(대전 부재)
: 전하 수송층: 전하 발생층
: 지지체 4 : 현상 수단
5 : 전사 코로나 대전기 6 : 클리너 수단
7 : 노출 수단 8 : 화상 정착기
9 : 피기록재 10 : 직접 대전기
20, 21, 21 : 용기 23 : 직접 대전 부재
L : 화상 노광
본 발명은 전자사진 감광(또는 전자감광) 부재 및 상기 감광 부재를 포함한 전자사진 장치 및 상기 감광 부재를 포함한 전자사진 장치 유닛에 관한 것이다.
유기 도전체를 함유한 감광층을 포함하는 유기 전자감광 부재에는, 많은 경우에 전하 발생 물질을 함유한 전하 발생층과 전하 수송 물질을 포함하는 전하 수송층의 적층 구조를 갖는 소위 기능 분리-형 전자감광 부재가 사용되어 왔다. 기능 분리-형 전자감광 부재는 고 감도 및 우수한 내구성과 같은 크게 개선된 전자사진 특성을 제공하므로 실제적 용도에 널리 사용되고 있다.
특히, 최근에는, 터미널 프린터로서 통상의 충격형 프린터 대신에 전자사진을 사용하는 비-충격형 프린터가 널리 각광받고 있다. 이들 프린터는 일반적으로 레이저를 광원으로 사용하는 레이저 빔 프린터이다. 광원으로는, 반도체 레이저가 가격, 장치 크기 등의 면에서 일반적으로 사용된다. 현재에 일반적으로 사용되는 반도체 레이저는 비교적 장 파장(즉, 방출 파장:780±20nm)을 가지므로, 이러한 장 파장을 나타내는 레이저 광에 대해 충분한 감응성을 갖는 전자감광 부재가 연구되고 개발되어 왔다.
비-금속 프탈로시아닌, 구리 프탈로시아닌 및 옥시티탄 프탈로시아닌(이하 생략하여 TiOPc로 칭함)과 같은 프탈로시아닌 화합물 중에서, 장 파장 광에 고감도인 다수의 전하 발생 물질이 연구되고 제안되어 왔다.
특히 TiOPc는 매우 높은 감광 특성을 나타내고 다른 프탈로시아닌 화합물에서와 같이 여러 결정형을 가진다. 또한, TiOPc의 전자사진 특성을 결정형의 차이에 따라 변화하므로, 다양한 결정형을 가지는 다수 형태의 TiOPc가 연구되고 제안되어 왔다. 이들의 대표적인 예로는 일본국 특허공개공보 (소) 61-239248호(미합중국 특허 제4,728,592호에 해당)에 개시된 α-형 TiOPc, 일본국 특허공개공보 (소) 62-67094호(미합중국 특허 제4,664,977호에 해당)에 개시된 β-형 TiOPc, 일본국 특허공개공보 (평) 3-128973호에 개시된 I-형 TiOPc 및 동 (평) 3-200790호에 개시된 Y-형 TiOPc를 들 수 있다.
그러나, TiOPc를 사용하는 모든 종래의 전자감광 부재가 반복 사용시에 만족할 만한 전위 안정도를 가지는 것은 아니다. 또한, 종래의 전자감광 부재는 고온 및 고습 환경 조건하에서 역현상 시스템을 사용하는 전자사진 공정 중에 흑점(즉, 흰 바탕에 흑점-유사 농무가 나타나는 현상)이 발생하기 쉬운 단점을 가진다. 이러한 단점을 개선하기 위하여, 전하 발생층을 얇게 하는 방법 및 전하 발생층 내의 TiOPc에 대한 결합제 수지의 비율을 증가시키는 방법 등의 몇 가지 방법이 제안되어왔다. 그러나, 생성된 전자감광 부재는 열등한 감광도를 나타내기 때문에 상기 방법으로 안점을 개선하는 데는 실패하였다.
레이저 빔 프린터 및 복사기의 기능을 모두 가지는 장치에 이용할 수 있는 전색 감광 부재를 얻기 위하여, 디스아조 안료와 TiOPc를 혼합하는 방법 또는 일본국 특허공개공보 (평) 3-37656호에 개시된 바와 같이 겹층(또는 적층)내에 디스아조 안료 및 TiOPc를 각각 사용하는 방법이 제시된 바 있다. 그러나 이러한 방법을 사용하여 얻은 감광 부재는 상기한 단점을 충분히 개선하는 데에는 실질적으로 실패하였다.
본 발명의 목적은 반복 사용시에 고 감광성 및 우수한 전위 안정성을 가지고 심지어 고온 및 고습 환경 조건하에서도 실질적으로 흑점이 없는 양호한 화상을 제공할 수 있는 전자사진 감광 부재를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 감광 부재를 포함한 전자사진 장치 및 상기 감광 부재를 포함한 전자사진 장치 유닛을 제공하는 것이다.
본 발명에 따르면, 지지체와 이 지지체 상에 배치된 옥시티탄 프탈로시아닌 및 하기 일반식(I)로 나타내는 디스아조 안료를 포함하는 하나 이상의 감광층을 포함하는 전자사진 감광 부재가 제공된다.
상기 식에서, R1 및 R2는 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기 또는 알콕시기를 나타내고; R3및 R4는 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자 또는 시아노기를 나타내며; A 및 B는 독립적으로 하기기 (i) 내지 (iv) 중 어느 하나로 나타내어지는 커플러잔기를 나타내고,
상기에서, R5는 알킬기 또는 아릴기를 나타내고; X는 벤젠 고리와의 축합 반응을 통하여 치환 또는 비치환 폴리시클릭 방향족 고리, 또는 치환 또는 비치환 폴리시클릭 헤테로사이클을 형성하는 잔기를 나타내고; Z는 산소 원자 또는 황 원자를 나타낸다.
본 발명에 따르면, 지지체와 이 지지체 상에 배치된 옥시티탄 프탈로시아닌 및 하기 일반식(II)로 나타내는 디스아조 안료를 포함하는 하나 이상의 감광층을 포함하는 전자사진 감광 부재가 또한 제공된다.
상기 식에서, R6및 R7은 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기 또는 알콕시기를 나타내고; C 및 D는 독립적으로 하기기 (i) 또는 (v) 중 어느 하나로 나타내어지는 커플러 잔기를 나타내고;
상기에서, X는 벤젠 고리와의 축합 반응을 통해 치환 또는 비치환 폴리시클릭 방향족 고리 또는 치환 또는 비치환 폴리시클릭 헤테로사이클을 형성하는 잔기를 나타내고; Z는 산소 원자 또는 황 원자를 나타내고; Ar은 치환 또는 비치환 아릴기를 나타낸다.
