KR950009756A - 배리스터와 그 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은 종래의 산화아연배리스터가 고온에서 성형체를 소성한후, 전극을 베이킹하지 않으면 안된다고 하는 복잡한 공정을 개선하고, 그 제조방법을 간소화하고 또한 뛰어난 배리스터 제특성을 가진 배리스터를 제공하는 것을 목적으로 한것이며, 그 구성에 있어서, 배리스터는 주성분의 산화아연에 부성분으로서 적어도 비스무트와 안티몬을, 그주성분과 부성분의 합계량을 100mol%로 했을때 비스무트의 함유량이 Bi₂0₃으로 환산해서 0.1~4.0mol%이고, 안티몬의 함유향이 Sb₂O₃으로 환산해서 Bi₂O과의 몰비가 으로되도록 각각 첨가해서 혼합한 후 성형체를 형성하고, 그 성형체의 양면에 Ag페이스트 또는 Ag-Pd페이스트 등의 전극을 도포해서 800~960℃의 온도에서 성형체와 전극을 동시 소성해서 제조되는 것을 특징으로 한것이다. 제1도

Description

배리스터와 그 제조방법

제1도는 본 발명의 일실시예에 있어서의 배리스터의 구조를 표시한 단면도,

제2도는 본 발명의 일실시예에 있어서의 배리스터소자의 Sb₂O₃/Bi₂O₃(mol비)와 소결체밀도와의 관계를 표시한 특성도,

제3도는 본 발명의 일실시예에 있어서의 소성온도와 배리스터소자의 소결체미도와의 관계를 표시한 특성도.

Claims (19)

1. 배리스터소결체와, 그 배리스터소결체의 양면에 형성된 1쌍의 전극으로 이루어진 배리스터로서, 상기 배리스터소결체를 구성하는 재료의 주성분이 산화아연이며, 부성분으로서 적어도 비스무트와 안티몬을 함유하고, 상기 주성분과 상기 부성분의 합계량을 100mol%로 했을때에 상기 비스무트의 함유량이 Bi₂0₃으로 환산해서 0.1~0.1mol%이고, 안티몬의 함유량이 Sb₂O₃으로 환산해서 Bi₂0₃과의 몰비가(Sb₂O₃/Bi₂O₃)≤1.0으로 되게 하는 양인 것을 특징으로 하는 배리스터.
2. 제1항에 있어서, 또 부성분으로서 붕소를 B₂O₃으로 환산해서 B₂O₃≤0.5mol%함유시킨 것을 특징으로 하는 배리스터.
3. 제1항에 있어서, 또 부성분으로서 납, 게르마늄 또는 주석중의 적어도 1종류이상을 PbO, GeO₂또는 SnO₂로 환산해서 (PbO+GeO₂+SnO₂)≤0.5mol%함유시킨 것을 특징으로 하는 배리스터.
4. 제1항에 있어서, 또 부성분으로서 납, 게르마늄 또는 주석중의 적어도 1종이상을 PbO, GeO₂또는 SnO₂로 환산해서 (PbO+GeO₂+SnO₂)≤0.5mol%함유시킨 것을 특징으로 하는 배리스터.
5. 제1항에 있어서, 또 부성분으로서 알루미늄을 Al₂O₃으로 환산해서 0.001~0.01mol%함유시킨 것을 특징으로 하는 배리스터.
6. 배리스터소결체와, 그 배리스터소결체의 양면에 형성된 1쌍의 전극으로 이루어진 배리스터로서, 상기 배리스터소결체를 구성하는 재료의 주성분이 산화아연이며, 부성분으로서 적어도 비스무트를 Bi₂0₃으로 환산해서 0.1~4.0mol%함유하고, 또 다른 부성분으로서 안티몬 또는 인중의 적어도 1종류를 SbO₂O₃또는 P₂O₅로 환산해서 (Sb₂O₃+P₂O₅)≤1.0mol%함유하는 것(단 P₂O₅의 함유량은 0.3mol%를 초과하지 않는 것으로 하고, (Sb₂O₃+P₂O₅)/Bi₂O₃의 mol비는 1.0을 초과하지 않는 것으로 한다)을 특징으로 하는 배리스터.
7. 주성분의 산화아연에 부성분으로서 비스무트와 안티몬을 첨가해서 균질로 혼합하고, 프레스등에 의해 성형체를 형성후 그 성형체의 양면에 전극페이스틀 도포한 후, 800~900℃의 온도에서 상기 성형체와 상기 전극페이스트를 동시에 소성하는 것을 특징으로 하는 배리스터의 제조방법.
8. 제7항에 있어서, 전극페이스트로서 Ag페이스트 또는 Ag-Pd페이스트를 사용한 것을 특징으로 하는 배리스터의 제조방법.
9. 제7항 또는 제8항에 있어서, 부성분의 비스무트의 첨가량이 Bi₂O₃으로 환산해서 0.1~4.0mol%, 안티몬의 첨가량이 Sb₂O₃으로 환산해서 Bi₂O₃과의 몰비가 (Sb₂O₃/Bi₂O₃)≤1.0으로 되게하는 양인 것을 특징으로 하는 배리스터의 제조방법.
10. 제7항 또는 제8항에 있어서, 부성분으로서 또 붕소를 B₂O₃으로 환산해서 B₂O₃≤0.5mol%함유시킨 것을 특징으로 하는 배리스터의 제조방법.
11. 제7항 또는 제8항에 있어서, 부성분으로서 또 납, 게르마늄 또는 주석중의 적어도 1종이상을 PbO, GeO₂또는 SnO₂로 환산해서 (PbO+GeO₂+SnO₂)≤0.5mol%함유시킨 것을 특징으로 하는 배리스터의 제조방법.
12. 주성분의 산화아연에 부성분으로서 비스무트를 Bi₂O₃으로 환산해서 0.1~4.0mol% 또 안티몬과 인증의 적어도 1종류를 Sb₂O₃또는 P₂O₅로 환산해서 (Sb₂O₃+P₂O₅)≤1.0mol%첨가해서 (단 P₂O₅의 함유량은 0.3mol%를 초과하지 않는 것으로 하고, (Sb₂O₃+P₂O₅)/Bi₂O₃의 mol비는 1.0을 초과하지 않는 것으로 한다)균질로 혼합하고, 프레스등에 의해 성형을 형성후 그성형체의 양면에 전극페이스트를 도포한후, 800~960℃의 온도에서 상기 성형체아 상기 전극페이스트를 동시에 소성하는 것을 특징으로 하는 배리스터의 제조방법.
13. 주성분의 산화아연에 부성분으로서 비스무트와 안티몬을 첨가해서 균질로 혼합하고, 복수의 세라믹시트를 형성후, 다음에 이 복수의 세라믹시트와 복수의 내부전극을 교호로, 또한 상기 내부전극이 상기 세라믹시트의 양단부에 교호로 노출하도록 겹쳐쌓아서 적충체를 형성하고, 다음에 내부전극이 교호로 노출한 상기 적충제의 양단부에 1쌍의 외부전극을 형성한 후, 800~960℃