본 발명은 상기한 전자사진 감광 부재, 이 전자사진 감광 부재를 대전시키기는 대전 수단, 전자사진 감광 부재에 화상을 노출시켜 정전 잠상을 형성하는 화상-노출 수단 및 토너를 사용하여 정전 잠상을 현상하는 현상 수단을 포함하는 전자사진 장치를 제공한다.
본 발명은 또한 상기한 전자사진 감광 부재 및 이 전자사진 감광 부재와 접촉하여 대전시키는 직접 대전 부재를 포함하는 전자사진 장치 유닛을 제공한다.
본 발명의 이러한 목적 또는 다른 목적, 특성 및 잇점이 첨부되는 도면과 함께 하기 본 발명의 바람직한 실시태양으로 더 명백해질 것이다.
본 발명에 따른 전자사진 감광 부재는 TiOPc 및 각각 커플러 잔기를 가지는 일반식(I) 또는 (II)의 디스아조 안료를 포함하는 감광층을 가지는 것을 특징으로 한다.
본 명세서에서, 일반식(I) 및 (II) 중의 A, B, C 및 D와 같은 커플러 잔기는 커플러 성분으로 이루어진 벤젠 고리로부터 임의의 수소 원자 1개가 떨어짐으로써 대응하는 커플러(커플링 화합물)로부터 유도된 기를 의미한다. 본 발명에서, 그러한 수소 원자는 페놀계 히드록시기에 대하여 오르토 위치에 존재하는 것이 바람직할 수 있다.
일반식(I) 및 (II)에서, R1-R4, R6및 R7로서 바람직한 할로겐 원자의 예로는 불소, 염소 및 브롬을 들 수 있다.
R1, R2, R5, R6 및 R7로서 바람직한 알킬기의 예로를 메틸, 에틸, 프로필 및 부틸을 들 수 있다.
R1, R2, R6및 R7로서 바람직한 알콕시기의 예로는 메톡시, 에톡시, 프로폭시 및 부톡시를 들 수 있다.
기 (ii) 및 (v)에서 X의 잔기로 바람직한 예는 나프탈렌 고리, 안트라센 고리, 카르바졸 고리, 벤조카르바졸 고리 및 디벤조카르바졸 고리를 형성하는 것들을 들 수 있다. 상기 폴리시클릭 방향족 고리 및 폴리시클릭 헤테로사이클은 치환체, 예를 들면 불소, 염소 또는 브롬과 같은 할로겐 원자; 메틸, 에틸 또는 프로필과 같은 알킬기; 메톡시, 에톡시 또는 프로폭시와 같은 알콕시기; 니트로기; 시아노기; 및 트리플루오로메틸기를 가질 수 있다.
R5및 Ar의 아릴기로 바람직한 예는 페닐, 나프틸 및 안트릴을 들 수 있다. 이러한 아릴기는 치환체, 예를 들면 상기한 폴리시클릭 방향족 고리 및 폴리시클릭 헤테로사이클에 대해 예시한 것들을 가질 수 있다.
감광층 또는 전하 발생층 중에 상기한 일반식 (I) 또는 (II)의 디스아조 안료를 혼입시킴으로써, 반복 사용시 전위 안정성을 개선하고 TiOPc의 고 감광 특성을 손상시키지 않으면서 흑점의 발생을 방지하는 것이 가능하다. 상기한 일반식 (I) 또는 (II)의 디스아조 안료는 800nm 파장 부근에서 감광성을 가지지 않지만, 800nm 부근의 파장에 대한 TiOPc의 감광성은 화학적 증감 작용으로 민감해질 수 있다. 그 결과, TiOPc의 양이 감소되더라도 TiOPc의 고 감광 특성을 보유할 수 있다.
일반식 (I) 또는 (II)의 디스아조 안료의 바람직하고 구체적인 예로 하기 구조식으로 나타내어지는 것들을 들 수 있는데, 이로써 본 발명에서 사용되는 일반식 (I) 또는 (II)의 디스아조 안료가 제한되어서는 안된다.
[안료번호]
상기한 본 발명에서 사용되는 일반식 (I) 및 (II)의 디스아조 안료는 일반적으로, 대응하는 디아민을 통상의 방법(즉, 테트라아조화 반응)에 따라 테트라아조화하고, 생성된 테트라아조늄 염을 알칼리 및 수성 매질의 존재하에 대응하는 커플러와 반응(즉, 커플링 반응)시키는 방법 또는 상기 얻어진 테트라아조늄 염을 일단 대응하는 플루오르화붕소 염 또는 테트라아조늄 염 및 염화 아연을 포함하는 이중 염(double salt)으로 전환 또는 개질시키고, 생성된 염을 아세트산 나트륨, 트리에틸아민 또는 N-메틸아민과 같은 염기성 물질의 존재하에 N,N-디메틸포름아미드(DMF) 또는 디메틸술폭사이드(DMSO)와 같은 용매 중에서 대응하는 커플러와 반응시키거나 또는 커플링시키는 방법을 통하여 합성할 수 있다.
한편, 본 발명에 사용되는 TiOPc(옥시티탄 프탈로시아닌)의 구조식은 하기식으로 나타내어진다.
상기 식에서, Y1, Y2, Y3및 Y4는 각각 Cl 또는 Br을 나타내고; n, m, k 및 p는 각각 정수 0-4이다.
본 발명에서 사용되는 TiOPc는 임의의 결정형을 가질 수 있다. 본 발명에서, TiOPc는 α-형 TiOPc, β-형 TiOPc, I-형 TiOPc 또는 Y-형 TiOPc, 특히 I-형 TiOPc인 것이 바람직할 수 있다.
I-형 TiOPc는 CuKa 특성 X선을 기준으로 한 X선 회절 패턴에서 브래그 각(Bragg angles)(2θ±0.2도) 9.0도, 14.2도, 23.9도 및 27.1도로 특정되는 적어도 4개의 주요 피크를 특징으로 하는 결정형이다. I-형 TiOPc는 바람직하게는 제1도에 나타낸 X선 회절 패턴을 나타내는 것이 바람직하다.
α-형 TiOPc는 바람직하게는 제2도에 나타낸 바와 같이 CuKa 특성 X선을 기준으로 한 X선 회절 패턴에서 브래그 각(2θ±0.2도) 7.6도 및 28.6도로 특정되는 적어도 2개의 주요 피크를 특징으로 하는 결정형이다.
β-형 TiOPc는 바람직하게는 제3도에 나타낸 바와 같이 CuKa 특성 X선을 기준으로한 X선 회절 패턴에서 브래그 각(2θ±0.2도) 9.3도 및 26.3도로 특정되는 적어도 2개의 주요 피크를 특징으로 하는 결정형이다.
Y-형 TiOPc는 바람직하게는 제4도에 나타낸 바와 같이 CuKa 특성 X선을 기준으로 한 X선 회절 패턴에서 브래그 각(2θ±0.2도) 9.5도 및 27.3도로 특정되는 적어도 2개의 주요 피크를 특징으로 하는 결정형이다.
본 발명에 사용되는 TiOPc(I-형, α-형, β-형 및 Y-형 포함)는 일반적으로 예를 들어, 일본국 특허공개공보 (소) 61-239248호, (소) 62-67094호, (평) 3-128973호, (평) 3-200790호, (평) 3-37656호 등에 기재된 방법에 따라 제조할 수 있다.
본원에서 CuK 특성 X선을 사용하는 X선 회절 분석의 조건은 다음과 같다;
측정기:X선 회절 장치(RAD-A 시스템; Rigaku Denki K.K. 제작).
X선 관(목표):Cu.
관 전위:50KV.
관 전류:40mA.
주사 방법:2θ/θ 스캔.
주사 속도:2 deg./분.
샘플링 너비:0.020 deg.
출발 각도(2θ):3 deg.
정지 각도(2θ):40 deg.
발산 슬릿:0.5 deg.
산란 슬릿:0.5 deg.
수용 슬릿:0.3㎜.
곡선 단일색소계:사용.
본 발명에 따른 전자사진 감광 부재를 구성하는 감광층은 단일층 또는 적층을 포함하는 구조를 가질 수 있다. 본 발명에서 사용되는 감광층의 층 구조는 제5도에 제시된 바와 같이 지지체()상에 전하 발생층() 및 전하 수송층()이 연속적으로 배치된 적층 구조가 바람직할 수 있다. 제8도에 나타낸 바와 같이, 지지체()상에 전하 수송층() 및 전하 발생층()의 순서로 배치되는 것이 또한 가능하다. 또한, 제6, 7, 9 및 10도에 나타낸 바와 같이, 전하 발생층()가 일반식 (I) 또는 (II)의 디스아조 안료를 포함하는 제1전하 발생층()과 TiOPc를 함유하는 제2전하 발생층(2b)로 분리될 수 있다. 이 경우에, 전하 수송층()은 제6 및 9도에 나타낸 바와 같이 일반식 (I) 또는 (II) 디스아조 안료를 함유하는 제1전하 발생층()와 또는 제7 및 10도에 나타낸 바와 같이 TiOPc를 포함하는 제2전하 발생층()와 접촉하여 존재할 수 있다. 제2전하 발생층()와 접촉하고 있는 전하 수송층()의 층 구조가 더 우수한 결과를 가져온다. 상기 층 구조에서, 제1 전하 발생층()과 제2전하 발생층() 사이의 경계는 불명확할 수 있다.
감광층이 단일층 구조인 경우에, 감광층은 일반적으로 적절한 용매 중에서 TiOPc, 일반식 (I) 또는 (II)의 디스아조 안료, 전하 수송 물질 및 결합제 수지를 혼합하고, 생성된 혼합물(피복액)을 통상의 피복 방법으로 지지체 상에 도포한 후 생성된 피복물을 건조시킴으로써 제조할 수 있다.
감광층이 전하 발생층과 전하 수송층을 포함하는 적층 구조인 경우에, 전하 발생층은 일반적으로 적절한 용매 중에서 TiOPc 및 일반식 (I) 또는 (II)의 디스아조 안료 중 하나 또는 모두를 결합제 수지와 함께 혼합하고, 생성된 혼합물을 통상의 피복 방법으로 도포한 후, 생성된 피복물을 건조시킴으로써 제조할 수 있다. 전하 수송층은 상기 전하 발생 물질 대신에 전하 수송 물질을 혼합하는 것을 제외하고는 전하 발생층의 경우에서와 같은 방법으로 제조할 수 있다.
본 발명에서 사용되는 전하-수송 물질의 예로는 트리아릴아민 화합물, 히드라존 화합물, 스틸벤 화합물, 피라졸린 화합물, 옥사졸 화합물, 티아졸 화합물 및 트리아릴 메탄 화합물을 들 수 있다.
감광층에 사용되는 결합제 수지의 예로는 폴리에스테르, 아크릴계 수지, 폴리비닐카르바졸, 페녹시 수지, 폴리카르보네이트, 폴리비닐 부티랄, 폴리스티렌, 비닐 아세테이트 수지, 폴리술폰, 폴리아크릴레이트 및 비닐리덴 클로라이드-아크릴 로니트릴 공중합체를 들 수 있다.
각 층을 형성하는 데에 사용되는 피복 방법으로는 침지법, 분무 피복법, 스피너 피복법, 롤러(roller) 피복법, 와이어 바(wire bar) 피복법 및 블레이드(blade) 피복법을 들 수 있다.
본 발명에서 사용되는 감광층이 단일층으로 이루어져 있는 경우에(단일층-형감광층), 전하-발생 물질로서 TiOPc 및 일반식 (I) 또는 (II)의 디스아조 안료의 감광층내에 총 3 내지 30 중량%의 양으로 포함되는 것이 바람직하다. (TiOPc)/(디스아조 안료)의 혼합비(중량비)는 바람직하게는 20/1 내지 3/7, 더 바람직하게는 15/1 내지 4/6, 특히 바람직하게는 1/1 이상일 수 있다. 전하-수송 물질은 감광층내에 30 내지 70 중량%의 양으로 포함되는 것이 바람직하다.
본 발명에 사용되는 감광층이 전하 발생층 및 전하 수송층의 적층으로 이루어져 있는 경우(적층-형 감광층), TiOPc 및 디스아조 안료가 단일층 구조를 가지는 전하 발생층 내에 함유되면, TiOPc와 일반식 (I) 또는 (II)의 디스아조 안료는 전하 발생층 내에 바람직하게는 총 20 내지 80 중량%, 특히 30 내지 70 중량%로 포함될 수 있다. 이 경우에, (TiOPc)/(디스아조 안료)의 혼합비는 상기한 단일층-형 감광층의 경우에서와 같은 비인 것이 바람직하다. 디스아조 안료와 TiOPc가 제1전하 발생층과 제2전하 발생층에 분리되어 포함된 경우에는 디스아조 안료는 제1전하 발생층내에 바람직하게는 20 내지 80 중량%, 특히 30 내지 70 중량%의 양으로 포함될 수 있으며, TiOPc는 제2전하 발생층 내에 바람직하게는 20 내지 80 중량%, 특히 30 내지 70 중량%의 양으로 포함될 수 있다. 전하 수송 물질은 전하 수송층내에 30 내지 70% 중량%의 양으로 포함되는 것이 바람직하다.