    의 온도에서 상기 적층체와 상기 내부전극 및 상기 외부전극을 동시에 소성하는 것을 특징으로 하는 배리스터의 제조방법.
14. 제13항에 있어서, 1쌍의 외부전극으로서 Ag페이스트 또는 Ag-Pd페이스트를 사용한 것을 특징으로 하는 배리스터의 제조방법.
15. 제13항에 있어서, 내부전극으로서 Ag페이스트 또는 Ag-Pd페이스트를 사용한 것을 특징으로 하는 배리스터의 제조방법.
16. 제15항에 있어서, 비스무트의 첨가량을 Bi₂O₃으로 환산해서 0.1~4.0mol%로하고, 안티몬의 첨가량을 Sb₂O₃으로 환산해서 Bi₂O₃과의 몰비가(Sb₂O₃/Bi₂O₃)≤으로 되게하는 양으로 한 것을 특징으로 하는 배리스터의 제조방법.
17. 제13항에 있어서, 부성분으로서 또 붕소를 B₂O₃으로 환산해서 B₂O₃≤0.5mol%첨가한 것을 특징으로 하는 배리스터의 제조방법.
18. 제13항에 있어서, 부성분으로서 또 납, 게르마늄 또는 주석중의 적어도 1종이상을 PbO, GeO₂또는 SnO₂로 환산해서 (PbO+GeO₂+SnO₂)≤0.5mol%첨가한 것을 특징으로 하는 배리스터의 제조방법.
19. 주성분의 산화아연에 부성분으로서 비스무트를 Bi₂O₃으로 환산해서 0.1~4.0mol% 또 안티몬과 인증의 적어도 1종류를 Sb₂O₃또는 P₂O₅로 환산해서 (Sb₂O₃+P₂O₅)1.0mol%첨가, 단 P₂O₅의 첨가량은 0.3mol%을 초과하지 않는 것으로 하고, (Sb₂O₃+P₂O₅)/Bi₂O₃의 mol비는 1.0을 초과하지 않는 것으로해서 이들을 균질로 혼합하고, 복수의 세라믹 시트를 형성후, 다음에 이 복수의 세라믹시트와 복수의 내부전극을 교호로, 또한 상기 내부전극이 상기 세라믹시트의 양단부에 교호로 노출하도록 겹쳐 쌓아서 적층제를 형성하고, 다음에 내부전극이 교호로 노출한 상기 적층체의 양단부에 1쌍의 외부전극을 형성한 후, 800~960℃의 온도에서 상기 적층체와 상기 내부전극 및 상기 외부전극을 동시에 소성하는 것을 특징으로 하는 배리스터의 제조방법.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.