단일층-형 감광층의 두께는 바람직하게는 5 내지 50㎛, 더 바람직하게는 10 내지 40㎛일 수 있다.
적층-형 감광층에서, 전하 발생층의 두께는 바람직하게는 0.05 내지 1.0㎛, 특히 0.1 내지 0.5㎛일 수 있고, 전하 수송층의 두께는 5 내지 50㎛, 특히 8 내지 20㎛일 수 있다. 일반식 (I) 또는 (II)의 디스아조 안료를 포함하는 제1전하 발생층은 두께가 바람직하게는 0.05 내지 0.2㎛일 수 있고, TiOPc를 포함하는 제2전하 발생층은 두께가 바람직하게는 0.05 내지 1.0㎛, 특히 0.1 내지 0.5㎛일 수 있다.
본 발명에서 사용되는 지지체는 바람직하게는 알루미늄, 알루미늄 합금 또는 스테인레스 스틸과 같은 도전 물질, 또는 플라스틱, 종이 또는 금속(그 위에 도전표면층이 형성됨)과 같은 물질로 구성될 수 있다. 도전 표면층은 바람직하게는 알루미늄, 알루미늄 합금 또는 산화 인듐-산화 주석 합금을 진공 증착시키거나 또는 카본 블랙 및 산화 주석 입자와 같은 도전 입자를 결합제와 혼합한 후, 그 혼합물을 도포함으로써 형성시킬 수 있다. 도전 표면층의 두께는 1 내지 30㎛이 바람직하다. 본 발명에서 사용된 지지체는 원통형 또는 필름(또는 시트) 형인 것이 바람직할 수 있다.
본 발명에서는, 원하는 경우, 지지체(또는 도전 표면층)와 감광층 사이에 방벽 역할 및 접착 역할을 하는 하도층(또는 프라이머 층)을 배치하는 것이 가능하다. 하도층은 카제인, 폴리비닐 알코올, 니트로셀롤로오즈, 에틸렌-아크릴산(또는 아크릴레이트) 공중합체, 폴리아미드, 개질된 폴리아미드, 폴리우레탄, 젤라틴, 산화 알루미늄을 포함할 수 있다. 하도층의 두께는 바람직하게는 5㎛이하, 특히 0.5 내지 3㎛일 수 있다. 하도층의 저항은 107Ω.㎝이상이 바람직할 수 있다.
레이저 광을 사용하여 화상 데이터를 입력하는 경우에 지지체 상의 결함을 없애고(거나) 레이저 광의 산란 때문에 발생하는 간섭 무늬의 생성을 막기 위하여, 지지체(또는 도전 표면층)와 하도층 사이에 도전층을 형성하는 것이 적합할 수 있다. 도전층은 결합제 수지 중에 카본 블랙, 금속 입자 또는 금속 산화물 입자와 같은 도전 분말을 분산시키고 이어서 그 분산액을 도포함으로써 형성시킬 수 있다. 도전층의 두께는 바람직하게는 5 내지 40㎛, 특히 10 내지 30㎛이다.
감광층 상에는, 필요한 경우, 보호층을 배치하는 것이 가능하다. 보호층은 폴리비닐 부티랄, 폴리에스테르, 폴리카르보네이트(예, 폴리카르보네이트 Z 또는 개질된 폴리카르보네이트), 니이론, 폴리이미드, 폴리아릴레이트, 폴리우레탄, 스티렌-부타디엔 공중합체, 스티렌-아크릴산(또는 아크릴레이트) 공중합체, 스티렌-아크릴로니트릴 공중합체와 같은 수지를 포함할 수 있다. 보호층은 상기 수지를 적절한 유기 용매 중에 용해시키고 이 용액을 감광층 위에 도포한 후 건조시킴으로써 생성할 수 있다. 보호층의 두께는 0.05 내지 20㎛가 바람직하다. 보호층은 또한 금속 산화물 입자(예, 산화 주석 입자)와 같은 도전 입자, 또는 자외선 흡수제를 포함할 수 있다.
제11도는 본 발명의 전자 감광 부재를 이용한 통상의 수송-형 전자사진 장치의 개략 구조도를 도시한 것이다. 제11도를 참고로 하면, 감광 드럼(즉, 감광 부재)(1)은 축(1a)의 둘레를 감광 드럼(1)의 내부에 표시된 화살표의 방향으로 예정된 주변 속도로 회전된다. 감광 드럼의 표면은 예정된 양성 또는 음성 전위를 가지도록 대전기(대전 수단)(2)에 의하여 균일하게 대전된다. 감광 드럼(1)은 화상-노출 수단(도시하지 않음)을 사용하여 화상 노광(L)(슬릿 노출 또는 레이저 빔 주사 노출)에 노출되는데, 이렇게 하여 노출 화상에 대응하는 정전 잠상이 감광 드럼(1)의 표면에 연속적으로 형성된다. 정전 잠상은 현상 수단(4)에 의하여 토너로 현상되어 토너 화상을 형성한다. 토너 화상은 전사 코로나 대전기(5)에 의해서 감광 드럼(1)의 회전 속도와 같은 속도로 공급부(도시하지 않음)로부터 감광 드럼(1)과 전사 코로나 대전기(전사 수단)(5) 사이의 위치로 공급되는 피기록재(9)로 연속적으로 전사된다. 토너 화상이 형성된 피기록재(9)는 감광 드럼(1)에서 분리되어 화상-정착기(화상-정착 수단)(8)로 전사된 후 화상 정착되어 전자사진 장치의 외부로 복사 생성물로서 피기록재(9)가 프린트된다. 전사된 후의 감광 드럼(1)의 표면상에 남아있는 토너 입자들은 클리너(세정 수단)(6)으로 제거되어 깨끗한 표면을 제공하고, 감광 드럼(1)의 표면 상에 남아 있는 전하는 예비 노출 수단(7)에 의해 소거되어 다음 사이클을 위해 준비된다. 감광 드럼(1)을 균일하게 대전시키는 대전기(2)로서, 코로나 대전기가 일반적으로 널리 사용된다.
제12 및 13도에서는, 감광 드럼(부재)(1)을 직접 대전시키기 위한 대전 수단으로서 직접 대전 수단(10)을 사용한다. 구체적으로, 전압이 공급된 직접 대전 수단(10)은 감광 부재(1)과 직접 접촉하여 감광 부재(1)을 직접 대전시킨다. 제12 및 13도에 도시된 장치에서, 감광 부재(1) 상에 형성된 토너 화상은 직접 대전 부재(23)에 의하여 피기록재(9)로 전사된다. 구체적으로, 전압이 공급된 직접 대전부재(23)은 피기록재(9)와 직접 접촉하여 감광 부재(1) 상에 형성된 토너상을 피기록재(9)상에 전사한다. 제12 및 13도에서, 각각의 참고 번호는 상기한 바(제11도)와 같은 부재를 의미한다.
제12도에 도시된 전자사진 장치에서는, 감광 부재(1), 직접 대전 부재(10) 및 현상 수단(4)를 포함하는 적어도 3개의 부재가 합체되어 장치 본체 내부에 레일과 같은 가이드 수단에 의해 장치 본체로부터 부착되거나 또는 분리될 수 있는 용기 또는 공정 카트리지(20)과 같은 단일 유닛(전자사진 장치 유닛)을 형성한다. 이 경우에, 클리너 수단(6)은 용기(20) 내에 배치될 수 있다.
제13도에 나타낸 전자사진 장치에서는, 용기(21)에 설치된 감광 부재(1) 및 직접 대전 부재(10) 적어도 2개의 부재를 포함하는 제1전자사진 장치 유닛, 및 용기(22)에 설치된 1개 이상의 현상 수단(7)을 포함하는 제2전자사진 장치 유닛이 장치 본체에 부착되거나 또는 장치로부터 분리될 수 있도록 배치되어 있다. 이 경우에, 클리너 수단(6)은 용기(21) 내에 배치될 수 있다.
전자사진 장치가 복사기 또는 프린터로서 사용되는 경우에, 화상 노광(L)은 반사광 또는 광원으로부터 투과된 광을 사용하거나 또는 광원 상의 데이터를 기록하고, 그 데이터를 신호로 전환하고나서, 레이저 빔을 주사하거나, LED 어레이 또는 액정 셔터 어레이를 구동시킴으로써 수행할 수 있다.
본 발명에 따른 전자사진 감광 부재는 통상의 전자사진 복사기뿐만 아니라, 팩시밀리기, 레이저 빔 프린터, 발광 다이오드(LED) 프린터, 음극선관(CRT) 프린터, 액정 프린터, 및 예를 들어, 레이저 플레이트 제작과 같은 전자사진술이 응용된 기타 분야들에 사용할 수 있다.
이하, 실시예를 참고로 하여 본 발명이 더욱 구체적으로 설명될 것이다. 하기 실시예에서 부는 중량부를 의미한다.
[실시예 1]
10% 산화 안티몬을 함유하는 산화 주석으로 피복된 산화 티탄 분말 50부, 레졸형 페놀 수지 25부, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르(메틸 셀로솔브) 20부, 에탄올 5부 및 실리콘 오일(폴리디메틸실록산-폴리옥시알킬렌 공중합체; 평균 분자량=3,000) 0.002부를 1㎜ø 유리 비드를 사용하는 샌드 밀 중에서 2시간 동안 혼합 분산시켜 도전층용 피복액을 제조하였다. 피복액을 알루미늄 실린더(외부 직경=80㎜, 길이=360㎜)의 외부 표면상에 침지 도포시킨 다음 140℃에서 30분 동안 건조시켜, 20㎛두께의 도전층을 형성하였다.
도전층 위에, 메탄올 70부 및 부탄올 25부의 혼합 용매 중의 6-66-610-12 4급 폴리아미드 공중합체(Amilan CM8000, 도레이 가부시끼가이샤 제조) 5부의 용액을 침지 도포시킨 후 건조시켜, 1㎛두께의 하도층을 형성하였다.
이어서, 제1도에 나타낸 X선 회절 패턴을 갖는 I-형 옥시티탄 프탈로시아닌(I-형 TiOPc) 6부 및 식 (I)의 디스아조 안료(안료 번호(1)) 4부를 시클로헥사논 400부 중의 폴리비닐 부티랄(S-LEC BX-1, 세끼스이 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조) 10부의 용액에 가하고 1㎜ø 유리 비드를 사용하는 샌드 밀 중에서 3시간 동안 분산시켰다. 분산액에, 에틸 아세테이트 400부를 가하여 전하 발생층용 피복액을 제조하였다. 피복액을 하도층 위에 침지 피복법으로 도포한 후, 80℃에서 10분 동안 건조시켜서 0.25㎛두께의 전하 발생층을 형성하였다.
하기 식
의 전하 수송 물질 10부 및 비스페놀 Z-형 폴리카르보네이트 수지 10부를 클로로벤젠 60부에 용해시켜, 전하 수송층용 피복액을 제조하였다. 이 피복액을 상기 전하발생층 위에 침지 피복법으로 도포한 후, 110℃에서 1시간 동안 건조시켜 20㎛두께의 전하 수송층을 형성함으로써, 본 발명에 따른 전자 사진 감광 부재를 제조하였다.
[비교예 1]
I-형 TiOPc 10부를 사용하고, 디스아조 안료(안료 번호(1))를 사용하지 않은 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 전자 사진 감광 부재를 제조하였다.
[비교예 2]
디스아조 안료(안료 번호(1))를 사용하지 않은 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 전자 사진 감광 부재를 제조하였다.
[비교예 3]
디스아조 안료(안료 번호(1))를 다음 식
의 디스아조 안료로 대체한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 전자 사진 감광 부재를 제조하였다.
실시예 1 및 비교예 1 내지 3에서 제조한 감광 부재들을 각각 레이저 빔 프린터(LBP-SX, 캐논 가부시끼가이샤 제조)내에 설치하였다. 감광 부재를 -700V의 암소 전위를 갖도록 대전시킨 다음, -150V의 명소 전위를 갖도록 레이저 광(방사 파장:802nm)에 노출시켰다. 이때, 전위를 -700V에서 -150V로 감소시키는 데에 필요한 레이저 광량(μJ/㎠)을 측정하여 감광도를 평가하였다. 또한, 위와 같이 조립한 레이저 빔 프린터로 5,000장의 연속 복사 시험을 실시하였다. 이때, 초기 단계와 복사 시험 후의 암소 전위, 및 초기 단계와 복사 시험 후의 명소 전위를 측정하여, 암소 전위의 변화도(ΔVD) 및 명소 전위의 변화도(ΔVL)를 구하여 반복 사용시의 전위 안정도를 평가하였다. 이어서, 레이저 빔 프린터를 또한 고온(35℃) 및 고습(90%)의 환경 조건 하에서 전체적으로 백색의 상을 제공하는 화상을 형성하게 하여 흑점이 발생하는 상태를 관찰하였다.
그 결과를 표 1 및 표 2에 나타낸다.
*:전하 발생 물질(TiOPc+디스아조 안료).
*:흑점은 시료를 6등급(0~5)로 분류된 표준 시료와 비교하여 평가하였다.
0점은 흑점이 없음을 의미하고, 5점은 화상 전체에 흑점이 발생하여 회색으로 보이는 상태를 의미한다. 즉, 등급 점수가 클수록 흑점의 발생 빈도가 높은 것이며, 0 내지 2점이 허용 가능한 수준이다.
상기 표 1 및 표 2의 결과로부터 명백한 바와 같이, 실시예 1에서 제조한 감광 부재는 적은 양의 TiOPc를 사용하였음에도 불구하고 비교예 1의 감광 부재와 비슷한 정도의 높은 감광도를 나타내었으며, 또한 전위 안정도 및 흑점 형성 면에서 개선되어 있었다. 비교예 2의 감광 부재는 비교예 1의 감광 부재보다 낮은 TiOPc함량으로 인하여 흑점 형성 면에서 개선되어 있지만, 감광도가 낮고 전위 안정도는 약간 개선되었다. 본 발명의 감광 부재와는 다른 디스아조 안료를 함유하는 비교예 3의 감광 부재는 본 발명에 따른 실시예 1의 감광 부재에 의하여 제공되는 개선점을 제공하는데 실패하였다.
[실시예 2]
I-형 TiOPc 6부 및 디스아조 안료(안료 번호(1)) 4부 대신에 I-형 TiOPc 10부를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 제1전하 발생층용 피복액을 제조하였다. 별도로, I-형 TiOPc 6부 및 디스아조 안료(안료 번호(1)) 4부 대신에 식 (I)의 디스아조 안료(안료 번호(5)) 10부를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 제2전하 발생층용 피복액을 제조하였다.
실시예 1에서 제조한 전하 발생층을 제1전하 발생층용 피복액(디스아조 안료 함유)을 사용하여 형성시킨 0.1㎛두께의 제1전하 발생층, 및 제2전하 발생층용 피복액(TiOPc 함유) 및 분무 피복법을 사용하여 제1전하 발생층 위에 형성시킨 0.25㎛두께의 제2전하 발생층을 포함하는 적층형 전하 발생층으로 대체한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 전자 사진 감광 부재를 제조하였다.
[실시예 3]
실시예 2에서 제조한 디스아조 안료를 함유하는 제1전하 발생층 및 TiOPc를 함유하는 제2전하 발생층을 역순으로 배치한 것을 제외하고는 실시예 2와 동일한 방법으로 전자 사진 감광 부재를 제조하였다.
실시예 2 및 3에서 제조한 감광 부재들을 각각 실시예 1과 동일한 방법으로 평가하였다. 그 결과를 표 3에 나타낸다.
상기 표 3의 결과로부터 명백한 바와 같이, 적층형 전하 발생층을 포함하는 감광 부재는 개선된 전위 안정도 및 흑점 형성을 나타내었다. 그 중에서, 본 발명에서 사용되는 디스아조 안료를 함유하는 제1전하 발생층이 하도층 위에 배치된 실시예 2의 감광 부재가 더 양호한 성능을 나타내었다.
[실시예 4~6]
I-형 TiOPc를 제2도에 도시된 X선 회절 패턴을 갖는 α-형 TiOPc(실시예 4), 제3도에 도시된 X선 회절 패턴을 갖는 β-형 TiOPc(실시예 5), 및 제4도에 도시된 X선 회절 패턴을 갖는 Y-형 TiOPc(실시예 6)로 각각 대체한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 전자 사진 감광 부재를 제조하였다.
[비교예 4~6]
I-형 TiOPc를 α-형 TiOPc(비교예 4), β-형 TiOPc(비교예 5), 및 Y-형 TiOPc(비교예 6)로 각각 대체한 것을 제외하고는 비교예 1과 동일한 방법으로 전자 사진 감광 부재를 제조하였다.
실시예 4 내지 6 및 비교예 4 내지 6에서 제조한 감광 부재를 각각 실시예 1과 동일한 방법으로 평가하였다. 그 결과를 하기 표 4 및 표 5에 나타낸다.
[실시예 7~11]
디스아조 안료(안료 번호(1))를 하기 표 6에 제시된 것으로 각각 대체한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 전자 사진 감광 부재를 제조하고 평가하였다. 그 결과도 표 6에 나타낸다.
[실시예 12~15]
전하 수송 물질(CTM)을 이하에 제시된 것으로 각각 대체한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 전자 사진 감광 부재를 제조하고 평가하였다. 그 결과를 이후의 표 7에 나타낸다.
[실시예 12의 CTM]
[실시예 13의 CTM]
[실시예 14의 CTM]
[실시예 15의 CTM]
[실시예 16]
식 (I)의 디스아조 안료(안료 번호(1))를 식 (II)의 디스아조 안료(안료 번호(7))로 대체한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 전자 사진 감광 부재를 제조하였다.
[실시예 17]
식 (I)의 디스아조 안료(안료 번호(5)) 대신에 식 (II)의 디스아조 안료(안료 번호(7))를 사용한 것을 제외하고는 실시예 2와 동일한 방법으로 전자 사진 감광 부재를 제조하였다.
[실시예 18]
실시예 17에서 제조한 제1전하 발생층 및 제2전하 발생층을 역순으로 배치한 것을 제외하고는 실시예 17과 동일한 방법으로 전자 사진 감광 부재를 제조하였다.
실시예 16 내지 18에서 제조한 감광 부재들을 각각 직접 대전 시스템을 사용하는 것으로 개조한 레이저 빔 프린터(LBP-SX, 캐논 가부시끼가이샤 제조)내에 설치하고, DC 전압 -720V 및 AC 전압 1500V를 포함하는 과전압을 가하여 -700V의 암소 전위를 갖도록 감광 부재를 대전시킨 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 평가하였다. 그 결과를 표 8에 나타낸다.
[실시예 19~21]
I-형 TiOPc를 α-형 TiOPc(실시예 19), β-형 TiOPc(실시예 20), 및 Y-형 TiOPc(실시예 21)로 각각 대체한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 전자 사진 감광 부재를 제조하였다.
실시예 19 내지 21에서 제조한 감광 부재들을 각각 실시예 16과 동일한 방법으로 평가하였다. 그 결과를 하기 표 9 및 표 10에 나타낸다.
[실시예 22~28]
디스아조 안료(안료 번호(7))를 하기 표 11에 제시된 것으로 각각 대체한 것을 제외하고는 실시예 16과 동일한 방법으로 전자 사진 감광 부재를 제조하고 평가하였다. 그 결과도 표 11에 나타낸다.
[실시예 29]
식 (I)의 디스아조 안료(안료 번호(1))를 식 (I)의 디스아조 안료(안료 번호(15))로 대체한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 전자 사진 감광 부재를 제조하고 평가하였다. 그 결과를 이후의 표 12에 나타낸다.
[실시예 30]
식 (I)의 디스아조 안료(안료 번호(1)) 대신에 식 (I)의 디스아조 안료(안료 번호(16))를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 전자 사진 감광 부재를 제조하였다.
감광 부재를 실시예 16과 동일한 방법으로 평가하였다. 그 결과를 표 12에 나타낸다.
[실시예 31]
식 (I)의 디스아조 안료(안료 번호(1))를 식 (I)의 디스아조 안료(안료 번호(17))로 대체한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 전자 사진 감광 부재를 제조하고 평가하였다. 그 결과를 이후의 표 13에 나타낸다.
[실시예 32]
식 (I)의 디스아조 안료(안료 번호(1)) 대신에 식 (I)의 디스아조 안료(안료 번호(18))를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 전자 사진 감광 부재를 제조하였다.
감광 부재를 실시예 16과 동일한 방법으로 평가하였다. 그 결과를 표 13에 나타낸다.
[실시예 33]
I-형 TiOPc 0.8부, 식 (I)의 디스아조 안료(안료 번호(1)) 0.2부, 폴리비닐부티랄(S-LEC BX-1, 세끼스이 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 제조) 1.0부 및 시클로헥사논 19부를 1㎜ø 유리 비드를 사용하는 샌드 밀 중에서 3시간 동안 분산시켜서 분산액을 제조하였다.
이어서, 이 분산액에, 테트라히드로푸란 70부 중의 실시예 1에서 사용한 전하 수송 물질 1부 및 비스페놀 Z-형 폴리카르보네이트 수지 10부의 용액을 가하여 감광층용 피복액을 제조하였다.
이 피복액을 하도층 위에 도포한 후, 80℃에서 1시간 동안 건조시켜서 25㎛두께의 감광층을 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 전자 사진 감광 부재를 제조하였다.
이와 같이 제조한 감광 부재를 실시예 1과 동일한 방법으로 평가하였다. 그 결과를 이후의 표 14에 나타낸다.
[비교예 7]
디스아조 안료(안료 번호(1))를 사용하지 않은 것을 제외하고는 실시예 33과 동일한 방법으로 전자 사진 감광 부재를 제조하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 평가하였다. 그 결과를 표 14에 나타낸다.
상술한 바와 같이, TiOPc를 식 (I) 또는 (II)의 디스아조 안료와 혼합하여 사용함으로써, 고온 및 고습의 환경 조건하에서도 TiOPc의 높은 감광성에 손상을 입히지 않고서, 반복 사용시에도 뛰어난 전위차 안정성을 나타내고, 흑점이 거의 없는 양호한 화상을 제공할 수 있는 전자 사진 감광 부재를 제공할 수 있다.

Claims (28)

  1. 지지체(3)와 이 지지체 상에 배치되어 있고, 옥시티탄 프탈로시아닌 및 하기 일반식(I)로 나타내어지는 디스아조 안료를 포함하는 하나 이상의 감광층을 포함하는 전자사진 감광 부재(1).
    상기 식에서, R1및 R2는 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기 또는 알콕시기를 나타내고; R3및 R4는 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자 또는 시아노기를 나타내며; A 및 B는 독립적으로 하기 일반식 (i)로 나타내어지는 커플러 잔기를 나타낸다.
  2. 지지체(3)와 이 지지체 상에 배치되어 있고 옥시티탄 프탈로시아닌 및 하기 일반식(II)로 나타내어지는 디스아조 안료를 포함하는 하나 이상의 감광층을 포함하는 전자사진 감광 부재(1).
    상기 식에서, R6및 R7은 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기 또는 알콕시기를 나타내고; C 및 D는 독립적으로 하기 (i)로 나타내어지는 커플러 잔기를 나타낸다.
  3. 제1항에 있어서, 옥시티탄 프탈로시아닌이 CuKα 특성 X선을 기준으로 한 X선 회절 패턴에서 9.0도, 14.2도, 23.9도 및 27.1도의 브래그 각(Bragg angles)(2θ±0.2도)으로 특정되는 주요 피크를 갖는 것을 특징으로 하는 결정형인 부재(1).
  4. 제1항에 있어서, 옥시티탄 프탈로시아닌이 CuKα 특성 X선을 기준으로 한 X선 회절 패턴에서 7.6도 및 28.6도의 브래그 각(2θ±0.2도)으로 특정되는 주요 피크를 갖는 것을 특징으로 하는 결정형인 부재(1).
  5. 제1항에 있어서, 옥시티탄 프탈로시아닌이 CuKα 특성 X선을 기준으로 한 X선 회절 패턴에서 9.3도 및 26.3도의 브래그 각(2θ±0.2도)으로 특정되는 주요 피크를 갖는 것을 특지으로 하는 결정형인 부재(1).
  6. 제1항에 있어서, 옥시티탄 프탈로시아닌이 CuKα 특성 X선을 기준으로 한 X선 회절 패턴에서 9.5도 및 27.3도의 브래그 각(2θ±0.2도)으로 특정되는 주요 피크를 갖는 것을 특지으로 하는 결정형인 부재(1).
  7. 제1항에 있어서, 감광층이 옥시티탄 프탈로시아닌 및 일반식(I)의 디스아조 안료를 포함하는 전하 발생층() 1층 이상 및 전하 수송층(1)을 포함하는 부재(1).
  8. 제7항에 있어서, 전하 발생층()이 단일층 구조로 된 부재(1).
  9. 제7항에 있어서, 전하 발생층()이 일반식(I)의 디스아조 안료를 포함하는 제1전하 발생층() 및 옥시티탄 프탈로시아닌을 포함하는 제2전하 발생층(2b)를 포함하는 적층 구조로 된 부재(1).
  10. 제7항에 있어서, 전하 발생층()이 일반식(I)의 디스아조 안료를 포함하는 제1전하발생층() 및 옥시티탄 프탈로시아닌을 포함하고 전하 수송층()과 접촉한 상태에 있는 제2전하 발생층()을 포함하는 적층 구조로 된 부재(1).
  11. 제7항에 있어서, 전하 발생층()이 일반식(I)의 디스아조 안료를 포함하고 전하 수송층()과 접촉한 상태에 있는 제1전하 발생층() 및 옥시티탄 프탈로시아닌을 포함하는 제2전하 발생층()을 포함하는 적층 구조로 된 부재(1).
  12. 제2항에 있어서, 감광층이 옥시티탄 프탈로시아닌 및 일반식(II)의 디스아조 안료를 포함하는 전하 발생층() 1층 이상 및 전하 수송층()을 포함하는 부재(1).
  13. 제12항에 있어서, 전하 발생층()이 단일층 구조로 된 부재(1).
  14. 제12항에 있어서, 전하 발생층()이 일반식(II)의 디스아조 안료를 포함하는 제1전하 발생층() 및 옥시티탄 프탈로시아닌을 포함하는 제2전하 발생층()을 포함하는 적층 구조로 된 부재(1).
  15. 제12항에 있어서, 전하 발생층()이 일반식(II)의 디스아조 안료를 포함하는 제1전하 발생층() 및 옥시티탄 프탈로시아닌을 포함하고 전하 수송층()과 접촉한 상태에 있는 제2전하 발생층()을 포함하는 적층 구조로 된 부재(1).
  16. 제12항에 있어서, 전하 발생층()이 일반식(II)의 디스아조 안료를 포함하고 전하 수송층()과 접촉한 상태에 있는 제1전하 발생층() 및 옥시티탄 프탈로시아닌을 포함하는 제2전하 발생층()을 포함하는 적층 구조로 된 부재(1).
  17. 전자사진 감광 부재(1), 이 전자사진 감광 부재를 대전시키는 대전 수단(2), 전자 사진 감광 부재(1)에 화상을 노출시켜 정전 잠상을 형성하는 화상 노출 수단(7) 및 정전 잠상을 토너로 현상하는 현상 수단(4)을 포함하는 전자사진 장치에 있어서, 상기 전자 사진 감광 부재(1)가 지지체(3)와 이 지지체 상에 배치되어 있고, 옥시티탄 프탈로시아닌 및 하기 일반식(I)로 나타내어지는 디스아조 안료를 포함하는 하나 이상의 감광층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자사진 장치.
    상기 식에서, R1및 R2는 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기 또는 알콕시기를 나타내고; R3및 R4는 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자 또는 시아노기를 나타내며; A 및 B는 독립적으로 하기 일반식 (i)로 나타내어지는 커플러 잔기를 나타낸다.
  18. 제17항에 있어서, 대전 수단(2)이 직접 대전 부재(10)를 포함하는 장치.
  19. 전자 사진 감광 부재(1) 및 전자사진 감광 부재(1)와 접촉하여 전자사진 감광 부재를 대전시키는 직접 대전 부재(10)를 포함하는 전자사진 장치 유닛에 있어서, 상기 전자사진 감광 부재(1)가 지지체(3)와 이 지지체 상에 배치되어 있고, 옥시티탄 프탈로시아닌 및 하기 일반식(I)로 나타내어지는 디스아조 안료를 포함하는 하나 이상의 감광층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자사진 장치 유닛.
    상기 식에서, R1및 R2는 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기 또는 알콕시기를 나타내고; R3및 R4는 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자 또는 시아노기를 나타내며; A 및 B는 독립적으로 하기 일반식 (i)로 나타내어지는 커플러 잔기를 나타낸다.
  20. 제19항에 있어서, 전자사진 감광 부재(1) 상에 형성된 정전 잠상을 현상하는 현상 수단(4)을 더 포함하는 유닛.
  21. 제2항에 있어서, 옥시티탄 프탈로시아닌이 CuKα 특성 X선을 기준으로 한 X선 회절 패턴에서 9.0도, 14.2도, 23.9도 및 27.1도의 브래그 각(2θ±0.2도)으로 특정되는 주요 피크를 갖는 것을 특징으로 하는 결정형인 부재(1).
  22. 제2항에 있어서, 옥시티탄 프탈로시아닌이 CuKα 특성 X선을 기준으로 한 X선 회절 패턴에서 7.6도 및 28.6도의 브래그 각(2θ±0.2도)으로 특정되는 주요 피크를 갖는 것을 특징으로 하는 결정형인 부재(1).
  23. 제2항에 있어서, 옥시티탄 프탈로시아닌이 CuKα 특성 X선을 기준으로 한 X선 회절 패턴에서 9.3도 및 26.3도의 브래그 각(2θ±0.2도)으로 특정되는 주요 피크를 갖는 것을 특징으로 하는 결정형인 부재(1).
  24. 제2항에 있어서, 옥시티탄 프탈로시아닌이 CuKα 특성 X선을 기준으로 한 X선 회절 패턴에서 9.5도 및 27.3도의 브래그 각(2θ±0.2도)으로 특정되는 주요 피크를 갖는 것을 특징으로 하는 결정형인 부재(1).
  25. 전자사진 감광 부재(1), 이 전자사진 감광 부재(1)를 대전시키는 대전 수단(2), 전자 사진 감광 부재(1)에 화상을 노출시켜 정전 잠상을 형성하는 화상 노출 수단(7) 및 정전 잠상을 토너로 현상하는 현상 수단(4)을 포함하는 전자사진 장치에 있어서, 상기 전자 사진 감광 부재(1)가 지지체(3)와 이 지지체 상에 배치되어 있고 옥시티탄 프탈로시아닌 및 하기 일반식(II)로 나타내어지는 디스아조 안료를 포함하는 하나 이상의 감광층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자사진 장치.
    상기 식에서, R6및 R7은 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기 또는 알콕시기를 나타내고; C 및 D는 독립적으로 하기 (i)로 나타내어지는 커플러 잔기를 나타낸다.
  26. 전자사진 감광 부재(1) 및 전자사진 감광 부재(1)와 접촉하여 전자사진 감광 부재를 대전시키는 직접 대전 부재(10)를 포함하는 전자사진 장치 유닛에 있어서, 상기 전자사진 감광 부재(1)가 지지체(3)와 이 지지체 상에 배치되어 있고 옥시티탄 프탈로시아닌 및 하기 일반식(II)로 나타내어지는 디스아조 안료를 포함하는 하나 이상의 감광층을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 사진 장치 유닛.
    상기 식에서, R6및 R7은 독립적으로 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기 또는 알콕시기를 나타내고; C 및 D는 독립적으로 하기 (i)로 나타내어지는 커플러 잔기를 나타낸다.
  27. 제25항에 있어서, 대전 수단(2)이 직접 대전 부재(10)를 포함하는 장치.
  28. 제26항에 있어서, 전자사진 감광 부재(1) 상에 형성된 정전 잠상을 현상하는 현상 수단(4)을 더 포함하는 유닛.
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